WO2021049106A1 - 回路基板、回路基板の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

回路基板、回路基板の製造方法、及び電子機器 Download PDF

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伸 平野
飯田　憲司
隆 中川
憲治 高野
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Definitions

  • This case relates to circuit boards, circuit board manufacturing methods, and electronic devices.
  • circuit boards such as printed wiring boards have been widely used in order to compactly incorporate electronic components into electronic devices.
  • the printed wiring board is obtained by etching a copper foil bonded to a laminated board according to an electronic circuit pattern, and although it is difficult to mount electronic components at high density, it is advantageous in terms of cost.
  • a multi-layer printed wiring board which is a circuit board having a multi-layer structure
  • a plurality of insulating base materials on which a wiring pattern is formed are bonded together by an adhesive layer.
  • the adhesive layer is a material that is not required in the manufactured multilayer printed wiring board.
  • the disclosed techniques include a method for manufacturing a circuit board capable of manufacturing a circuit board having a multi-layer structure without using an adhesive layer, a circuit board having a multi-layer structure without an adhesive layer for forming the multi-layer structure, and an electron having the circuit board.
  • the purpose is to provide equipment.
  • the method of manufacturing the circuit board of the present case is The first of the first insulating base materials in a first laminated body having a cured first insulating base material and a metal layer formed in a pattern on the first surface of the first insulating base material.
  • the holes are conductive.
  • One said third laminated body and the other said third laminated body so that the metal layer of one said third laminated body and the opening of the hole of the other said third laminated body face each other. Including the step of superimposing on the surface and performing thermocompression bonding.
  • the circuit board in this case The cured first insulating base material, the metal layer formed in a pattern on the first surface of the first insulating base material, and the side opposite to the first surface of the first insulating base material.
  • the cured second insulating base material arranged on the second surface was formed from the surface of the second insulating base material opposite to the first insulating base material side until the metal layer was reached.
  • one said laminated body and the other said laminated body are placed on the surface of the metal layer of the one said laminated body and the second insulating base material of the other said laminated body. It is located opposite to the exposed via.
  • the electronic device in this case has a disclosed circuit board and electronic components.
  • a method for manufacturing a circuit board capable of manufacturing a circuit board having a multi-layer structure without using an adhesive layer it is possible to provide a circuit board having a multi-layer structure without an adhesive layer for forming the multi-layer structure. Further, on one side, it is possible to provide an electronic device using a circuit board having a multi-layer structure that does not have an adhesive layer for forming the multi-layer structure.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 1).
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 2).
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 3).
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 4).
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 5).
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 6).
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 6).
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 7).
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 8).
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 9).
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 10).
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view for explaining an example of a method for manufacturing a circuit board (No. 11).
  • FIG. 12 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor package.
  • the disclosed circuit board manufacturing method includes at least a step of obtaining a second laminated body, a step of obtaining a third laminated body, and a step of performing thermocompression bonding, and further includes other steps as necessary.
  • the uncured second insulating base material and the resin film are placed in this order on the second surface opposite to the first surface of the first insulating base material in the first laminated body. It is obtained by stacking with and performing thermocompression bonding.
  • the first laminated body has a cured first insulating base material and a metal layer formed in a pattern on the first surface of the first insulating base material.
  • the first insulating base material has been cured.
  • the first insulating base material is not particularly limited as long as it is an insulating base material used in a circuit board, and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • an inorganic woven fabric using a glass cloth or the like examples thereof include an inorganic base material such as an inorganic non-woven fabric, an organic woven fabric, and a base material whose hardness is reinforced by an organic base material such as an organic non-woven fabric.
  • the first insulating base material for example, a glass epoxy base material (a glass woven cloth base material impregnated with an epoxy resin, a glass non-woven fabric base material impregnated with an epoxy resin), Examples thereof include a glass woven fabric base material impregnated with bismaleimide triazine resin, an aramid non-woven fabric base material impregnated with an epoxy resin, and a glass woven fabric base material impregnated with a modified polyphenylene ether resin.
  • the glass epoxy base material is a base material obtained by impregnating a glass fiber cloth (woven cloth or non-woven fabric) with an epoxy resin.
  • the first insulating base material has been cured.
  • the cured state is, for example, a state in which heat generation of about 100% of the total heat generation amount of curing is completed, and for example, a state in which almost no heat generation can be observed when the differential scanning calorimetry is performed.
  • the cured product may be referred to as a C stage.
  • the degree of curing that has not reached the C stage may be referred to as the B stage.
  • the first insulating base material is usually in the form of a flat plate.
  • the average thickness of the first insulating base material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, it may be 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, or 30 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less. ..
  • the metal forming the metal layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include nickel and copper.
  • the structure of the metal layer may be a single-layer structure or a multi-layer structure. Examples of the metal layer include a single-layer structure of copper and a two-layer structure of copper and nickel.
  • the pattern of the metal layer is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose.
  • the method for forming the patterned metal layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a subtractive (etching) method and a semi-additive method (plating method). These can be done by utilizing a photolithography method.
  • the surface of the metal layer on the side opposite to the first insulating base material side is preferably a rough surface. Since the surface of the metal layer on the side opposite to the first insulating base material side is a rough surface, when the first third laminated body and the other third laminated body are thermocompression bonded, the laminated body thereof. Adhesion is improved. Further, since the surface of the metal layer on the side opposite to the first insulating base material side is a rough surface, the first third laminated body and the other third laminated body can be combined with each other of the first third laminated body.
  • the method for roughening the surface of the metal layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include CZ treatment (treatment of copper surface of zigzag). Examples of the arithmetic mean roughness (Ra) of the rough surface include 1.0 ⁇ m or more and 2.0 ⁇ m or less.
  • the average thickness of the metal layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, it may be 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • the second insulating substrate is not cured.
  • the second insulating base material is not particularly limited as long as it is an insulating base material used in a circuit board, and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • an inorganic woven fabric using a glass cloth or the like examples thereof include an inorganic base material such as an inorganic non-woven fabric, an organic woven fabric, and a base material whose hardness is reinforced by an organic base material such as an organic non-woven fabric.
  • the second insulating base material for example, a glass epoxy base material (a glass woven cloth base material impregnated with an epoxy resin, a glass non-woven fabric base material impregnated with an epoxy resin), examples thereof include a glass woven fabric base material impregnated with bismaleimide triazine resin, an aramid non-woven fabric base material impregnated with an epoxy resin, and a glass woven fabric base material impregnated with a modified polyphenylene ether resin.
  • the glass epoxy base material is a base material obtained by impregnating a glass fiber cloth (woven cloth or non-woven fabric) with an epoxy resin.
  • the glass epoxy base material as the first insulating base material and the glass epoxy base material as the second insulating base material are the same glass epoxy base material.
  • the characteristic values volume contraction / expansion, mechanical rigidity, etc.
  • the same glass epoxy base material means that the same properties are exhibited in the cured (C stage) state.
  • the same glass epoxy base material as the C stage glass epoxy base material which is the first insulating base material is used as the second insulating base material in the B stage state, they are the same glass epoxy base material. is there.
  • the material of the second insulating base material may be a thermosetting resin.
  • a thermosetting resin a fluorine resin, a polyphenylene ether resin (PPE / PPO resin), a polyimide resin (PI resin), and a bismaleimide triazine resin (BT resin) are preferable. Since these resins have a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, the transmission loss of an electric signal can be reduced by using these resins.
  • the second insulating base material is usually in the form of a flat plate.
  • the average thickness of the second insulating base material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, it may be 10 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less, or 20 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less. ..
  • the ratio of the average thickness of the first insulating base material to the average thickness of the second insulating base material is not particularly limited and depends on the purpose. Although it can be appropriately selected, 4.0: 1.0 to 1.0 to 1.0 is preferable, and 2.0: 1.0 to 1.0 is preferable from the viewpoint of circuit board manufacturability and thickness dimension control. 5: 1.0 is more preferable.
  • the resin film is not particularly limited as long as it is a resin film that does not melt during thermal pressure bonding, and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • the resin film includes a polyimide film.
  • the surface of the resin film on the second insulating base material side is preferably a rough surface.
  • the method for roughening the surface of the resin film is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include blasting, embossing, and coating. Examples of the arithmetic mean roughness (Ra) of the rough surface include 1.0 ⁇ m and more and 2.0 ⁇ m or less.
  • the average thickness of the resin film is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include 10 ⁇ m and more and 100 ⁇ m or less.
  • the uncured second insulating substrate and the resin film are placed on the second surface of the first laminate opposite to the first surface of the first insulating substrate. And are stacked in this order to perform thermocompression bonding. By doing so, it is possible to temporarily bond the first laminate to the second insulating base material and to temporarily bond the second insulating base material to the resin film.
  • the second insulating base material does not have sufficient adhesiveness at room temperature and under normal pressure. Therefore, if thermocompression bonding is not performed, the temporary adhesion between the first laminated body and the second insulating base material becomes insufficient, and the first laminated body and the second insulating base material are peeled off in other steps. There is a risk of doing.
  • thermocompression bonding is not performed, the temporary adhesion between the second insulating base material and the resin film becomes insufficient, and the second insulating base material and the resin film may be peeled off in other steps. .. That is, thermocompression bonding is performed so that the first laminated body and the second insulating base material do not peel off, and the second insulating base material and the resin film do not unintentionally peel off. preferable.
  • the temperature, pressure, and time for thermocompression bonding are not particularly limited and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • Examples of the temperature include 50 ° C. and higher and 100 ° C. and lower.
  • Examples of the pressure include 0.5 MPa or more and 1.2 MPa or less.
  • Examples of the time include 60 seconds or more and 120 seconds or less.
  • the second insulating base material is not completely cured, but it is preferable to cure it. That is, it is preferable that the second insulating base material is not cured to the C stage during thermocompression bonding. If holes are formed in the second insulating base material after the second insulating base material is cured, the dimensional stability of the holes is improved. On the other hand, if a plurality of third laminated bodies are laminated and then thermocompression bonded to manufacture a circuit board without completely curing the second insulating base material, the second insulating base material of the first third laminated body and the second insulating base material can be obtained. The adhesiveness of the other third laminated body to the first insulating base material is excellent.
  • the metal layer of one third laminated body becomes the second insulating material of the other third laminated body. It becomes easy to be embedded in a sex substrate, and a circuit board having a uniform thickness can be obtained.
  • the third laminated body In the third laminated body, holes reaching the metal layer are formed in the resin film, the second insulating base material, and the first insulating base material from the resin film side of the second laminated body, and then the conductive paste is formed in the holes. It is obtained by filling with and further peeling off the resin film.
  • the method of forming a hole is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a method of forming a hole using a laser.
  • the laser is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a CO 2 laser and a YAG laser.
  • the output of the laser is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose.
  • the size (opening diameter) of the hole is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose. It can be, for example, 50 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less, or 100 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less.
  • the hole size (opening diameter) here refers to, for example, the opening diameter of the surface of the second insulating base material on the resin film side.
  • the shape of the hole is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • a shape (tapered shape) in which the diameter gradually decreases from the opening on the resin film side toward the metal layer can be mentioned. Be done.
  • the number of holes formed in the second laminated body is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose.
  • the conductive paste is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a conductive paste containing metal particles (conductive filler) and a binder resin. Examples of the metal constituting the metal particles include copper, gold, silver, palladium, nickel, tin, lead, bismuth and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Examples of the binder resin include thermosetting resins such as epoxy resins. However, the binder resin is not limited to this, and may be another resin such as a polyimide resin. The binder resin may be liquid at room temperature or solid.
  • the conductive paste is used by heating it to a temperature equal to or higher than the melting temperature of the binder resin, for example.
  • the conductive paste can be obtained, for example, by kneading a binder resin and metal particles.
  • the conductive paste may contain a flux or the like.
  • the conductive paste may be a pressure welding type or a molten type.
  • the pressure welding type is a conductive paste that enables conductive connection between layers by contacting the conductive fillers with each other only by the pressure during lamination, without melting the low resistance metal powder (conductive filler) with the heat during lamination. is there.
  • the resin contained in the conductive paste is thermally cured and loses its fluidity.
  • the melt type is a conductive connection between layers by melting the low melting point metal powder (conductive filler) with the heat during lamination and hardening it so as to surround the high melting point metal powder (conductive filler) to form an alloy layer. It is a conductive paste that makes it possible.
  • the method of filling the holes with the conductive paste is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, a method of filling the holes with the conductive paste under air or vacuum using a squeegee jig. And so on.
  • the method for peeling the resin film is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, a method of grasping the end portion of the resin film with a jig and pulling it away from the second insulating base material can be mentioned. Be done.
  • thermocompression bonding The first third laminated body and the other third laminated body are laminated so that the metal layer of the first third laminated body and the opening of the hole of the other third laminated body face each other, and thermocompression bonding is performed. Will be done.
  • the temperature, pressure, and time for thermocompression bonding are not particularly limited and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • Examples of the temperature include 200 ° C. and higher and 500 ° C. and lower.
  • Examples of the pressure include 2 MPa and more and 10 MPa or less.
  • Examples of the time include 3 hours or more and 5 hours or less.
  • thermocompression bonding it is preferable to completely cure the second insulating base material. That is, when performing thermocompression bonding, it is preferable to cure the second insulating base material to the C stage. By doing so, a circuit board is obtained.
  • ⁇ Process of curing the surface of conductive paste In the method for manufacturing a circuit board, it is preferable to perform a step of curing the surface of the conductive paste protruding from the holes in the third laminated body. By curing the surface of the conductive paste protruding from the hole, the shape of the conductive paste protruding from the hole can be maintained. Further, by curing the surface of the conductive paste protruding from the hole, the conductive paste flows unnecessarily when the first third laminated body and the other third laminated body are laminated and thermocompression bonded. It can be avoided to spread.
  • the degree of curing is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose, and does not need to be completely cured.
  • the heating method is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose.
  • the disclosed circuit board has a plurality of laminated bodies.
  • one of the plurality of laminated bodies and the other laminated body are exposed to the metal layer of the one laminated body and the surface of the second insulating base material of the other laminated body. Are located opposite each other.
  • the disclosed circuit board is manufactured by, for example, the method of manufacturing the disclosed circuit board.
  • the laminate has a first insulating base material, a metal layer, a second insulating base material, and vias.
  • the first insulating base material has been cured. That is, the first insulating base material is the C stage.
  • the first insulating base material is not particularly limited as long as it is an insulating base material used in a circuit board, and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • an inorganic woven fabric using a glass cloth or the like examples thereof include an inorganic base material such as an inorganic non-woven fabric, an organic woven fabric, and a base material whose hardness is reinforced by an organic base material such as an organic non-woven fabric.
  • the first insulating base material for example, a glass epoxy base material (a glass woven cloth base material impregnated with an epoxy resin, a glass non-woven fabric base material impregnated with an epoxy resin), Examples thereof include a glass woven fabric base material impregnated with bismaleimide triazine resin, an aramid non-woven fabric base material impregnated with an epoxy resin, and a glass woven fabric base material impregnated with a modified polyphenylene ether resin.
  • the glass epoxy base material is a base material obtained by impregnating a glass fiber cloth (woven cloth or non-woven fabric) with an epoxy resin.
  • the first insulating base material is usually in the form of a flat plate.
  • the average thickness of the first insulating base material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, it may be 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, or 30 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less. ..
  • the metal layer is formed in a pattern on the first surface of the first insulating base material.
  • the metal forming the metal layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include nickel and copper.
  • the structure of the metal layer may be a single-layer structure or a multi-layer structure. Examples of the metal layer include a single-layer structure of copper and a two-layer structure of copper and nickel.
  • the pattern of the metal layer is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose.
  • the method for forming the patterned metal layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a subtractive (etching) method and a semi-additive method (plating method). These can be done by utilizing a photolithography method.
  • the average thickness of the metal layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, it may be 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, or 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • Second Insulating Substrate In the circuit board, the second insulating base material has been cured. That is, in the circuit board, the second insulating base material is, for example, the C stage.
  • the second insulating base material is not particularly limited as long as it is an insulating base material used in a circuit board, and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • an inorganic woven fabric using a glass cloth or the like examples thereof include an inorganic base material such as an inorganic non-woven fabric, an organic woven fabric, and a base material whose hardness is reinforced by an organic base material such as an organic non-woven fabric.
  • the second insulating base material for example, a glass epoxy base material (a glass woven cloth base material impregnated with an epoxy resin, a glass non-woven fabric base material impregnated with an epoxy resin), examples thereof include a glass woven fabric base material impregnated with bismaleimide triazine resin, an aramid non-woven fabric base material impregnated with an epoxy resin, and a glass woven fabric base material impregnated with a modified polyphenylene ether resin.
  • the glass epoxy base material is a base material obtained by impregnating a glass fiber cloth (woven cloth or non-woven fabric) with an epoxy resin.
  • the glass epoxy base material as the first insulating base material and the glass epoxy base material as the second insulating base material are the same glass epoxy base material.
  • the characteristic values volume contraction / expansion, mechanical rigidity, etc.
  • the same glass epoxy base material means that the same properties are exhibited in the cured (C stage) state.
  • the same glass epoxy base material as the C stage glass epoxy base material which is the first insulating base material is used as the second insulating base material in the B stage state, they are the same glass epoxy base material. is there.
  • the material of the second insulating base material may be a cured product of a thermosetting resin.
  • a thermosetting resin a fluorine resin, a polyphenylene ether resin (PPE / PPO resin), a polyimide resin (PI resin), and a bismaleimide triazine resin (BT resin) are preferable. Since these resins have a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, the transmission loss of an electric signal can be reduced by using these resins.
  • the second insulating base material is usually in the form of a flat plate.
  • the average thickness of the second insulating base material is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, it may be 10 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less, or 20 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less. ..
  • the ratio of the average thickness of the first insulating base material to the average thickness of the second insulating base material is not particularly limited and depends on the purpose. Although it can be appropriately selected, 4.0: 1.0 to 1.0 to 1.0 is preferable, and 2.0: 1.0 to 1.0 is preferable from the viewpoint of circuit board manufacturability and thickness dimension control. 5: 1.0 is more preferable.
  • a via is a conductor formed inside a hole formed for electrical connection between laminated bodies in a circuit board.
  • the conductor is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include a cured product of a conductive paste and plating. When the conductor is a cured product of the conductive paste, vias are usually formed by curing the conductive paste after filling the entire inside of the hole with the conductive paste. When the conductor is plated, the inner walls of the holes are usually electroplated or electroless plated to form vias.
  • the conductive paste is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include the conductive paste described in the disclosed circuit board manufacturing method.
  • the disclosed electronic device includes at least the disclosed circuit board and electronic components, and, if necessary, other members.
  • the electronic device is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose.
  • personal computers notebook personal computers, desktop personal computers
  • telephones mobile phones, tablet mobile terminals, smartphones, copiers, facsimiles, various printers, digital cameras, televisions, videos, CD devices, DVD devices, air conditioners, remote control devices. And so on.
  • a double-sided copper-coated substrate in which metal layers 2 and 3 which are copper foils are bonded to both sides of the first insulating base material 1 is prepared (FIG. 1).
  • the first insulating base material 1 is, for example, a cured glass epoxy base material, and the average thickness thereof is, for example, 60 ⁇ m.
  • the average thickness of the metal layers 2 and 3 is, for example, 15 ⁇ m.
  • the dry film resists 4 and 5 are bonded to both sides of the double-sided copper-coated substrate using a laminator (FIG. 2).
  • the dry film resist 4 is selectively exposed and developed to form a resist pattern for forming a patterned metal layer (FIG. 3).
  • the dry film resist 5 is completely dissolved by development.
  • the dry film resists 4 and 5 are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include positive type dry film resists and negative type dry film resists.
  • the exposure wavelength in the selective exposure is not particularly limited as long as the dry film resist can be exposed to light, and can be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • the developing method is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include development with an alkaline aqueous solution.
  • the metal layers 2 and 3 are etched using the patterned dry film resist 4 as a mask to obtain the patterned metal layer 2 (FIG. 4).
  • Examples of the etching method include wet etching. From the above, the first laminated body is obtained. Next, the uncured second insulating base material 6 and the resin film 7 are placed on the second surface 1B opposite to the first surface 1A of the first insulating base material 1 in the first laminated body. The layers are stacked in this order and thermocompression bonded to obtain a second laminated body (FIG. 5).
  • the second insulating base material 6 before thermocompression bonding is, for example, a B-stage glass epoxy base material. In thermocompression bonding, it is preferable to heat-cure the second insulating base material 6.
  • thermosetting is not the thermosetting up to the C stage, but the thermosetting to the extent that the curing proceeds more moderately in the B stage is preferable.
  • holes 8 reaching the metal layer 3 are formed in the resin film 7, the second insulating base material 6, and the first insulating base material 1 from the resin film 7 side of the second laminated body (FIG. 6). ..
  • the hole 8 can be formed, for example, by irradiating a laser.
  • the hole 8 is filled with the conductive paste 9 (FIG. 7).
  • the method of filling the hole 8 with the conductive paste 9 is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, the hole is filled with the conductive paste under air or vacuum using a squeegee jig.
  • the resin film 7 is peeled off (FIG. 8). By doing so, it is possible to obtain a state in which the conductive paste 9 protrudes from the opening of the second insulating base material 6 by the thickness of the resin film 7. From the above, the third laminated body 100 is obtained. Next, with respect to the plurality of third laminated bodies 100, one third laminated body 100 and the other third laminated body 100 are combined with the metal layer 2 of the first third laminated body 100 and the other third laminated body. The holes 8 of 100 are overlapped so as to face each other (FIG. 9). At this time, it is preferable to provide a non-patterned metal layer above and below the laminate made of the plurality of stacked laminates.
  • a non-patterned metal layer 22 is laminated on the third laminated body 100 located at the top. Further, as the lowermost laminated body 101, a laminated body in which the patterned metal layer 2 is not arranged in the third laminated body 100 is used. Then, the metal layer 12 is arranged under the laminated body 101. Next, the plurality of stacked third laminated bodies 100 are thermocompression bonded (FIG. 10). By doing so, the metal layer 2 of one third laminated body 100 is embedded in the second insulating base material 6 of the other third laminated body 100. In addition, the conductive paste 9 is cured. In addition, the second insulating base material 6 is completely cured. That is, the second insulating base material 6 is cured to the C stage. Next, the metal layer 12 and the metal layer 22 are processed into a pattern (FIG. 11). By doing so, the circuit board is completed.
  • the circuit board formed by the disclosed circuit board manufacturing method and the disclosed circuit board can be used as a motherboard (support board), as an interposer (relay board), and further, a semiconductor. It can also be used as a circuit board that constitutes an element.
  • FIG. 12 shows a schematic cross-sectional view of the semiconductor package.
  • the semiconductor package of FIG. 12 includes a motherboard 500 having a solder ball 550, an interposer 600 connected to the motherboard 500 via bumps 650, and a semiconductor element 700 arranged on the interposer 600.
  • Examples of the semiconductor element 700 include an FPGA (Field Programmable Gate Array) chip and the like.
  • the circuit board formed by the disclosed circuit board manufacturing method and the disclosed circuit board can be used as the motherboard 500 and the interposer 600 in FIG. 12, and further, a semiconductor element. It can also be used as a circuit board constituting the 700.
  • a method for manufacturing a circuit board which comprises a process of superimposing on a surface and performing thermocompression bonding.
  • the first insulating base material is a glass epoxy base material
  • the first insulating base material is a glass epoxy base material.
  • one said laminated body and the other said laminated body are placed on the surface of the metal layer of the one said laminated body and the second insulating base material of the other said laminated body.
  • a circuit board characterized in that it is located opposite to an exposed via. The first insulating base material is a glass epoxy base material, and the first insulating base material is a glass epoxy base material.

Landscapes

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Abstract

硬化済みの第１絶縁性基材（１）と、第１絶縁性基材（１）の第１表面（１Ａ）にパターン状で形成された金属層（２）とを有する第１積層体における第１絶縁性基材（１）の第１表面（１Ａ）とは反対側の第２表面上（１Ｂ）に、硬化済みではない第２絶縁性基材（６）と、樹脂フィルム（７）とをこの順で重ねて、熱圧着をして第２積層体を得る工程と、　第２積層体の樹脂フィルム（７）側から、樹脂フィルム（７）、第２絶縁性基材（６）、及び第１絶縁性基材（１）に、金属層（３）に達する穴（８）を形成した後に、穴（８）に導電性ペースト（９）を充填し、更に、樹脂フィルム（７）を剥離し、第３積層体（１００）を得る工程と、　一の第３積層体（１００）と、他の第３積層体（１００）とを、一の第３積層体（１００）の金属層（２）と、他の第３積層体（１００）の穴（８）の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う工程と、を含む。

Description

回路基板、回路基板の製造方法、及び電子機器
　本件は、回路基板、回路基板の製造方法、及び電子機器に関する。
　従来より、電子部品をコンパクトに電子機器に組み込むためにプリント配線板などの回路基板が一般に広く使用されている。プリント配線板は、積層板に張り合わせた銅箔を電子回路パターンに従ってエッチングしたものであって、高密度に電子部品を実装することは困難であるが、コスト面で有利である。
　一方、電子機器に対する小型化、高性能化、低価格化などの要求に伴い、回路基板の電子回路の微細化、多層化、及び電子部品の高密度実装化が急速に進み、回路基板に対し、多層プリント配線板の検討が活発化してきた。
　多層構造を有する回路基板である多層プリント配線板を製造する際には、配線パターンが形成された複数の絶縁性基材を接着層により張り合わせることが行われている。しかし、接着層は、製造された多層プリント配線版においては必要のない材料である。
特開２００６－６６７３８号公報 特開２００９－７６６９９号公報 ＵＳ２０１１－０２８９７７４号公報
　開示の技術は、接着層を用いずに多層構造の回路基板を製造できる回路基板の製造方法、多層構造を形成するための接着層を有しない多層構造の回路基板、及び前記回路基板を有する電子機器を提供することを目的とする。
　１つの態様では、本件の回路基板の製造方法は、
　硬化済みの第１絶縁性基材と、前記第１絶縁性基材の第１表面にパターン状で形成された金属層とを有する第１積層体における前記第１絶縁性基材の前記第１表面とは反対側の第２表面上に、硬化済みではない第２絶縁性基材と、樹脂フィルムとをこの順で重ねて、熱圧着をして第２積層体を得る工程と、
　前記第２積層体の前記樹脂フィルム側から、前記樹脂フィルム、前記第２絶縁性基材、及び前記第１絶縁性基材に、前記金属層に達する穴を形成した後に、前記穴に導電性ペーストを充填し、更に、前記樹脂フィルムを剥離し、第３積層体を得る工程と、
　一の前記第３積層体と、他の前記第３積層体とを、一の前記第３積層体の前記金属層と、他の前記第３積層体の前記穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う工程と、を含む。
　他の１つの態様では、本件の回路基板は、
　硬化済みの第１絶縁性基材と、前記第１絶縁性基材の第１表面にパターン状で形成された金属層と、前記第１絶縁性基材の前記第１表面とは反対側の第２表面に配された硬化済みの第２絶縁性基材と、前記第２絶縁性基材の前記第１絶縁性基材側とは反対側の表面から前記金属層に達するまで形成されたビアとを有する積層体を複数有し、
　複数の前記積層体のうち、一の前記積層体と、他の前記積層体とが、一の前記積層体の前記金属層と、他の前記積層体の前記第２絶縁性基材の表面に露出したビアとが対向して位置する。
　他の１つの態様では、本件の電子機器は、開示の回路基板と、電子部品とを有する。
　一つの側面では、接着層を用いずに多層構造の回路基板を製造できる回路基板の製造方法を提供できる。
　また、一つの側面では、多層構造を形成するための接着層を有しない多層構造の回路基板を提供できる。
　また、一つの側面では、多層構造を形成するための接着層を有しない多層構造の回路基板を用いた電子機器を提供できる。
図１は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その１）。 図２は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その２）。 図３は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その３）。 図４は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その４）。 図５は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その５）。 図６は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その６）。 図７は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その７）。 図８は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その８）。 図９は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その９）。 図１０は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その１０）。 図１１は、回路基板の製造方法の一例を説明するための概略断面図である（その１１）。 図１２は、半導体パッケージの概略断面図である。
（回路基板の製造方法）
　開示の回路基板の製造方法は、第２積層体を得る工程と、第３積層体を得る工程と、熱圧着を行う工程とを少なくとも含み、更に必要に応じてその他の工程を含む。
＜第２積層体を得る工程＞
　第２積層体は、第１積層体における第１絶縁性基材の第１表面とは反対側の第２表面上に、硬化済みではない第２絶縁性基材と、樹脂フィルムとをこの順で重ねて、熱圧着を行うことで得られる。
＜＜第１積層体＞＞
　第１積層体は、硬化済みの第１絶縁性基材と、第１絶縁性基材の第１表面にパターン状で形成された金属層とを有する。
＜＜＜第１絶縁性基材＞＞＞
　第１絶縁性基材は、硬化済みである。
　第１絶縁性基材としては、回路基板で用いられる絶縁性基材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラスクロス等を用いた無機織布、無機不織布等の無機基材、有機織布、有機不織布等の有機基材により硬度強化された基材などが挙げられる。
　第１絶縁性基材としては、より具体的には、例えば、ガラスエポキシ基材（エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材）、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材などが挙げられる。
　ここで、ガラスエポキシ基材とは、ガラス繊維の布（織布又は不織布）にエポキシ樹脂をしみ込ませて得られる基材である。
　第１絶縁性基材は、硬化済みである。硬化済みとは、例えば、全硬化発熱量のおよそ１００％の発熱を終えた状態であり、例えば、示差走査熱量測定を行った際にほとんど発熱が観察できない状態である。以下、硬化済みのことをＣステージと称することがある。また、Ｃステージに達していない硬化度をＢステージと称することがある。
　第１絶縁性基材は、通常、平板状である。
　第１絶縁性基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよいし、３０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
＜＜＜金属層＞＞＞
　金属層を形成する金属としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ニッケル、銅などが挙げられる。
　金属層の構造としては、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。金属層としては、例えば、銅の単層構造、銅とニッケルとの２層構造などが挙げられる。
　金属層のパターンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
　パターン状の金属層を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、サブトラクティブ（エッチング）法、セミアディティブ法（メッキ法）などが挙げられる。これらは、フォトリソグラフィー法を利用して行うことができる。
　金属層の第１絶縁性基材側とは反対側の表面は粗面であることが好ましい。金属層の第１絶縁性基材側とは反対側の表面が粗面であることで、一の第３積層体と、他の第３積層体とを熱圧着する際に、それらの積層体の密着性が向上する。更に、金属層の第１絶縁性基材側とは反対側の表面が粗面であることで、一の第３積層体と、他の第３積層体とを、一の第３積層体の金属層と、他の第３積層体の穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う際に、穴から突出している導電性ペーストの過剰な広がりが抑えられる。その結果、金属層と導電性ペーストからなるビアとの電気的接続が良好になる。
　金属層の表面を粗面にする方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＣＺ処理（ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｏｆ　ｃｏｐｐｅｒ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｏｆ　ｚｉｇｚａｇ）などが挙げられる。粗面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、例えば、１．０μｍ以上２．０μｍ以下などが挙げられる。
　金属層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよいし、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。
＜＜第２絶縁性基材＞＞
　第２絶縁性基材は、硬化済みではない。
　第２絶縁性基材としては、回路基板で用いられる絶縁性基材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラスクロス等を用いた無機織布、無機不織布等の無機基材、有機織布、有機不織布等の有機基材により硬度強化された基材などが挙げられる。
　第２絶縁性基材としては、より具体的には、例えば、ガラスエポキシ基材（エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材）、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材などが挙げられる。
　ここで、ガラスエポキシ基材とは、ガラス繊維の布（織布又は不織布）にエポキシ樹脂をしみ込ませて得られる基材である。
　第１絶縁性基材としてのガラスエポキシ基材と、第２絶縁性基材としてのガラスエポキシ基材とは、同じガラスエポキシ基材であることが好ましい。そうすることにより、特性値（体積収縮／膨張、機械剛性など）が同じである為、応力差異による、回路基板の反り発生など低減させることができる。また、基材中に含まれる材料成分、水分が、隣接基材中へ移動することによる、硬化、結合状態などへの影響を排除することができる。
　ここで、同じガラスエポキシ基材であるとは、硬化済み（Ｃステージ）状態において、同じ特性を示すことを意味する。例えば、第１絶縁性基材であるＣステージのガラスエポキシ基材と同じガラスエポキシ基材をＢステージの状態で第２絶縁性基材として用いている場合、それらは、同じガラスエポキシ基材である。
　また、第２絶縁性基材の材質は、熱硬化性樹脂であってもよい。熱硬化性樹脂としては、ふっ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ／ＰＰＯ樹脂）、ポリイミド樹脂（ＰＩ樹脂）、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）が好ましい。これらの樹脂は、低誘電率かつ低誘電正接の樹脂であることから、これらの樹脂を用いることで、電気信号の伝送損失を低減することができる。
　第２絶縁性基材は、通常、平板状である。
　第２絶縁性基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよいし、２０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
　第１絶縁性基材の平均厚みと、第２絶縁性基材の平均厚みとの比率（第１絶縁性基材：第２絶縁性基材）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、回路基板の製造性、及び厚み寸法制御の点から、４．０：１.０～１.０：１.０が好ましく、２．０：１.０～１.５：１.０がより好ましい。
＜＜樹脂フィルム＞＞
　樹脂フィルムとしては、熱圧着の際に溶融しない樹脂フィルムであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリフェニレンサルファイトフィルム、ポリイミドフィルムなどが挙げられる。
　樹脂フィルムの第２絶縁性基材側の表面は粗面であることが好ましい。そうすることで、熱圧着後の第２絶縁性基材と樹脂フィルムとの一時的接着力をより高くして、他の工程において、第２絶縁性基材と樹脂フィルムとが意図せずに剥離することを避けることができる。
　樹脂フィルムの表面を粗面にする方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ブラスト加工、エンボス加工、コーティング加工などが挙げられる。粗面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、例えば、１．０μｍ以上２．０μｍ以下などが挙げられる。
　樹脂フィルムの平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下などが挙げられる。
　第２積層体を得る工程においては、第１積層体における第１絶縁性基材の第１表面とは反対側の第２表面上に、硬化済みではない第２絶縁性基材と、樹脂フィルムとをこの順で重ねて、熱圧着を行う。そうすることで、第１積層体と第２絶縁性基材との一時的な接着、及び第２絶縁性基材と樹脂フィルムとの一時的な接着を可能にする。
　第２絶縁性基材は、接着層と異なり、常温及び常圧下においては、十分な接着性を有していない。そのため、熱圧着を行わないと、第１積層体と第２絶縁性基材との一時的な接着が不十分となり、他の工程において、第１積層体と第２絶縁性基材とが剥離する恐れがある。また、熱圧着を行わないと、第２絶縁性基材と樹脂フィルムとの一時的な接着が不十分となり、他の工程において、第２絶縁性基材と樹脂フィルムとが剥離する恐れがある。
　すなわち、熱圧着は、第１積層体と第２絶縁性基材とが剥離しないよう、かつ第２絶縁性基材と樹脂フィルムとが意図せずに剥離しないようにするために行われることが好ましい。
　熱圧着の際の、温度、圧力、及び時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
　温度としては、例えば、５０℃以上１００℃以下が挙げられる。
　圧力としては、例えば、０．５ＭＰａ以上１．２ＭＰａ以下が挙げられる。
　時間としては、例えば、６０秒以上１２０秒以下が挙げられる。
　熱圧着の際には、第２絶縁性基材を完全硬化させないが硬化させることが好ましい。すなわち、熱圧着の際には、第２絶縁性基材をＣステージにまで硬化させないことが好ましい。第２絶縁性基材を硬化させた後に、第２絶縁性基材に穴を形成すると、穴の寸法安定性が向上する。他方、第２絶縁性基材を完全硬化させずに、複数の第３積層体を重ねた後に熱圧着して回路基板を製造すると、一の第３積層体の第２絶縁性基材と、他の第３積層体の第１絶縁性基材との接着性が優れる。更に、第２絶縁性基材を完全硬化させずに、複数の第３積層体を積層して熱圧着すると、一の第３積層体の金属層が、他の第３積層体の第２絶縁性基材に埋め込まれやすくなり、均一な厚みの回路基板が得られる。
＜第３積層体を得る工程＞
　第３積層体は、第２積層体の樹脂フィルム側から、樹脂フィルム、第２絶縁性基材、及び第１絶縁性基材に、金属層に達する穴を形成した後に、穴に導電性ペーストを充填し、更に、樹脂フィルムを剥離することで得られる。
＜＜穴（ビアホール）＞＞
　穴（ビアホール）を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、レーザーを用いて穴を形成する方法などが挙げられる。
　レーザーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザーなどが挙げられる。
　レーザーの出力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
　穴としては、金属層の第１絶縁性基材側の表面が露出する穴であれば、その穴の大きさ（開口径）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、５０μｍ以上５００μｍ以下であってもよいし、１００μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。
　ここでの穴の大きさ（開口径）は、例えば、第２絶縁性基材の樹脂フィルム側の表面の開口径を指す。
　穴の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂フィルム側の開口部から金属層に向かってその径が漸次小さくなる形状（テーパー状）などが挙げられる。
　第２積層体に形成される穴の数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
＜＜導電性ペースト＞＞
　導電性ペーストとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属粒子（導電性フィラー）と、バインダー樹脂とを含有する導電性ペーストなどが挙げられる。
　金属粒子を構成する金属としては、例えば、銅、金、銀、パラジウム、ニッケル、錫、鉛、ビスマスなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
　バインダー樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂等といった熱硬化性樹脂などが挙げられる。ただし、バインダー樹脂はこれに限られず、例えば、ポリイミド樹脂等、他の樹脂であってもよい。
　バインダー樹脂は、常温で液状であってもよいし、固体であってもよい。バインダー樹脂が常温で固体の場合には、導電性ペーストは、例えば、バインダー樹脂の溶融温度以上の温度に熱して使用される。
　導電性ペーストは、例えば、バインダー樹脂、及び金属粒子を混練することで得られる。導電性ペーストは、フラックスなどを含有していてもよい。
　導電性ペーストは、圧接タイプであってもよいし、溶融タイプであってもよい。
　圧接タイプとは、積層時の熱では低抵抗金属粉末（導電性フィラー）が溶融せず積層時の圧力だけで導電性フィラー同士が接触することで層間の導通接続を可能とする導電性ペーストである。圧接タイプは、導電性ペーストに含まれる樹脂が熱硬化することで流動性を失う。
　溶融タイプとは、積層時の熱で低融点金属粉末（導電性フィラー）が溶融し、高融点金属粉末（導電性フィラー）を取り巻くように硬化して合金層を形成することで層間の導通接続を可能とする導電性ペーストである。
　穴に導電性ペーストを充填する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スキージ治具を使用し大気又は真空下で穴に導電性ペーストを充填する方法などが挙げられる。
＜＜剥離＞＞
　樹脂フィルムを剥離する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂フィルムの端部を治具によりつかみ、第２絶縁性基材から引き離す方法などが挙げられる。
＜熱圧着を行う工程＞
　一の第３積層体と、他の第３積層体とを、一の第３積層体の金属層と、他の第３積層体の穴の開口部とが対向するように重ねて熱圧着が行われる。
　熱圧着の際の、温度、圧力、及び時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
　温度としては、例えば、２００℃以上５００℃以下が挙げられる。
　圧力としては、例えば、２ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下が挙げられる。
　時間としては、例えば、３ｈ以上５ｈ以下が挙げられる。
　熱圧着を行う際は、第２絶縁性基材を完全硬化させることが好ましい。すなわち、熱圧着を行う際には、第２絶縁性基材をＣステージまで硬化させることが好ましい。そうすることで、回路基板が得られる。
＜その他の工程＞
　その他の工程としては、導電ペーストの表面を硬化させる工程などが挙げられる。
＜＜導電ペーストの表面を硬化させる工程＞＞
　回路基板の製造方法においては、第３積層体における穴から突出している導電ペーストの表面を硬化させる工程を行うことが好ましい。
　穴から突出している導電ペーストの表面を硬化させることで、穴から突出している導電性ペーストの形状を維持することができる。更に、穴から突出している導電ペーストの表面を硬化させることで、一の第３積層体と、他の第３積層体とを重ねて熱圧着を行う際に、導電性ペーストが不必要に流れ広がることを避けることができる。
　硬化の程度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、完全硬化である必要はない。
　加熱の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
（回路基板）
　開示の回路基板は、積層体を複数有する。
　回路基板は、複数の積層体のうち、一の積層体と、他の積層体とが、一の積層体の金属層と、他の積層体の第２絶縁性基材の表面に露出したビアとが対向して位置する。
　開示の回路基板は、例えば、開示の回路基板の製造方法により製造される。
＜積層体＞
　積層体は、第１絶縁性基材と、金属層と、第２絶縁性基材と、ビアとを有する。
＜＜第１絶縁性基材＞＞
　第１絶縁性基材は、硬化済みである。すなわち、第１絶縁性基材は、Ｃステージである。
　第１絶縁性基材としては、回路基板で用いられる絶縁性基材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラスクロス等を用いた無機織布、無機不織布等の無機基材、有機織布、有機不織布等の有機基材により硬度強化された基材などが挙げられる。
　第１絶縁性基材としては、より具体的には、例えば、ガラスエポキシ基材（エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材）、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材などが挙げられる。
　ここで、ガラスエポキシ基材とは、ガラス繊維の布（織布又は不織布）にエポキシ樹脂をしみ込ませて得られる基材である。
　第１絶縁性基材は、通常、平板状である。
　第１絶縁性基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよいし、３０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
＜＜金属層＞＞
　金属層は、第１絶縁性基材の第１表面にパターン状で形成されている。
　金属層を形成する金属としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ニッケル、銅などが挙げられる。
　金属層の構造としては、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。金属層としては、例えば、銅の単層構造、銅とニッケルとの２層構造などが挙げられる。
　金属層のパターンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
　パターン状の金属層を形成する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、サブトラクティブ（エッチング）法、セミアディティブ法（メッキ法）などが挙げられる。これらは、フォトリソグラフィー法を利用して行うことができる。
　金属層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよいし、１０μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。
＜＜第２絶縁性基材＞＞
　回路基板において、第２絶縁性基材は、硬化済みである。すなわち、回路基板において、第２絶縁性基材は、例えば、Ｃステージである。
　第２絶縁性基材としては、回路基板で用いられる絶縁性基材であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラスクロス等を用いた無機織布、無機不織布等の無機基材、有機織布、有機不織布等の有機基材により硬度強化された基材などが挙げられる。
　第２絶縁性基材としては、より具体的には、例えば、ガラスエポキシ基材（エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたガラス不織布基材）、ビスマレイミドトリアジン樹脂を浸み込ませたガラス織布基材、エポキシ樹脂を浸み込ませたアラミド不織布基材、変性ポリフェニレンエーテル樹脂を浸み込ませたガラス織布基材などが挙げられる。
　ここで、ガラスエポキシ基材とは、ガラス繊維の布（織布又は不織布）にエポキシ樹脂をしみ込ませて得られる基材である。
　第１絶縁性基材としてのガラスエポキシ基材と、第２絶縁性基材としてのガラスエポキシ基材とは、同じガラスエポキシ基材であることが好ましい。そうすることにより、特性値（体積収縮／膨張、機械剛性など）が同じである為、応力差異による、回路基板の反り発生など低減させることができる。また、基材中に含まれる材料成分、水分が、隣接基材中へ移動することによる、硬化、結合状態などへの影響を排除することができる。
　ここで、同じガラスエポキシ基材であるとは、硬化済み（Ｃステージ）状態において、同じ特性を示すことを意味する。例えば、第１絶縁性基材であるＣステージのガラスエポキシ基材と同じガラスエポキシ基材をＢステージの状態で第２絶縁性基材として用いている場合、それらは、同じガラスエポキシ基材である。
　また、第２絶縁性基材の材質は、熱硬化性樹脂の硬化物であってもよい。熱硬化性樹脂としては、ふっ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂（ＰＰＥ／ＰＰＯ樹脂）、ポリイミド樹脂（ＰＩ樹脂）、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）が好ましい。これらの樹脂は、低誘電率かつ低誘電正接の樹脂であることから、これらの樹脂を用いることで、電気信号の伝送損失を低減することができる。
　第２絶縁性基材は、通常、平板状である。
　第２絶縁性基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよいし、２０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
　第１絶縁性基材の平均厚みと、第２絶縁性基材の平均厚みとの比率（第１絶縁性基材：第２絶縁性基材）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、回路基板の製造性及び、厚み寸法制御の点から、４．０：１.０～１.０：１.０が好ましく、２．０：１.０～１.５：１.０がより好ましい。
＜＜ビア＞＞
　ビアは、第２絶縁性基材の第１絶縁性基材側とは反対側の表面から金属層に達するまで形成されている。
　ビアとは、回路基板における積層体間の電気的接続のため、形成された穴の内部に導体を形成したものである。導体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、導電性ペーストの硬化物、メッキなどが挙げられる。
　導体が導電性ペーストの硬化物である場合、通常、穴の内部全体に導電性ペーストが充填された後、導電性ペーストを硬化させることによりビアが形成される。
　導体がメッキである場合、通常、穴の内壁に電解メッキ又は無電解メッキが施されてビアが形成される。
　導電性ペーストとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、開示の回路基板の製造方法において説明した導電性ペーストが挙げられる。
（電子機器）
　開示の電子機器は、開示の回路基板と、電子部品とを少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
　電子機器としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、パソコン（ノート型パソコン、デスクトップ型パソコン）、電話機、携帯電話、タブレット型携帯端末、スマートフォン、コピー機、ファクシミリ、各種プリンター、デジタルカメラ、テレビ、ビデオ、ＣＤ装置、ＤＶＤ装置、エアコン、リモコン装置などが挙げられる。
　以下、図を用いて開示の回路基板の製造方法の一例を説明する。
　まず、第１絶縁性基材１の両面に銅箔である金属層２、３が貼り合わせられた両面銅貼基板を用意する（図１）。第１絶縁性基材１は、例えば、硬化済みのガラスエポキシ基材であり、その平均厚みは、例えば、６０μｍである。金属層２、３の平均厚みは、例えば、１５μｍである。
　次に、ラミネーターを用いて、両面銅貼基板の両面にドライフィルムレジスト４、５を貼り合わせる（図２）。
　次に、ドライフィルムレジスト４に対して選択的露光及び現像を行うことにより、パターン状の金属層を作成するためのレジストパターンを形成する（図３）。なお、ドライフィルムレジスト５については現像により全面溶解させる。ドライフィルムレジスト４、５としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポジ型ドライフィルムレジスト、ネガ型ドライフィルムレジストなどが挙げられる。選択的露光における露光波長としては、ドライフィルムレジストを感光させることができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。現像の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ水溶液による現像などが挙げられる。
　次に、パターン化されたドライフィルムレジスト４をマスクとして、金属層２、３のエッチングを行い、パターン化された金属層２を得る（図４）。エッチングの方法としては、ウェットエッチングなどが挙げられる。
　以上により、第１積層体が得られる。
　次に、第１積層体における第１絶縁性基材１の第１表面１Ａとは反対側の第２表面１Ｂ上に、硬化済みではない第２絶縁性基材６と、樹脂フィルム７とをこの順で重ねて、熱圧着をして第２積層体を得る（図５）。熱圧着する前の第２絶縁性基材６は、例えば、Ｂステージのガラスエポキシ基材である。熱圧着では、第２絶縁性基材６を熱硬化させることが好ましい。ただし、熱硬化は、Ｃステージまでの熱硬化ではなく、Ｂステージにおいて更に適度に硬化が進む程度の熱硬化が好ましい。
　次に、第２積層体の樹脂フィルム７側から、樹脂フィルム７、第２絶縁性基材６、及び第１絶縁性基材１に、金属層３に達する穴８を形成する（図６）。穴８の形成は、例えば、レーザーを照射することにより行うことができる。
　次に、穴８に導電性ペースト９を充填する（図７）。導電性ペースト９を穴８に充填する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スキージ治具を使用し大気又は真空下で穴に導電性ペーストを充填する方法などが挙げられる。
　次に、樹脂フィルム７を剥離する（図８）。そうすることにより、樹脂フィルム７の厚みの分だけ、導電性ペースト９が第２絶縁性基材６の開口から突出した状態が得られる。
　以上により、第３積層体１００が得られる。
　次に、複数の第３積層体１００について、一の第３積層体１００と、他の第３積層体１００とを、一の第３積層体１００の金属層２と、他の第３積層体１００の穴８の開口部とが対向するように重ねる（図９）。この際、重ねられた複数の積層体による積層物の上下には、パターン状ではない金属層を設けることが好ましい。例えば、最も上に位置する第３積層体１００の上に、パターン状ではない金属層２２を重ねる。また、最も下に位置する積層体１０１としては、第３積層体１００においてパターン状の金属層２が配されていない積層体を用いる。そして、その積層体１０１の下に、金属層１２を配する。
　次に、重ねた複数の第３積層体１００を熱圧着する（図１０）。そうすることにより、一の第３積層体１００の金属層２が、他の第３積層体１００の第２絶縁性基材６に埋め込まれる。加えて、導電性ペースト９が硬化する。加えて、第２絶縁性基材６が完全硬化する。すなわち、第２絶縁性基材６がＣステージまで硬化する。
　次に、金属層１２、及び金属層２２をパターン状に加工する（図１１）。
　そうすることにより、回路基板が完成する。
　開示の回路基板の製造方法により形成される回路基板、及び開示の回路基板は、マザーボード（支持基板）としても使用可能であり、またインターポーザ（中継基板）としても使用可能であり、更には、半導体素子を構成する回路基板としても使用可能である。
　図１２に、半導体パッケージの概略断面図を示す。図１２の半導体パッケージは、ハンダボール５５０を有するマザーボード５００と、マザーボード５００上にバンプ６５０を介して接続されたインターポーザ６００と、インターポーザ６００上に配置された半導体素子７００とを有する。半導体素子７００としては、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ）チップなどが挙げられる。
　ここで、開示の回路基板の製造方法により形成される回路基板、及び開示の回路基板は、図１２におけるマザーボード５００としても使用可能であり、インターポーザ６００としても使用可能であり、更には、半導体素子７００を構成する回路基板としても使用可能である。
　以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
　硬化済みの第１絶縁性基材と、前記第１絶縁性基材の第１表面にパターン状で形成された金属層とを有する第１積層体における前記第１絶縁性基材の前記第１表面とは反対側の第２表面上に、硬化済みではない第２絶縁性基材と、樹脂フィルムとをこの順で重ねて、熱圧着をして第２積層体を得る工程と、
　前記第２積層体の前記樹脂フィルム側から、前記樹脂フィルム、前記第２絶縁性基材、及び前記第１絶縁性基材に、前記金属層に達する穴を形成した後に、前記穴に導電性ペーストを充填し、更に、前記樹脂フィルムを剥離し、第３積層体を得る工程と、
　一の前記第３積層体と、他の前記第３積層体とを、一の前記第３積層体の前記金属層と、他の前記第３積層体の前記穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
（付記２）
　前記第１絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材であり、
　前記第２絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材である付記１に記載の回路基板の製造方法。
（付記３）
　前記第１絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材と、前記第２絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材とが、同じガラスエポキシ基材である付記２に記載の回路基板の製造方法。
（付記４）
　前記第２絶縁性基材の材質が、ふっ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、及びビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される熱硬化性樹脂である付記１に記載の回路基板の製造方法。
（付記５）
　一の前記第３積層体と、他の前記第３積層体とを、熱圧着する際、一の前記第３積層体の前記金属層が、他の前記第３積層体の前記第２絶縁性基材に埋め込まれる付記１から４のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（付記６）
　更に、前記第３積層体における前記穴から突出している前記導電ペーストの表面を硬化させる工程を含む付記１から５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（付記７）
　一の前記第３積層体と、他の前記第３積層体とを、一の前記第３積層体の前記金属層と、他の前記第３積層体の前記穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う際に、前記第２絶縁性基材を完全硬化させる、付記１から６のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（付記８）
　硬化済みの第１絶縁性基材と、前記第１絶縁性基材の第１表面にパターン状で形成された金属層と、前記第１絶縁性基材の前記第１表面とは反対側の第２表面に配された硬化済みの第２絶縁性基材と、前記第２絶縁性基材の前記第１絶縁性基材側とは反対側の表面から前記金属層に達するまで形成されたビアとを有する積層体を複数有し、
　複数の前記積層体のうち、一の前記積層体と、他の前記積層体とが、一の前記積層体の前記金属層と、他の前記積層体の前記第２絶縁性基材の表面に露出したビアとが対向して位置することを特徴とする回路基板。
（付記９）
　前記第１絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材であり、
　前記第２絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材である付記８に記載の回路基板。
（付記１０）
　前記第１絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材と、前記第２絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材とが、同じガラスエポキシ基材である付記９に記載の回路基板。
（付記１１）
　前記第２絶縁性基材の材質が、ふっ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、及びビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される熱硬化性樹脂の硬化物である付記８に記載の回路基板の製造方法。
（付記１２）
　一の前記第３積層体の前記金属層が、他の前記第３積層体の前記第２絶縁性基材に埋め込まれている付記８から１１のいずれかに記載の回路基板。
（付記１３）
　付記１から７のいずれかに記載の回路基板と、電子部品とを有することを特徴とする電子機器。

 

Claims (9)

  1. 　硬化済みの第１絶縁性基材と、前記第１絶縁性基材の第１表面にパターン状で形成された金属層とを有する第１積層体における前記第１絶縁性基材の前記第１表面とは反対側の第２表面上に、硬化済みではない第２絶縁性基材と、樹脂フィルムとをこの順で重ねて、熱圧着をして第２積層体を得る工程と、
    　前記第２積層体の前記樹脂フィルム側から、前記樹脂フィルム、前記第２絶縁性基材、及び前記第１絶縁性基材に、前記金属層に達する穴を形成した後に、前記穴に導電性ペーストを充填し、更に、前記樹脂フィルムを剥離し、第３積層体を得る工程と、
    　一の前記第３積層体と、他の前記第３積層体とを、一の前記第３積層体の前記金属層と、他の前記第３積層体の前記穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
  2. 　前記第１絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材であり、
    　前記第２絶縁性基材が、ガラスエポキシ基材である請求項１に記載の回路基板の製造方法。
  3. 　前記第１絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材と、前記第２絶縁性基材としての前記ガラスエポキシ基材とが、同じガラスエポキシ基材である請求項２に記載の回路基板の製造方法。
  4. 　前記第２絶縁性基材の材質が、ふっ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリイミド樹脂、及びビスマレイミドトリアジン樹脂からなる群から選択される熱硬化性樹脂である請求項１に記載の回路基板の製造方法。
  5. 　一の前記第３積層体と、他の前記第３積層体とを、熱圧着する際、一の前記第３積層体の前記金属層が、他の前記第３積層体の前記第２絶縁性基材に埋め込まれる請求項１から４のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
  6. 　更に、前記第３積層体における前記穴から突出している前記導電ペーストの表面を硬化させる工程を含む請求項１から５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
  7. 　一の前記第３積層体と、他の前記第３積層体とを、一の前記第３積層体の前記金属層と、他の前記第３積層体の前記穴の開口部とが対向するように重ね、熱圧着を行う際に、前記第２絶縁性基材を完全硬化させる、請求項１から６のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
  8. 　硬化済みの第１絶縁性基材と、前記第１絶縁性基材の第１表面にパターン状で形成された金属層と、前記第１絶縁性基材の前記第１表面とは反対側の第２表面に配された硬化済みの第２絶縁性基材と、前記第２絶縁性基材の前記第１絶縁性基材側とは反対側の表面から前記金属層に達するまで形成されたビアとを有する積層体を複数有し、
    　複数の前記積層体のうち、一の前記積層体と、他の前記積層体とが、一の前記積層体の前記金属層と、他の前記積層体の前記第２絶縁性基材の表面に露出したビアとが対向して位置することを特徴とする回路基板。
  9. 　請求項１から７のいずれかに記載の回路基板と、電子部品とを有することを特徴とする電子機器。

     
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI751554B (zh) * 2020-05-12 2022-01-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 影像顯示器及其拼接式電路承載與控制模組
KR20250096481A (ko) * 2023-12-20 2025-06-27 주식회사 두산 다층 인쇄회로기판 및 이의 제조방법
JP2025177964A (ja) * 2024-05-24 2025-12-05 Ｆｉｃｔ株式会社 多層基板、多層基板の製造方法、及び電子機器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246751A (ja) * 2001-02-19 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路形成基板および回路形成基板の製造方法
JP2005158974A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板製造用シート材
JP2015026689A (ja) * 2013-07-25 2015-02-05 富士通株式会社 回路基板、回路基板の製造方法及び電子機器

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5036431A (en) * 1988-03-03 1991-07-30 Ibiden Co., Ltd. Package for surface mounted components
DE69122570T2 (de) * 1990-07-25 1997-02-13 Hitachi Chemical Co Ltd Leiterplatte mit Verbindung von Koaxialleitern untereinander
JP3029487B2 (ja) * 1991-05-13 2000-04-04 住友ベークライト株式会社 銅張積層板の製造方法
JP3207663B2 (ja) * 1994-03-22 2001-09-10 松下電器産業株式会社 プリント配線基板及びその製造方法
US6320140B1 (en) * 1996-06-14 2001-11-20 Ibiden Co., Ltd. One-sided circuit board for multi-layer printed wiring board, multi-layer printed wiring board, and method of its production
US6703565B1 (en) * 1996-09-06 2004-03-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Printed wiring board
JPH10190159A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 印刷基材とこれを用いた回路基板接続材及びこの回路基板接続材を用いた多層回路基板の製造方法
US6353189B1 (en) * 1997-04-16 2002-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Wiring board, wiring board fabrication method, and semiconductor package
JP3889856B2 (ja) * 1997-06-30 2007-03-07 松下電器産業株式会社 突起電極付きプリント配線基板の製造方法
US6565954B2 (en) * 1998-05-14 2003-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit board and method of manufacturing the same
MY120077A (en) * 1998-06-26 2005-08-30 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board having a roughened inner conductor layer and production method thereof
JP2000232268A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Ibiden Co Ltd 片面回路基板およびその製造方法
JP4436946B2 (ja) * 1999-06-25 2010-03-24 イビデン株式会社 片面回路基板の製造方法、および多層プリント配線板の製造方法
TW512653B (en) * 1999-11-26 2002-12-01 Ibiden Co Ltd Multilayer circuit board and semiconductor device
US6596406B2 (en) * 2000-12-28 2003-07-22 Nitto Denko Corporation Wiring board prepreg and manufacturing method thereof
JP4079699B2 (ja) * 2001-09-28 2008-04-23 富士通株式会社 多層配線回路基板
TW545092B (en) * 2001-10-25 2003-08-01 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Prepreg and circuit board and method for manufacturing the same
JP2003234432A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Ibiden Co Ltd 半導体チップ実装回路基板および多層化回路基板
US20040214006A1 (en) * 2003-04-25 2004-10-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Member for a circuit board, method of manufacturing the same, and methods of manufacturing circuit boards
JP4626225B2 (ja) 2004-08-27 2011-02-02 パナソニック電工株式会社 多層プリント配線板用銅張り積層板、多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法
WO2006112474A2 (ja) * 2005-04-19 2006-10-26 Kaneka Corporation 繊維－樹脂複合体、積層体、およびプリント配線板、並びにプリント配線板の製造方法
KR100698526B1 (ko) * 2005-07-20 2007-03-22 삼성전자주식회사 방열층을 갖는 배선기판 및 그를 이용한 반도체 패키지
KR100714917B1 (ko) * 2005-10-28 2007-05-04 삼성전자주식회사 차폐판이 개재된 칩 적층 구조 및 그를 갖는 시스템 인패키지
JP2007129124A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多層プリント配線基板及びその製造方法
US7870663B2 (en) * 2006-02-09 2011-01-18 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for manufacturing multilayer wiring board
JP2007288018A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層基板の製造方法
EP2157842B1 (en) * 2007-05-17 2018-03-14 Fujikura, Ltd. Laminated wiring board and method for manufacturing the same
KR20100040867A (ko) * 2007-07-27 2010-04-21 제온 코포레이션 다층 회로 기판용 복합체
JP2009076699A (ja) 2007-09-20 2009-04-09 Fujikura Ltd 多層プリント配線板の製造方法
KR101148225B1 (ko) * 2008-09-01 2012-05-21 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 적층체의 제조 방법
US8020292B1 (en) 2010-04-30 2011-09-20 Ddi Global Corp. Methods of manufacturing printed circuit boards
KR101957532B1 (ko) * 2010-12-01 2019-03-12 도레이 카부시키가이샤 접착제 조성물, 접착제 시트 및 이들을 사용한 반도체 장치
EP2571341A4 (en) * 2011-04-27 2013-12-11 Panasonic Corp REUSE PULP, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
WO2013014918A1 (ja) * 2011-07-27 2013-01-31 パナソニック株式会社 リユースペーストの製造方法とリユースペーストおよびリユースペーストを用いた配線基板の製造方法
JP6016004B2 (ja) * 2011-09-29 2016-10-26 日立化成株式会社 配線基板及びその製造方法
TWI590732B (zh) * 2011-11-16 2017-07-01 Ｄｄｉ全球公司 使用封閉及內部微穿孔耦接次總成製造印刷電路板之系統及方法
CN103314652A (zh) * 2012-01-17 2013-09-18 松下电器产业株式会社 配线基板及其制造方法
US8921703B2 (en) * 2012-02-17 2014-12-30 Htc Corporation Circuit board, structural unit thereof and manufacturing method thereof
JP6413654B2 (ja) * 2014-11-04 2018-10-31 味の素株式会社 回路基板及びその製造方法
MY191331A (en) * 2016-12-30 2022-06-16 Intel Corp Substrate with gradiated dielectric for reducing impedance mismatch
US20190172775A1 (en) * 2017-12-04 2019-06-06 Canon Components, Inc. Flexible substrate and electronic device
US10405421B2 (en) * 2017-12-18 2019-09-03 International Business Machines Corporation Selective dielectric resin application on circuitized core layers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246751A (ja) * 2001-02-19 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路形成基板および回路形成基板の製造方法
JP2005158974A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板製造用シート材
JP2015026689A (ja) * 2013-07-25 2015-02-05 富士通株式会社 回路基板、回路基板の製造方法及び電子機器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3996474A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
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