WO2020111202A1 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

表示装置および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2020111202A1
WO2020111202A1 PCT/JP2019/046664 JP2019046664W WO2020111202A1 WO 2020111202 A1 WO2020111202 A1 WO 2020111202A1 JP 2019046664 W JP2019046664 W JP 2019046664W WO 2020111202 A1 WO2020111202 A1 WO 2020111202A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
display device
electrode
insulating layer
interface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2019/046664
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
彰 渡部
義史 財前
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Corp
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp, Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Corp
Priority to US17/294,654 priority Critical patent/US12347583B2/en
Priority to JP2020557838A priority patent/JP7464335B2/ja
Priority to CN201980076056.6A priority patent/CN113170550B/zh
Priority to DE112019005931.9T priority patent/DE112019005931T5/de
Priority to KR1020217014196A priority patent/KR102731719B1/ko
Publication of WO2020111202A1 publication Critical patent/WO2020111202A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US19/226,710 priority patent/US20250357017A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers

Definitions

  • the present disclosure relates to display devices and electronic devices.
  • OLEDs Organic Electro-Luminescence Diodes
  • Patent Document 1 proposes a technique in which an insulating film is provided in an inter-element region between a plurality of light emitting elements, and a groove is provided in a position between adjacent light emitting elements in the insulating film.
  • Patent Document 2 proposes a technique of forming at least a part of a film thickness region of an insulating layer with a positively charged inorganic nitride.
  • An object of the present disclosure is to provide a display device and an electronic device that can suppress a leakage of a drive current that occurs between adjacent light emitting elements.
  • a first disclosure is a silicon compound, which is provided between a plurality of first electrodes provided for each pixel and a first electrode and covers a peripheral portion of the first electrode. Provided on the interface between the first electrode and the insulating layer, and the first interface layer including the first silicon oxide, and provided on the first electrode and the insulating layer in common for all pixels.
  • the display device includes an organic layer including a light emitting layer and a second electrode provided on the organic layer, and the insulating layer includes the second silicon oxide on the surface portion on the organic layer side.
  • a plurality of first electrodes provided for each pixel, an insulating layer provided between the first electrodes and containing a silicon compound, and a side surface of the first electrode and a side surface of the insulating layer.
  • a first interface layer including a first silicon oxide, a first electrode and an insulating layer that are provided in common for all pixels, and an organic layer including a light emitting layer, and an organic layer that is provided on the organic layer.
  • a second electrode, and the thickness of the organic layer on the first electrode is substantially constant.
  • a plurality of first electrodes provided for each pixel, an insulating layer provided between the first electrodes, and a side surface of the first electrode and a side surface of the insulating layer are provided.
  • the organic layer has a substantially constant thickness on the electrode.
  • the fourth disclosure is an electronic device including the display device according to any one of the first to third disclosures.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to a modified example 1 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to a modified example 2 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to Modification 3 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to a modified example 4 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to a modified example 5 of the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to a second embodiment of the present disclosure. It is sectional drawing which expands and represents a part of display apparatus shown in FIG. It is sectional drawing which expands and represents a part of display apparatus which concerns on a comparative example.
  • FIG. 15A, FIG. 15B, FIG. 15C, FIG. 15D, FIG. 15E, and FIG. 15F are cross-sectional views showing an example of the manufacturing process of the display device.
  • 16A, 16B, 16C, and 16D are cross-sectional views showing an example of the manufacturing process of the display device.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to a modified example of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to a modified example of the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an enlarged part of a display device according to a third embodiment of the present disclosure. It is sectional drawing which expands and represents a part of display device which concerns on a modification.
  • 20A, 20B, and 20C are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process of a display device.
  • 21A, 21B, and 21C are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process of a display device.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example of a configuration of a display device according to a modified example of the third embodiment of the present disclosure. It is sectional drawing which shows an example of a structure of the display apparatus which concerns on the 4th Embodiment of this indication.
  • FIG. 24A is a cross-sectional view showing a part of the display device shown in FIG. 23 in an enlarged manner.
  • FIG. 24B is a cross-sectional view showing an enlarged part of the display device according to the modification.
  • FIG. 25A is a schematic cross-sectional view for explaining the first example of the resonator structure.
  • FIG. 25B is a schematic sectional view for explaining the second example of the resonator structure.
  • FIG. 26A is a schematic cross-sectional view for explaining the third example of the resonator structure.
  • FIG. 26B is a schematic sectional view for explaining the fourth example of the resonator structure.
  • FIG. 27A is a schematic cross-sectional view for explaining the fifth example of the resonator structure.
  • FIG. 27B is a schematic sectional view for explaining the sixth example of the resonator structure. It is a typical sectional view for explaining the 7th example of a resonator structure. It is a top view showing an example of a schematic structure of a module.
  • FIG. 30A is a front view showing an example of the external appearance of a digital still camera.
  • FIG. 30B is a rear view showing an example of the outer appearance of the digital still camera.
  • It is a perspective view of an example of the appearance of a head mounted display. It is a perspective view which shows an example of the external appearance of a television apparatus. It is a perspective view showing an example of the appearance of a lighting installation.
  • FIG. 30A is a front view showing an example of the external appearance of a digital still camera.
  • FIG. 30B is a rear view showing an example of the outer appearance of the digital still camera.
  • It is a perspective view of an example of the appearance of a head mounted display.
  • It is a perspective view which shows
  • FIG. 34A is a diagram showing an absorption spectrum of a bulk layer measured by a Fourier transform infrared spectrophotometer.
  • FIG. 34B is a diagram showing an absorption spectrum of a bulk layer measured by a Fourier transform infrared spectrophotometer. The relationship between the peak intensity I NH derived from the NH bond and the peak intensity ratio I Si-H derived from the Si—H bond (I NH /I Si-H ) and the leak amount between pixels is shown. It is a graph.
  • FIG. 36 is a graph showing the relationship between the average thickness of the first interface layer and the leak amount between pixels. 7 is a graph showing evaluation results of luminous efficiency of the display devices of Examples 5-1 to 5-4 and Comparative example 5-1.
  • FIG. 34B is a diagram showing an absorption spectrum of a bulk layer measured by a Fourier transform infrared spectrophotometer. The relationship between the peak intensity I NH derived from the NH bond and the peak intensity ratio I Si-H derived
  • FIG. 38A is a diagram showing a model of an electromagnetic field simulation of Example 6-1.
  • FIG. 38B is a diagram showing a model of the electromagnetic field simulation of Example 6-2.
  • FIG. 39A is a diagram showing a model of an electromagnetic field simulation of Comparative Example 6-1.
  • FIG. 39B is a diagram showing a model of the electromagnetic field simulation of Comparative Example 6-2. It is a figure which shows the analysis result of the electromagnetic field simulation of Example 6-1. It is a figure which expands and represents the area
  • FIG. 16 is a diagram showing an analysis result of an electromagnetic field simulation of Example 6-2. It is a figure which expands and represents the area
  • FIG. 11 is a diagram showing an analysis result of an electromagnetic field simulation of Comparative Example 6-2. It is a figure which expands and represents the area
  • FIG. 1 illustrates an example of the overall configuration of an organic EL (Electro-Luminescence) display device 10 (hereinafter, simply referred to as “display device 10”) according to a first embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 is suitable for use in various electronic devices, and a display area 110A and a peripheral area 110B are provided on the periphery of the display area 110A on the substrate 11.
  • a plurality of sub-pixels 100R, 100G, 100B are arranged in a matrix in the display area 110A.
  • the sub-pixel 100R displays red
  • the sub-pixel 100G displays green
  • the sub-pixel 100B displays blue.
  • the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are referred to as the sub-pixel 100 unless otherwise specified.
  • the columns of sub-pixels 100R, 100G, and 100B that display the same color are repeatedly arranged in the row direction. Therefore, the combination of the three sub-pixels 100R, 100G, and 100B arranged in the row direction configures one pixel.
  • a signal line driving circuit 120 and a scanning line driving circuit 130 which are drivers for video display, are provided.
  • the signal line drive circuit 120 supplies a signal voltage of a video signal according to the brightness information supplied from a signal supply source (not shown) to the selected pixel via the signal line 120A.
  • the scanning line drive circuit 130 is composed of a shift register or the like that sequentially shifts (transfers) the start pulse in synchronization with the input clock pulse.
  • the scanning line driving circuit 130 scans each pixel in units of rows when writing a video signal to each pixel and sequentially supplies the scanning signal to each scanning line 130A.
  • FIG. 2 is a sectional view showing an example of the configuration of the display device 10 according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a sectional view showing a part of the display device 10 shown in FIG. 2 in an enlarged manner.
  • the display device 10 is a top emission type display device, and includes a substrate (first substrate) 11, a plurality of light emitting elements 12 and an insulating layer 13 provided on one main surface of the substrate 11, and a plurality of light emitting elements. 12, the protective layer 15 provided on the protective layer 15, the color filter 16 provided on the protective layer 15, the filling resin layer 17 provided on the color filter 16, and the counter substrate provided on the filling resin layer 17 ( Second substrate) 18.
  • the counter substrate 18 side is the top side, and the substrate 11 side is the bottom side.
  • the plurality of light emitting elements 12 are arranged in a matrix on one main surface of the substrate 11.
  • the light emitting element 12 is a white organic EL light emitting element, and as a colorization method in the display device 10, a method using a white organic EL light emitting element and a color filter 16 is used. It should be noted that the colorization method is not limited to this, and an RGB coloring method or the like may be used. Alternatively, a monochromatic filter may be used.
  • the light emitting element 12 is one in which, for example, a first electrode 12A as an anode, an organic layer 12B, and a second electrode 12C as a cathode are stacked in this order from the substrate 11 side.
  • the substrate 11 is a support body that supports a plurality of light emitting elements 12 arranged on one main surface. Although not shown, the substrate 11 is provided with a driving circuit including a sampling transistor and a driving transistor for controlling driving of the plurality of light emitting elements 12, and a power supply circuit for supplying electric power to the plurality of light emitting elements 12. May be.
  • the substrate 11 may be made of, for example, glass or resin having low moisture and oxygen permeability, or may be made of a semiconductor in which a transistor or the like can be easily formed.
  • the substrate 11 is a glass substrate such as high strain point glass, soda glass, borosilicate glass, forsterite, lead glass, or quartz glass, a semiconductor substrate such as amorphous silicon or polycrystalline silicon, or polymethyl
  • a resin substrate such as methacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinyl phenol, polyether sulfone, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, or polyethylene naphthalate.
  • the board 11 is provided with a contact plug 11A.
  • the contact plug 11A electrically connects the first electrode 12A to the drive circuit, the power supply circuit, and the like.
  • the contact plug 11 ⁇ /b>A electrically connects the first electrode 12 ⁇ /b>A and a drive circuit, a power supply circuit, and the like (not shown) provided inside the substrate 11 so that the light emitting element 12 emits light. Is applied to the first electrode 12A.
  • the contact plug 11A is, for example, chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), tungsten (W), titanium (Ti), tantalum (Ta). ), aluminum (Al), iron (Fe), or silver (Ag), or a simple substance of metal, such as an alloy, or a stacked layer of a plurality of these metal films.
  • the first electrode 12A is provided separately for each of the sub-pixels 100R, 100G, 100B.
  • the first electrode 12A also has a function as a reflective layer, and it is preferable that the first electrode 12A be composed of a metal layer having a reflectance as high as possible and a work function as large as possible in order to improve light emission efficiency.
  • the constituent material of the metal layer for example, chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), At least one of simple substance and alloy of metal elements such as aluminum (Al), magnesium (Mg), iron (Fe), tungsten (W), and silver (Ag) can be used. Specific examples of the alloy include AlNi alloy and AlCu alloy.
  • the first electrode 12A may be composed of a laminated film of a plurality of metal layers containing at least one of the above simple substance of metal elements and alloys.
  • the second electrode 12C is provided as an electrode common to all the sub-pixels 100R, 100G, 100B in the display area 110A.
  • the second electrode 12C is a transparent electrode that is transparent to the light generated in the organic layer 12B.
  • the transparent electrode also includes a semi-transmissive reflective film.
  • the second electrode 12C is made of, for example, a metal or a metal oxide.
  • the metal for example, at least one selected from a simple substance of metal elements such as aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), and sodium (Na) and an alloy thereof can be used.
  • an alloy of magnesium (Mg) and silver (Ag) (MgAg alloy) or an alloy of aluminum (Al) and lithium (Li) (AlLi alloy) is suitable.
  • the metal oxide for example, a mixture of indium oxide and tin oxide (ITO), a mixture of indium oxide and zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or the like can be used. it can.
  • the insulating layer 13 is for electrically separating the first electrode 12A for each of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B.
  • the insulating layer 13 is provided between the first electrodes 12A and covers the peripheral portion of the first electrodes 12A. More specifically, the insulating layer 13 has an opening at a portion corresponding to each first electrode 12A, and a peripheral portion of an upper surface of the first electrode 12A (a surface facing the second electrode 12C). To the side surface (end surface) of the first electrode 12A.
  • a first interface layer 14 is provided at the interface between the first electrode 12A and the insulating layer 13.
  • the insulating layer 13 includes a bulk layer 13A that serves as an insulating layer body, and a second interface layer 13B provided at the interface between the bulk layer 13A and the organic layer 12B.
  • the bulk layer 13A is preferably positively charged. Since the bulk layer 13A is positively charged, it is possible to suppress the leak of the hole current generated between the adjacent light emitting elements 12.
  • the bulk layer 13A contains a silicon compound as a main component.
  • the main component refers to the one having the largest proportion of the material components contained in the bulk layer 13A.
  • the silicon compound includes, for example, at least one selected from the group consisting of silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), and silicon carbide (SiC x ).
  • silicon nitride SiN x
  • SiO x silicon oxide
  • SiO x N y silicon oxynitride
  • SiC x silicon carbide
  • the bulk layer 13A may further contain hydrogen (H).
  • H hydrogen
  • a Si-containing gas eg, SiH 4 etc.
  • an N-containing gas eg, NH 2 , NH 3 etc.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • the bulk layer 13A contains hydrogen contained in the source gas.
  • the peak intensity I NH and Si—H bond derived from the N—H bond obtained by analyzing the bulk layer 13A with a Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR) are obtained.
  • the peak intensity ratio (I NH /I Si-H ) with the derived peak intensity I Si-H is preferably less than 4, and more preferably 3 or less.
  • the peak intensity ratio (I NH /I Si-H ) is less than 4, the dipole formed at the interface with the first interface layer 14 can be increased. Therefore, the fixed charge of the insulating layer 13 can be increased and the insulating layer 13 can be effectively positively charged. Therefore, the leak of the hole current generated between the adjacent light emitting elements 12 can be further suppressed.
  • the peak intensity ratio (I NH /I Si-H ) is calculated as follows. First, after the counter substrate 18 is peeled from the display device 10, the layers stacked on the bulk layer 13A are peeled off to expose the surface of the bulk layer 13A. Next, the bulk layer 13A is analyzed by FT-IR to acquire an FT-IR spectrum. Then, using the obtained FT-IR spectrum, the peak intensity ratio (I NH /I Si-H ) is obtained.
  • the second interface layer 13B is for suppressing the leak of the hole current and the leak of the electron current which occur between the adjacent light emitting elements 12.
  • the second interface layer 13B has a lattice strain, and thus the function of suppressing the leak of the hole current and the leak of the electron current described above is exhibited.
  • the "lattice strain” is assumed to include the lattice strain of minute crystal grains contained in the second interface layer 13B.
  • “leakage of hole current” means that holes injected from the first electrode 12A, which is an anode, travel through the interface between the insulating layer 13 and the organic layer 12B, and the adjacent first electrode 12A. It refers to the phenomenon that flows to.
  • electrostatic current leakage includes a phenomenon in which electrons injected from the second electrode 12C, which is a cathode, travels through the organic layer 12B and flows to the adjacent first electrode 12A, or the organic layer 12B. This is a phenomenon in which electrons formed in the charge generation layer (for example, hole injection layer) flow along the organic layer 12B.
  • the second interface layer 13B has a composition different from that of the bulk layer 13A. Specifically, the second interface layer 13B contains silicon oxide. The second interface layer 13B may further contain nitrogen (N). In this case, nitrogen forms a bond with silicon in the second interface layer 13B and may be present as silicon nitride or silicon oxynitride. Since the second interface layer 13B contains nitrogen, the second interface layer 13B easily causes lattice distortion, and the function of suppressing the above-described hole current leak and electron current leak can be further improved. ..
  • the second interface layer 13B covers the main surface of the bulk layer 13A and the edge (end surface) of the bulk layer 13A.
  • the second interface layer 13B preferably has a substantially uniform thickness over the entire layer from the viewpoint of improving the function of suppressing the leak of the hole current and the leak of the electron current described above.
  • the upper limit of the average thickness of the second interface layer 13B is preferably 10 nm or less. When the average thickness of the second interface layer 13B is 10 nm or less, the relaxation of the lattice strain of the second interface layer 13B can be suppressed.
  • the lower limit of the average thickness of the second interface layer 13B is preferably 2 nm or more.
  • the average thickness of the second interface layer 13B is obtained in the same manner as the average thickness of the first interface layer 14 described later.
  • the ratio of silicon oxide to the total amount of silicon oxide and silicon nitride in the second interface layer 13B is preferably 80% or more.
  • the ratio is 80% or more, the lattice strain can be effectively generated in the second interface layer 13B due to the difference in composition between the bulk layer 13A and the second interface layer 13B. Therefore, the function of suppressing the leak of the hole current and the leak of the electron current described above can be further improved.
  • the ratio of silicon oxide to the total amount of silicon oxide and silicon nitride is calculated as follows. First, a cross section of the display device 10 is cut out by the FIB method or the like to produce a thin piece. Next, the cross section of the thin piece is analyzed by electron energy loss spectroscopy (EELS) to determine the contents of silicon oxide and silicon nitride in the second interface layer 13B. Then, using these contents, the ratio of silicon oxide to the total amount of silicon oxide and silicon nitride is calculated.
  • EELS electron energy loss spectroscopy
  • the first interface layer 14 is for suppressing the exchange of elements forming the film between the first electrode 12A and the insulating layer 13, for example, the exchange of oxygen, and for suppressing the deterioration of the characteristics of the insulating layer 13. .. Specifically, for example, it is intended to suppress a decrease in fixed charges of the bulk layer 13A and keep the insulating layer 13 (specifically, the bulk layer 13A) positively charged.
  • the first interface layer 14 has a composition different from that of the bulk layer 13A. Specifically, the first interface layer 14 contains silicon oxide.
  • the average thickness of the first interface layer 14 is preferably 1 nm or more and less than 15 nm, more preferably 1 nm or more and 13 nm or less, still more preferably 1 nm or more, from the viewpoint of suppressing the leak of hole current between the adjacent light emitting elements 12. It is 9 nm or less, particularly preferably 1 nm or more and 7 nm or less, and most preferably 1 nm or more and 5 nm or less.
  • the average thickness of the first interface layer 14 is obtained as follows. First, a cross section of the display device 10 is cut out by cryo-FIB (Focused Ion Beam) processing or the like to produce a thin piece. Then, the produced thin piece is observed by TEM (Transmission Electron Microscope), and one cross-sectional TEM image is acquired. At this time, the acceleration voltage was set to 80 kV. Next, in one acquired cross-sectional TEM image, the thickness of the portion of the first interface layer 14 covering the first electrode 12A (the portion of the region R in FIG. 3) was measured at 10 points or more. To do. At this time, each measurement position is randomly selected from the portion covering the first electrode 12A. Then, the film thickness of the first interface layer 14 measured at 10 points or more is simply averaged (arithmetic average) to obtain the average thickness of the first interface layer 14.
  • the organic layer 12B is provided as an organic layer common to all the sub-pixels 100R, 100G and 100B in the display area 110A.
  • FIG. 4 is an enlarged view of the organic layer 12B shown in FIG.
  • the organic layer 12B has a structure in which a hole injection layer 12B 1 , a hole transport layer 12B 2 , a light emitting layer 12B 3 , and an electron transport layer 12B 4 are laminated in this order from the first electrode 12A side.
  • the structure of the organic layer 12B is not limited to this, and layers other than the light emitting layer 12B 3 are provided as needed.
  • the hole injection layer 12B 1 is a buffer layer for increasing the efficiency of hole injection into the light emitting layer 12B 3 and for suppressing leakage.
  • the hole transport layer 12B 2 is for enhancing the efficiency of hole transport to the light emitting layer 12B 3 .
  • the light emitting layer 12B 3 is a layer that emits light by recombination of electrons and holes when an electric field is applied.
  • the electron transport layer 12B 4 is for enhancing the electron transport efficiency to the light emitting layer 12B 3 .
  • An electron injection layer (not shown) may be provided between the electron transport layer 12B 4 and the second electrode 12C. This electron injection layer is for improving the electron injection efficiency.
  • the protective layer 15 is for blocking the light emitting element 12 from the outside air and suppressing the infiltration of water from the outside environment into the light emitting element 12. Further, when the second electrode 12C is composed of a metal layer, the protective layer 15 also has a function of suppressing the oxidation of this metal layer.
  • the protective layer 15 is, for example, silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiN x O y ), titanium oxide (TiO x ), aluminum oxide (Al x O y ), or the like. Is composed of an inorganic material having a low Further, the protective layer 15 may have a single-layer structure, but may have a multi-layer structure when the thickness is increased. This is to relieve the internal stress in the protective layer 15. Further, the protective layer 15 may be made of a polymer resin. In this case, as the polymer resin, at least one resin material of thermosetting resin and ultraviolet curable resin can be used.
  • the color filter 16 is a so-called on-chip color filter (OCCF).
  • the color filter 16 includes, for example, a red filter 16R, a green filter 16G, and a blue filter 16B.
  • the red filter 16R, the green filter 16G, and the blue filter 16B are provided to face the light emitting element 12 of the sub pixel 100R, the light emitting element 12 of the sub pixel 100G, and the light emitting element 12 of the sub pixel 100B, respectively.
  • the white light emitted from each of the light emitting elements 12 in the sub-pixel 100R, the sub-pixel 100G, and the sub-pixel 100B passes through the red filter 16R, the green filter 16G, and the blue filter 16B, respectively, and thereby the red light is emitted.
  • Green light, and blue light are emitted from the display surface, respectively.
  • a light shielding layer 16BM is provided between the color filters of each color, that is, in the region between the sub-pixels 100.
  • the filling resin layer 17 is filled in the space between the protective layer 15 and the color filter 16.
  • the filling resin layer 17 has a function as an adhesive layer that adheres the color filter 16 and the counter substrate 18 together.
  • the filling resin layer 17 is made of at least one resin material of thermosetting resin and ultraviolet curable resin.
  • the counter substrate 18 is provided so that one main surface of the counter substrate 18 and one main surface of the substrate 11 on which the plurality of light emitting elements 12 are provided face each other.
  • the counter substrate 18 seals the light emitting element 12, the color filter 16 and the like together with the filling resin layer 17.
  • the counter substrate 18 is made of a material such as glass that is transparent to each color light emitted from the color filter 16.
  • a drive circuit and the like are formed on one main surface of the substrate 11 by using, for example, a thin film forming technique, a photolithography technique, and an etching technique.
  • a metal layer on the drive circuit or the like by, for example, a sputtering method, patterning the metal layer by, for example, a photolithography technique and an etching technique, for each light emitting element 12 (that is, for each subpixel 100).
  • a plurality of first electrodes 12A separated into two are formed.
  • the first interface layer 14 is formed on one main surface of the substrate 11 on which the plurality of first electrodes 12A are formed by, for example, the CVD method, and then the bulk layer 13A is formed by, for example, the CVD method.
  • the first interface layer 14 and the bulk layer 13A are patterned by using the photolithography technique and the etching technique.
  • the surface of the bulk layer 13A is plasma-treated to form the second interface layer 13B, or the second interface layer 13B is formed on the bulk layer 13A by the ALD (Atomic Layer Deposition) method.
  • the insulating layer 13 is obtained.
  • the plasma treatment for example, oxygen plasma treatment or nitrogen plasma treatment can be used. Note that these plasma treatments may be used alone or in combination.
  • the second interface layer 13B is formed on the bulk layer 13A by the ALD method, the second interface layer 13B is also formed on the first electrode 12A, but the surface of the first electrode 12A containing a metal material is formed. And the surface of the bulk layer 13A containing a silicon compound such as silicon nitride have different deposition efficiency of the precursor, and thus the second interface layer 13B is hardly formed on the first electrode 12A. Therefore, the second interface layer 13B formed on the first electrode 12A does not substantially affect the driving of the light emitting element 12. However, for the purpose of further quality structure, the second interface layer 13B formed on the first electrode 12A may be removed by using the photolithography technique and the etching technique.
  • the hole injection layer 12B 1 , the hole transport layer 12B 2 , the light emitting layer 12B 3 , and the electron transport layer 12B 4 are laminated in this order on the first electrode 12A and the insulating layer 13 by, for example, a vapor deposition method.
  • the organic layer 12B is formed.
  • the second electrode 12C is formed on the organic layer 12B by, for example, a sputtering method.
  • the plurality of light emitting elements 12 are formed on the one main surface of the substrate 11.
  • the protective layer 15 is formed on the second electrode 12C by, for example, a vapor deposition method or a CVD method, and then the color filter 16 is formed on the protective layer 15.
  • a flattening layer may be formed above, below, or both above and below the color filter 16 in order to flatten the step due to the film thickness difference of the protective layer 15 and the color filter 16 itself.
  • the color filter 16 is covered with the filling resin layer 17 by, for example, an ODF (One Drop Fill) method, and then the counter substrate 18 is placed on the filling resin layer 17.
  • ODF One Drop Fill
  • the display device 10 is sealed.
  • the filling resin layer 17 contains both a thermosetting resin and an ultraviolet curing resin
  • the filling resin layer 17 is irradiated with ultraviolet rays to be temporarily cured, and then the filling resin layer 17 is heated to be fully cured. It may be allowed to.
  • the display device 10 is provided between the plurality of first electrodes 12A provided for each sub-pixel 100 and the first electrode 12A, and the first electrode 12A is provided.
  • the insulating layer 13 includes a bulk layer 13A containing a silicon compound as a main component, and a second interface layer 13B provided at the interface between the bulk layer 13A and the organic layer 12B and containing silicon oxide.
  • the hole current and the electron current transmitted through the interface between the organic layer 12B and the insulating layer 13 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in current light emission efficiency of the display device 10 and abnormal light emission color.
  • FIG. 5 shows an example of the configuration of the display device 10 1 according to Modification 1 of the first embodiment of the present disclosure.
  • Display device 10 instead of the insulating layer 13, in that an insulating layer 13 1 is different from the display device 10 according to the first embodiment.
  • the insulating layer 13 1 includes a bulk layer 13A, a second interface layer 13B, and an intermediate layer 13C provided between the bulk layer 13A and the second interface layer 13B.
  • the intermediate layer 13C is a layer for facilitating formation of fixed charges in the bulk layer 13A. It is preferable that the intermediate layer 13C contains silicon fluoride (SiFx) in order to have a biased charge. Whether or not the intermediate layer 13C contains silicon fluoride is determined by, for example, X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) to determine the interface between the bulk layer 13A and the second interface layer 13B. It can be confirmed by analyzing.
  • XPS X-ray Photoelectron Spectroscopy
  • FIG. 6 illustrates an example of the configuration of the display device 10 2 according to the second modification of the first embodiment of the present disclosure.
  • Display device 10 2 instead of the insulating layer 13, in that an insulating layer 13 2 is different from the display device 10 according to the first embodiment.
  • the insulating layer 13 2 includes a bulk layer 13A and a second interface layer 13D having a two-layer structure provided on the bulk layer 13A.
  • the second interface layer 13D includes a first layer 13D 1 and a second layer 13D 2 provided on the first layer 13D 1 .
  • the first layer 13D 1 contains, for example, silicon oxide.
  • the second layer 13D 2 contains, for example, at least one of silicon oxynitride and silicon nitride. The order of stacking the first layer 13D 1 and the second layer 13D 2 may be reversed.
  • the display device 10 2 includes the second interface layer 13D having the two-layer structure, so that the lattice strain of the second interface layer 13D can be reduced by the second layer having the single-layer structure in the above-described first embodiment. It can be made larger than the lattice strain of the interface layer 13B. Therefore, the function of suppressing the leak of the hole current and the leak of the electron current can be further improved.
  • the second interface layer 13D may have a laminated structure of two or more layers.
  • at least one of the two or more layers may contain silicon oxide.
  • at least one of the two or more layers may contain at least one of silicon oxynitride and silicon nitride.
  • FIG. 7 shows an example of the configuration of the display device 10 3 according to Modification 3 of the first embodiment of the present disclosure.
  • Display device 103 instead of the insulating layer 13, in that an insulating layer 13 3 is different from the display device 10 according to the first embodiment.
  • Insulating layer 13 3 is provided with a bulk layer 13A, a second interface layer 13E provided on the bulk layer 13A.
  • the side wall portion 13E 1 of the second interface layer 13E that covers the edge (end surface) of the bulk layer 13A has a different composition from the main surface portion 13E 2 of the second interface layer 13E that covers the main surface of the bulk layer 13A. ..
  • “different composition” means different constituents, or the same constituent but different proportions of constituents.
  • the side wall portion 13E 1 and the main surface portion 13E 2 include, for example, silicon oxide or silicon oxynitride having different compositions.
  • the side wall portion 13E 1 has a positive fixed charge and is preferably positively charged. It is possible to prevent the hole flows through the upper surface of the insulating layer 13 3 along the edge of the insulating layer 13 3 from the first electrode 12A. Therefore, the leak of the hole current can be further suppressed.
  • Examples of the constituent material of the side wall portion 13E 1 for giving a positive fixed charge include germanium oxide (GeO 2 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), lutetium oxide (Lu 2 O 3 ), and lanthanum oxide (La). 2 O 3 ) and that containing at least one selected from the group consisting of strontium oxide (SrO) can be used.
  • germanium oxide GeO 2
  • Y 2 O 3 yttrium oxide
  • Lu 2 O 3 lutetium oxide
  • La lanthanum oxide
  • SrO strontium oxide
  • the second interface layer 13E having the above configuration is formed as follows, for example.
  • an insulating layer containing a silicon compound as a main component is formed by a plasma CVD method.
  • the flow rate ratio of the gas is adjusted to form a silicon oxide film on the surface of the insulating layer.
  • the insulating layer is patterned by using a photolithography technique and an etching technique, and then a silicon oxide film is formed only on the side wall portion by, for example, vapor deposition.
  • FIG. 8 shows an example of the configuration of a display device 10 4 according to Modification 4 of the first embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 4 differs from the display device 10 according to the first embodiment in that a single insulating layer 13 4 is provided instead of the insulating layer 13 including the bulk layer 13A and the second interface layer 13B. ing.
  • the insulating layer 13 4 contains a silicon compound as a main component in the bulk, and also contains silicon oxide in the surface portion on the organic layer 12B side.
  • the “main component” refers to the one having the largest proportion of the material components contained in the insulating layer 13 4 .
  • the silicon compound is the same as the silicon compound contained in the bulk layer 13A in the above-described first embodiment.
  • the composition of the insulating layer 13 4 continuously changes, for example, from the bulk toward the outermost surface on the organic layer 12B side.
  • the oxygen concentration of the insulating layer 13 4 (more specifically, the concentration of silicon oxide of the insulating layer 13 4 ) gradually increases from the bulk toward the outermost surface on the organic layer 12B side.
  • the composition of the insulating layer 13 4 may continuously change from the bulk toward the edge-side surface. In this case, the function of suppressing the leak of the hole current and the leak of the electron current can be further improved.
  • the silicon oxide is contained within a depth range of 10 nm or less from the outermost surface of the insulating layer 13 4 on the organic layer 12B side. This is because the lattice strain can be increased in the surface portion on the organic layer 12B side by changing the concentration of silicon oxide within a narrow range.
  • Insulating layer 13 4 may further contain nitrogen in the surface portion of the organic layer 12B side.
  • nitrogen may be present as silicon nitride or silicon oxynitride by forming a bond with silicon on the surface portion on the organic layer 12B side.
  • the surface portion on the organic layer 12B side further contains nitrogen, the surface portion on the organic layer 12B side is likely to generate lattice distortion, and the function of suppressing the leak of hole current and the leak of electron current can be further improved. it can.
  • the ratio of silicon oxide to the total amount of silicon oxide and silicon nitride in the surface portion on the organic layer 12B side is preferably 80% or more.
  • the above ratio is 80% or more, lattice distortion can be effectively generated in the surface portion on the organic layer 12B side due to the difference in composition between the bulk of the insulating layer 13 and the surface portion on the organic layer 12B side. Therefore, the function of suppressing the leak of the hole current and the leak of the electron current described above can be further improved.
  • the above ratio in the surface portion on the organic layer 12B side is obtained in the same manner as the ratio of silicon oxide to the total amount of silicon oxide and silicon nitride in the second interface layer 13B of the first embodiment described above.
  • the second interface layer 13B is provided on the surface of the bulk layer 13A as in the first embodiment described above is adopted rather than the configuration in which the composition of the insulating layer 13 4 is continuously changed as described above.
  • the provision of the second interface layer 13B promotes lattice distortion on the surface of the insulating layer 13 on the organic layer 12B side, and the leak suppressing effect can be further improved.
  • FIG. 9 shows an example of a configuration of a display apparatus 105 according to a fifth modification of the first embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 5 is different from the display device 10 according to the first embodiment in that the display device 10 5 includes a first electrode 12D having a laminated structure instead of the first electrode 12A having a single layer structure.
  • the first electrode 12D includes a metal layer 12D 1 and a transparent oxide conductive layer 12D 2 provided on the metal layer 12D 1 .
  • the metal layer 12D 1 is the same as the metal layer used as the first electrode 12A in the first embodiment.
  • the oxide conductive layer 12D 2 includes a mixture of indium oxide and tin oxide (ITO), a mixture of indium oxide and zinc oxide (IZO), and a mixture of indium oxide, gallium oxide, and zinc oxide. It is preferable to contain at least one metal oxide selected from the group consisting of the body (IGZO). This is because these metal oxides have a high work function and can improve the hole injection property.
  • the first interface layer 14 is particularly effective in the display device 10 5 including the first electrode 12D having the above configuration.
  • the oxide conductive layer 12D 2 and the insulating layer 13 are adjacent to each other, exchange of elements (for example, oxygen) forming these layers is particularly likely to occur. Therefore, when the first interface layer 14 is provided, the effect of suppressing the exchange of the constituent elements of the film between the oxide conductive layer 12D 2 and the insulating layer 13 is remarkably exhibited.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 20 according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a sectional view showing a part of the display device 20 shown in FIG. 10 in an enlarged manner.
  • the display device 20 is different from the display device 10 according to the first embodiment in that the display device 20 includes an insulating layer 23 and a first interface layer 24 instead of the insulating layer 13 and the first interface layer 14.
  • the insulating layer 23 is for electrically separating the first electrode 12A for each of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B.
  • the insulating layer 23 is provided between the side surfaces of the first electrodes 12A that are adjacent to each other in the in-plane direction of the substrate 11.
  • the upper surface of the insulating layer 23 is flat. In the present specification, the “upper surface” refers to the surface that is the display surface side of the display device 20.
  • the insulating layer 23 includes a bulk layer 23A serving as an insulating layer body and a second interface layer 23B provided at the interface between the bulk layer 23A and the organic layer 12B.
  • a bulk layer 23A serving as an insulating layer body
  • a second interface layer 23B provided at the interface between the bulk layer 23A and the organic layer 12B.
  • the case where the insulating layer 23 includes the second interface layer 23B will be described, but the insulating layer 23 does not have to include the second interface layer 23B.
  • the bulk layer 23A is provided between the side surfaces of the first electrodes 12A that are adjacent to each other in the in-plane direction of the substrate 11 without covering the peripheral portion of the first electrodes 12A. It is similar to the bulk layer 13A.
  • the second interface layer 23B is similar to the second interface layer 13B in the first embodiment except that it is provided on the upper surface of the bulk layer 23A.
  • the first interface layer 24 is provided between the side surface of the insulating layer 23 and the side surface of the first electrode 12A.
  • the upper surface of the first interface layer 24 is flat.
  • the first interface layer 24 is the same as the first interface layer 14 in the first embodiment.
  • the thickness of the organic layer 12B on the first electrode 12A is substantially constant. That is, the upper surface of the organic layer 12B on the first electrode 12A is substantially flat. As a result, a vertical leak (in FIG. 11) between the first electrode 12A and the second electrode 12C (specifically, a portion of the second electrode 12C corresponding to the first electrode 12A). (See arrow I 1 ) can be suppressed.
  • a concave portion 12BA is formed in a portion of the upper surface of the organic layer 12B corresponding to the peripheral portion of the first electrode 12A, and the thickness of the organic layer 12B on the first electrode 12A is increased.
  • a portion between the first electrode 12A and the second electrode 12C is provided. Electric field concentrates. As a result, a vertical leak (in FIG. 11) between the first electrode 12A and the second electrode 12C (specifically, a portion of the second electrode 12C corresponding to the first electrode 12A). The arrow I 1 ) becomes larger.
  • longitudinal leak refers to hole current leak and electron current leak between the first electrode 12A and the second electrode 12C in the thickness direction of the organic layer 12B.
  • the thickness of the organic layer 12B on the first electrode 12A is substantially constant
  • the variation in the thickness of the organic layer 12B on the first electrode 12A is the same as that of the organic layer 12B on the first electrode 12A. It is within ⁇ 5% of the average thickness.
  • the upper surface of the organic layer 12B is substantially flat means that the displacement of the upper surface of the organic layer 12B (displacement in the thickness direction of the organic layer 12B) is within ⁇ 5% of the average thickness of the organic layer 12B.
  • the thickness and average thickness of the organic layer 12B are obtained in the same manner as the thickness and average thickness of the first interface layer 14 in the first embodiment.
  • the height H 1 of the organic layer 12B on the first electrode 12A and the height H 2 of the organic layer 12B in the peripheral portion of the first electrode 12A satisfy the relationship of H 1 ⁇ H 2 .
  • This can prevent the electric field from being concentrated on a part between the first electrode 12A and the second electrode 12C. Therefore, the vertical leakage (FIG. 11) between the first electrode 12A and the second electrode 12C (specifically, the portion of the second electrode 12C corresponding to the portion around the first electrode 12A).
  • the arrow I 2 can be suppressed.
  • the height H 1 of the organic layer 12B on the first electrode 12A and the height H 2 of the organic layer 12B in the peripheral portion of the first electrode 12A are H
  • the electric field is concentrated on a part between the first electrode 12A and the second electrode 12C.
  • a vertical leak (specifically, a portion of the second electrode 12C corresponding to a portion around the first electrode 12A) between the first electrode 12A and the second electrode 12C ( The arrow I 2 in FIG. 13) becomes larger.
  • the “portion around the first electrode 12A” means a range of 50 nm or less from the side surface of the first electrode 12A.
  • the height H 1 of the organic layer 12B on the first electrode 12A, the height H 21 of the organic layer 12B on the first interface layer 24, and the height H 22 of the organic layer in the portion around the first electrode 12A may be satisfied. Also in this case, the vertical leak (see the arrow I 2 in FIG. 11) can be suppressed.
  • FIG. 14 an example in which the height H 1 of the organic layer 12B on the first electrode 12A and the height H 2 of the organic layer 12B in the peripheral portion of the first electrode 12A are H 1 ⁇ H 2 is shown. It is shown.
  • the organic layer 12B on the first electrode 12A is not formed. It is possible to obtain the organic layer 12B in which the height H 1 and the height H 2 of the organic layer 12B in the portion around the first electrode 12A satisfy the relationship of H 1 ⁇ H 2 . Therefore, the vertical leak can be suppressed as described above.
  • a substrate 11 including a driving circuit and the like is formed by using, for example, a thin film forming technique, a photolithography technique, and an etching technique.
  • an electrode layer 12A1 such as a metal layer or a metal oxide layer is formed on the substrate 11 by, for example, a sputtering method, and then the electrode layer 12A1 is formed by using, for example, a photolithography technique and an etching technique.
  • FIG. 15C By patterning, as shown in FIG. 15C, a plurality of first electrodes 12A separated for each light emitting element 12 (that is, for each subpixel 100) are formed.
  • a first interface layer 24 is formed on one main surface of the substrate 11 on which a plurality of first electrodes 12A are formed, for example, by the CVD method, and then, for example, by the etch back method.
  • the first interface layer 24 is removed so that the first interface layer 24 remains on the side surface of the first electrode 12A.
  • a bulk layer 23A is formed on one main surface of the substrate 11 by CVD, for example, so as to cover the first electrode 12A and the first interface layer 24.
  • a photoresist layer 23A1 is formed on the bulk layer 23A by, for example, spin coating, and the surface is flattened.
  • the photoresist layer 23A1 is removed and a part of the bulk layer 23A is removed by, for example, an etch-back method to remove the first electrode 12A and the first interface 12A having substantially the same thickness.
  • the layer 24 and the bulk layer 23A are formed.
  • a second interface layer 23B is formed as shown in FIG. 16C, or the second interface layer 23B is bulk-processed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method. It is formed on the upper surface of the layer 23A. Thereby, the insulating layer 23 is obtained.
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • the hole injection layer 12B 1 , the hole transport layer 12B 2 , the light emitting layer 12B 3 , and the electron transport layer 12B 4 are laminated in this order on the first electrode 12A and the insulating layer 23 by, for example, a vapor deposition method.
  • the organic layer 12B having a substantially flat upper surface is formed.
  • the display device 20 is obtained by performing the other steps in the same manner as in the method of manufacturing the display device 10 according to the first embodiment.
  • the thickness of the organic layer 12B on the first electrode 12A is substantially constant and the height of the organic layer 12B on the first electrode 12A is high. is h 1, and the height h 2 of the organic layer 12B is around the portion of the first electrode 12A, satisfies the relationship of h 1 ⁇ h 2.
  • This can prevent the electric field from being concentrated on a part between the first electrode 12A and the second electrode 12C. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of vertical leakage (see arrows I 1 and I 2 in FIG. 11) due to electric field concentration.
  • the thickness of the organic layer 12B on the first electrode 12A is substantially constant, it is possible to suppress the occurrence of color shift due to a change in film thickness (cavity shift) of the organic layer 12B.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing an enlarged part of the display device 30 according to the third embodiment of the present disclosure.
  • the organic layer 12B has a plurality of convex portions 12CA on the upper surface.
  • the plurality of convex portions 12CA are provided in the portions corresponding to the peripheral portions of the plurality of first electrodes 12A, respectively.
  • the thickness of the organic layer 12B in the region inside the convex portion 12CA is substantially constant.
  • the first interface layer 14 has a plurality of openings (first openings) 14H respectively provided on the plurality of first electrodes 12A.
  • the insulating layer 13 has a plurality of openings (second openings) 13H respectively provided on the plurality of first electrodes 12A.
  • the peripheral edge of the opening 14H is located inside the peripheral edge of the opening 13H. That is, the first interface layer 14 has a protrusion 14A that protrudes from the peripheral edge of the opening 13H of the insulating layer 13.
  • the protrusion 14A has a substantially uniform thickness, for example.
  • the portion inside the peripheral edge of the opening 13H is an insulating layer around the opening 13H. It is possible to prevent the thickness of the organic layer 12B from being thinned in the inner portion of the convex portion 12CA by being shaded by 13. That is, it is possible to prevent the concave portion 12CB (see FIG. 19) from being formed in the upper surface of the organic layer 12B inside the convex portion 12CA. Therefore, vertical leakage (see arrow I 3 in FIG. 18) due to electric field concentration can be suppressed.
  • the display device 30A in which the peripheral edge of the opening 14H is aligned with the peripheral edge of the opening 13H when the organic layer 12B is formed by the CVD method or the like, the inner portion of the peripheral edge of the opening 12H is the opening 13H. Being shaded by the surrounding insulating layer 13, the thickness of the organic layer 12B becomes thin inside the convex portion 12CA. That is, the concave portion 12CB is formed on the upper surface of the organic layer 12B inside the convex portion 12CA. Therefore, vertical leakage (see arrow I 3 in FIG. 19) increases due to electric field concentration.
  • the aperture ratio of the insulating layer 13 is preferably higher than that of the first interface layer 14. This allows the peripheral edge of the opening 14H to be positioned inside the peripheral edge of the opening 13H.
  • the opening ratio of the insulating layer 13 is the ratio of the total area of the openings 13H of the insulating layer 13 to the area of the formation region of the insulating layer 13.
  • the aperture ratio of the first interface layer 14 is the ratio of the total area of the openings 14H of the first interface layer 14 to the area of the formation region of the first interface layer 14.
  • the third embodiment is the same as the first embodiment except for the above.
  • a bulk layer 13A is formed on the first interface layer 14 by, for example, the CVD method.
  • a photoresist layer 13A1 is formed on the bulk layer 13A by, for example, a spin coating method, and then an opening is formed in a portion of the photoresist layer 13A1 corresponding to the first electrode 12A. To do.
  • an opening 14H and an opening 13H are formed in a portion of the first interface layer 14 and the bulk layer 13A corresponding to the first electrode 12A, for example, by an etching method.
  • a deposition gas such as CH 2 F 2 is used to perform etching while adjusting the etching rates of the first interface layer (eg, SiO layer) and the bulk layer 13A (eg, SiN layer).
  • the openings 13H and 14H are formed such that the peripheral edge of the opening 14H is located inside the peripheral edge of the opening 13H.
  • the second interface layer 13B is formed as shown in FIG. 21B, or the second interface layer 13B is bulk-processed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method. It is formed on the upper surface of the layer 13A. Thereby, the insulating layer 13 is obtained.
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • the hole injection layer 12B 1 , the hole transport layer 12B 2 , the light emitting layer 12B 3 , and the electron transport layer 12B 4 are laminated in this order on the first electrode 12A and the insulating layer 13 by, for example, a vapor deposition method. ..
  • a vapor deposition method for example, a vapor deposition method. ..
  • an organic layer 12B having a plurality of convex portions 12CA on the upper surface and having a substantially constant thickness of the organic layer 12B in the region inside the convex portions 12CA is formed.
  • the display device 30 is obtained by performing the other steps in the same manner as in the method of manufacturing the display device 10 according to the first embodiment.
  • the thickness of the organic layer 12B in the area inside the convex portion 12CA is substantially constant. This can prevent the electric field from being concentrated on a part between the first electrode 12A and the second electrode 12C. Therefore, it is possible to suppress the vertical leak (see arrow I 3 in FIG. 18) between the first electrode 12A and the second electrode 12C.
  • the protrusion 14A increases as the thickness of the protrusion 14A moves away from the opening 14H. It may have a tapered shape.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 40 according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 24A is a sectional view showing a part of the display device 40 shown in FIG. 23 in an enlarged manner.
  • the insulating layer 43 has a plurality of inclined surfaces 43C protruding from the upper surface of the first electrode 12A and surrounding the plurality of first electrodes 12A, respectively.
  • the insulating layer 43 has an opening 43H at a portion corresponding to the bottom of the inclined surface 43C.
  • the bottom of the insulating layer 43 covers from the peripheral portion of the upper surface of the first electrode 12A to the side surface (end surface) of the first electrode 12A.
  • the thickness of the organic layer 12B on the first electrode 12A is substantially constant.
  • the opening 43H is provided on the first electrode 12A.
  • the peripheral edge of the opening 14H is located inside the peripheral edge of the opening 43H. That is, the first interface layer 14 has the protruding portion 14A that protrudes from the peripheral edge of the opening 43H of the insulating layer 43.
  • the protrusion 14A has a substantially uniform thickness, for example.
  • the protruding portion 14A may have a tapered shape that increases as the distance from the opening 14H increases.
  • the peripheral edge of the opening 14H is located inside the peripheral edge of the opening 43H, when the organic layer 12B is formed by the CVD method or the like, it becomes a shade of the inclined surface 43C and the inside of the lower portion of the inclined surface 43C. It is possible to suppress the thickness of the organic layer 12B from being thinned at a portion. Therefore, the thickness of the organic layer 12B on the first electrode 12A can be made substantially constant. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of vertical leakage due to electric field concentration.
  • the opening ratio of the insulating layer 43 is preferably higher than that of the first interface layer 14. As a result, the peripheral edge of the opening 43H can be positioned inside the peripheral edge of the opening 13H.
  • the opening ratio of the insulating layer 43 is the ratio of the total area of the openings 43H of the insulating layer 43 to the area of the formation region of the insulating layer 43.
  • the insulating layer 43 includes a bulk layer 43A that serves as an insulating layer body, and a second interface layer 43B provided at the interface between the bulk layer 43A and the organic layer 12B.
  • a second interface layer 43B provided at the interface between the bulk layer 43A and the organic layer 12B.
  • the composition of the insulating layer 43 may continuously change from the bulk toward the outermost surface on the organic layer 12B side. Specifically, the oxygen concentration of the insulating layer 43 (more specifically, the concentration of silicon oxide of the insulating layer 43) may be gradually increased from the bulk toward the outermost surface on the organic layer 12B side. The composition of the insulating layer 43 may continuously change from the bulk toward the edge-side surface.
  • the fourth embodiment is similar to the third embodiment.
  • the thickness of the organic layer 12B on the first electrode 12A is substantially constant. This can prevent the electric field from being concentrated on a part between the first electrode 12A and the second electrode 12C. Therefore, the vertical leakage between the first electrode 12A and the second electrode 12C can be suppressed.
  • the insulating layer 43 has a plurality of inclined surfaces 43C surrounding the plurality of first electrodes 12A, respectively. Accordingly, the light emitted from the light emitting element 12 can be reflected by the inclined surface 43C toward the upper side of the first electrode 12A. Therefore, the brightness of the display device 40 can be improved.
  • the pixel used in the display device according to the present disclosure described above can be configured to include a resonator structure that resonates the light generated in the light emitting element.
  • the resonator structure will be described below with reference to the drawings.
  • FIG. 25A is a schematic cross-sectional view for explaining the first example of the resonator structure.
  • the light emitting elements 12 provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be referred to as light emitting elements 12 R , 12 G , and 12 B , respectively.
  • the sub-pixel 100R of the organic layer 12B, 100G, portions corresponding to the respective 100B, may be referred to the organic layer 40 R, 40 G, 40 B .
  • the first electrode 12A is formed with a common film thickness in each light emitting element 12. The same applies to the second electrode 12C.
  • a reflection plate 71 is arranged below the first electrode 12A of the light emitting element 12 with the optical adjustment layer 72 interposed therebetween.
  • a resonator structure that resonates the light generated by the organic layer 12B is formed between the reflector 71 and the second electrode 12C.
  • the optical adjustment layers 72 provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be referred to as optical adjustment layers 72 R , 72 G , and 72 B.
  • the reflector 71 is formed to have a common film thickness in each light emitting element 12.
  • the film thickness of the optical adjustment layer 72 differs depending on the color to be displayed by the pixel. Since the optical adjustment layers 72 R , 72 G , and 72 B have different film thicknesses, it is possible to set the optical distance that produces the optimum resonance for the wavelength of light according to the color to be displayed.
  • the upper surfaces of the reflection plates 71 of the light emitting elements 12 R , 12 G , and 12 B are arranged so as to be aligned.
  • the position of the upper surface of the second electrode 12C is the same as that of the light emitting elements 12 R , 12 G , and 12 B. It depends on the type.
  • the reflector 71 can be formed using, for example, a metal such as aluminum (Al), silver (Ag), or copper (Cu), or an alloy containing these as the main components.
  • the optical adjustment layer 72 is made of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO x ), or silicon oxynitride (SiO x N y ), or an organic resin such as an acrylic resin or a polyimide resin. It can be constructed using materials.
  • the optical adjustment layer 72 may be a single layer or a laminated film of these plural materials. Further, the number of stacked layers may differ depending on the type of the light emitting element 12.
  • the first electrode 12A can be formed using a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • ZnO zinc oxide
  • the second electrode 12C needs to function as a semi-transmissive reflective film.
  • the second electrode 12C is formed using magnesium (Mg), silver (Ag), or a magnesium-silver alloy (MgAg) containing these as the main components, or an alloy containing an alkali metal or an alkaline earth metal. can do.
  • FIG. 25B is a schematic sectional view for explaining the second example of the resonator structure.
  • the first electrode 12A and the second electrode 12C are formed to have a common film thickness in each light emitting element 12.
  • the reflection plate 71 is arranged below the first electrode 12A of the light emitting element 12 with the optical adjustment layer 72 interposed therebetween.
  • a resonator structure that resonates the light generated by the organic layer 12B is formed between the reflector 71 and the second electrode 12C.
  • the reflection plate 71 is formed to have a common film thickness in each light emitting element 12, and the film thickness of the optical adjustment layer 72 differs depending on the color to be displayed by the pixel.
  • the upper surfaces of the reflection plates 71 of the light emitting elements 12 R , 12 G , and 12 B are arranged so as to be aligned, and the upper surface of the second electrode 12 C is located at the light emitting elements 12 R , 12 B. It was different according to the type of G and 12 B.
  • the upper surface of the second electrode 12C is arranged so that the light emitting elements 12 R , 12 G , and 12 B are aligned.
  • the upper surface of the reflector 71 in the light emitting element 12 R, 12 G, 12 B are arranged differently depending on the type of light-emitting elements 12 R, 12 G, 12 B ing. Therefore, the lower surface of the reflection plate 71 (in other words, the surface of the base 73 shown by reference numeral 73 in the drawing) has a stepped shape corresponding to the type of the light emitting element 12.
  • the materials that form the reflector 71, the optical adjustment layer 72, the first electrode 12A, and the second electrode 12C are the same as those described in the first example, and thus the description thereof is omitted.
  • FIG. 26A is a schematic cross-sectional view for explaining the third example of the resonator structure.
  • the reflectors 71 provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be referred to as reflectors 71 R , 71 G , and 71 B.
  • the first electrode 12A and the second electrode 12C are formed to have a common film thickness in each light emitting element 12.
  • the reflection plate 71 is arranged below the first electrode 12A of the light emitting element 12 with the optical adjustment layer 72 interposed therebetween.
  • a resonator structure that resonates the light generated by the organic layer 12B is formed between the reflector 71 and the second electrode 12C.
  • the film thickness of the optical adjustment layer 72 differs depending on the color to be displayed by the pixel.
  • the positions of the upper surfaces of the second electrodes 12C are arranged so that the light emitting elements 12 R , 12 G , and 12 B are aligned.
  • the lower surface of the reflection plate 71 had a stepped shape corresponding to the type of the light emitting element 12 in order to align the upper surfaces of the second electrodes 12C.
  • the film thickness of the reflection plate 71 is set to be different depending on the types of the light emitting elements 12 R , 12 G and 12 B. More specifically, the film thickness is set so that the lower surfaces of the reflectors 71 R , 71 G and 71 B are aligned.
  • the materials that form the reflector 71, the optical adjustment layer 72, the first electrode 12A, and the second electrode 12C are the same as those described in the first example, and thus the description thereof is omitted.
  • FIG. 26B is a schematic sectional view for explaining the fourth example of the resonator structure.
  • the first electrodes 12A provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, 100B may be referred to as first electrodes 12A R , 12A G , 12A B.
  • the first electrode 12A and the second electrode 12C of each light emitting element 12 are formed with a common film thickness. Then, the reflection plate 71 is disposed below the first electrode 12A of the light emitting element 12 with the optical adjustment layer 72 interposed therebetween.
  • the optical adjustment layer 72 is omitted, and the film thickness of the first electrode 12A is set to be different depending on the types of the light emitting elements 12 R , 12 G , and 12 B. did.
  • the reflector 71 is formed to have a common film thickness in each light emitting element 12.
  • the film thickness of the first electrode 12A differs depending on the color to be displayed by the pixel. Since the first electrodes 12A R , 12A G , and 12A B have different film thicknesses, it is possible to set the optical distance that produces the optimum resonance for the wavelength of light according to the color to be displayed.
  • the materials that form the reflector 71, the optical adjustment layer 72, the first electrode 12A, and the second electrode 12C are the same as those described in the first example, and thus the description thereof is omitted.
  • FIG. 27A is a schematic cross-sectional view for explaining the fifth example of the resonator structure.
  • the first electrode 12A and the second electrode 12C are formed with a common film thickness in each light emitting element 12. Then, the reflection plate 71 is disposed below the first electrode 12A of the light emitting element 12 with the optical adjustment layer 72 interposed therebetween.
  • the optical adjustment layer 72 was omitted, and instead, the oxide film 74 was formed on the surface of the reflection plate 71.
  • the thickness of the oxide film 74 was set to be different depending on the types of the light emitting elements 12 R , 12 G and 12 B.
  • the oxide films 74 provided corresponding to the sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be referred to as oxide films 74 R , 74 G , and 74 B.
  • the film thickness of the oxide film 74 differs depending on the color to be displayed by the pixel. Since the oxide films 74 R , 74 G , and 74 B have different film thicknesses, it is possible to set the optical distance that produces the optimum resonance for the wavelength of light according to the color to be displayed.
  • the oxide film 74 is a film obtained by oxidizing the surface of the reflection plate 71, and is made of, for example, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, magnesium oxide, zirconium oxide, or the like.
  • the oxide film 74 functions as an insulating film for adjusting the optical path length (optical distance) between the reflection plate 71 and the second electrode 12C.
  • the oxide film 74 having a different film thickness depending on the types of the light emitting elements 12 R , 12 G , and 12 B can be formed, for example, as follows.
  • the container is filled with the electrolytic solution, and the substrate on which the reflection plate 71 is formed is immersed in the electrolytic solution. Further, the electrodes are arranged so as to face the reflection plate 71.
  • a positive voltage is applied to the reflection plate 71 with the electrode as a reference to anodize the reflection plate 71.
  • the thickness of the oxide film formed by anodic oxidation is proportional to the voltage value applied to the electrodes. Therefore, anodization is performed in a state in which a voltage according to the type of the light emitting element 12 is applied to each of the reflection plates 71 R , 71 G , and 71 B. Thereby, the oxide films 74 having different film thicknesses can be collectively formed.
  • the materials and the like that form the reflector 71, the first electrode 12A, and the second electrode 12C are the same as those described in the first example, so description will be omitted.
  • FIG. 27B is a schematic sectional view for explaining the sixth example of the resonator structure.
  • the light emitting element 12 is configured by laminating a first electrode 12A, an organic layer 12B, and a second electrode 12C.
  • the first electrode 12A is formed to have the functions of both the electrode and the reflector.
  • the first electrode (and reflective plate) 12A is formed of a material having optical constants that are selected depending on the type of light-emitting elements 12 R, 12 G, 12 B . Since the phase shift due to the first electrode (also serving as the reflection plate) 12A is different, it is possible to set the optical distance that produces the optimum resonance for the wavelength of light according to the color to be displayed.
  • the first electrode (also reflective plate) 12A can be made of a single metal such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), or copper (Cu), or an alloy containing these as main components. ..
  • the first electrode (and reflective plate) of the light emitting element 12 R and 12A R is formed of copper (Cu)
  • the first electrode (and reflective plate) 12A G of the light-emitting element 12 G of the light-emitting element 12 B first electrode (and reflective plate) and 12A B may be configured such forms of aluminum.
  • the materials and the like that make up the second electrode 12C are the same as the contents described in the first example, so description will be omitted.
  • FIG. 28 is a schematic cross-sectional view for explaining the seventh example of the resonator structure.
  • the seventh example is basically a configuration in which the sixth example is applied to the light emitting elements 12 R and 12 G and the first example is applied to the light emitting element 12 B. Also in this configuration, it is possible to set the optical distance that produces the optimum resonance for the wavelength of light according to the color to be displayed.
  • the first electrodes (also reflecting plates) 12A R and 12A G used for the light emitting elements 12 R and 12 G are single metals such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), and copper (Cu). , And can be composed of an alloy containing these as main components.
  • the display device according to any of the above-described first embodiment and its modification is incorporated in various electronic devices as a module as shown in FIG. 29, for example.
  • the display device according to any of the second to fourth embodiments and the modifications thereof may be incorporated in various electronic devices as a module as shown in FIG. 29, for example.
  • high resolution is required for an electronic viewfinder of a video camera or a single-lens reflex camera, a head-mounted display, or the like, and it is suitable for those used by enlarging it near the eyes.
  • This module has a region 210 on one short side of the substrate 11 that is exposed without being covered by the counter substrate 18 and the filling resin layer 17, and in this region 210, the signal line driving circuit 120 and the scanning line driving circuit 130.
  • An external connection terminal (not shown) is formed by extending the wiring of FIG.
  • a flexible printed circuit (FPC) 220 for inputting and outputting signals may be connected to the external connection terminals.
  • 30A and 30B show an example of the external appearance of the digital still camera 310.
  • This digital still camera 310 is of an interchangeable lens type single-lens reflex type, and has an interchangeable taking lens unit (interchangeable lens) 312 substantially in the center of the front of a camera body (camera body) 311 and a front left side. It has a grip portion 313 for the photographer to hold.
  • interchangeable lens unit interchangeable lens
  • a monitor 314 is provided at a position displaced from the center of the rear surface of the camera body 311 to the left.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 315 is provided above the monitor 314. By looking through the electronic viewfinder 315, the photographer can visually recognize the optical image of the subject guided from the photographing lens unit 312 and determine the composition.
  • the display device according to any of the above-described first embodiment and its modification can be used. Further, as the electronic viewfinder 315, it is possible to use the display device according to any one of the above-described second to fourth embodiments and their modifications.
  • FIG. 31 shows an example of the external appearance of the head mounted display 320.
  • the head-mounted display 320 has, for example, ear hooks 322 to be worn on the head of the user, on both sides of the eyeglass-shaped display 321.
  • the display unit 321 the display device according to any of the above-described first embodiment and its modification can be used. Further, as the display unit 321, it is also possible to use the display device according to any of the above-described second to fourth embodiments and their modifications.
  • FIG. 32 shows an example of the appearance of the television device 330.
  • the television device 330 has, for example, a video display screen section 331 including a front panel 332 and a filter glass 333, and the video display screen section 331 is one of the above-described first embodiment and its modification. It is composed of a display device according to Kani. Further, the video display screen section 331 may be configured by the display device according to any of the above-described second to fourth embodiments and their modifications.
  • FIG. 33 shows an example of the appearance of a stand-type lighting device 400.
  • a lighting unit 413 is attached to a column 412 provided on a base 411.
  • the illuminating section 413 in the display device according to any of the above-described first embodiment and its modification, or the display device according to any of the above-described second to fourth embodiments and their modifications.
  • the drive circuits for the display device such as the signal line drive circuit 120 and the scanning line drive circuit 130, those provided with a drive circuit for the illumination device are used.
  • the color filter 16 may be omitted, and the size of the opening of the insulating layer 13 may be appropriately selected according to the optical characteristics of the lighting device 400.
  • the substrate 11 and the counter substrate 18 by using a film as the substrate 11 and the counter substrate 18 and having a flexible structure, it is possible to have an arbitrary shape such as the cylindrical shape or the curved surface shape shown in FIG.
  • the number of light emitting elements 12 may be singular.
  • a monochromatic filter may be provided instead of the color filter 16.
  • the form of the lighting device is not limited to this, and may be, for example, a form installed on a ceiling, a wall, or a floor. It may be.
  • the average thickness of the first interface layer and the second interface layer, the peak intensity ratio of the bulk layer (I NH /I Si-H 2) and the silicon oxide contained in the second interface layer The ratio of silicon oxide to the total amount of silicon nitride is the value obtained by the measuring method described in the first embodiment.
  • a driving circuit and the like were formed on one main surface of a silicon substrate by using a thin film forming technique, a photolithography technique, and an etching technique.
  • a metal layer is formed over a driver circuit or the like by a sputtering method, and then the metal layer is patterned by using a photolithography technique and an etching technique so that each light-emitting element (that is, each subpixel) is separated.
  • a plurality of first electrodes was formed.
  • a first interface layer (SiO layer) having an average thickness of 5 nm is formed on one main surface of the silicon substrate on which the plurality of first electrodes are formed by the plasma CVD method, and then the average thickness is formed by the CVD method.
  • a 40 nm bulk layer (SiN layer) was formed.
  • SiH 4 , NH 2 and NH 3 were used as process gases.
  • the mixing ratio of the process gas bulk layers having different composition ratios were formed in Examples 1-1 and 1-2.
  • the absorption spectrum of the bulk layer was measured by FT-IR. The results are shown in FIGS. 34A and 34B.
  • the first interface layer and the bulk layer were patterned by using photolithography technology and etching technology. Then, the surface of the bulk layer was subjected to plasma treatment to form a second interface layer (SiON layer) of 3 nm on the surface of the bulk layer to obtain an insulating layer. At this time, the conditions of the plasma treatment were adjusted so that the ratio of silicon oxide to the total amount of silicon oxide and silicon nitride contained in the second interface layer was 90%.
  • an organic layer was formed by stacking a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer on the first electrode and the insulating layer in this order by vapor deposition.
  • the second electrode was formed on the organic layer by the sputtering method. As a result, a plurality of light emitting elements were formed on the one main surface of the silicon substrate.
  • a protective layer was formed on the second electrode by the CVD method, and then a color filter was formed on the protective layer.
  • the counter substrate was placed on the filling resin layer.
  • the filled resin layer was irradiated with ultraviolet rays to cure the filled resin layer, so that the substrate and the counter substrate were bonded together via the filled resin layer. As a result, the display device was sealed.
  • the leak current between pixels of the display devices of Examples 1-1 and 1-2 obtained as described above was measured.
  • the inter-pixel leak current was measured by measuring the current values flowing in the R and G sub-pixels with respect to the voltage applied to the B sub-pixel among the RGB sub-pixels.
  • the evaluation of the leak amount between pixels, which will be described later, was also performed by the same measurement. As a result of the above measurement, it was found that the interpixel leak current depends on the peak intensity ratio (I NH /I Si-H ) of the bulk layer.
  • Example 1-1 in which the peak intensity ratio (I NH /I Si-H ) was 0.45, in Example 1-1 in which the peak intensity ratio (I NH /I Si-H ) was 4.96. It was found that the leak current flowing between pixels was suppressed as compared with 1-2.
  • the interpixel leakage current depends on the peak intensity ratio (I NH /I Si-H ) of the bulk layer, and the interpixel leakage current is suppressed as the peak intensity ratio (I NH /I Si-H ) becomes smaller. ..
  • the peak intensity ratio (I NH /I Si-H ) is preferably less than 4, and more preferably 3 or less.
  • Example 3-1 to 3-6 The average thickness of the first interface layer is 1 nm (Example 3-1), 3 nm (Example 3-2), 7 nm (Example 3-3), 9 nm (Example 3-4), 11 nm (Example 3). -5), 13 nm (Example 3-6), and 15 nm (Example 3-7) except that the display device was manufactured in the same manner as in Example 1-1 (average thickness of the first interface layer: 5 nm). Obtained.
  • Example 3-1 A display device was obtained in the same manner as in Example 1-1, except that the first interface layer was not formed.
  • the interpixel leakage current depends on the average thickness of the first interface.
  • the average thickness of the first interface layer is preferably 1 nm or more and less than 15 nm, more preferably 1 nm or more and 13 nm or less, still more preferably 1 nm or more and 9 nm or less, and particularly preferably 1 nm or more. It is 7 nm or less, and most preferably 1 nm or more and 5 nm or less.
  • the leak current between pixels increases because the fixed charge in the bulk layer decreases due to the reaction between the first electrode and the bulk layer. It is considered that it is impossible to maintain the positively charged state.
  • the average thickness of the first interface layer is 15 nm or more, the inter-pixel leakage current increases because the hole current flows from the first electrode to the upper surface of the insulating layer along the edge of the first interface layer. It is thought that this is because the flow becomes easier.
  • the leak current between pixels of the display devices of Examples 4-1 to 4-3 obtained as described above was measured.
  • the interpixel leakage current depends on the ratio of silicon oxide to the total amount of silicon oxide and silicon nitride contained in the second interface layer, and from the viewpoint of suppressing the interpixel leakage current, the ratio is set to 80% or more. It turned out that it is preferable to do.
  • Example 5-1 a display device having the configuration shown in FIG. 11 was manufactured as follows. First, a thin film forming technique, a photolithography technique, and an etching technique were used to obtain a silicon substrate on which a driving circuit and the like were formed on one main surface, as shown in FIG. 15A. Next, as shown in FIG. 15B, an electrode layer (ACX/ITO layer) is formed on the drive circuit or the like by a sputtering method, and then the electrode layer is patterned by using a photolithography technique and an etching technique. As shown in FIG. 15C, a plurality of first electrodes separated for each light emitting element (that is, for each subpixel) were formed.
  • a first interface layer (SiO layer) is formed on one main surface of the silicon substrate on which a plurality of first electrodes are formed by a CVD method, and then an etchback method is performed.
  • the first interface layer 24 was removed so that the first interface layer having the same height as the first electrode 12A remained on the side surface of the first electrode.
  • a bulk layer (SiN layer) was formed by the CVD method as shown in FIG. 15F.
  • a photoresist layer was formed on the bulk layer by spin coating, and the surface was flattened.
  • the photoresist layer is removed and a part of the bulk layer is removed by an etch-back method to remove the first electrode, the first interface layer, and the bulk having the same height. Layers were formed.
  • the surface of the bulk layer 13A was plasma-treated to form a second interface layer (SiON layer) having an average thickness of 2.5 nm. As a result, an insulating layer was obtained.
  • the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer were laminated in this order on the first electrode, the first interface layer, and the insulating layer by the vapor deposition method. As a result, an organic layer having a constant organic layer thickness was formed.
  • the subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1-1 to obtain a display device.
  • the average thickness of the first electrode, the first interface layer, and the insulating layer was set to 65 nm by adjusting the process conditions.
  • Example 5-2 a display device having the configuration shown in FIG. 14 was manufactured as follows. That is, a display device was produced in the same manner as in Example 1 except that the average thickness of the insulating layer was adjusted to 85 nm by adjusting the process conditions.
  • Example 5-3 a display device having the configuration shown in FIG. 18 was manufactured as follows. First, the steps from the substrate forming step to the first interface layer forming step are performed in the same manner as in Example 5-1, and as shown in FIG. 20A, on the main surface of the substrate on which the plurality of first electrodes are formed. Then, a first interface layer (SiO layer) was formed.
  • a first interface layer SiO layer
  • a bulk layer (SiN layer) was formed on the first interface layer by the CVD method.
  • a photoresist layer was formed on the bulk layer, and then an opening was formed in a portion of the photoresist layer corresponding to the first electrode.
  • an opening was formed by etching in a portion of the first interface layer and the bulk layer corresponding to the first electrode layer.
  • etching was performed by using a deposition gas such as CH 2 F 2 to adjust the etching rates of the first interface layer (SiO) and the bulk layer (SiN).
  • the surface of the bulk layer 13A was plasma-treated to form a second interface layer (SiON layer) having an average thickness of 2.5 nm.
  • a second interface layer SiON layer
  • a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer were laminated in this order on the first electrode and the insulating layer by a vapor deposition method.
  • FIG. 21C an organic layer having a plurality of convex portions on the upper surface and having a substantially constant thickness of the organic layer in the region inside the convex portions was formed.
  • the subsequent steps were performed in the same manner as in Example 1-1 to obtain a display device.
  • the average thickness of the first electrode was set to 65 nm
  • the average thickness of the first interface layer was set to 9 nm
  • the average thickness of the insulating layer was set to 26 nm.
  • Example 5-4 a display device having the configuration shown in FIG. 19 was manufactured as follows. In the step of forming the opening of the first interface layer and the bulk layer, the first interface layer (SiO) and the bulk layer (SiN) are arranged so that the peripheral edge of the opening of the insulating layer and the peripheral edge of the opening of the first interface layer overlap. A display device was obtained in the same manner as in Example 5-1 except that the etching rate of () was adjusted.
  • Comparative Example 5-1 a display device having the configuration shown in FIG. 13 was manufactured as follows. That is, a display device was produced in the same manner as in Example 1 except that the average thickness of the insulating layer was adjusted to 45 nm by adjusting the process conditions.
  • the luminous efficiency of the display devices of Examples 5-1 to 5-3 is higher than that of the display devices of Example 5-4 and Comparative example 5-1. Especially, the luminous efficiency is high in a low current density region.
  • Example 6-1 a display device having the configuration shown in FIG. 38A was set as a model for electromagnetic field simulation. The setting conditions for each layer are shown below.
  • First electrode Al electrode
  • the current density distribution of the organic layer was calculated by electromagnetic field simulation (ANSYS Maxwell) using the above model. The results are shown in FIGS. 40 and 41.
  • the integrated value of the portion indicated by the straight line L (length 10 nm) in FIG. 41 was 1.29 ⁇ 10 ⁇ 6 A/m.
  • Numerals (1), (2), (3), etc. in FIGS. 40 and 41 respectively correspond to the magnitude of the current density (gradation in the legend). Also in the figures showing the simulation results of Example 6-2 and Comparative examples 6-1 and 6-2 below, the symbols (1), (2), (3), etc. similarly indicate the magnitude of the current density ( Corresponding to the gradation of the legend).
  • Example 6-1 a display device having the configuration shown in FIG. 38B was set as a model for electromagnetic field simulation. The setting conditions for each layer are shown below.
  • First electrode Al electrode
  • the current density distribution of the organic layer was calculated by electromagnetic field simulation (ANSYS Maxwell) using the above model. The results are shown in FIGS. 42 and 43.
  • the integrated value of the portion indicated by the straight line L (length 10 nm) in FIG. 43 was 1.48 ⁇ 10 ⁇ 6 A/m.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of a certain stage is the upper limit of the numerical range of another stage. You may replace with a value or a lower limit.
  • a plurality of first electrodes provided for each pixel An insulating layer provided between the first electrodes and covering a peripheral portion of the first electrodes, the insulating layer containing a silicon compound; A first interface layer provided at an interface between the first electrode and the insulating layer, the first interface layer including a first silicon oxide; An organic layer provided on the first electrode and the insulating layer in common to all pixels and including a light emitting layer; A second electrode provided on the organic layer,
  • the said insulating layer is a display device containing the 2nd silicon oxide in the surface part by the side of the said organic layer.
  • the silicon compound includes silicon nitride, The display device according to (2), wherein the ratio of the second silicon oxide to the total amount of the second silicon oxide and the silicon nitride contained in the surface portion on the organic layer side is 80% or more.
  • the insulating layer is A bulk layer containing the silicon compound, The display device according to any one of (1) to (3), further comprising: a second interface layer that is provided at an interface between the bulk layer and the organic layer and that includes the second silicon oxide. (6) The display device according to (5), wherein the average thickness of the second interface layer is 10 nm or less. (7) The second interface layer is composed of two or more layers, The display device according to (5) or (6), wherein at least one layer of the two or more layers contains the second silicon oxide. (8) The second interface layer is A first layer comprising the second silicon oxide; A second layer provided on the first layer, the second layer containing at least one of silicon nitride and silicon oxynitride, (5) or (6).
  • the display device according to any one of (5) to (8), further including an intermediate layer provided between the second interface layer and the bulk layer and containing silicon fluoride.
  • the display device according to any one of (5) to (9), wherein the second interface layer covers the main surface of the bulk layer and the edge of the bulk layer.
  • the portion of the second interface layer that covers the edge of the bulk layer has a different composition from the portion of the second interface layer that covers the main surface of the bulk layer.
  • (12) The display device according to (11), wherein a portion of the second interface layer that covers an edge of the insulating layer is positively charged.
  • the average thickness of the first interface layer is less than 15 nm.
  • the display device according to any one of (1) to (13), wherein the insulating layer is positively charged.
  • the silicon compound contains silicon nitride.
  • the insulating layer further comprises hydrogen, The peak intensity ratio NH between the NH bond-derived peak intensity I NH and the Si—H bond-derived peak intensity I Si-H (I NH obtained by analyzing the insulating layer by X-ray photoelectron spectroscopy) /I Si-H ) is less than 4, the display device according to (15).
  • the first electrode includes an oxide conductive layer.
  • the organic layer has a plurality of convex portions provided on portions of the surface on the second electrode side corresponding to the peripheral portions of the plurality of first electrodes, The display device according to any one of (1) to (17), wherein the thickness of the organic layer in the region inside the convex portion is substantially constant.
  • the first interface layer has a plurality of first openings respectively provided on the plurality of first electrodes
  • the insulating layer has a plurality of second openings respectively provided on the plurality of first electrodes
  • the display device according to (18) wherein the aperture ratio of the insulating layer is higher than the aperture ratio of the first interface layer.
  • the first interface layer has a plurality of first openings respectively provided on the plurality of first electrodes,
  • the insulating layer has a plurality of second openings respectively provided on the plurality of first electrodes,
  • the display device according to (18) or (19) wherein the peripheral edge of the first opening is located inside the peripheral edge of the second opening.
  • the first interface layer has a protrusion that protrudes with respect to the peripheral edge of the second opening,
  • the display device according to (20) wherein the thickness of the protrusion increases with increasing distance from the first opening.
  • the display device according to any one of (1) to (22), wherein the pixel includes a resonator structure that resonates light generated by a light emitting element.
  • An electronic device comprising the display device according to any one of (1) to (23).
  • a plurality of first electrodes provided for each pixel, An insulating layer provided between the first electrodes and containing a silicon compound;
  • a first interface layer provided between a side surface of the first electrode and a side surface of the insulating layer, the first interface layer including a first silicon oxide;
  • An organic layer provided on the first electrode and the insulating layer in common to all pixels and including a light emitting layer;
  • a second electrode provided on the organic layer, A display device in which the thickness of the organic layer on the first electrode is substantially constant.
  • the height H 1 of the organic layer on the first electrode and the height H 2 of the organic layer in the peripheral portion of the first electrode satisfy the relationship of H 1 ⁇ H 2 (24).
  • the height h 1 of the first electrode, the height h 2 of the first interface layer and the height h 3 of the insulating layer satisfy the relationship of h 1 ⁇ h 2 ⁇ h 3 (25) or ( 26) The display device according to 26).
  • the first interface layer has a plurality of first openings provided corresponding to each of the plurality of first electrodes
  • the insulating layer has a plurality of second openings provided corresponding to the plurality of first electrodes, respectively.
  • the insulating layer contains second silicon oxide on a surface portion on the organic layer side.
  • An electronic apparatus comprising the display device according to any one of (25) to (35).

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

表示装置は、画素毎に設けられた複数の第１の電極と、第１の電極間に設けられると共に第１の電極の周縁部を覆う、ケイ素化合物を含む絶縁層と、第１の電極と絶縁層の界面に設けられ、第１の酸化ケイ素を含む第１の界面層と、第１の電極および絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２の電極とを備える。絶縁層は、有機層側の表面部に第２の酸化ケイ素を含む。

Description

表示装置および電子機器
　本開示は、表示装置および電子機器に関する。
　近年、複数の有機電界発光素子（Organic Electro-Luminescence Diode：ＯＬＥＤ）を有する表示装置として、全画素に共通の有機層を有するものが提案されている。しかしながら、このような構成を有する表示装置では、隣接する発光素子の間で駆動電流のリークが発生しやすい。
　そこで、隣接する発光素子間で駆動電流のリークを抑制するための技術が提案されている。特許文献１では、複数の発光素子の間の素子間領域に絶縁膜を設け、この絶縁膜のうち、隣り合う発光素子の間の位置に溝を設ける技術が提案されている。また、特許文献２では、絶縁層のうち少なくとも一部の膜厚領域を、正に帯電した無機窒化物で形成する技術が提案されている。
特開２０１２－２１６３３８号公報 国際公開第２０１８／１４７０５０号パンフレット
　上述したように、近年では、全画素に共通の有機層を有する表示装置では、隣接する発光素子間で生じる駆動電流のリークを抑制する技術が望まれている
　本開示の目的は、隣接する発光素子間で生じる駆動電流のリークを抑制することができる表示装置および電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の開示は、画素毎に設けられた複数の第１の電極と、第１の電極間に設けられると共に第１の電極の周縁部を覆う、ケイ素化合物を含む絶縁層と、第１の電極と絶縁層の界面に設けられ、第１の酸化ケイ素を含む第１の界面層と、第１の電極および絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２の電極とを備え、絶縁層は、有機層側の表面部に第２の酸化ケイ素を含む表示装置である。
　第２の開示は、画素毎に設けられた複数の第１の電極と、第１の電極間に設けられ、ケイ素化合物を含む絶縁層と、第１の電極の側面と絶縁層の側面の間に設けられ、第１の酸化ケイ素を含む第１の界面層と、第１の電極および絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２の電極とを備え、第１の電極上における有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置である。
　第３の開示は、画素毎に設けられた複数の第１の電極と、第１の電極間に設けられた絶縁層と、第１の電極の側面と絶縁層の側面の間に設けられた第１の界面層と、第１の電極および絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、有機層上に設けられた第２の電極とを備え、第１の電極上において有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置である。
　第４の開示は、第１から第３の開示のいずれかの表示装置を備える電子機器である。
本開示の第１の実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図２に示した表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 図２に示した有機層の構成の一例を示す拡大断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例１に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例２に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例３に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例４に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第１の実施形態の変形例５に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１０に示した表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 比較例に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 比較例に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 変形例に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｃ、図１５Ｄ、図１５Ｅ、図１５Ｆはそれぞれ、表示装置の製造工程の一例を示す断面図である。 図１６Ａ、図１６Ｂ、図１６Ｃ、図１６Ｄはそれぞれ、表示装置の製造工程の一例を示す断面図である。 本開示の第２の実施形態の変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 変形例に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 図２０Ａ、図２０Ｂ、図２０Ｃはそれぞれ、表示装置の製造工程の一例を示す断面図である。 図２１Ａ、図２１Ｂ、図２１Ｃはそれぞれ、表示装置の製造工程の一例を示す断面図である。 本開示の第３の実施形態の変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 本開示の第４の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図２４Ａは、図２３に示した表示装置の一部を拡大して表す断面図である。図２４Ｂは、変形例に係る表示装置の一部を拡大して表す断面図である。 図２５Ａは、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。図２５Ｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。 図２６Ａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。図２６Ｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。 図２７Ａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。図２７Ｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。 モジュールの概略構成の一例を表す平面図である。 図３０Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図３０Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。 照明装置の外観の一例を示す斜視図である。 図３４Ａは、フーリエ変換赤外分光光度計により測定されたバルク層の吸収スペクトルを示す図である。図３４Ｂは、フーリエ変換赤外分光光度計により測定されたバルク層の吸収スペクトルを示す図である。 Ｎ－Ｈ結合に由来するピーク強度IN-HとＳｉ－Ｈ結合に由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比（IN-H／ISi-H）と、画素間リーク量との関係を示すグラフである。 図３６は、第１の界面層の平均厚みと画素間リーク量との関係を示すグラフである。 実施例５－１～５－４、比較例５－１の表示装置の発光効率の評価結果を示すグラフである。 図３８Ａは、実施例６－１の電磁界シミュレーションのモデルを示す図である。図３８Ｂは、実施例６－２の電磁界シミュレーションのモデルを示す図である。 図３９Ａは、比較例６－１の電磁界シミュレーションのモデルを示す図である。図３９Ｂは、比較例６－２の電磁界シミュレーションのモデルを示す図である。 実施例６－１の電磁界シミュレーションの解析結果を示す図である。 図４０の領域Ｒ１を拡大して表す図である。 実施例６－２の電磁界シミュレーションの解析結果を示す図である。 図４２の領域Ｒ２を拡大して表す図である。 比較例６－１の電磁界シミュレーションの解析結果を示す図である。 比較例６－２の電磁界シミュレーションの解析結果を示す図である。 図４５の領域Ｒ３を拡大して表す図である。
　本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
　１　第１の実施形態
　　１－１　表示装置の構成
　　１－２　表示装置の製造方法
　　１－３　効果
　　１－４　変形例
　２　第２の実施形態
　　２－１　表示装置の構成
　　２－２　表示装置の製造方法
　　２－３　効果
　　２－４　変形例
　３　第３の実施形態
　　３－１　表示装置の構成
　　３－２　表示装置の製造方法
　　３－３　効果
　４　第４の実施形態
　　４－１　表示装置の構成
　　４－２　効果
　５　各実施形態に適用される共振器構造の例
　６　応用例
［１－１　表示装置の構成］
　図１は、本開示の第１の実施形態に係る有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置１０（以下、単に「表示装置１０」という。）の全体構成の一例を示す。表示装置１０は、各種の電子機器に用いて好適なものであり、基板１１上には表示領域１１０Ａおよび表示領域１１０Ａの周縁に周辺領域１１０Ｂが設けられている。表示領域１１０Ａ内には、複数のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがマトリクス状に配置されている。サブ画素１００Ｒは赤色を表示し、サブ画素１００Ｇは緑色を表示し、サブ画素１００Ｂは青色を表示する。なお、以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別しない場合には、サブ画素１００という。
　同色を表示するサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの列が、繰り返し行方向に配置されている。したがって、行方向に並ぶ３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
　信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された画素に供給するものである。走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成される。走査線駆動回路１３０は、各画素への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。
　図２は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示す断面図である。図３は、図２に示した表示装置１０の一部を拡大して表す断面図である。表示装置１０は、トップエミッション方式の表示装置であり、基板（第１の基板）１１と、基板１１の一主面上に設けられた複数の発光素子１２および絶縁層１３と、複数の発光素子１２上に設けられた保護層１５と、保護層１５上に設けられたカラーフィルタ１６と、カラーフィルタ１６上に設けられた充填樹脂層１７と、充填樹脂層１７上に設けられた対向基板（第２の基板）１８とを備える。なお、対向基板１８側がトップ側となり、基板１１側がボトム側となる。
　複数の発光素子１２は、基板１１の一主面にマトリクス状に配置されている。発光素子１２は、白色有機ＥＬ発光素子であり、表示装置１０におけるカラー化の方式としては、白色有機ＥＬ発光素子とカラーフィルタ１６とを用いる方式が用いられる。なお、カラー化の方式はこれに限定されるものではなく、ＲＧＢの塗り分け方式等を用いてもよい。また、単色のフィルタを用いるようにしてよい。
　発光素子１２は、基板１１側から、例えば陽極としての第１の電極１２Ａ、有機層１２Ｂ、および例えば陰極としての第２の電極１２Ｃがこの順序で積載されたものである。
　基板１１は、一主面に配列された複数の発光素子１２を支持する支持体である。また、図示しないが、基板１１には、複数の発光素子１２の駆動を制御するサンプリング用トランジスタおよび駆動用トランジスタを含む駆動回路、ならびに複数の発光素子１２に電力を供給する電源回路が設けられていてもよい。
　基板１１は、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、基板１１は、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラス、もしくは石英ガラスなどのガラス基板、アモルファスシリコン、もしくは多結晶シリコンなどの半導体基板、またはポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート、もしくはポリエチレンナフタレートなどの樹脂基板などであってもよい。
　基板１１には、コンタクトプラグ１１Ａが設けられている。コンタクトプラグ１１Ａは、第１の電極１２Ａと、駆動回路および電源回路等とを電気的に接続する。具体的には、コンタクトプラグ１１Ａは、第１の電極１２Ａと基板１１の内部に設けられた駆動回路および電源回路等（図示せず）とを電気的に接続し、発光素子１２の発光のための電力を第１の電極１２Ａに印加する。コンタクトプラグ１１Ａは、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、もしくは銀（Ａｇ）などの金属の単体または合金などで形成されてもよく、これらの金属膜を複数積層させたもので形成されてもよい。 
（第１の電極）
　第１の電極１２Ａは、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に電気的に分離して設けられている。第１の電極１２Ａは、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ反射率が高く、かつ仕事関数が大きい金属層によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。金属層の構成材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）等の金属元素の単体および合金のうちの少なくとも１種を用いることができる。合金の具体例としては、ＡｌＮｉ合金、ＡｌＣｕ合金等が挙げられる。第１の電極１２Ａが、上記の金属元素の単体および合金のうちの少なくとも１種を含む複数の金属層の積層膜により構成されていてもよい。
（第２の電極）
　第２の電極１２Ｃは、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに共通の電極として設けられている。第２の電極１２Ｃは、有機層１２Ｂで発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射膜も含まれるものとする。第２の電極１２Ｃは、例えば、金属または金属酸化物により構成される。金属としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）等の金属元素の単体および合金のうちの少なくとも１種を用いることができる。合金としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好適である。金属酸化物としては、例えば、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）または酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物を用いることができる。
（絶縁層）
　絶縁層１３は、第１の電極１２Ａをサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に電気的に分離するためのものである。絶縁層１３は、第１の電極１２Ａの間に設けられると共に、第１の電極１２Ａの周縁部を覆っている。より具体的には、絶縁層１３は、各第１の電極１２Ａに対応する部分に開口を有しており、第１の電極１２Ａの上面（第２の電極１２Ｃとの対向面）の周縁部から第１の電極１２Ａの側面（端面）にかけて覆っている。第１の電極１２Ａと絶縁層１３の界面には、第１の界面層１４が設けられている。
　絶縁層１３は、絶縁層本体となるバルク層１３Ａと、バルク層１３Ａと有機層１２Ｂの界面に設けられた第２の界面層１３Ｂとを備える。
（バルク層）
　バルク層１３Ａは、正に帯電していることが好ましい。バルク層１３Ａが正に帯電していることで、隣接する発光素子１２間で生じる正孔電流のリークを抑制することができる。
　バルク層１３Ａは、ケイ素化合物を主成分として含む。ここで、主成分とは、バルク層１３Ａに含まれる材料成分のうちで最も割合が多いものをいう。ケイ素化合物は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮx）、酸化ケイ素（ＳｉＯx）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯxＮy）および炭化ケイ素（ＳｉＣx）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む。これらの材料のうちでも、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素のうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。バルク層１３Ａが窒化ケイ素および酸窒化ケイ素の少なくとも１種を含むことで、バルク層１３Ａが正の固定電荷を持ちやすいからである。
　バルク層１３Ａは、水素（Ｈ）をさらに含んでいてもよい。例えば、バルク層１３ＡをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等にてＳｉ含有ガス（例えば、ＳｉＨ4等）と、Ｎ含有ガス（例えば、ＮＨ2、ＮＨ3等）とを反応させることで形成した場合には、通常、バルク層１３Ａには、原料ガスに含まれる水素が含まれる。
　バルク層１３Ａがケイ素化合物として窒化ケイ素を主成分として含む場合、水素は、ケイ素および窒素と結合していてもよい。この場合、フーリエ変換赤外分光光度計（Fourier Transform Infrared Spectrometer：ＦＴ－ＩＲ）によりバルク層１３Ａを分析することにより得られた、Ｎ－Ｈ結合に由来するピーク強度IN-HとＳｉ－Ｈ結合に由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比（IN-H／ISi-H）が、好ましくは４未満、より好ましくは３以下である。ピーク強度比（IN-H／ISi-H）が４未満であると、第１の界面層１４との界面に形成されるダイポールを大きくすることができる。したがって、絶縁層１３の固定電荷を大きくし、絶縁層１３を効果的に正に帯電させることができる。したがって、隣接する発光素子１２間で生じる正孔電流のリークをさらに抑制することができる。
　上記のピーク強度比（IN-H／ISi-H）は以下のようにして求められる。まず、表示装置１０から対向基板１８を剥離したのち、バルク層１３Ａ上に積層された各層を剥離することにより、バルク層１３Ａの表面を露出させる。次に、ＦＴ－ＩＲによりバルク層１３Ａを分析し、ＦＴ－ＩＲスペクトルを取得する。そして、取得したＦＴ－ＩＲスペクトルを用いて、上記のピーク強度比（IN-H／ISi-H）を求める。
（第２の界面層）
　第２の界面層１３Ｂは、隣接する発光素子１２間で生じる正孔電流のリークおよび電子電流のリークを抑制するためのものである。第２の界面層１３Ｂは、格子歪みを有しており、これにより、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能が発現する。ここで、“格子歪み”とは、第２の界面層１３Ｂ中に含まれる微小な結晶粒の格子歪みも含まれるものとする。本明細書において、“正孔電流のリーク”とは、アノードである第１の電極１２Ａから注入された正孔が絶縁層１３と有機層１２Ｂの界面を伝って、隣接する第１の電極１２Ａに流れる現象のことをいう。また、“電子電流のリーク”とは、カソードである第２の電極１２Ｃからから注入された電子が有機層１２Ｂを伝って、隣接する第１の電極１２Ａに流れる現象、または有機層１２Ｂが含む電荷生成層（例えば正孔注入層）で形成された電子が、有機層１２Ｂを伝って流れる現象のことをいう。
　第２の界面層１３Ｂは、バルク層１３Ａとは異なる組成を有する。具体的には、第２の界面層１３Ｂは、酸化ケイ素を含む。第２の界面層１３Ｂは、窒素（Ｎ）をさらに含んでいてもよい。この場合、窒素は、第２の界面層１３Ｂ中においてケイ素と結合を形成し、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素として存在していてもよい。第２の界面層１３Ｂが窒素を含むことで、第２の界面層１３Ｂが格子歪みを発生し易くなり、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
　第２の界面層１３Ｂは、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能を向上する観点からすると、バルク層１３Ａの主面と共に、バルク層１３Ａのエッジ（端面）を覆っていることが好ましい。また、第２の界面層１３Ｂは、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能を向上する観点からすると、層全体でほぼ均一の厚みを有していることが好ましい。第２の界面層１３Ｂの平均厚みの上限値が、１０ｎｍ以下であることが好ましい。第２の界面層１３Ｂの平均厚みが１０ｎｍ以下であると、第２の界面層１３Ｂの格子歪みの緩和を抑えることができる。このように格子歪みの緩和を抑えることで、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能の低下を抑制することができる。第２の界面層１３Ｂの平均厚みの下限値が、好ましくは２ｎｍ以上である。第２の界面層１３Ｂの平均厚みが２ｎｍ以上であると、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能を効果的に発現させることができる。なお、第２の界面層１３Ｂの平均厚みは、後述の第１の界面層１４の平均厚みと同様にして求められる。
　バルク層１３Ａが窒化ケイ素を含む場合、第２の界面層１３Ｂ中において酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が、８０％以上であることが好ましい。上記割合が８０％以上であると、バルク層１３Ａと第２の界面層１３Ｂとの組成の違いにより、第２の界面層１３Ｂに格子歪みを効果的に発生させることができる。したがって、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
　酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合は以下のようにして求められる。まず、ＦＩＢ法等により表示装置１０の断面を切り出し、薄片を作製する。次に、電子エネルギー損失分光法（Electron Energy Loss Spectroscopy：ＥＥＬＳ）により薄片の断面を分析し、第２の界面層１３Ｂ中における酸化ケイ素と窒化ケイ素の含有量を求める。そして、これらの含有量を用いて、酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合を算出する。
（第１の界面層）
　第１の界面層１４は、第１の電極１２Ａと絶縁層１３との膜を構成する要素のやり取り、例えば酸素のやり取りを抑制し、絶縁層１３の特性の劣化を抑制するためのものである。具体的には例えば、バルク層１３Ａの固定電荷の減少を抑制し、絶縁層１３（具体的にはバルク層１３Ａ）が正に帯電した状態を保持するためのものである。
　第１の界面層１４は、バルク層１３Ａとは異なる組成を有する。具体的には、第１の界面層１４は、酸化ケイ素を含む。第１の界面層１４の平均厚みは、隣接する発光素子１２間における正孔電流のリークを抑制する観点から、好ましくは１ｎｍ以上１５ｎｍ未満、より好ましくは１ｎｍ以上１３ｎｍ以下、さらにより好ましくは１ｎｍ以上９ｎｍ以下、特に好ましくは１ｎｍ以上７ｎｍ以下、最も好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ以下である。
　第１の界面層１４の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、クライオＦＩＢ（Focused Ion Beam）加工等により表示装置１０の断面を切り出し、薄片を作製する。続いて、作製した薄片をＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）により観察し、断面ＴＥＭ像を１枚取得する。この際、加速電圧は８０ｋＶに設定された。次に、取得した１枚の断面ＴＥＭ像中において、第１の界面層１４のうち第１の電極１２Ａ上を覆っている部分（図３中の領域Ｒの部分）の厚みを１０点以上測定する。この際、各測定位置は、第１の電極１２Ａ上を覆っている部分から無作為に選ばれるものとする。その後、１０点以上測定した第１の界面層１４の膜厚を単純に平均（算術平均）して第１の界面層１４の平均厚みを求める。
（有機層）
　有機層１２Ｂは、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに共通の有機層として設けられている。図４は、図２に示した有機層１２Ｂを拡大して表す。有機層１２Ｂは、第１の電極１２Ａの側から正孔注入層１２Ｂ1、正孔輸送層１２Ｂ2、発光層１２Ｂ3、電子輸送層１２Ｂ4がこの順序で積層された構成を有する。なお、有機層１２Ｂの構成はこれに限定されるものではなく、発光層１２Ｂ3以外の層は必要に応じて設けられるものである。
　正孔注入層１２Ｂ1は、発光層１２Ｂ3への正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを抑制するためのバッファ層である。正孔輸送層１２Ｂ2は、発光層１２Ｂ3への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１２Ｂ3は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１２Ｂ4は、発光層１２Ｂ3への電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１２Ｂ4と第２の電極１２Ｃとの間には、電子注入層（図示せず）を設けてもよい。この電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。
（保護層）
　保護層１５は、発光素子１２を外気と遮断し、外部環境から発光素子１２内部への水分浸入を抑制するためのものである。また、第２の電極１２Ｃが金属層により構成されている場合には、保護層１５は、この金属層の酸化を抑制する機能も有している。
　保護層１５は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化チタン（ＴｉＯx）または酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）等、吸湿性が低い無機材料により構成される。また、保護層１５は、単層構造であってもよいが、厚さを大きくする場合には多層構造としてもよい。保護層１５における内部応力を緩和するためである。また、保護層１５が、高分子樹脂により構成されていてもよい。この場合、高分子樹脂としては、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂のうちの少なくとも１種の樹脂材料を用いることができる。
（カラーフィルタ）
　カラーフィルタ１６は、いわゆるオンチップカラーフィルタ（On Chip Color Filter：ＯＣＣＦ）である。カラーフィルタ１６は、例えば、赤色フィルタ１６Ｒ、緑色フィルタ１６Ｇおよび青色フィルタ１６Ｂを備える。赤色フィルタ１６Ｒ、緑色フィルタ１６Ｇ、青色フィルタ１６Ｂはそれぞれ、サブ画素１００Ｒの発光素子１２、サブ画素１００Ｇの発光素子１２、サブ画素１００Ｂの発光素子１２に対向して設けられている。これにより、サブ画素１００Ｒ、サブ画素１００Ｇ、サブ画素１００Ｂ内の各発光素子１２から発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ１６Ｒ、緑色フィルタ１６Ｇおよび青色フィルタ１６Ｂを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面から出射される。また、各色のカラーフィルタ間、すなわちサブ画素１００間の領域には、遮光層１６ＢＭが設けられている。
（充填樹脂層）
　充填樹脂層１７は、保護層１５とカラーフィルタ１６との間の空間に充填されている。充填樹脂層１７は、カラーフィルタ１６と対向基板１８とを接着する接着層としての機能を有している。充填樹脂層１７は、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂のうちの少なくとも１種の樹脂材料により構成される。
（対向基板）
　対向基板１８は、対向基板１８の一主面と、複数の発光素子１２が設けられた基板１１の一主面とが対向するように設けられている。対向基板１８は、充填樹脂層１７と共に、発光素子１２およびカラーフィルタ１６等を封止するものである。対向基板１８は、カラーフィルタ１６からから出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成される。
［１－２　表示装置の製造方法］
　以下、上述の構成を有する表示装置１０の製造方法について説明する。
　まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、基板１１の一主面に駆動回路等を形成する。次に、例えばスパッタリング法により、金属層を駆動回路等の上に形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層をパターニングすることにより、発光素子１２毎（すなわちサブ画素１００毎）に分離された複数の第１の電極１２Ａを形成する。
　次に、例えばＣＶＤ法により、複数の第１の電極１２Ａが形成された基板１１の一主面上に第１の界面層１４を形成したのち、例えばＣＶＤ法により、バルク層１３Ａを形成する。次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の界面層１４およびバルク層１３Ａをパターニングする。その後、バルク層１３Ａの表面をプラズマ処理することにより、第２の界面層１３Ｂを形成するか、もしくはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により第２の界面層１３Ｂをバルク層１３Ａ上に形成する。これにより、絶縁層１３が得られる。プラズマ処理としては、例えば、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理を用いることができる。なお、これらのプラズマ処理を単独で用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。
　ＡＬＤ法により第２の界面層１３Ｂをバルク層１３Ａ上に形成する場合、第１の電極１２Ａ上にも第２の界面層１３Ｂが形成されるが、金属材料を含む第１の電極１２Ａの表面と、窒化ケイ素等のケイ素化合物を含むバルク層１３Ａの表面とでは、前駆体の付着効率が異なるため、第１の電極１２Ａ上には第２の界面層１３Ｂは殆ど形成されることはない。したがって、第１の電極１２Ａ上に形成される第２の界面層１３Ｂは、発光素子１２の駆動に実質的に影響を及ぼすことはない。但し、更なる品質構造を目的として、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の電極１２Ａ上に形成された第２の界面層１３Ｂを除去するようにしてもよい。
　次に、例えば蒸着法により、正孔注入層１２Ｂ1、正孔輸送層１２Ｂ2、発光層１２Ｂ3、電子輸送層１２Ｂ4を第１の電極１２Ａ上および絶縁層１３上にこの順序で積層することにより、有機層１２Ｂを形成する。次に、例えばスパッタリング法により、第２の電極１２Ｃを有機層１２Ｂ上に形成する。これにより、基板１１の一主面に複数の発光素子１２が形成される。
　次に、例えば蒸着法またはＣＶＤ法により、保護層１５を第２の電極１２Ｃ上に形成したのち、保護層１５上にカラーフィルタ１６を形成する。なお、保護層１５の段差やカラーフィルタ１６自体の膜厚差による段差を平坦化するために、カラーフィルタ１６の上、下または上下両方に平坦化層を形成してもよい。次に、例えばＯＤＦ（One Drop Fill）方式により、充填樹脂層１７によりカラーフィルタ１６を覆ったのち、対向基板１８を充填樹脂層１７上に載置する。次に、例えば充填樹脂層１７に熱を加えるか、または充填樹脂層１７に紫外線を照射し、充填樹脂層１７を硬化させることにより、充填樹脂層１７を介して基板１１と対向基板１８とを貼り合せる。これにより、表示装置１０が封止される。なお、充填樹脂層１７が熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂の両方を含む場合には、充填樹脂層１７に紫外線を照射し仮硬化させたのち、充填樹脂層１７に熱を加えて本硬化させるようにしてもよい。
［１－３　効果］
　上述したように、第１の実施形態に係る表示装置１０は、サブ画素１００毎に設けられた複数の第１の電極１２Ａと、第１の電極１２Ａ間に設けられると共に第１の電極１２Ａの周縁部を覆う、ケイ素化合物を含む絶縁層１３と、第１の電極１２Ａと絶縁層１３の界面に設けられ、酸化ケイ素を含む第１の界面層１４と、第１の電極１２Ａおよび絶縁層１３上に全画素に共通して設けられ、発光層１２Ｂ3を含む有機層１２Ｂと、有機層１２Ｂ上に設けられた第２の電極１２Ｃとを備える。また、絶縁層１３は、ケイ素化合物を主成分として含むバルク層１３Ａと、バルク層１３Ａと有機層１２Ｂの界面に設けられ、酸化ケイ素を含む第２の界面層１３Ｂとを備える。これにより、有機層１２Ｂおよび絶縁層１３の界面を伝う正孔電流および電子電流を抑制することができる。したがって、表示装置１０の電流発光効率の低下および発光色異常等を抑制することができる。
［１－４　変形例］
（変形例１）
　図５は、本開示の第１の実施形態の変形例１に係る表示装置１０1の構成の一例を示す。表示装置１０1は、絶縁層１３に代えて、絶縁層１３1を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。絶縁層１３1は、バルク層１３Ａと、第２の界面層１３Ｂと、バルク層１３Ａおよび第２の界面層１３Ｂの間に設けられた中間層１３Ｃとを備える。
　中間層１３Ｃは、バルク層１３Ａに固定電荷が形成されやすくするための層である。中間層１３Ｃは、電荷の偏りを持たせるためには、フッ化ケイ素（ＳｉＦｘ）を含むことが好ましい。なお、中間層１３Ｃがフッ化ケイ素を含んでいるか否かは、例えば、Ｘ線光電子分光法（X-ray Photoelectron Spectroscopy：ＸＰＳ）により、バルク層１３Ａと第２の界面層１３Ｂとの間の界面を分析することにより確認することができる。
（変形例２）
　図６は、本開示の第１の実施形態の変形例２に係る表示装置１０2の構成の一例を示す。表示装置１０2は、絶縁層１３に代えて、絶縁層１３2を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。絶縁層１３2は、バルク層１３Ａと、バルク層１３Ａ上に設けられた２層構造の第２の界面層１３Ｄを備える。
　第２の界面層１３Ｄは、第１の層１３Ｄ1と、この第１の層１３Ｄ1上に設けられた第２の層１３Ｄ2とを備える。第１の層１３Ｄ1は、例えば、酸化ケイ素を含む。第２の層１３Ｄ2は、例えば、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素のうちの少なくとも１種を含む。なお、第１の層１３Ｄ1および第２の層１３Ｄ2の積層の順序は逆でもよい。
　上述のように表示装置１０2が２層構造の第２の界面層１３Ｄを備えることで、第２の界面層１３Ｄの格子歪みを、上述の第１の実施形態における単層構造の第２の界面層１３Ｂの格子歪みよりも大きくすることができる。したがって、正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
　上述の例では、第２の界面層１３Ｄが２層構造を有する場合について説明したが、２層以上の積層構造を有していてもよい。この場合、２層以上の層のうちの少なくとも１層が、酸化ケイ素を含むようにしてもよい。また、２層以上の層のうちの少なくとも１層が、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素のうちの少なくとも１種を含むようにしてもよい。上記の２層以上の積層構造を採用した場合にも、正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
（変形例３）
　図７は、本開示の第１の実施形態の変形例３に係る表示装置１０3の構成の一例を示す。表示装置１０3は、絶縁層１３に代えて、絶縁層１３3を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。
　絶縁層１３3は、バルク層１３Ａと、バルク層１３Ａ上に設けられた第２の界面層１３Ｅとを備える。第２の界面層１３Ｅのうちバルク層１３Ａのエッジ（端面）を覆う側壁部１３Ｅ1が、第２の界面層１３Ｅのうちバルク層１３Ａの主面を覆う主面部１３Ｅ2とは異なる組成を有する。本明細書において、“異なる組成”とは、構成成分が異なること、または構成成分は同一であるが、構成成分の比率が異なることを意味する。
　側壁部１３Ｅ1および主面部１３Ｅ2は、例えば、異なる組成の酸化ケイ素または酸窒化ケイ素を含む。側壁部１３Ｅ1は、正の固定電荷を有し、正に帯電していることが好ましい。第１の電極１２Ａから絶縁層１３3のエッジを伝って絶縁層１３3の上面に正孔が流されることを抑制することができる。したがって、正孔電流のリークをさらに抑制することができる。
　正の固定電荷を持たせるための側壁部１３Ｅ1の構成材料としては、例えば、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ルテチウム（Ｌｕ2Ｏ3）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）および酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものを用いることができる。
　上述の構成を有する第２の界面層１３Ｅは、例えば以下のようにして形成される。第１の界面層１４を形成したのち、プラズマＣＶＤ法によりケイ素化合物を主成分として含む絶縁層を形成する。この際に、ガスの流量比を調整し、絶縁層の表面部に酸化ケイ素膜を形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて絶縁層をパターニングしたのち、例えば射法蒸着により、側壁部にのみに酸化ケイ素膜を形成する。
（変形例４）
　図８は、本開示の第１の実施形態の変形例４に係る表示装置１０4の構成の一例を示す。表示装置１０4は、バルク層１３Ａと第２の界面層１３Ｂとを備える絶縁層１３に代えて、単層の絶縁層１３4を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。
　絶縁層１３4は、バルクにケイ素化合物を主成分として含み、かつ、有機層１２Ｂ側の表面部に酸化ケイ素を含む。ここで、“主成分”とは、絶縁層１３4に含まれる材料成分のうちで最も割合が多いものをいう。ケイ素化合物は、上述の第１の実施形態におけるバルク層１３Ａに含まれるケイ素化合物と同様である。
　絶縁層１３4の組成は、例えば、バルクから有機層１２Ｂ側の最表面に向けて連続的に変化している。具体的には、絶縁層１３4の酸素濃度（より具体的には絶縁層１３4の酸化ケイ素の濃度）が、バルクから有機層１２Ｂ側の最表面に向かって徐々に高くなっている。絶縁層１３4の組成が、バルクからエッジ側の表面に向けて連続的に変化していてもよい。この場合、正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
　酸化ケイ素は、絶縁層１３4の有機層１２Ｂ側の最表面から深さ１０ｎｍ以下の範囲内に含まれていることが好ましい。酸化ケイ素の濃度を狭い範囲で変化させることで、有機層１２Ｂ側の表面部において格子歪みを大きくすることができるからである。
　絶縁層１３4が、有機層１２Ｂ側の表面部に窒素をさらに含んでいてもよい。この場合、窒素は、有機層１２Ｂ側の表面部においてケイ素と結合を形成し、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素として存在していてもよい。有機層１２Ｂ側の表面部に窒素をさらに含むことで、有機層１２Ｂ側の表面部が格子歪みを発生し易くなり、正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。
　絶縁層１３4がバルクに窒化ケイ素を主成分として含む場合、有機層１２Ｂ側の表面部において酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が、８０％以上であることが好ましい。上記割合が８０％以上であると、絶縁層１３のバルクと有機層１２Ｂ側の表面部との組成の違いにより、有機層１２Ｂ側の表面部に格子歪みを効果的に発生させることができる。したがって、上述の正孔電流のリークおよび電子電流のリークの抑制機能をさらに向上することができる。有機層１２Ｂ側の表面部における上記割合は、上述の第１の実施形態の第２の界面層１３Ｂにおける酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合と同様にして求められる。
　なお、上述のように絶縁層１３4の組成を連続的に変化させる構成よりも、上述の第１の実施形態におけるようにバルク層１３Ａの表面に第２の界面層１３Ｂを設ける構成を採用することが好ましい。第２の界面層１３Ｂを設けた方が、絶縁層１３の有機層１２Ｂ側の表面における格子歪みを助長し、リーク抑制効果をさらに向上することができるためである。
（変形例５）
　図９は、本開示の第１の実施形態の変形例５に係る表示装置１０5の構成の一例を示す。表示装置１０5は、単層構造の第１の電極１２Ａに代えて、積層構造の第１の電極１２Ｄを備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。
　第１の電極１２Ｄは、金属層１２Ｄ1と、金属層１２Ｄ1上に設けられ、透明性を有する酸化物導電層１２Ｄ2とを備える。金属層１２Ｄ1は、第１の実施形態において第１の電極１２Ａとして用いられる金属層と同様である。酸化物導電層１２Ｄ2は、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）、およびインジウム酸化物、ガリウム酸化物および亜鉛酸化物の混合体（ＩＧＺＯ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属酸化物を含むことが好ましい。これらの金属酸化物は、高い仕事関数を有するため、ホール注入性を向上することができるためである。
　第１の界面層１４は、上述の構成を有する第１の電極１２Ｄを備える表示装置１０5において特に有効である。酸化物導電層１２Ｄ2と絶縁層１３（具体的にはバルク層１３Ａ）とが隣接していると、これらの層を構成する要素（例えば酸素）のやり取りが特に生じやすい。このため、第１の界面層１４を設けた場合、酸化物導電層１２Ｄ2と絶縁層１３との間で膜を構成する要素のやり取りを抑制する効果が顕著に発現するためである。
＜２　第２の実施形態＞
［２－１　表示装置の構成］
　図１０は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置２０の構成の一例を示す断面図である。図１１は、図１０に示した表示装置２０の一部を拡大して表す断面図である。表示装置２０は、絶縁層１３および第１の界面層１４に代えて、絶縁層２３および第１の界面層２４を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０とは異なっている。
（絶縁層）
　絶縁層２３は、第１の電極１２Ａをサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ毎に電気的に分離するためのものである。絶縁層２３は、基板１１の面内方向に隣接する第１の電極１２Ａの側面間に設けられている。絶縁層２３の上面は、平坦になっている。本明細書において、“上面”とは、表示装置２０の表示面側となる面のことをいう。
　絶縁層２３は、絶縁層本体となるバルク層２３Ａと、バルク層２３Ａと有機層１２Ｂの界面に設けられた第２の界面層２３Ｂとを備える。第２の実施形態では、絶縁層２３が第２の界面層２３Ｂを備える場合について説明するが、絶縁層２３が第２の界面層２３Ｂを備えていなくてもよい。
　バルク層２３Ａは、第１の電極１２Ａの周縁部を覆わずに、基板１１の面内方向に隣接する第１の電極１２Ａの側面間に設けられていること以外は、第１の実施形態におけるバルク層１３Ａと同様である。第２の界面層２３Ｂは、バルク層２３Ａの上面に設けられていること以外は、第１の実施形態における第２の界面層１３Ｂと同様である。
（第１の界面層）
　第１の界面層２４は、絶縁層２３の側面と第１の電極１２Ａの側面の間に設けられている。第１の界面層２４の上面は、平坦になっている。第１の界面層２４において、上記以外のことは、第１の実施形態における第１の界面層１４と同様である。
（有機層）
　第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定である。すなわち、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの上面が、ほぼ平坦となっている。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃ（具体的には、第２の電極１２Ｃのうち第１の電極１２Ａ上に対応する部分）との間の縦方向リーク（図１１中の矢印Ｉ1参照）を抑制することができる。これに対して、図１２に示すように、有機層１２Ｂの上面のうち第１の電極１２Ａの周縁部に対応する部分に凹部１２ＢＡが形成され、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定でない表示装置（すなわち、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの上面が、ほぼ平坦でない表示装置）２０Ａでは、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中する。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃ（具体的には、第２の電極１２Ｃのうち第１の電極１２Ａ上に対応する部分）との間の縦方向リーク（図１１中の矢印Ｉ1参照）が大きくなる。本明細書において、“縦方向リーク”とは、有機層１２Ｂの厚み方向における、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃとの間の正孔電流リークおよび電子電流リークのことをいう。
　本明細書において、“第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みがほぼ一定”とは、第１の電極１２Ａにおける有機層１２Ｂの厚みのばらつきが、第１の電極１２Ａにおける有機層１２Ｂの平均厚みの±５％以内であることをいう。また、“有機層１２Ｂの上面がほぼ平坦”とは、有機層１２Ｂの上面の変位（有機層１２Ｂの厚み方向の変位）が有機層１２Ｂの平均厚みの±５％以内であることをいう。なお、有機層１２Ｂの厚みおよび平均厚みは、第１の実施形態における第１の界面層１４の厚みおよび平均厚みと同様にして求められる。
（各層の高さの関係）
　第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さＨ2が、Ｈ1≦Ｈ2の関係を満たす。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃ（具体的には、第２の電極１２Ｃのうち、第１の電極１２Ａの周囲の部分に対応する部分）の間の縦方向リーク（図１１中の矢印Ｉ2参照）を抑制することができる。これに対して、図１３に示すように、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さＨ2が、Ｈ1≦Ｈ2の関係を満たさない表示装置２０Ｂでは、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中する。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃ（具体的には、第２の電極１２Ｃのうち、第１の電極１２Ａの周囲の部分に対応する部分）との間の縦方向リーク（図１３中の矢印Ｉ2参照）が大きくなる。本明細書において、“第１の電極１２Ａの周囲の部分”とは、第１の電極１２Ａの側面から５０ｎｍ以下の範囲を意味する。
　第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、第１の界面層２４上における有機層１２Ｂの高さＨ21および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層の高さＨ22が、Ｈ1≦Ｈ21≦Ｈ22の関係を満たすようにしてもよい。この場合にも、縦方向リーク（図１１中の矢印Ｉ2参照）を抑制することができる。
　図１１では、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さＨ2が、Ｈ1＝Ｈ2である例が示されている。図１４では、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さＨ2が、Ｈ1＜Ｈ2である例が示されている。
　第１の電極１２Ａの高さｈ1、第１の界面層２４の高さｈ2および絶縁層２３の高さｈ3が、ｈ1≦ｈ2≦ｈ3の関係を満たすことが好ましい。この関係が満たされることで、ＣＶＤ法等により第１の電極１２Ａ、第１の界面層２４および絶縁層２３上に有機層１２Ｂを形成した場合に、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さＨ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さＨ2が、Ｈ1≦Ｈ2の関係を満たす有機層１２Ｂが得られる。したがって、上述のように縦方向リークを抑制することができる。
　図１１では、第１の電極１２Ａの高さｈ1、第１の界面層２４の高さｈ2および絶縁層２３の高さｈ3が、ｈ1＝ｈ2＝ｈ3の関係を満たす例が示されている。図１２では、第１の電極１２Ａの高さｈ1、第１の界面層２４の高さｈ2および絶縁層２３の高さｈ3が、ｈ1＜ｈ2＝ｈ3の関係を満たす例が示されている。図１４では、第１の電極１２Ａの高さｈ1、第１の界面層２４の高さｈ2および絶縁層２３の高さｈ3が、ｈ1＝ｈ2＜ｈ3の関係を満たす例が示されている。
［２－２　表示装置の製造方法］
　以下、上述の構成を有する表示装置２０の製造方法について説明する。
　まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図１５Ａに示すように、駆動回路等を含む基板１１を形成する。次に、例えばスパッタリング法により、図１５Ｂに示すように、金属層または金属酸化物層等の電極層１２Ａ１を基板１１上に形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて電極層１２Ａ１をパターニングすることにより、図１５Ｃに示すように、発光素子１２毎（すなわちサブ画素１００毎）に分離された複数の第１の電極１２Ａを形成する。
　次に、例えばＣＶＤ法により、図１５Ｄに示すように、複数の第１の電極１２Ａが形成された基板１１の一主面上に第１の界面層２４を形成したのち、例えばエッチバック法により、図１５Ｅに示すように、第１の電極１２Ａの側面に第１の界面層２４が残るように第１の界面層２４を除去する。次に、例えばＣＶＤ法により、図１５Ｆに示すように、第１の電極１２Ａおよび第１の界面層２４を覆うように基板１１の一主面上にバルク層２３Ａを形成する。次に、例えばスピンコート法により、図１６Ａに示すように、フォトレジスト層２３Ａ１をバルク層２３Ａ上に形成し、表面を平坦化する。次に、例えばエッチバック法により、図１６Ｂに示すように、フォトレジスト層２３Ａ１を除去すると共に、バルク層２３Ａの一部を除去し、ほぼ同一厚さの第１の電極１２Ａ、第１の界面層２４およびバルク層２３Ａを形成する。
　次に、バルク層２３Ａの表面をプラズマ処理することにより、図１６Ｃに示すように、第２の界面層２３Ｂを形成するか、もしくはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により第２の界面層２３Ｂをバルク層２３Ａの上面に形成する。これにより、絶縁層２３が得られる。
　次に、例えば蒸着法により、正孔注入層１２Ｂ1、正孔輸送層１２Ｂ2、発光層１２Ｂ3、電子輸送層１２Ｂ4を第１の電極１２Ａ上および絶縁層２３上にこの順序で積層することにより、図１６Ｄに示すように、ほぼ平坦な上面を有する有機層１２Ｂを形成する。
　これ以外の工程を第１の実施形態における表示装置１０の製造方法と同様に行うことにより、表示装置２０が得られる。
［２－３　効果］
　上述したように、第２の実施形態に係る表示装置２０では、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定であり、かつ、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの高さｈ1、および第１の電極１２Ａの周囲の部分における有機層１２Ｂの高さｈ2が、ｈ1≦ｈ2の関係を満たす。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、電界集中により縦方向リークの発生（図１１中の矢印Ｉ1、Ｉ2参照）を抑制することができる。
　また、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定であることで、有機層１２Ｂの膜厚変化（キャビティずれ）による色ずれの発生を抑制することができる。
［２－４　変形例］
　上述の第２の実施形態では、第１の界面層２４が第１の電極２４Ａの上面の周縁部を覆っていない場合について説明したが、図１７に示しように、第１の界面層２４が第１の電極１２Ａの上面の周縁部を覆っていてもよい。
＜３　第３の実施形態＞
［３－１　表示装置の構成］
　図１８は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置３０の一部を拡大して表す断面図である。有機層１２Ｂは、複数の凸部１２ＣＡを上面に有している。複数の凸部１２ＣＡは、複数の第１の電極１２Ａそれぞれの周縁部に対応する部分に設けられている。凸部１２ＣＡの内側の領域における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定である。
　第１の界面層１４は、複数の第１の電極１２Ａ上にそれぞれ設けられた複数の開口（第１の開口）１４Ｈを有している。絶縁層１３は、複数の第１の電極１２Ａ上にそれぞれ設けられた複数の開口（第２の開口）１３Ｈを有している。開口１４Ｈの周縁は、開口１３Ｈの周縁の内側に位置している。すなわち、第１の界面層１４は、絶縁層１３の開口１３Ｈの周縁に対して突出した突出部１４Ａを有している。突出部１４Ａの厚みは、例えばほぼ一様である。
　開口１４Ｈの周縁が、開口１３Ｈの周縁の内側に位置していることで、ＣＶＤ法等により有機層１２Ｂを形成した場合に、開口１３Ｈの周縁の内側の部分が、開口１３Ｈの回りの絶縁層１３の陰になって、凸部１２ＣＡの内側の部分で有機層１２Ｂの厚みが薄くなることを抑制することができる。すなわち、有機層１２Ｂの上面のうち凸部１２ＣＡの内側の部分に凹部１２ＣＢ（図１９参照）が形成されることを抑制することができる。したがって、電界集中により縦方向リーク（図１８中の矢印Ｉ3参照）を抑制することができる。
　これに対して、開口１４Ｈの周縁が、開口１３Ｈの周縁と揃っている表示装置３０Ａでは、ＣＶＤ法等により有機層１２Ｂを形成した場合に、開口１２Ｈの周縁の内側の部分が、開口１３Ｈの回りの絶縁層１３の陰になって、凸部１２ＣＡの内側の部分で有機層１２Ｂの厚みが薄くなる。すなわち、有機層１２Ｂの上面のうち凸部１２ＣＡの内側の部分に凹部１２ＣＢが形成される。したがって、電界集中により縦方向リーク（図１９中の矢印Ｉ3参照）が大きくなる。
　絶縁層１３の開口率は、第１の界面層１４の開口率に比べて高いことが好ましい。これにより、開口１４Ｈの周縁を開口１３Ｈの周縁の内側に位置させることができる。絶縁層１３の開口率は、絶縁層１３の形成領域の面積に対する絶縁層１３の開口１３Ｈの総面積の割合である。第１の界面層１４の開口率は、第１の界面層１４の形成領域の面積に対する第１の界面層１４の開口１４Ｈの総面積の割合である。第３の実施形態において、上記以外のことは第１の実施形態と同様である。
［３－２　表示装置の製造方法］
　まず、基板１１の形成工程から第１の界面層１４の形成工程までを第２の実施形態と同様に行い、図２０Ａに示すように、複数の第１の電極１２Ａが形成された基板１１の一主面上に第１の界面層１４を形成する。
　次に、例えばＣＶＤ法により、図２０Ｂに示すように、第１の界面層１４上にバルク層１３Ａを形成する。次に、例えばスピンコート法により、図２０Ｃに示すように、フォトレジスト層１３Ａ１をバルク層１３Ａ上に形成したのち、フォトレジスト層１３Ａ１のうち第１の電極１２Ａ上に対応する部分に開口を形成する。次に、例えばエッチング法により、図２１Ａに示すように、第１の界面層１４およびバルク層１３Ａのうち、第１の電極１２Ａ上に対応する部分に開口１４Ｈおよび開口１３Ｈを形成する。この際、例えば、ＣＨ2Ｆ2等のデポガスを用いて、第１の界面層（例えばＳｉＯ層）とバルク層１３Ａ（例えばＳｉＮ層）とのエッチングレートを調整してエッチングする。これにより、開口１４Ｈの周縁が、開口１３Ｈの周縁の内側に位置するように、開口１３Ｈおよび開口１４Ｈが形成される。
　次に、バルク層１３Ａの表面をプラズマ処理することにより、図２１Ｂに示すように、第２の界面層１３Ｂを形成するか、もしくはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により第２の界面層１３Ｂをバルク層１３Ａの上面に形成する。これにより、絶縁層１３が得られる。
　次に、例えば蒸着法により、正孔注入層１２Ｂ1、正孔輸送層１２Ｂ2、発光層１２Ｂ3、電子輸送層１２Ｂ4を第１の電極１２Ａ上および絶縁層１３上にこの順序で積層する。これにより、図２１Ｃに示すように、複数の凸部１２ＣＡを上面に有すると共に、凸部１２ＣＡの内側の領域における有機層１２Ｂの厚みがほぼ一定である有機層１２Ｂが形成される。
　これ以外の工程を第１の実施形態における表示装置１０の製造方法と同様に行うことにより、表示装置３０が得られる。
［３－３　効果］
　上述したように、第３の実施形態に係る表示装置２０では、凸部１２ＣＡの内側の領域における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定である。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃとの間の縦方向リーク（図１８中の矢印Ｉ3参照）を抑制することができる。
　これに対して、図１９に示すように、有機層１２Ｂが凸部１２ＣＡの内側に凹部１２ＣＢを有し、凸部１２ＣＡの内側の領域における有機層１２Ｂの厚みがほぼ一定でない表示装置３０Ａでは、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中する。したがって、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃとの間の縦方向リーク（図１９中の矢印Ｉ3参照）を抑制することは困難である。
［３－４　変形例］
　上述の第３の実施形態では、突出部１４Ａの厚みがほぼ一様である場合について説明したが、突出部１４Ａは、図２２に示すように、突出部１４Ａの厚みが開口１４Ｈから離れるに従って増加するテーパー形状を有していてもよい。
＜４　第４の実施形態＞
［４－１　表示装置の構成］
　図２３は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置４０の構成の一例を示す断面図である。図２４Ａは、図２３に示した表示装置４０の一部を拡大して表す断面図である。絶縁層４３は、第１の電極１２Ａの上面に対して突出し、複数の第１の電極１２Ａをそれぞれ取り囲む複数の傾斜面４３Ｃを有している。絶縁層４３は、傾斜面４３Ｃの底部に対応する部分に開口４３Ｈを有している。絶縁層４３の底部は、第１の電極１２Ａの上面の周縁部から第１の電極１２Ａの側面（端面）にかけて覆っている。
　第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定である。開口４３Ｈは、第１の電極１２Ａ上に設けられている。開口１４Ｈの周縁が、開口４３Ｈの周縁の内側に位置している。すなわち、第１の界面層１４は、絶縁層４３の開口４３Ｈの周縁に対して突出した突出部１４Ａを有している。突出部１４Ａの厚みは、例えばほぼ一様である。突出部１４Ａが、開口１４Ｈから離れるに従って増加するテーパー形状を有していてもよい。
　開口１４Ｈの周縁が、開口４３Ｈの周縁の内側に位置していることで、ＣＶＤ法等により有機層１２Ｂを形成した場合に、傾斜面４３Ｃの陰になって、傾斜面４３Ｃの下部の内側の部分で有機層１２Ｂの厚みが薄くなることを抑制することができる。したがって、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みをほぼ一定にすることができる。よって、電界集中による縦方向リークの発生を抑制することができる。
　絶縁層４３の開口率は、第１の界面層１４の開口率に比べて高いことが好ましい。これにより、開口４３Ｈの周縁を開口１３Ｈの周縁の内側に位置させることができる。絶縁層４３の開口率は、絶縁層４３の形成領域の面積に対する絶縁層４３の開口４３Ｈの総面積の割合である。
　絶縁層４３は、絶縁層本体となるバルク層４３Ａと、バルク層４３Ａと有機層１２Ｂの界面に設けられた第２の界面層４３Ｂとを備える。第４の実施形態では、絶縁層４３が第２の界面層４３Ｂを備える場合について説明するが、絶縁層４３が第２の界面層４３Ｂを備えていなくてもよい。
　絶縁層４３の組成は、バルクから有機層１２Ｂ側の最表面に向けて連続的に変化していてもよい。具体的には、絶縁層４３の酸素濃度（より具体的には絶縁層４３の酸化ケイ素の濃度）が、バルクから有機層１２Ｂ側の最表面に向かって徐々に高くなっていてもよい。絶縁層４３の組成が、バルクからエッジ側の表面に向けて連続的に変化していてもよい。第４の実施形態において、上記以外のことは第３の実施形態と同様である。
［４－２　効果］
　第４の実施形態では、第１の電極１２Ａ上における有機層１２Ｂの厚みが、ほぼ一定である。これにより、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃの間の一部に電界が集中することを抑制することができる。したがって、第１の電極１２Ａと第２の電極１２Ｃとの間の縦方向リークを抑制することができる。
　また、絶縁層４３が複数の第１の電極１２Ａをそれぞれ取り囲む複数の傾斜面４３Ｃを有している。これにより、発光素子１２から出射された光を傾斜面４３Ｃにより、第１の電極１２Ａの上方に向けて反射することができる。したがって、表示装置４０の輝度を向上することができる。
［４－３　変形例］
　上述の第４の実施形態では、絶縁層４３の底部が第１の電極１２Ａの上面の周縁部を覆っている場合について説明したが、図２４Ｂに示すように、絶縁層４３の底部が第１の電極１２Ａの側面間に設けられ、絶縁層４３の底部が第１の電極１２Ａの上面の周縁部を覆わないようにしてもよい。
＜５　各実施形態に適用される共振器構造の例＞
　上述した本開示に係る表示装置に用いられる画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図を参照して、共振器構造について説明する。
（共振器構造：第１例）
　図２５Ａは、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた発光素子１２を、発光素子１２R、１２G、１２Bということがある。また、有機層１２Ｂのうちサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応する部分を、有機層４０R、４０G、４０Bということがある。
　第１例において、第１の電極１２Ａは各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。第２の電極１２Ｃにおいても同様である。
　発光素子１２の第１の電極１２Ａの下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。反射板７１と第２の電極１２Ｃとの間に有機層１２Ｂが発生する光を共振させる共振器構造が形成される。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた光学調整層７２を、光学調整層７２R、７２G、７２Bということがある。
　反射板７１は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。光学調整層７２R、７２G、７２Bが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　図に示す例では、発光素子１２R、１２G、１２Bにおける反射板７１の上面は揃うように配置されている。上述したように、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっているので、第２の電極１２Ｃの上面の位置は、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて相違する。
　反射板７１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属、あるいは、これらを主成分とする合金を用いて形成することができる。
　光学調整層７２は、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、シリコン酸化物（ＳｉＯx）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などの無機絶縁材料や、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂などといった有機樹脂材料を用いてから構成することができる。光学調整層７２は単層でも良いし、これら複数の材料の積層膜であってもよい。また、発光素子１２の種類に応じて積層数が異なっても良い。
　第１の電極１２Ａは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などの透明導電材料を用いて形成することができる。
　第２の電極１２Ｃは、半透過反射膜として機能する必要がある。第２の電極１２Ｃは、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、またはこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、さらには、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含んだ合金などを用いて形成することができる。
（共振器構造：第２例）
　図２５Ｂは、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。
　第２例においても、第１の電極１２Ａや第２の電極１２Ｃは各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。
　そして、第２例においても、発光素子１２の第１の電極１２Ａの下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２の電極１２Ｃとの間に有機層１２Ｂが発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例と同様に、反射板７１は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されており、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。
　図２５Ａに示す第１例においては、発光素子１２R、１２G、１２Bにおける反射板７１の上面は揃うように配置され、第２の電極１２Ｃの上面の位置は、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて相違していた。
　これに対し、図２５Ｂに示す第２例において、第２の電極１２Ｃの上面は、発光素子１２R、１２G、１２Bで揃うように配置されている。第２の電極１２Ｃの上面を揃えるために、発光素子１２R、１２G、１２Bにおいて反射板７１の上面は、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて異なるように配置されている。このため、反射板７１の下面（換言すれば、図に符号７３に示す下地７３の面）は、発光素子１２の種類に応じた階段形状となる。
　反射板７１、光学調整層７２、第１の電極１２Ａおよび第２の電極１２Ｃを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第３例）
　図２６Ａは、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた反射板７１を、反射板７１R、７１G、７１Bということがある。
　第３例においても、第１の電極１２Ａや第２の電極１２Ｃは各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。
　そして、第３例においても、発光素子１２の第１の電極１２Ａの下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２の電極１２Ｃとの間に、有機層１２Ｂが発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例や第２例と同様に、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。そして、第２例と同様に、第２の電極１２Ｃの上面の位置は、発光素子１２R、１２G、１２Bで揃うように配置されている。
　図２５Ｂに示す第２例にあっては、第２の電極１２Ｃの上面を揃えるために、反射板７１の下面は、発光素子１２の種類に応じた階段形状であった。
　これに対し、図２６Ａに示す第３例において、反射板７１の膜厚は、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて異なるように設定されている。より具体的には、反射板７１R、７１G、７１Bの下面が揃うように膜厚が設定されている。
　反射板７１、光学調整層７２、第１の電極１２Ａおよび第２の電極１２Ｃを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第４例）
　図２６Ｂは、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた第１の電極１２Ａを、第１の電極１２ＡR、１２ＡG、１２ＡBということがある。
　図２５Ａに示す第１例において、各発光素子１２の第１の電極１２Ａや第２の電極１２Ｃは、共通の膜厚で形成されている。そして、発光素子１２の第１の電極１２Ａの下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。
　これに対し、図２６Ｂに示す第４例では、光学調整層７２を省略し、第１の電極１２Ａの膜厚を、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて異なるように設定した。
　反射板７１は各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。第１の電極１２Ａの膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。第１の電極１２ＡR、１２ＡG、１２ＡBが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　反射板７１、光学調整層７２、第１の電極１２Ａおよび第２の電極１２Ｃを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第５例）
　図２７Ａは、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。
　図２５Ａに示す第１例において、第１の電極１２Ａや第２の電極１２Ｃは各発光素子１２において共通の膜厚で形成されている。そして、発光素子１２の第１の電極１２Ａの下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されている。
　これに対し、図２７Ａに示す第５例にあっては、光学調整層７２を省略し、代わりに、反射板７１の表面に酸化膜７４を形成した。酸化膜７４の膜厚は、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて異なるように設定した。以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれに対応して設けられた酸化膜７４を、酸化膜７４R、７４G、７４Bということがある。
　酸化膜７４の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。酸化膜７４R、７４G、７４Bが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　酸化膜７４は、反射板７１の表面を酸化した膜であって、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物などから構成される。酸化膜７４は、反射板７１と第２の電極１２Ｃとの間の光路長（光学的距離）を調整するための絶縁膜として機能する。
　発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて膜厚が異なる酸化膜７４は、例えば、以下のようにして形成することができる。
　先ず、容器の中に電解液を充填し、反射板７１が形成された基板を電解液の中に浸漬する。また、反射板７１と対向するように電極を配置する。
　そして、電極を基準として正電圧を反射板７１に印加して、反射板７１を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、電極に対する電圧値に比例する。そこで、反射板７１R、７１G、７１Bのそれぞれに発光素子１２の種類に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、膜厚の異なる酸化膜７４を一括して形成することができる。
　反射板７１、第１の電極１２Ａおよび第２の電極１２Ｃを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第６例）
　図２７Ｂは、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。
　第６例において、発光素子１２は、第１の電極１２Ａと有機層１２Ｂと第２の電極１２Ｃとが積層されて構成されている。但し、第６例において、第１の電極１２Ａは、電極と反射板の機能を兼ねるように形成されている。第１の電極（兼反射板）１２Ａは、発光素子１２R、１２G、１２Bの種類に応じて選択された光学定数を有する材料によって形成されている。第１の電極（兼反射板）１２Ａによる位相シフトが異なることによって、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　第１の電極（兼反射板）１２Ａは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。例えば、発光素子１２Rの第１の電極（兼反射板）１２ＡRを銅（Ｃｕ）で形成し、発光素子１２Gの第１の電極（兼反射板）１２ＡGと発光素子１２Bの第１の電極（兼反射板）１２ＡBとをアルミニウムで形成するといった構成とすることができる。
　第２の電極１２Ｃを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
（共振器構造：第７例）
　図２８は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。
　第７例は、基本的には、発光素子１２R、１２Gについては第６例を適用し、発光素子１２Bについては第１例を適用したといった構成である。この構成においても、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。
　発光素子１２R、１２Gに用いられる第１の電極（兼反射板）１２ＡR、１２ＡGは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。
　発光素子１２Bに用いられる、反射板７１B、光学調整層７２Bおよび第１の電極１２ＡBを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。
［５　応用例］
（電子機器）
　上述の第１の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置は、例えば、図２９に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれる。同様に、上述の第２～第４の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置が、例えば、図２９に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、基板１１の一方の短辺側に、対向基板１８および充填樹脂層１７に覆われず露出した領域２１０を有し、この領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）が形成されている。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が接続されていてもよい。
（具体例１）
　図３０Ａ、図３０Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、上述の第１の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置を用いることができる。また、電子ビューファインダ３１５としては、上述の第２～第４の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置を用いることもできる。
（具体例２）
　図３１は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、上述の第１の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置を用いることができる。また、表示部３２１としては、述の第２～第４の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置を用いることもできる。
（具体例３）
　図３２は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、上述の第１の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置により構成される。また、映像表示画面部３３１は、上述の第２～第４の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置により構成されていてもよい。
（照明装置）
　上述の第１～第４の実施形態では、表示装置に本開示を適用した例について説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、照明装置に本開示を適用するようにしてもよい。
　図３３は、スタンド型の照明装置４００の外観の一例を示す。この照明装置４００は、基台４１１に設けられた支柱４１２に、照明部４１３を取り付けたものである。この照明部４１３としては、上述の第１の実施形態およびその変形例のいずれかに係る表示装置、または上述の第２～第４の実施形態およびそれらの変形例のいずれかに係る表示装置において、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０等の表示装置用の駆動回路に代えて、照明装置用の駆動回路を備えたものが用いられる。また、カラーフィルタ１６はなくてもよいし、絶縁層１３の開口の大きさは、照明装置４００の光学特性に応じて適宜選択されてもよい。さらに、基板１１および対向基板１８としてフィルムを用い、フレキシブルな構成とすることにより、図３３に示した筒状または曲面状等の、任意の形状とすることが可能である。なお、発光素子１２の個数は単数であってもよい。また、カラーフィルタ１６に代えて単色のフィルタを備えるようにしてもよい。
　ここでは、照明装置がスタンド型の照明装置４００である場合について説明したが、照明装置の形態はこれに限定されるものではなく、例えば、天井、壁または床等に設置される形態のものであってもよい。
　以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
　本実施例について以下の順序で説明する。なお、以下の実施例において、第１の界面層および第２の界面層の平均厚み、バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）ならびに第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合は、上述の第１の実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。
ｉ　バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）と画素間リーク電流との関係についての検討（１）
ii　バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）と画素間リーク電流との関係についての検討（２）
iii　第１の界面層の平均厚みと画素間リーク電流との関係についての検討
iv　第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合と画素間リーク電流との関係についての検討
v　第１の電極上における有機層の厚みの均一性と縦方向リークの関係についての検討
vi　電磁界シミュレーションによる電流密度分布についての検討
＜ｉ　バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）と画素間リーク電流との関係についての検討（１）＞
［実施例１－１、１－２］
　まず、薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、シリコン基板の一主面に駆動回路等を形成した。次に、スパッタリング法により、金属層を駆動回路等の上に形成したのち、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層をパターニングすることにより、発光素子毎（すなわちサブ画素毎）に分離された複数の第１の電極を形成した。
　次に、プラズマＣＶＤ法により、複数の第１の電極が形成されたシリコン基板の一主面上に平均厚み５ｎｍの第１の界面層（ＳｉＯ層）を形成したのち、ＣＶＤ法により、平均厚み４０ｎｍのバルク層（ＳｉＮ層）を形成した。この際、プロセスガスとしてＳｉＨ4、ＮＨ2およびＮＨ3を用いた。なお、プロセスガスの混合比を調整して、実施例１－１、１－２で異なる組成比を有するバルク層を形成した。次に、ＦＴ－ＩＲによりバルク層の吸収スペクトルを測定した。その結果を図３４Ａ、図３４Ｂに示す。
　次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の界面層およびバルク層をパターニングした。その後、バルク層の表面をプラズマ処理することにより、３ｎｍの第２の界面層（ＳｉＯＮ層）をバルク層の表面に形成し、絶縁層を得た。この際、プラズマ処理の条件を調整して、第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が９０％となるようにした。
　次に、蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を第１の電極および絶縁層上にこの順序で積層することにより、有機層を形成した。次に、スパッタリング法により、第２の電極を有機層上に形成した。これにより、シリコン基板の一主面に複数の発光素子が形成された。
　次に、ＣＶＤ法により、保護層を第２の電極上に形成したのち、保護層上にカラーフィルタを形成した。次に、ＯＤＦ方式により、充填樹脂層によりカラーフィルタを覆ったのち、対向基板を充填樹脂層上に載置した。次に、充填樹脂層に紫外線を照射し、充填樹脂層を硬化させることにより、充填樹脂層を介して基板と対向基板とを貼り合せた。これにより、表示装置が封止された。
（ピーク強度比）
　バルク層の成膜後に測定した吸収スペクトルを用いて、Ｎ－Ｈに由来するピーク強度IN-HとＳｉ－Ｈに由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比（IN-H／ISi-H）を求めた。その結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から、ＣＶＤのプロセスガスの混合比を調整しバルク層を形成した実施例１－１、１－２では、バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）が異なることがわかる。
（画素間リーク量）
　上述のようにして得られた実施例１－１、１－２の表示装置の画素間リーク電流を測定した。画素間リーク電流の測定は、ＲＧＢのサブ画素のうち、Ｂのサブ画素に印加した電圧に対し、ＲとＧのサブ画素に流れる電流値を計測することにより行った。なお、これ以降に説明する画素間リーク量の評価も、これと同様の計測により行った。上記測定の結果、画素間リーク電流がバルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）に依存していることがわかった。具体的には、ピーク強度比（IN-H／ISi-H）が０．４５である実施例１－１では、ピーク強度比（IN-H／ISi-H）が４．９６である実施例１－２に比べて画素間も流れるリーク電流が抑制されていることがわかった。
＜ii　バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）と画素間リーク電流との関係についての検討（２）＞
［実施例２－１～２－５］
　バルク層の成膜条件を調整することにより、バルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）を０．５（実施例２－１）、１（実施例２－２）、２（実施例２－３）、３（実施例２－４）、４（実施例２－５）としたこと以外は実施例１－１と同様にして表示装置を得た。
（画素間リーク量）
　上述のようにして得られた実施例２－１～２－５の表示装置の画素間リーク電流を測定した。その結果を図３５に示す。
　図３５から以下のことがわかる。
　画素間リーク電流がバルク層のピーク強度比（IN-H／ISi-H）に依存しており、ピーク強度比（IN-H／ISi-H）が小さくなるほど、画素間リーク電流が抑制される。
　画素間リーク電流の抑制の観点からすると、ピーク強度比（IN-H／ISi-H）が、好ましくは４未満、より好ましくは３以下である。
＜iii　第１の界面層の平均厚みと画素間リーク電流との関係についての検討＞
［実施例３－１～３－６］
　第１の界面層の平均厚みを１ｎｍ（実施例３－１）、３ｎｍ（実施例３－２）、７ｎｍ（実施例３－３）、９ｎｍ（実施例３－４）、１１ｎｍ（実施例３－５）、１３ｎｍ（実施例３－６）、１５ｎｍ（実施例３－７）としたこと以外は実施例１－１（第１の界面層の平均厚み：５ｎｍ）と同様にして表示装置を得た。
［比較例３－１］
　第１の界面層の形成しなかったこと以外は実施例１－１と同様にして表示装置を得た。
（画素間リーク量）
　上述のようにして得られた実施例１－１、３－１～３－６、比較例３－１の表示装置の画素間リーク電流を測定した。その結果を図３６に示す。
　図３６から以下のことがわかる。
　画素間リーク電流が第１の界面の平均厚みに依存している。画素間リーク電流の抑制の観点からすると、第１の界面層の平均厚みは、好ましくは１ｎｍ以上１５ｎｍ未満、より好ましくは１ｎｍ以上１３ｎｍ以下、さらにより好ましくは１ｎｍ以上９ｎｍ以下、特に好ましくは１ｎｍ以上７ｎｍ以下、最も好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ以下である。
　第１の界面層の平均厚みが１ｎｍ未満であると、画素間リーク電流が上昇するのは、第１の電極とバルク層との反応により、バルク層が有する固定電荷が減少し、バルク層が正に帯電した状態を保持できなくなるためと考えられる。一方、第１の界面層の平均厚みが１５ｎｍ以上であると、画素間リーク電流が上昇するのは、第１の界面層のエッジを伝って第１の電極から絶縁層の上面に正孔電流が流れ易くなるためと考えられる。
＜iv　第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合と画素間リーク電流との関係についての検討＞
［実施例４－１～４－３］
　第２の界面層の成膜条件（プラズマ処理の条件）を調整することにより、第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合が６０％（実施例４－１）、８０％（実施例４－２）、１００％（実施例４－３）となるようにしたこと以外は実施例１－１と同様にして表示装置を得た。
（画素間リーク量）
　上述のようにして得られた実施例４－１～４－３の表示装置の画素間リーク電流を測定した。その結果、画素間リーク電流は第２の界面層に含まれる酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する酸化ケイ素の割合に依存し、画素間リーク電流の抑制の観点からすると、その割合を８０％以上とすることが好ましいことがわかった。
＜v　第１の電極上における有機層の厚みの均一性と縦方向リークの関係についての検討＞
［実施例５－１］
　実施例５－１では、図１１に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
　まず、薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図１５Ａに示すように、駆動回路等が一主面に形成されたシリコン基板を得た。次に、スパッタリング法により、図１５Ｂに示すように、電極層（ＡＣＸ／ＩＴＯ層）を駆動回路等の上に形成したのち、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて電極層をパターニングすることにより、図１５Ｃに示すように、発光素子毎（すなわちサブ画素毎）に分離された複数の第１の電極を形成した。
　次に、ＣＶＤ法により、図１５Ｄに示すように、複数の第１の電極が形成されたシリコン基板の一主面上に第１の界面層（ＳｉＯ層）を形成したのち、エッチバック法により、図１５Ｅに示すように、第１の電極１２Ａと同一高さの第１の界面層が第１の電極の側面に残るように第１の界面層２４を除去した。次に、ＣＶＤ法により、図１５Ｆに示すように、バルク層（ＳｉＮ層）を形成した。次に、スピンコート法により、図１６Ａに示すように、フォトレジスト層をバルク層上に形成し、表面を平坦化した。
　次に、エッチバック法により、図１６Ｂに示すように、フォトレジスト層を除去すると共に、バルク層の一部を除去し、同一の高さを有する第１の電極、第１の界面層およびバルク層を形成した。次に、図１６Ｃに示すように、バルク層１３Ａの表面をプラズマ処理することにより、平均厚み２．５ｎｍの第２の界面層（ＳｉＯＮ層）を形成した。これにより、絶縁層が得られた。次に、蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を第１の電極、第１の界面層および絶縁層上にこの順序で積層した。これにより、有機層の厚みが一定である有機層が形成された。これ以降の工程を実施例１－１と同様に行うことにより表示装置を得た。
　なお、プロセス条件の調整により、第１の電極、第１の界面層および絶縁層の平均厚みは、６５ｎｍに設定された。
［実施例５－２］
　実施例５－２では、図１４に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。すなわち、プロセス条件を調整することにより、絶縁層の平均厚みを８５ｎｍとすること以外は実施例１と同様にして表示装置を作製した。
［実施例５－３］
　実施例５－３では、図１８に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
　まず、基板の形成工程から第１の界面層の形成工程までを実施例５－１と同様に行い、図２０Ａに示すように、複数の第１の電極が形成された基板の一主面上に第１の界面層（ＳｉＯ層）を形成した。
　次に、ＣＶＤ法により、図２０Ｂに示すように、第１の界面層上にバルク層（ＳｉＮ層）を形成した。次に、例えばスピンコート法により、図２０Ｃに示すように、フォトレジスト層をバルク層上に形成したのち、フォトレジスト層のうち第１の電極上に対応する部分に開口を形成した。次に、エッチング法により、図２１Ａに示すように、第１の界面層およびバルク層のうち、第１の電極層上に対応する部分に開口を形成した。この際、ＣＨ2Ｆ2等のデポガスを用いて、第１の界面層（ＳｉＯ）とバルク層（ＳｉＮ）とのエッチングレートを調整してエッチングした。これにより、絶縁層の開口の周縁が、第１の界面層の開口の周縁の内側に位置するように、それらの開口が形成された。
　次に、図２１Ｂに示すように、バルク層１３Ａの表面をプラズマ処理することにより、平均厚み２．５ｎｍの第２の界面層（ＳｉＯＮ層）を形成した。これにより、絶縁層が得られた。次に、蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を第１の電極上および絶縁層上にこの順序で積層した。これにより、図２１Ｃに示すように、複数の凸部を上面に有すると共に、凸部の内側の領域における有機層の厚みがほぼ一定である有機層が形成された。これ以降の工程を実施例１－１と同様に行うことにより表示装置を得た。
　なお、プロセス条件の調整により、第１の電極の平均厚みは６５ｎｍに設定され、第１の界面層の平均厚みは９ｎｍに設定され、絶縁層の平均厚みは２６ｎｍに設定された。
［実施例５－４］
　実施例５－４では、図１９に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
　第１の界面層およびバルク層の開口の形成工程において、絶縁層の開口の周縁と第１の界面層の開口の周縁とが重なるように、第１の界面層（ＳｉＯ）とバルク層（ＳｉＮ）とのエッチングレートを調整したこと以外は、実施例５－１と同様にして表示装置を得た。
［比較例５－１］
　比較例５－１では、図１３に示す構成を有する表示装置を以下のようにして作製した。
すなわち、プロセス条件を調整することにより、絶縁層の平均厚みを４５ｎｍとすること以外は実施例１と同様にして表示装置を作製した。
（発光効率）
　上述のようにして得られた実施例５－１～５－４、比較例５－１の表示装置の発光効率を求めた。その結果を図３７に示す。
　図３７から以下のことがわかる。
　実施例５－１～５－３の表示装置の発光効率は、実施例５－４、比較例５－１の表示装置の発光効率に比べて高い。特に低電流密度域における発光効率が高い。
＜vi　電磁界シミュレーションによる電流密度分布についての検討＞
［実施例６－１］
　まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図３８Ａに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
　第２の電極：ＭｇＡｇ合金電極
　有機層：厚み１００ｎｍ、誘電率ε＝４．３５×１０-6［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝３
　絶縁層：材料ＳｉＮ、誘電率ε＝０［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝７
　第１の電極：Ａｌ電極
　次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション（ANSYS Maxwell）により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図４０、図４１に示す。図４１にて直線Ｌ（長さ１０ｎｍ）で示す部分の積分値は、１．２９×１０-6Ａ／ｍであった。
　図４０、図４１中、（１）、（２）、（３）等の符号はそれぞれ、電流密度の大きさ（凡例のグラデーション）に対応する。以下の実施例６－２、比較例６－１、６－２のシミュレーションの結果を示す図においても、（１）、（２）、（３）等の符号は同様に電流密度の大きさ（凡例のグラデーション）に対応する。
［実施例６－１］
　まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図３８Ｂに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
　第２の電極：ＭｇＡｇ合金電極
　有機層：厚み１００ｎｍ、誘電率ε＝４．３５×１０-6［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝３
　絶縁層：材料ＳｉＮ、誘電率ε＝０［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝７
　第１の電極：Ａｌ電極
　次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション（ANSYS Maxwell）により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図４２、図４３に示す。図４３にて直線Ｌ（長さ１０ｎｍ）で示す部分の積分値は、１．４８×１０-6Ａ／ｍであった。
［比較例６－１］
　まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図３９Ａに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
　第２の電極：ＭｇＡｇ合金電極
　有機層：厚み１００ｎｍ、誘電率ε＝４．３５×１０-6［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝３
　第１の電極：Ａｌ電極
　次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション（ANSYS Maxwell）により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図４４に示す。図４４にて直線Ｌ（長さ１０ｎｍ）で示す部分の積分値は、１．７５×１０-6Ａ／ｍであった。
［比較例６－３］
　まず、電磁界シミュレーションのモデルとして、図３９Ｂに示す構成を有する表示装置を設定した。以下に、各層の設定条件を示す。
　第２の電極：ＭｇＡｇ合金電極
　有機層：厚み１００ｎｍ、誘電率ε＝４．３５×１０-6［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝３
　絶縁層：材料ＳｉＮ、誘電率ε＝０［Ｓ／ｍ］、比誘電率εr＝７
　第１の電極：Ａｌ電極
　次に、上述のモデルを用いて、電磁界シミュレーション（ANSYS Maxwell）により有機層の電流密度分布を算出した。その結果を図４５、図４６に示す。図４６にて直線Ｌ（長さ１０ｎｍ）で示す部分の積分値は、２．５０×１０-6Ａ／ｍであった。
　実施例６－１、６－２、比較例６－１の電磁界シミュレーションの解析結果から、第１の電極上における有機層の厚みが一定、すなわち有機層の高さが一定であると、第１の電極の周縁部上における電流値を抑制できることがわかる。
　以上、本開示の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１～第４の実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
　また、上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　また、上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。
　また、上述の第１～第４の実施形態およびそれらの変形例にて例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　画素毎に設けられた複数の第１の電極と、
　前記第１の電極間に設けられると共に前記第１の電極の周縁部を覆う、ケイ素化合物を含む絶縁層と、
　前記第１の電極と前記絶縁層の界面に設けられ、第１の酸化ケイ素を含む第１の界面層と、
　前記第１の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
　前記有機層上に設けられた第２の電極と
　を備え、
　前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に第２の酸化ケイ素を含む表示装置。
（２）
　前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に窒化ケイ素をさらに含む（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記ケイ素化合物が、窒化ケイ素を含み、
　前記有機層側の表面部に含まれる第２の酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する第２の酸化ケイ素の割合が、８０％以上である（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記絶縁層の組成が、バルクから前記有機層側の表面に向けて連続的に変化している（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）
　前記絶縁層は、
　前記ケイ素化合物を含むバルク層と、
　前記バルク層と前記有機層の界面に設けられ、前記第２の酸化ケイ素を含む第２の界面層と
　を備える（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（６）
　前記第２の界面層の平均厚みが、１０ｎｍ以下である（５）に記載の表示装置。
（７）
　前記第２の界面層は、２以上の層により構成され、
　前記２以上の層のうちの少なくとも１層が、前記第２の酸化ケイ素を含む（５）または（６）に記載の表示装置。
（８）
　前記第２の界面層は、
　前記第２の酸化ケイ素を含む第１の層と、
　前記第１の層上に設けられ、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素のうちの少なくとも１種を含む第２の層と
　を備える（５）または（６）に記載の表示装置。
（９）
　前記第２の界面層と前記バルク層との間に設けられ、フッ化ケイ素を含む中間層をさらに備える（５）から（８）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）
　前記第２の界面層は、前記バルク層の主面および前記バルク層のエッジを覆う（５）から（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
　前記第２の界面層のうち前記バルク層のエッジを覆う部分が、前記第２の界面層のうち前記バルク層の主面を覆う部分とは異なる組成を有する（１０）に記載の表示装置。
（１２）
　前記第２の界面層のうち前記絶縁層のエッジを覆う部分が、正に帯電している（１１）に記載の表示装置。
（１３）
　前記第１の界面層の平均厚みが、１５ｎｍ未満である（１）から（１２）のいずれかに記載の表示装置。
（１４）
　前記絶縁層は、正に帯電している（１）から（１３）のいずれかに記載の表示装置。
（１５）
　前記ケイ素化合物が、窒化ケイ素を含む（１）から（１４）のいずれかに記載の表示装置。
（１６）
　前記絶縁層が、水素をさらに含み、
　Ｘ線光電子分光法により前記絶縁層を分析することにより得られる、Ｎ－Ｈ結合に由来するピーク強度IN-HとＳｉ－Ｈ結合に由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比（IN-H／ISi-H）が、４未満である（１５）に記載の表示装置。
（１７）
　前記第１の電極は、酸化物導電層を含む（１）から（１６）のいずれかに記載の表示装置。
（１８）
　前記有機層は、前記第２電極側の面のうち、前記複数の第１の電極それぞれの周縁部に対応する部分に設けられた複数の凸部を有し、
　前記凸部の内側の領域における前記有機層の厚みが、ほぼ一定である（１）から（１７）のいずれかに記載の表示装置。
（１９）
　前記第１の界面層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第１の開口を有し、
　前記絶縁層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第２の開口を有し、
　前記絶縁層の開口率は、前記第１の界面層の開口率に比べて高い（１８）に記載の表示装置。
（２０）
　前記第１の界面層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第１の開口を有し、
　前記絶縁層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第２の開口を有し、
　前記第１の開口の周縁は、前記第２の開口の周縁の内側に位置している（１８）または（１９）に記載の表示装置。
（２１）
　前記第１の界面層は、前記第２の開口の周縁に対して突出した突出部を有し、
　前記突出部の厚みは、前記第１の開口から離れるに従って増加する（２０）に記載の表示装置。
（２２）
　前記第１の電極が、インジウム酸化物と錫酸化物を含む（１）から（２１）のいずれかに記載の表示装置。
（２３）
　前記画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている（１）から（２２）のいずれかに記載の表示装置。
（２４）
　（１）から（２３）のいずれかに記載された前記表示装置を備える電子機器。
（２５）
　画素毎に設けられた複数の第１の電極と、
　前記第１の電極間に設けられ、ケイ素化合物を含む絶縁層と、
　前記第１の電極の側面と前記絶縁層の側面の間に設けられ、第１の酸化ケイ素を含む第１の界面層と、
　前記第１の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
　前記有機層上に設けられた第２の電極と
　を備え、
　前記第１の電極上における前記有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置。
（２６）
　前記第１の電極上における前記有機層の高さＨ1、および前記第１の電極の周囲の部分における前記有機層の高さＨ2が、Ｈ1≦Ｈ2の関係を満たす（２４）に記載の表示装置。
（２７）
　前記第１の電極の高さｈ1、前記第１の界面層の高さｈ2および前記絶縁層の高さｈ3が、ｈ1≦ｈ2≦ｈ3の関係を満たす（２５）または（２６）に記載の表示装置。
（２８）
　前記第１の界面層が、前記第１の電極の周縁部を覆っている（２５）から（２７）のいずれかに記載の表示装置。
（２９）
　前記第１の界面層および前記絶縁層が、前記第１の電極の周縁部を覆っている（２５）から（２７）のいずれかに記載の表示装置。
（３０）
　前記第１の界面層は、前記複数の第１の電極それぞれに対応して設けられた複数の第１の開口を有し、
　前記絶縁層は、前記複数の第１の電極それぞれに対応して設けられた複数の第２の開口を有し、
　前記絶縁層の開口率は、前記第１の界面層の開口率に比べて高い（２５）から（２９）のいずれかに記載の表示装置。
（３１）
　前記第１の電極が、インジウム酸化物と錫酸化物を含む（２５）から（３０）のいずれかに記載の表示装置。
（３２）
　前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に第２の酸化ケイ素を含む（２５）から（３１）のいずれかに記載の表示装置。
（３３）
　前記絶縁層は、前記複数の第１の電極をそれぞれ取り囲む複数の傾斜面を有している（２５）から（３２）のいずれかに記載の表示装置。
（３４）
　前記画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている（２５）から（３３）のいずれかに記載の表示装置。
（３５）
　画素毎に設けられた複数の第１の電極と、
　前記第１の電極間に設けられた絶縁層と、
　前記第１の電極の側面と前記絶縁層の側面の間に設けられた第１の界面層と、
　前記第１の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
　前記有機層上に設けられた第２の電極と
　を備え、
　前記第１の電極上において前記有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置。
（３６）
　（２５）から（３５）のいずれかに記載された前記表示装置を備える電子機器。
　１０、１０1、１０2、１０3、１０4、１０5、２０Ａ、２０Ｂ、３０Ａ　　表示装置
　１１　　基板
　１２　　発光素子
　１２Ａ、１２Ｄ　　第１の電極
　１２Ａ１　　電極層
　１２Ｂ　　有機層
　１２Ｂ1　　正孔注入層
　１２Ｂ2　　正孔輸送層
　１２Ｂ3　　発光層
　１２Ｂ4　　電子輸送層
　１２Ｃ　　第２の電極
　１２ＣＡ　　凸部
　１２Ｄ1　　金属層
　１２Ｄ2　　酸化物導電層
　１３、１３1、１３2、１３3、１３4、２３、４３　　絶縁層
　１３Ａ、２３Ａ、４３Ａ　　バルク層
　１３Ａ１　　フォトレジスト層
　１３Ｂ、１３Ｄ、１３Ｅ、２３Ｂ、４３Ｂ　　第２の界面層
　１３Ｃ　　中間層
　１３Ｄ1　　第１の層
　１３Ｄ2　　第２の層
　１３Ｈ、１４Ｈ、４３Ｈ　　開口
　１４、２４　　第１の界面層
　１４Ａ　　突出部
　１５　　保護層
　１６　　カラーフィルタ
　１７　　充填樹脂層
　１８　　対向基板
　２３Ａ１　　フォトレジスト層
　４３Ｃ　　傾斜面
　１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ　　サブ画素
　１１０Ａ　　表示領域
　１１０Ｂ　　周辺領域
　１２０　　信号線駆動回路
　１３０　　走査線駆動回路
　１２０Ａ　　信号線
　１３０Ａ　　走査線
　１４０　　画素駆動回路
　３１０　　デジタルスチルカメラ（電子機器）
　３２０　　ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
　３３０　　テレビジョン装置（電子機器）
　４００　　照明装置

Claims (36)

  1. 　画素毎に設けられた複数の第１の電極と、
    　前記第１の電極間に設けられると共に前記第１の電極の周縁部を覆う、ケイ素化合物を含む絶縁層と、
    　前記第１の電極と前記絶縁層の界面に設けられ、第１の酸化ケイ素を含む第１の界面層と、
    　前記第１の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
    　前記有機層上に設けられた第２の電極と
    　を備え、
    　前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に第２の酸化ケイ素を含む表示装置。
  2. 　前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に窒化ケイ素をさらに含む請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記ケイ素化合物が、窒化ケイ素を含み、
    　前記有機層側の表面部に含まれる第２の酸化ケイ素および窒化ケイ素の総量に対する第２の酸化ケイ素の割合が、８０％以上である請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記絶縁層の組成が、バルクから前記有機層側の表面に向けて連続的に変化している請求項１に記載の表示装置。
  5. 　前記絶縁層は、
    　前記ケイ素化合物を含むバルク層と、
    　前記バルク層と前記有機層の界面に設けられ、前記第２の酸化ケイ素を含む第２の界面層と
    　を備える請求項１に記載の表示装置。
  6. 　前記第２の界面層の平均厚みが、１０ｎｍ以下である請求項５に記載の表示装置。
  7. 　前記第２の界面層は、２以上の層により構成され、
    　前記２以上の層のうちの少なくとも１層が、前記第２の酸化ケイ素を含む請求項５に記載の表示装置。
  8. 　前記第２の界面層は、
    　前記第２の酸化ケイ素を含む第１の層と、
    　前記第１の層上に設けられ、窒化ケイ素および酸窒化ケイ素のうちの少なくとも１種を含む第２の層と
    　を備える請求項５に記載の表示装置。
  9. 　前記第２の界面層と前記バルク層との間に設けられ、フッ化ケイ素を含む中間層をさらに備える請求項５に記載の表示装置。
  10. 　前記第２の界面層は、前記バルク層の主面および前記バルク層のエッジを覆う請求項５に記載の表示装置。
  11. 　前記第２の界面層のうち前記バルク層のエッジを覆う部分が、前記第２の界面層のうち前記バルク層の主面を覆う部分とは異なる組成を有する請求項１０に記載の表示装置。
  12. 　前記第２の界面層のうち前記絶縁層のエッジを覆う部分が、正に帯電している請求項１１に記載の表示装置。
  13. 　前記第１の界面層の平均厚みが、１５ｎｍ未満である請求項１に記載の表示装置。
  14. 　前記絶縁層は、正に帯電している請求項１に記載の表示装置。
  15. 　前記ケイ素化合物が、窒化ケイ素を含む請求項１に記載の表示装置。
  16. 　前記絶縁層が、水素をさらに含み、
    　Ｘ線光電子分光法により前記絶縁層を分析することにより得られる、Ｎ－Ｈ結合に由来するピーク強度IN-HとＳｉ－Ｈ結合に由来するピーク強度ISi-Hとのピーク強度比（IN-H／ISi-H）が、４未満である請求項１５に記載の表示装置。
  17. 　前記第１の電極は、酸化物導電層を含む請求項１に記載の表示装置。
  18. 　前記有機層は、前記第２電極側の面のうち、前記複数の第１の電極それぞれの周縁部に対応する部分に設けられた複数の凸部を有し、
    　前記凸部の内側の領域における前記有機層の厚みが、ほぼ一定である請求項１に記載の表示装置。
  19. 　前記第１の界面層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第１の開口を有し、
    　前記絶縁層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第２の開口を有し、
    　前記絶縁層の開口率は、前記第１の界面層の開口率に比べて高い請求項１８に記載の表示装置。
  20. 　前記第１の界面層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第１の開口を有し、
    　前記絶縁層は、前記複数の第１の電極上にそれぞれ設けられた複数の第２の開口を有し、
    　前記第１の開口の周縁は、前記第２の開口の周縁の内側に位置している請求項１８に記載の表示装置。
  21. 　前記第１の界面層は、前記第２の開口の周縁に対して突出した突出部を有し、
    　前記突出部の厚みは、前記第１の開口から離れるに従って増加する請求項２０に記載の表示装置。
  22. 　前記第１の電極が、インジウム酸化物と錫酸化物を含む請求項１に記載の表示装置。
  23. 　前記画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている請求項１に記載の表示装置。
  24. 　請求項１に記載された前記表示装置を備える電子機器。
  25. 　画素毎に設けられた複数の第１の電極と、
    　前記第１の電極間に設けられ、ケイ素化合物を含む絶縁層と、
    　前記第１の電極の側面と前記絶縁層の側面の間に設けられ、第１の酸化ケイ素を含む第１の界面層と、
    　前記第１の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
    　前記有機層上に設けられた第２の電極と
    　を備え、
    　前記第１の電極上における前記有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置。
  26. 　前記第１の電極上における前記有機層の高さＨ1、および前記第１の電極の周囲の部分における前記有機層の高さＨ2が、Ｈ1≦Ｈ2の関係を満たす請求項２５に記載の表示装置。
  27. 　前記第１の電極の高さｈ1、前記第１の界面層の高さｈ2および前記絶縁層の高さｈ3が、ｈ1≦ｈ2≦ｈ3の関係を満たす請求項２５に記載の表示装置。
  28. 　前記第１の界面層が、前記第１の電極の周縁部を覆っている請求項２５に記載の表示装置。
  29. 　前記第１の界面層および前記絶縁層が、前記第１の電極の周縁部を覆っている請求項２５に記載の表示装置。
  30. 　前記第１の界面層は、前記複数の第１の電極それぞれに対応して設けられた複数の第１の開口を有し、
    　前記絶縁層は、前記複数の第１の電極それぞれに対応して設けられた複数の第２の開口を有し、
    　前記絶縁層の開口率は、前記第１の界面層の開口率に比べて高い請求項２５に記載の表示装置。
  31. 　前記第１の電極が、インジウム酸化物と錫酸化物を含む請求項２５に記載の表示装置。
  32. 　前記絶縁層は、前記有機層側の表面部に第２の酸化ケイ素を含む請求項２５に記載の表示装置。
  33. 　前記絶縁層は、前記複数の第１の電極をそれぞれ取り囲む複数の傾斜面を有している請求項２５に記載の表示装置。
  34. 　前記画素は、発光素子で発生した光を共振させる共振器構造を備えている請求項２５に記載の表示装置。
  35. 　画素毎に設けられた複数の第１の電極と、
    　前記第１の電極間に設けられた絶縁層と、
    　前記第１の電極の側面と前記絶縁層の側面の間に設けられた第１の界面層と、
    　前記第１の電極および前記絶縁層上に全画素に共通して設けられ、発光層を含む有機層と、
    　前記有機層上に設けられた第２の電極と
    　を備え、
    　前記第１の電極上において前記有機層の厚みが、ほぼ一定である表示装置。
  36. 　請求項２５に記載された前記表示装置を備える電子機器。
PCT/JP2019/046664 2018-11-28 2019-11-28 表示装置および電子機器 Ceased WO2020111202A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/294,654 US12347583B2 (en) 2018-11-28 2019-11-28 Display device and electronic device
JP2020557838A JP7464335B2 (ja) 2018-11-28 2019-11-28 表示装置および電子機器
CN201980076056.6A CN113170550B (zh) 2018-11-28 2019-11-28 显示装置和电子装置
DE112019005931.9T DE112019005931T5 (de) 2018-11-28 2019-11-28 Anzeigevorrichtung und elektronische vorrichtung
KR1020217014196A KR102731719B1 (ko) 2018-11-28 2019-11-28 표시 장치 및 전자 기기
US19/226,710 US20250357017A1 (en) 2018-11-28 2025-06-03 Display device and electronic device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018222474 2018-11-28
JP2018-222474 2018-11-28

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/294,654 A-371-Of-International US12347583B2 (en) 2018-11-28 2019-11-28 Display device and electronic device
US19/226,710 Continuation US20250357017A1 (en) 2018-11-28 2025-06-03 Display device and electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020111202A1 true WO2020111202A1 (ja) 2020-06-04

Family

ID=70853984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/046664 Ceased WO2020111202A1 (ja) 2018-11-28 2019-11-28 表示装置および電子機器

Country Status (6)

Country Link
US (2) US12347583B2 (ja)
JP (1) JP7464335B2 (ja)
KR (1) KR102731719B1 (ja)
CN (1) CN113170550B (ja)
DE (1) DE112019005931T5 (ja)
WO (1) WO2020111202A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111651088A (zh) * 2020-06-16 2020-09-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示面板及其制作方法
US20220069263A1 (en) * 2020-08-28 2022-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method thereof
WO2022107679A1 (ja) * 2020-11-17 2022-05-27 ソニーグループ株式会社 表示装置および電子機器
WO2022138709A1 (ja) * 2020-12-22 2022-06-30 ソニーグループ株式会社 表示装置および電子機器
WO2025013622A1 (ja) * 2023-07-12 2025-01-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020120751A1 (de) * 2019-09-23 2021-03-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
CN112542485A (zh) 2019-09-23 2021-03-23 台湾积体电路制造股份有限公司 显示设备与其制作方法
TW202243238A (zh) * 2020-12-25 2022-11-01 日商索尼半導體解決方案公司 顯示裝置及電子機器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007242592A (ja) * 2006-02-02 2007-09-20 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器
JP2010045050A (ja) * 2009-11-24 2010-02-25 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子、及びその製造方法
JP2012114073A (ja) * 2010-11-04 2012-06-14 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
WO2017051606A1 (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 ソニー株式会社 表示装置及び発光装置
WO2018147050A1 (ja) * 2017-02-13 2018-08-16 ソニー株式会社 表示装置、および電子機器
WO2018173465A1 (ja) * 2017-03-21 2018-09-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、表示装置、および電子機器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4212815B2 (ja) 2001-02-21 2009-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2004127933A (ja) 2002-09-11 2004-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
KR100563046B1 (ko) * 2003-03-06 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
US20050057154A1 (en) 2003-07-30 2005-03-17 Optrex Corporation Organic EL display device and method for fabricating the same
US7259110B2 (en) 2004-04-28 2007-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device and semiconductor device
EP1863324A1 (en) 2006-06-02 2007-12-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
TWI607670B (zh) * 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
JP5708152B2 (ja) 2011-03-31 2015-04-30 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
KR20140112260A (ko) 2013-03-13 2014-09-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6136578B2 (ja) 2013-05-29 2017-05-31 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器
KR102096887B1 (ko) 2013-05-30 2020-04-06 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그것의 제조 방법
KR102114314B1 (ko) * 2013-06-26 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2017091946A (ja) 2015-11-16 2017-05-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示装置の製造方法
JP2018063910A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102711102B1 (ko) 2016-11-15 2024-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108630728B (zh) * 2017-03-24 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置
JP2018181578A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6957294B2 (ja) * 2017-09-28 2021-11-02 キヤノン株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
US11730017B2 (en) * 2018-11-13 2023-08-15 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007242592A (ja) * 2006-02-02 2007-09-20 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器
JP2010045050A (ja) * 2009-11-24 2010-02-25 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子、及びその製造方法
JP2012114073A (ja) * 2010-11-04 2012-06-14 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
WO2017051606A1 (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 ソニー株式会社 表示装置及び発光装置
WO2018147050A1 (ja) * 2017-02-13 2018-08-16 ソニー株式会社 表示装置、および電子機器
WO2018173465A1 (ja) * 2017-03-21 2018-09-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、表示装置、および電子機器

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111651088A (zh) * 2020-06-16 2020-09-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示面板及其制作方法
CN111651088B (zh) * 2020-06-16 2022-08-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示面板及其制作方法
US20220069263A1 (en) * 2020-08-28 2022-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method thereof
US11758796B2 (en) * 2020-08-28 2023-09-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method thereof
WO2022107679A1 (ja) * 2020-11-17 2022-05-27 ソニーグループ株式会社 表示装置および電子機器
JPWO2022107679A1 (ja) * 2020-11-17 2022-05-27
JP7713469B2 (ja) 2020-11-17 2025-07-25 ソニーグループ株式会社 表示装置および電子機器
TWI905309B (zh) * 2020-11-17 2025-11-21 日商索尼集團公司 顯示裝置及電子機器
US12557480B2 (en) 2020-11-17 2026-02-17 Sony Group Corporation Display device and electronic device
WO2022138709A1 (ja) * 2020-12-22 2022-06-30 ソニーグループ株式会社 表示装置および電子機器
WO2025013622A1 (ja) * 2023-07-12 2025-01-16 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113170550B (zh) 2025-03-28
JPWO2020111202A1 (ja) 2021-10-07
US12347583B2 (en) 2025-07-01
US20220013593A1 (en) 2022-01-13
JP7464335B2 (ja) 2024-04-09
CN113170550A (zh) 2021-07-23
KR102731719B1 (ko) 2024-11-20
KR20210095136A (ko) 2021-07-30
US20250357017A1 (en) 2025-11-20
DE112019005931T5 (de) 2021-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20250357017A1 (en) Display device and electronic device
CN106992201B (zh) 有机发光显示装置
CN100527470C (zh) 显示单元及其制造方法
TWI399853B (zh) 有機發光二極體顯示器
CN113711088B (zh) 显示装置和电子设备
KR20150011868A (ko) 유기발광다이오드소자 및 이의 제조방법
US20230284513A1 (en) Display device, method of manufacturing display device, and electronic apparatus using display device
JP2024069643A (ja) 発光素子
US20060273712A1 (en) Organic electroluminescence display apparatus
CN1543270A (zh) 彩色发光显示装置
US12557517B2 (en) Display device and electronic device
CN117322134A (zh) 显示装置及电子设备
JP2007234391A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置及び電子機器
JP2018004952A (ja) 表示装置およびその作製方法
WO2018207484A1 (ja) 表示装置および電子機器
US20230309359A1 (en) Display device, light-emitting device, and electronic apparatus
CN115918260A (zh) 显示设备、发光设备及电子装置
JP7713469B2 (ja) 表示装置および電子機器
JP7744092B2 (ja) 表示装置および電子機器
US20240373712A1 (en) Light emitting device and electronic apparatus
CN116193893A (zh) 发光显示装置
JP2017227816A (ja) 表示装置およびその作製方法、および枠状部材

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19889590

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020557838

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217014196

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19889590

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 201980076056.6

Country of ref document: CN

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 17294654

Country of ref document: US