WO2023063228A1 - 負極材料、電池、負極材料の製造方法、及び電池の製造方法 - Google Patents

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嘉信 中田
直樹 力田
捷 唐
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Definitions

  • the present invention relates to a negative electrode material, a battery, a method for manufacturing a negative electrode material, and a method for manufacturing a battery.
  • Patent Document 1 describes a negative electrode in which tungsten trioxide is arranged on the surface of graphite. By arranging tungsten trioxide on the surface of graphite, it becomes possible to improve the diffusibility of lithium ions, and the performance of the battery can be improved. Further, for example, Patent Document 2 describes a negative electrode containing silicon grains (silicon), tungsten, and carbon.
  • the performance can be improved by providing a tungsten compound such as tungsten trioxide or silicon, but there is room for improvement in improving the performance.
  • the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a negative electrode material and a battery with improved performance, a method for manufacturing the negative electrode material, and a method for manufacturing the battery.
  • the present disclosure provides a negative electrode material for a battery, the negative electrode material comprising carbon, sodium tungstate, and a silicon material containing silicon, wherein the silicon In the material, the ratio of the Si amount of Si2p derived from simple silicon to the amount of Si2p derived from SiO2 in the surface layer is 3 or more on the basis of atomic concentration, when measured by X-ray photoelectron spectroscopy.
  • the battery according to the present disclosure includes the negative electrode material and the positive electrode material.
  • the method for producing a negative electrode material is a method for producing a negative electrode material for a battery, in which a silicon raw material is prepared in an atmosphere with an oxygen concentration of 5% or less. and using the silicon source material to produce a negative electrode material comprising carbon, sodium tungstate, and a silicon material, wherein the silicon material has a surface layer thickness as measured by X-ray photoelectron spectroscopy.
  • the ratio of the amount of Si in Si 2p derived from elemental silicon to the amount of Si in Si 2p derived from SiO 2 in is 3 or more on an atomic concentration basis.
  • the method of manufacturing a battery according to the present disclosure includes the method of manufacturing the negative electrode material and the step of manufacturing the positive electrode material.
  • the performance of the negative electrode material can be improved.
  • FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view of a battery according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an example of the negative electrode according to this embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a silicon material.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of a survey spectrum showing the results of XPS measurement of a silicon material.
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of a Si2p narrow spectrum showing the result of XPS measurement of a silicon material.
  • FIG. 6 is a diagram showing an example of peak separation of a Si2p narrow spectrum showing the result of XPS measurement of a silicon material.
  • FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view of a battery according to this embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an example of the negative electrode according to this embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a silicon material.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of a narrow spectrum of O1s showing the result of XPS measurement of a silicon material.
  • FIG. 8 is a flow chart illustrating the steps of preparing a silicon source.
  • FIG. 9 is a flow chart illustrating an example of a method for manufacturing a battery according to this embodiment.
  • FIG. 10 is a table showing the manufacturing conditions of each example and the characteristics of the silicon material.
  • FIG. 11 is a table showing the identification results of the negative electrode material and the battery characteristic results of each example.
  • FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view of a battery according to this embodiment.
  • a battery 1 according to this embodiment is a lithium ion secondary battery.
  • the battery 1 includes a casing 10, an electrode group 12, and an electrolyte (not shown).
  • the casing 10 is a case that accommodates the electrode group 12 and the electrolytic solution inside.
  • the casing 10 may also include wiring, terminals, and the like connected to the electrode group 12 .
  • the electrode group 12 includes a negative electrode 14, a positive electrode 16, and a separator 18.
  • the electrode group 12 has a configuration in which a separator 18 is arranged between a negative electrode 14 and a positive electrode 16 .
  • the electrode group 12 has a so-called laminated electrode group structure in which rectangular negative electrodes 14 and rectangular positive electrodes 16 are alternately laminated with rectangular separators 18 interposed therebetween.
  • the electrode group 12 is not limited to the stacked electrode group structure.
  • the electrode group 12 may have a wound electrode group structure in which a strip-shaped negative electrode 14 and a strip-shaped positive electrode 16 are laminated with a strip-shaped separator 18 interposed therebetween, and these are wound. good.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an example of the negative electrode according to this embodiment.
  • the negative electrode 14 includes a current collecting layer 20 and a negative electrode material layer 22 .
  • the current collecting layer 20 is a layer made of a conductive member. Examples of the conductive member of the current collecting layer 20 include copper.
  • the negative electrode material layer 22 is a layer containing the negative electrode material according to this embodiment.
  • the negative electrode material layer 22 is provided on the surface of the current collecting layer 20 .
  • the thickness of the current collecting layer 20 may be, for example, about 15 ⁇ m to 40 ⁇ m, and the thickness of the negative electrode material layer 22 may be, for example, about 20 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • the negative electrode 14 may include negative electrode material layers 22 on both sides of the current collecting layer 20 .
  • the negative electrode material layer 22 contains a negative electrode material.
  • the negative electrode material includes carbon, sodium tungstate, and silicon material (silicon particles).
  • Sodium tungstate is a tungsten compound represented by Na x WO y , where x and y are numbers greater than zero. Details of Na x WO y will be described later.
  • sodium tungstate is provided on the surface of carbon, and a silicon material is provided on the surface of carbon. good.
  • the negative electrode material of the negative electrode material layer 22 includes carbon particles 30 that are carbon particles, Na x WO y (sodium tungstate) particles 32 that are sodium tungstate particles, and particles containing silicon. some silicon particles 33;
  • the shape of the particles here is not limited to a spherical shape, and may be of any shape such as a linear shape or a sheet shape. Furthermore, the particle surface may be smooth or uneven.
  • Sodium tungstate provided on the surface of carbon means that sodium tungstate directly adheres to carbon, that sodium tungstate indirectly adheres to carbon through silicon adhered to carbon, and that sodium tungstate is adhered to carbon indirectly. and that the composite particles in which sodium tungstate and silicon are directly fixed to the carbon are directly or indirectly fixed to the carbon.
  • the negative electrode material in this embodiment preferably contains at least carbon and a silicon material to which sodium tungstate is adhered.
  • the negative electrode material of the present embodiment is composed of carbon, sodium tungstate, and a silicon material, and may contain only carbon, sodium tungstate, and a silicon material, except for unavoidable impurities.
  • the negative electrode material of this embodiment may contain unavoidable impurities in the balance.
  • the negative electrode material of the negative electrode material layer 22 contains a plurality of carbon particles 30 .
  • the carbon particles 30 contain amorphous carbon or graphite.
  • Amorphous carbon is amorphous carbon that does not have a crystal structure.
  • Amorphous carbon is sometimes called amorphous carbon or diamond-like carbon, and can be said to be carbon in which sp2 bonds and sp3 bonds are mixed.
  • Carbon particles of amorphous carbon preferably consist entirely of amorphous carbon and do not contain components other than amorphous carbon, except for inevitable impurities. Specifically, carbon particles of amorphous carbon preferably do not contain graphite.
  • Amorphous carbon may also contain functional groups (eg, hydroxy groups, carboxyl groups) on the surface during treatment to place sodium tungstate on the surface.
  • this functional group allows sodium tungstate to be properly trapped on the surface of the amorphous carbon, and sodium tungstate can be appropriately arranged on the surface.
  • the sodium tungstate is fixed to the surface of the amorphous carbon by this functional group, the adhesion of the sodium tungstate to the surface of the amorphous carbon can be increased, and the sodium tungstate is separated from the surface of the carbon. can be suppressed.
  • the functional groups tend to remain without being removed, and sodium tungstate and silicon can be appropriately arranged on the surface.
  • Graphite is carbon with a planar crystal structure.
  • the average particle diameter of the carbon particles 30 is preferably 1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less. When the average particle diameter is within this range, the strength of the electrode film can be maintained.
  • the negative electrode material of the negative electrode material layer 22 further includes a plurality of Na x WO y particles 32 and silicon particles (silicon material) 33 . More specifically, a plurality of Na x WO y particles 32 and silicon particles 33 are provided for each carbon particle 30 .
  • One Na x WO y particle 32 of the plurality of Na x WO y particles 32 is provided on the surface of the carbon particle 30 .
  • the other Na x WO y particles 32 of the plurality of Na x WO y particles 32 are provided on the surfaces of the silicon particles 33 .
  • the silicon particles 33 are in close contact with (contact with) the surfaces of the carbon particles 30
  • the Na x WO y particles 32 are in close contact with (contact with) the surfaces of the silicon particles 33 .
  • Carbon particles 30, Na x WO y particles 32 and silicon particles 33 may be combined.
  • carbon particles 30 and silicon particles 33 may be combined, and carbon particles 30 and Na x WO y particles 32 may be combined. Therefore, the negative electrode material of the negative electrode material layer 22 has a structure in which the carbon particles 30, the Na x WO y particles 32, and the silicon particles 33 are combined, and the carbon particles 30 and the silicon particles 33 are further combined.
  • At least one of a structure and a structure in which the carbon particles 30 and the Na x WO y particles 32 are combined may be included.
  • sodium tungstate may take not only the form of Na x WO y but also the form of Na 2 WO 4 and Na 5 W 14 O 44 in terms of crystal structure.
  • Na 2 WO 4 can be represented by the chemical formula Na x WO y because Na has a valence of 2, W has a valence of 1, and O has a valence of 4.
  • Na 5 W 14 O 44 is represented by the chemical formula of Na 5/14 WO 44/14 (that is, the valence of Na is 5/14, the valence of W is is 1, and the valence of O is 44/14), it can be said to be represented by the chemical formula Na x WO y . That is, sodium tungstate represented by the chemical formula Na x WO y refers to sodium tungstate in which the ratio of the valence of Na, the valence of W, and the valence of O is X:1:Y. I can say
  • Compositing here means separating the silicon particles 33 from the carbon particles 30, separating the silicon particles 33 from the Na x WO y particles 32, and separating the Na x WO y particles 32, at least when no external force acts. It refers to a state in which it is impossible to separate from the carbon particles 30 .
  • the external force refers to the force when an SEI (Solid Electrolyte Interphase) film is formed covering the entire surface layer and expands and contracts when a battery using the negative electrode material is operated.
  • compositing means forming a composite in which silicon particles 33 are arranged on the surfaces of carbon particles 30 and Na x WO y particles 32 are arranged on the surfaces of the silicon particles 33 , and Na x WO y particles 32 are arranged on the surfaces of the carbon particles 30 .
  • the Na x WO y particles 32 contained in the negative electrode material of the negative electrode material layer 22 preferably have y (the valence of O) of 3, in other words, preferably Na x WO 3 .
  • the Na x WO y particles 32 contained in the negative electrode material of the negative electrode material layer 22 have x (valence of Na) greater than 0 and 1 or less and y (valence of O) of 2 or more and 4 or less.
  • the Na x WO y particles 32 preferably have a valence of x of 0.1 or more and 0.95 or less and a y of 2.5 or more and 3.5 or less.
  • the Na x WO y particles 32 can be appropriately arranged on the surface of the carbon particles 30 .
  • the negative electrode material of the negative electrode material layer 22 may contain only one type of Na x WO y particles 32 or may contain multiple types of Na x WO y particles 32 . Further, the negative electrode material of the negative electrode material layer 22 includes Na 0.78 WO 3 , Na 0.48 WO 3 , Na 0.72 WO 3 , Na 0.44 WO 3 , Na 0.44 WO 3 as the Na x WO y particles 32 .
  • the negative electrode material of the negative electrode material layer 22 in the present embodiment includes Na 0.78 WO 3 , Na 0.48 WO 3 , Na 0.72 WO 3 , Na 0.44 WO 3 , Na 0.44 WO 3 as sodium tungstate. It preferably contains at least one of Na0.49WO3 , Na0.33WO3 , Na0.58WO3 , Na2WO4 , and Na5W14O44 .
  • XRD X-Ray Diffraction
  • XRD measurement conditions may be, for example, as follows.
  • ICDD PDF2.DAT
  • PDF2.DAT International Center for Diffraction Data
  • PDXL2 which is integrated powder X-ray diffraction software
  • XRD crystalline peaks detected by XRD
  • PDXL2 which is integrated powder X-ray diffraction software
  • the same software is used to extract compounds whose FOM (figure of merit) is equal to or less than the threshold, and compounds whose FOM is equal to or less than the threshold are identified as compounds contained in the measurement sample (negative electrode material in this case).
  • the FOM threshold may be 10.
  • the FOM of the diffraction peak of the negative electrode material with respect to the diffraction peak of Na 0.3 WO 3 in ICDD is a threshold value (for example, 10) or less, it is determined that the negative electrode material contains Na 0.3 WO 3 .
  • a threshold value for example, 10
  • the peak waveform in the X-ray diffraction analysis result of the analyte shows the peak waveform of carbon, but the (002) peak waveform in the known graphite structure becomes broad, it can be determined to be amorphous carbon.
  • the Na x WO y particles 32 preferably include at least one of a cubic crystal structure, a tetragonal crystal structure, and a triclinic crystal structure. That is, the negative electrode material may have only cubic crystals as the Na x WO y particles 32, may have only tetragonal crystals, or may have only triclinic crystals. may have both a cubic crystal and a tetragonal crystal, may have both a cubic crystal and a triclinic crystal, or may have both a tetragonal crystal and a triclinic crystal It may have a cubic crystal, a tetragonal crystal, and a triclinic crystal.
  • the negative electrode material of the negative electrode material layer 22 contains both cubic and tetragonal Na x WO y particles 32
  • the tetragonal Na x WO y particles are preferred over the cubic Na x WO y particles 32 .
  • Many particles 32 may be included.
  • the content of the triclinic crystal may be less than that of the other crystal structures.
  • cubic Na x WO y include Na 0.3 WO 3 , Na 0.78 WO 3 , Na 0.72 WO 3 , Na 0.44 WO 3 , Na 0.49 WO 3 and Na 0.49 WO 3 .
  • Examples of tetragonal NaxWOy include Na0.1WO3 , Na0.48WO3 and Na0.33WO3 .
  • Examples of orthorhombic Na x WO y include Na 5 W 14 O 44 .
  • the crystal structure of tungsten trioxide contained in the negative electrode material is not limited to this, and for example, tungsten trioxide with other crystal structures may be included.
  • the negative electrode material may also contain amorphous tungsten trioxide. It should be noted that the crystal structure of the Na x WO y particles 32 can also be identified by a method similar to the identification of the compound contained in the negative electrode material.
  • the average particle size of the Na x WO y particles 32 is preferably smaller than the average particle size of the carbon particles 30 .
  • the average particle size of the Na x WO y particles 32 is preferably 100 nm or more and 20 ⁇ m or less, more preferably 100 nm or more and 1 ⁇ m or less.
  • the negative electrode material has a structure in which particulate sodium tungstate (Na x WO y particles 32) and silicon material (silicon particles 33) are provided on the surface of the carbon particles 30; can't
  • the negative electrode material may have a structure in which sodium tungstate and silicon material are provided on the surface of carbon, and the shape of the sodium tungstate and silicon material provided on the surface of carbon may be arbitrary.
  • silicon fine particles are used as the silicon particles 33 in this embodiment, silicon compound fine particles may be used.
  • the content of sodium tungstate (Na x WO y particles 32) in the negative electrode material can be confirmed by measuring the content of Na, W, and O by fluorescent X-ray analysis. That is, at least part of the total amount of Na, W, and O detected by the fluorescent X-ray analysis constitutes sodium tungstate (Na x WO y particles 32), so depending on the content of Na, W, and O The content of sodium tungstate can be confirmed.
  • the negative electrode material has a Na content of 0.01% or more and 0.5% or less by mass and a W content of 0.5% or more by mass when measured by fluorescent X-ray analysis. It is 20% or less, and the content of O is preferably 1% or more and 15% or less in mass ratio.
  • the negative electrode material has a Na content of 0.02% or more and 0.4% or less by mass, and a W content of 0.7 by mass, when measured by fluorescent X-ray analysis. % or more and 17% or less, and the content of O is more preferably 2% or more and 13% or less in mass ratio.
  • the negative electrode material has a Na content of 0.03% or more and 0.3% or less in mass ratio, and a W content of 1% or more in mass ratio, when measured by fluorescent X-ray analysis. It is 15% or less, and the content of O is more preferably 3% or more and 12% or less in mass ratio.
  • the content of C measured by fluorescent X-ray analysis is preferably 60% or more and 95% or less, more preferably 65% or more and 95% or less, in terms of mass ratio. % or more and 92% or less.
  • the tungsten compound can be appropriately arranged on the surface of the carbon.
  • Na/W which is the ratio of the content of Na to the content of W, when measured by fluorescent X-ray analysis
  • W/C which is the ratio of the W content to the C content, measured by fluorescent X-ray analysis
  • W/C is 0.005 or more and 0.3 or less in terms of mass ratio. It is preferably 0.008 or more and 0.25 or less, and still more preferably 0.01 or more and 0.2 or less.
  • the content of silicon particles 33 in the negative electrode material can be confirmed by measuring the content of Si by fluorescent X-ray analysis. That is, at least part of the total amount of Si detected by fluorescent X-ray analysis constitutes silicon particles 33 .
  • the negative electrode material preferably has a Si content of 1% or more and 15% or less, more preferably 2% or more and 12% or less, as measured by X-ray fluorescence analysis. % or more and 10% or less. By setting the Si content within this range, the silicon particles 33 can be appropriately arranged on the surface of the carbon.
  • the negative electrode material preferably has a mass ratio of Si/C, which is the ratio of the Si content to the C content, of 0.01 or more and 0.3 or less when measured by fluorescent X-ray analysis. It is more preferably 0.02 or more and 0.25 or less, and still more preferably 0.03 or more and 0.15 or less.
  • Si/W which is the ratio of the Si content to the W content, when measured by fluorescent X-ray analysis, is preferably 0.1 or more and 15 or less in terms of mass ratio. It is more preferably 0.15 or more and 12 or less, and still more preferably 0.2 or more and 10 or less.
  • Si/O which is the ratio of the Si content to the O content when measured by fluorescent X-ray analysis, is preferably 0.1 or more and 2 or less in terms of mass ratio. It is more preferably 0.2 or more and 1.5 or less, and still more preferably 0.3 or more and 1.3 or less. By setting the content ratio within these ranges, the tungsten compound can be appropriately arranged on the surface of the carbon.
  • the fluorescent X-ray analysis may be performed using a wavelength dispersive X-ray fluorescent spectrometer, and the measurement conditions may be as follows.
  • ⁇ Measuring device ZSX PrimusIV manufactured by Rigaku Corporation
  • ⁇ Tube voltage 30 kV
  • ⁇ Tube current 100mA
  • the standardless fundamental parameter method may be used as the measurement method, and the SQX scattered radiation FP method of Rigaku may be used for the analysis.
  • the negative electrode material layer 22 may contain substances other than the negative electrode material (carbon particles 30, Na x WO y particles 32 and silicon particles 33).
  • the negative electrode material layer 22 may contain, for example, a binder. Any material may be used for the binder, and examples thereof include polyvinylidene fluoride (PVDF), carboxymethyl cellulose (CMC), styrene-butadiene rubber (SBR), and polyacrylic acid (PAA). Only one type of binder may be used, or two or more types may be used in combination. However, when the carbon particles 30 are amorphous carbon, the negative electrode material layer 22, in other words, the negative electrode material, preferably does not contain graphite.
  • PVDF polyvinylidene fluoride
  • CMC carboxymethyl cellulose
  • SBR styrene-butadiene rubber
  • PAA polyacrylic acid
  • the fact that the Na x WO y particles 32 and the silicon particles 33 are arranged on the surface of the carbon particles 30 can be confirmed by observing with an electron microscope such as a SEM (Scanning Electron Microscope) or a TEM (Transmission Electron Microscope). can be confirmed.
  • an electron microscope such as a SEM (Scanning Electron Microscope) or a TEM (Transmission Electron Microscope).
  • the negative electrode material has a structure in which particulate sodium tungstate (Na x WO y particles 32 ) and silicon particles 33 are provided on the surface of the carbon particles 30 , but the structure is not limited thereto.
  • the negative electrode material may have a structure in which sodium tungstate and silicon material are provided on the surface of carbon, and the shape of the sodium tungstate and silicon material provided on the surface of carbon may be arbitrary.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the silicon material before being added.
  • silicon particle 33 includes Si layer 33A and oxide layer 33B.
  • the Si layer 33A is a layer made of Si, and can be said to be a core portion of the silicon particles 33 .
  • the Si layer 33A preferably does not contain elements other than Si, except for inevitable impurities.
  • the oxide layer 33B is a layer formed on the surface of the Si layer 33A, and preferably covers the entire surface of the Si layer 33A.
  • the oxide layer 33B can be said to be the outermost surface layer of the silicon particles 33 .
  • the oxide layer 33B is a layer made of silicon oxide (SiO x ).
  • the oxide layer 33B contains SiO 2 as a silicon oxide, but may contain silicon oxides other than SiO 2 , for example, SiO. It is preferable that the oxide layer 33B does not contain elements other than the elements constituting the oxide of silicon, except for unavoidable impurities.
  • ⁇ Measuring device PHI5000 Versa Probe II (manufactured by ULVAC-PHI) ⁇ Excitation X-ray: Monochrome AlK ⁇ ray ⁇ Output: 50W ⁇ Pass energy: 187.85 eV (Survey), 46.95 eV (Narrow) ⁇ Measurement interval: 0.8 eV/step (Survey), 0.1 eV/step (Narrow) ⁇ Photoelectron extraction angle with respect to the sample surface: 45° ⁇ X-ray diameter: 200 ⁇ m
  • the ratio of the amount of Si in Si2p derived from simple silicon to the amount of Si in Si2p derived from SiO2 in the surface layer when measured by X-ray photoelectron spectroscopy is 3.0 on an atomic concentration basis. , preferably 3.5 or more, more preferably 4 or more.
  • surface layer refers to the range from the surface to the depth at which photoelectrons can escape from the sample.
  • Si in Si2p refers to Si atoms from which 2p orbital electrons have been ejected by X-ray photoelectron spectroscopy.
  • Si of Si2p derived from SiO2 refers to Si constituting SiO2 from which electrons in the 2p orbital have jumped out by X-ray photoelectron spectroscopy, and Si of Si2p derived from elemental silicon means 2p Si by X-ray photoelectron spectroscopy. It refers to Si that constitutes elemental silicon (metallic silicon) from which electrons in the orbit are ejected.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p derived from simple silicon to the amount of Si in Si2p derived from SiO2 in the surface layer is the surface layer (here, for example, from the outermost surface of the silicon particle 33 to a position approximately 6 angstroms deeper than the outermost surface. ), refers to the ratio of the atomic concentration of Si (Si atoms) derived from simple silicon from which 2p orbital electrons have popped to the atomic concentration of Si (Si atoms) derived from SiO 2 from which 2p orbital electrons have popped.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p derived from simple silicon to Si in Si2p derived from SiO2 is within this range (3.0 or more), so that the amount of oxide near the surface is reduced, The capacity of the negative electrode material can be improved.
  • the oxide layer on the surface becomes thin, the intrusion and desorption of Li ions become easier, and the impedance decreases.
  • the ratio of the amount of Si of Si2p derived from simple silicon to the amount of Si of Si2p derived from SiO2 in the surface layer when measured by X-ray photoelectron spectroscopy is 9 or less on the basis of atomic concentration. is preferred, 19 or less is more preferred, and 99 or less is even more preferred.
  • the ratio of the amount of Si to the amount of SiO 2 is in this range (99 or less), so there is no need to prepare equipment or processes for preventing excessive oxidation of the silicon material, and the negative electrode material It is possible to suppress the decrease in productivity while improving the capacity of
  • the ratio of the amount of Si in Si2p derived from simple silicon to the amount of Si in Si2p derived from SiO2 in the surface layer is the atomic concentration standard , preferably 3 or more and 9 or less, more preferably 3 or more and 19 or less, and even more preferably 3 or more and 99 or less.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p derived from simple silicon to the amount of Si in Si2p derived from SiO2 in the surface layer is, on an atomic concentration basis, It is preferably 3.5 or more and 9 or less, more preferably 3.5 or more and 19 or less, and even more preferably 3.5 or more and 99 or less.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p derived from simple silicon to the amount of Si in Si2p derived from SiO2 in the surface layer is, on an atomic concentration basis, It is preferably 4 or more and 9 or less, more preferably 4 or more and 19 or less, and even more preferably 4 or more and 99 or less.
  • the amount of Si in Si2p derived from SiO2 is 1%
  • the amount of Si in Si2p derived from simple silicon is 99%.
  • the ratio of the amount of Si to Si2p derived from elemental silicon is 99.
  • the amount of Si in Si2p derived from SiO2 is 5%
  • the amount of Si in Si2p derived from simple silicon is 95%.
  • the ratio of the amount of Si to Si2p derived from elemental silicon is 19.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of a survey spectrum showing the XPS measurement results of a silicon material
  • FIG. 5 is a diagram showing an example of a Si2p narrow spectrum showing the XPS measurement results of a silicon material
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of peak separation of the Si2p narrow spectrum showing the XPS measurement results of the silicon material
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of the O1s narrow spectrum showing the XPS measurement results of the silicon material. .
  • FIG. 4 shows an example of the peak waveform P of the silicon particles 33 in wide scan analysis, and the peak waveform P1 near the binding energy of 100 eV indicates the peak of Si2p.
  • FIG. 5 is an example of the narrow spectrum of the silicon particles 33 in the narrow scan analysis near the peak waveform P1, in which the background is removed and the Si2p peak is extracted.
  • Si of Si2p derived from SiO2 and Si of Si2p derived from elemental silicon differ in bond energy due to the difference in bond state. Therefore, as shown in FIG. 6, the peak waveform P1 can be separated into a peak waveform P1A indicating Si2p derived from elemental silicon and a peak waveform P1B indicating Si2p derived from SiO2 .
  • the peak waveform P1A is a waveform having one peak near binding energy 99 eV
  • the peak waveform P1B is a waveform having one peak near binding energy 103 eV.
  • Multipak version 9.9.0.8 attached to the X-ray photoelectron spectrometer was used as software to remove the background from the peak waveform, and the baseline was corrected mainly by the Shirley method.
  • the ratio of the area of the peak waveform P1A to the area of the peak waveform P1B is calculated as the ratio of the amount of Si in Si2p derived from simple silicon to the amount of Si in Si2p derived from SiO 2 on the atomic concentration basis. .
  • Si-derived Si concentration ratio the ratio of the atomic concentration of Si of Si2p derived from simple silicon to the atomic concentration of Si of all Si2p (all Si from which 2p orbital electrons have escaped) in the surface layer of the silicon particle 33 is defined as the Si concentration of Si derived from Si.
  • the Si concentration ratio derived from Si can be calculated as the ratio of the area of the peak waveform P1A to the area of the peak waveform P1.
  • the Si concentration ratio derived from Si is preferably 75% or more, more preferably 77% or more, and even more preferably 80% or more.
  • the concentration ratio of Si derived from Si falls within this range, the amount of oxide in the vicinity of the surface is reduced, and the capacity of the negative electrode material can be improved.
  • the Si concentration ratio derived from Si is preferably 90% or less, more preferably 95% or less, and even more preferably 99% or less. When the Si concentration ratio derived from Si is within this range, there is no need to prepare equipment and processes to prevent excessive oxidation of the silicon material, and the capacity of the negative electrode material is improved, while suppressing a decrease in productivity. can.
  • Si concentration ratio derived from SiO2 the ratio of the Si atomic concentration of Si 2p derived from SiO 2 to the atomic concentration of Si of all Si 2p in the surface layer of the silicon particles 33 is defined as the Si concentration ratio derived from SiO 2 .
  • the Si concentration ratio derived from SiO 2 can be calculated as the ratio of the area of the peak waveform P1B to the area of the peak waveform P1.
  • the Si concentration ratio derived from SiO 2 is preferably 25% or less, more preferably 24% or less, and even more preferably 20% or less. When the concentration ratio of Si derived from SiO 2 falls within this range, the amount of oxides in the vicinity of the surface is reduced, and the capacity of the negative electrode material can be improved.
  • the Si concentration ratio derived from SiO 2 is preferably 10% or more, more preferably 5% or more, and even more preferably 1% or more.
  • the Si concentration ratio derived from SiO2 is within this range, there is no need to prepare equipment and processes for preventing excessive oxidation of the silicon material, and the capacity of the negative electrode material is improved, while reducing productivity. can be suppressed.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s in the surface layer, when measured by X-ray photoelectron spectroscopy, is preferably 1.0 or more on the atomic concentration basis. It is more preferably 1 or more, and even more preferably 1.3 or more.
  • the O in O1s refers to an O atom from which an electron in the 1s orbit is ejected by X-ray photoelectron spectroscopy.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s in the surface layer is the O of O1s (1s orbital Atomic concentration of Si of Si2p (Si atoms from which electrons in the 2p orbital have escaped) in the surface layer of the silicon particle 33 (for example, to a position approximately 6 angstroms deeper than the outermost surface) relative to the atomic concentration of O atoms from which electrons have escaped. refers to the ratio of In the silicon particles 33, when the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s is within this range, the amount of oxide in the vicinity of the surface is reduced, and the capacity of the negative electrode material can be improved.
  • silicon oxides other than SiO2 may act as a factor that suppresses the improvement of capacity.
  • the ratio of the amount of Si to the amount of O is within the above range
  • the amount of silicon oxides other than SiO 2 can be reduced, and the capacity can be appropriately improved.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s in the surface layer is preferably 4 or less, and 9 or less, based on the atomic concentration. is more preferable, and 99 or less is even more preferable.
  • the ratio of the amount of Si to the amount of O of the silicon particles 33 is within this range, there is no need to prepare excessively pure Si, and the capacity of the negative electrode material can be improved while suppressing a decrease in productivity. .
  • the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s in the surface layer is 1.0 or more and 4 or less on an atomic concentration basis. It is preferably 1.0 or more and 9 or less, more preferably 1.0 or more and 99 or less.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s in the surface layer is 1.1 or more and 4 or less on an atomic concentration basis. is preferred, 1.1 to 9 is more preferred, and 1.1 to 99 is even more preferred.
  • the ratio of Si in Si2p to the amount of O in O1s in the surface layer is preferably 1.3 or more and 4 or less on an atomic concentration basis. , is more preferably 1.3 or more and 9 or less, and more preferably 1.3 or more and 99 or less.
  • the ratio of Si in Si2p to the amount of O in O1s in the surface layer is 4, and when the O concentration is 5 at% and the Si concentration is 95%, the surface layer
  • the ratio of Si in Si2p to the amount of O in O1s of is 19.
  • FIG. 5 shows the narrow spectrum of Si2p and FIG. 7 shows the narrow spectrum of O1s. If there is a trace element other than this, the narrow spectrum of that element is similarly measured. Perform background correction for each narrow spectrum and determine the peak area.
  • the peak area is multiplied by the sensitivity coefficient corresponding to the orbital level of each element to obtain the concentration of the element.
  • a series of concentration calculations can be obtained using analysis software Multi Pack attached to PHI5000 Versa Probe II. The results thus obtained are the Si concentration (second Si concentration) and O concentration in FIG.
  • the Si/O ratio was obtained from this concentration. That is, the ratio of the Si concentration to the O concentration obtained as described above becomes the Si/O ratio, that is, the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s.
  • the Si concentration is preferably 50 at % or higher, more preferably 52 at % or higher, even more preferably 55 at % or higher. When the Si concentration falls within this range, the amount of oxide in the vicinity of the surface is reduced, and the capacity of the negative electrode material can be improved. Also, the Si concentration is preferably 80 at % or less, more preferably 90 at % or less, and even more preferably 99 at % or less. When the Si concentration falls within this range, there is no need to prepare equipment or processes for preventing excessive oxidation of the silicon material, and it is possible to suppress a decrease in productivity while improving the capacity of the negative electrode material.
  • the O concentration is preferably 46 atomic % or less, more preferably 40 atomic % or less, and even more preferably 30 atomic % or less. When the O concentration falls within this range, the amount of oxide in the vicinity of the surface is reduced, and the capacity of the negative electrode material can be improved. Also, the O concentration is preferably 1 at % or more, more preferably 10 at % or more, and even more preferably 20 at % or more. When the O concentration is within this range, it is not necessary to prepare equipment or processes for preventing excessive oxidation of the silicon material, and it is possible to suppress a decrease in productivity while improving the capacity of the negative electrode material.
  • the thickness of the oxide layer 33B of the silicon particles 33 is preferably 2.3 angstroms or less, more preferably 2.0 angstroms or less, more preferably 1.5 angstroms or less, and more preferably 1.3 angstroms or less. It is more preferably Angstrom or less.
  • the thickness of the oxide layer 33B is preferably 0.7 angstroms or more, more preferably 0.3 angstroms or more, and even more preferably 0.06 angstroms or more. By setting the thickness of the oxide layer 33B within this range, it becomes unnecessary to prepare excessively pure Si, and it is possible to suppress a decrease in productivity while improving the capacity of the negative electrode material.
  • the thickness of the oxide layer 33B is the ratio of the amount of Si in the Si 2p derived from SiO 2 to the amount of Si in the Si 2p derived from simple silicon (Si 2p derived from SiO 2 in the surface layer when measured by X-ray photoelectron spectroscopy). is calculated by multiplying the reciprocal of the ratio of the amount of Si in Si2p derived from elemental silicon to the amount of Si in Si2p by the photoelectron escape depth of Si in Si2p of 6 angstroms.
  • volume average particle diameter volume-based average particle diameter of the silicon particles 33 measured by a laser diffraction scattering method is hereinafter referred to as volume average particle diameter.
  • the ratio of the volume of the oxide layer 33B to the total volume of the silicon particles 33 is defined as the volume of the oxide layer 33B based on the volume average particle diameter.
  • the volume ratio of the oxide layer 33B based on the volume average particle diameter is preferably 0.06% or less, more preferably 0.05% or less, and further preferably 0.04% or less. preferable. When the volume ratio falls within this range, the amount of oxide in the vicinity of the surface is reduced, and the capacity of the negative electrode material can be improved.
  • the contact resistance with the carbon particles 30 and the Na x WO y particles 32 can be lowered, and the charge mobility is improved.
  • the volume ratio of the oxide layer 33B based on the volume average particle diameter is preferably 0.015% or more, more preferably 0.01% or more, and even more preferably 0.001% or more. . When the volume ratio is within this range, it is not necessary to prepare equipment or processes for preventing excessive oxidation of the silicon material, and it is possible to suppress a decrease in productivity while improving the capacity of the negative electrode material.
  • the volume ratio of the oxide layer 33B based on the volume average particle diameter can be calculated as follows. That is, assuming that the silicon particles 33 are spherical (true spheres), the volume average particle diameter of the silicon particles 33 is used as the diameter of the silicon particles 33 to calculate the volume of the silicon particles 33 . Then, the thickness of the oxide layer 33B calculated as described above is subtracted from the volume average particle diameter to calculate the diameter of the Si layer 33A. is used to calculate the volume of the Si layer 33A. The volume of the oxide layer 33B is obtained by subtracting the volume of the Si layer 33A from the volume of the silicon particles 33 thus calculated. Then, the ratio of the volume of the oxide layer 33B to the volume of the silicon particles 33 is defined as the volume ratio of the oxide layer 33B based on the volume average particle size.
  • D50 In the volume-based particle size distribution measured by the laser diffraction scattering method, the particle size with a cumulative frequency of 50% by volume is defined as D50.
  • volume ratio of oxide layer based on D50 the ratio of the volume of the oxide layer 33B to the total volume of the silicon particles 33 when the silicon particles 33 are assumed to be spherical and the volume is calculated using D50 is defined as the volume ratio of the oxide layer 33B based on D50.
  • the volume ratio of the oxide layer 33B based on D50 is preferably 0.4% or less, more preferably 0.3% or less, and even more preferably 0.25% or less. When the volume ratio falls within this range, the amount of oxide in the vicinity of the surface is reduced, and the capacity of the negative electrode material can be improved.
  • the volume ratio of the oxide layer 33B based on D50 is preferably 0.13% or more, more preferably 0.05% or more, and even more preferably 0.01% or more. When the volume ratio is within this range, it is not necessary to prepare equipment or processes for preventing excessive oxidation of the silicon material, and it is possible to suppress a decrease in productivity while improving the capacity of the negative electrode material.
  • the volume ratio of the oxide layer 33B based on D50 can be calculated as follows. That is, assuming that the silicon particles 33 are spherical (true spheres), D50 is used as the diameter of the silicon particles 33 to calculate the volume of the silicon particles 33 . Then, the diameter of the Si layer 33A is calculated by subtracting the thickness of the oxide layer 33B calculated as described above from D50. , the volume of the Si layer 33A is calculated. The volume of the oxide layer 33B is obtained by subtracting the volume of the Si layer 33A from the volume of the silicon particles 33 thus calculated. Then, the ratio of the volume of the oxide layer 33B to the volume of the silicon particles 33 is defined as the volume ratio of the oxide layer 33B based on D50.
  • the positive electrode 16 shown in FIG. 1 includes a current collecting layer and a positive electrode material layer.
  • the current collecting layer of the positive electrode 16 is a layer made of a conductive member, and examples of the conductive member here include aluminum.
  • the positive electrode material layer is a layer of positive electrode material and is provided on the surface of the current collecting layer of the positive electrode 16 .
  • the thickness of the collector layer of the positive electrode may be, for example, about 10 ⁇ m to 30 ⁇ m, and the thickness of the positive electrode material layer may be, for example, about 10 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the positive electrode material layer includes a positive electrode material.
  • the positive electrode material includes particles of a lithium compound, which is a compound containing lithium.
  • a lithium compound may contain only one type of material, or may contain two or more types of materials.
  • the positive electrode material layer may contain a substance other than the positive electrode material, for example, a binder.
  • a binder Any material may be used for the binder, and examples thereof include polyvinylidene fluoride (PVDF), polytetrafluoroethylene (PTFE), and PAA. Only one type of binder may be used, or two or more types may be used in combination.
  • the separator 18 shown in FIG. 1 is an insulating member.
  • the separator 18 is, for example, a porous film made of resin, and examples of resin include polyethylene (PE) and polypropylene (PP).
  • the separator 18 may have a structure in which films of different materials are laminated.
  • the separator 18 may have a heat-resistant layer.
  • a heat-resistant layer is a layer containing a substance with a high melting point.
  • the heat-resistant layer may contain particles of an inorganic material such as alumina, for example.
  • Electrolyte The electrolyte provided in the battery 1 is a non-aqueous electrolyte.
  • the electrolytic solution is impregnated into the voids in the electrode group 12 .
  • Electrolyte solutions include, for example, lithium salts and aprotic solvents.
  • the lithium salt is dispersed and dissolved in an aprotic solvent.
  • Examples of lithium salts include LiPF 6 , LiBF 4 , Li[N(FSO 2 ) 2 ], Li[N(CF 3 SO 2 ) 2 ], Li[B(C 2 O 4 ) 2 ], LiPO 2 F 2 and the like.
  • Aprotic solvents can be, for example, mixtures of cyclic and linear carbonates. Cyclic carbonates include, for example, EC, PC, and butylene carbonate. Chain carbonic acid esters include dimethyl carbonate (DMC), ethylmethyl carbonate (EMC), diethyl carbonate (DEC) and the like.
  • This production method includes the steps of preparing a silicon raw material in an atmosphere with an oxygen concentration of 5% or less, and using the silicon raw material to provide sodium tungstate and a silicon material on the surface of carbon to produce a negative electrode material. and manufacturing the cathode material.
  • FIG. 8 is a flow chart illustrating the steps of preparing a silicon source.
  • the silicon raw material is the raw material of the silicon particles 33 .
  • the step of preparing the silicon raw material includes a crushing step S1, a coarse crushing step S2, and a crushing step S3.
  • the step of preparing the silicon raw material preferably prepares the silicon raw material by pulverizing the silicon base material in an atmosphere with an oxygen concentration of 5% or less, more preferably 3% or less, and the oxygen concentration is It is more preferably 1% or less, and even more preferably 0.1% or less. With such a low oxygen concentration, it is possible to suppress the oxidation of the new surface of silicon that appears after crushing and the thickening of the oxide layer formed on the surface before crushing, thereby suppressing the decrease in capacity.
  • the oxygen concentration can be measured by an oxygen monitor OM-25MF01 manufactured by Taiei Engineering Co., Ltd., and when the oxygen concentration is lower than 1%, it can be measured by a low-concentration oxygen monitor JKO-O2LJD3 manufactured by Ichinen Jiko Co., Ltd.
  • the oxygen concentration in the coarse pulverization step S2 and the pulverization step S3, it is preferable to set the oxygen concentration in the above range, and in all of the crushing step S1, the coarse pulverization step S2, and the pulverization step S3, the oxygen concentration is set in the above range. is more preferable.
  • the crushing step S1 is a step of crushing silicon lumps to obtain crushed silicon substances.
  • the size of the silicon lumps is not particularly limited.
  • the shape of the silicon mass is not particularly limited, and may be columnar, plate-like, or granular, for example. Silicon chunks, polycrystalline silicon other than chunks, lumps of single crystal silicon and columnar crystal silicon ingots, monitor silicon wafers, dummy silicon wafers, and granular silicon can be used as the silicon lumps.
  • a crushing device for crushing silicon lumps is not particularly limited, and for example, a hammer crusher, jaw crusher, gyratory crusher, cone crusher, roll crusher, and impact crusher can be used.
  • the size of the crushed silicon obtained by crushing the lumps of silicon is preferably in the range of more than 1 mm and 5 mm or less in longest diameter.
  • the coarse pulverization step S2 is a step of coarsely pulverizing the silicon crushed material to obtain silicon coarse particles.
  • the silicon coarse particles obtained in the coarse pulverization step S2 preferably have a maximum particle size of 1000 ⁇ m or less when separated by a sieve method. Therefore, the coarse pulverization step S2 preferably includes a step of classifying the coarsely pulverized material obtained by the coarse pulverization using a sieve with an opening of 1000 ⁇ m to collect coarse particles having a maximum particle size of 1000 ⁇ m or less. If the size of the silicon coarse particles exceeds 1000 ⁇ m, the silicon coarse particles may not be sufficiently pulverized in the subsequent pulverization step S3 and the particles may be mixed. It is particularly preferable that the maximum particle size of the silicon coarse particles is 500 ⁇ m or less.
  • Coarse pulverization may be performed by either dry or wet method, but dry method is preferable.
  • the pulverizing device for coarsely pulverizing the crushed silicon material is not particularly limited, and for example, ball mills (planetary ball mills, vibrating ball mills, rolling ball mills, stirring ball mills), jet mills, and three-dimensional ball mills can be used.
  • the pulverizing step S3 is a step of pulverizing silicon coarse particles to obtain a silicon raw material (silicon microparticles).
  • a ball mill planetary ball mill, vibrating ball mill, rolling ball mill, stirring ball mill, or three-dimensional ball mill can be used.
  • a three-dimensional ball mill manufactured by Nagao System Co., Ltd. is preferably used as the pulverizer.
  • zirconia (ZrO 2 ) balls and alumina (Al 2 O 3 ) balls can be used as hard balls.
  • the particle diameter of the hard balls is preferably in the range of 0.1 mm or more and 20 mm or less. When the particle size of the hard balls is within this range, coarse silicon particles can be efficiently pulverized.
  • the amount of the hard balls used is preferably in the range of 500 parts by mass or more and 2500 parts by mass or less relative to 100 parts by mass of the coarse silicon particles. When the amount of hard balls used is within this range, coarse silicon particles can be pulverized efficiently.
  • the amount of hard balls used is more preferably in the range of 1000 parts by mass to 2000 parts by mass, and particularly preferably in the range of 1100 parts by mass to 1500 parts by mass.
  • the filling rate of the coarse silicon particles and hard balls in the container of the three-dimensional ball mill is preferably in the range of 3% or more and 35% or less as the total volume of the coarse silicon particles and hard balls with respect to the capacity of the container. If the filling rate is too low, the pulverization efficiency may decrease and the manufacturing cost may increase. On the other hand, if the filling rate is too high, pulverization will be difficult to proceed, and the average particle size of the resulting silicon raw material may increase, or silicon coarse particles may not be sufficiently pulverized and remain.
  • the filling rate of the silicon coarse particles and the hard balls is more preferably in the range of 15% to 30%, particularly preferably in the range of 20% to 30%.
  • the filling rate is the volume assuming 100% when the inside of the container is filled with the raw material and the balls without gaps. For example, if half of the spherical container is filled with raw materials and hard balls, it is 50%, and if half of the spherical container is filled with raw materials and hard balls, it is 15.6%.
  • the container is preferably filled with a non-oxidizing gas.
  • a container filled with a non-oxidizing gas it is possible to suppress aggregation of particles due to moisture absorption of the silicon fine particles and oxidation of the silicon fine particles.
  • Argon, nitrogen, and carbon dioxide can be used as the non-oxidizing gas.
  • silicon coarse particles having a maximum particle size of 1000 ⁇ m or less as measured by a sieve method are prepared in the coarse pulverization step S2, and a three-dimensional ball mill is used in the next pulverization step S3. and pulverize the silicon coarse particles under predetermined conditions. For this reason, it is possible to industrially produce a silicon raw material that is less likely to form fine and coarse aggregated particles and has high dispersibility when mixed with other raw material particles.
  • the manufacturing method is not limited to the above and may be arbitrary.
  • FIG. 9 is a flow chart illustrating an example of a method for manufacturing a battery according to this embodiment. As shown in FIG. 9, in this manufacturing method, the negative electrode 14 is formed in steps S10 to S20.
  • a surfactant is dissolved in a solvent to generate a first solution (step S10).
  • the first solution is a solution in which the surfactant is dissolved and which contains Na (Na in an ionic state).
  • Surfactants are used to disperse amorphous carbon. Any substance capable of dispersing amorphous carbon may be used as the surfactant, but in this embodiment, a substance containing Na is used.
  • a surfactant containing Na for example, sodium dodecyl sulfate (SDS) may be used.
  • the solvent of the first solution can be anything that dissolves the surfactant, but for example water can be used.
  • the surfactant is not limited to one containing Na.
  • a surfactant containing no Na and a compound containing Na may be dissolved in a solvent to generate the first solution.
  • Na-free surfactants examples include poly(oxyethylene) alkyl ethers and polyoxyethylene nonylphenyl ethers.
  • the poly(oxyethylene ) alkyl ether it is preferable to use an alkyl group having 12 or more and 15 or less carbon atoms.
  • n is an integer of 1 or more.
  • polyoxyethylene nonylphenyl ether examples include C9H19C6 ( CH2CH2O ) 8H , C9H19C6 ( CH2CH2O ) 10H , C9H19C6 ( CH2CH2O ) 12H and the like may be used.
  • Na-containing compounds include sodium sulfate, sodium stearate, sodium hyaluronate, sodium hypochlorite, and the like.
  • the content of the surfactant in the first solution is 0.1% or more and 10% or less in mass ratio with respect to the amount of carbon raw material added in step S12 below. preferably 0.5% or more and 7% or less, and even more preferably 1% or more and 5% or less. By setting it as this numerical range, the affinity of carbon and NaxWOy can be improved appropriately.
  • a carbon raw material and a silicon raw material are added to the first solution to generate a second solution (step S12).
  • the carbon raw material is carbon used as a raw material for the carbon particles 30 .
  • the carbon raw material preferably has an average particle diameter of, for example, 1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less. By setting the average particle size of the carbon raw material within this range, it is possible to increase the capacity of the battery.
  • the first solution to which the carbon raw material and the silicon raw material are added that is, the second solution is stirred to disperse the amorphous carbon raw material and the silicon raw material in the first solution.
  • the second solution can be said to be the first solution in which the amorphous carbon raw material and the silicon raw material are dispersed.
  • the order of adding the silicon raw material and the carbon raw material to the first solution may be arbitrary. For example, after the silicon raw material is first added to the first solution and stirred, the carbon raw material may be added and stirred. Alternatively, for example, the carbon raw material may be added to the first solution and stirred, and then the silicon raw material may be added and stirred. Further, for example, the carbon raw material and the silicon raw material may be simultaneously added to the first solution and stirred.
  • the carbon raw material may be produced, for example, by an oil furnace method.
  • oil furnace method for example, raw material oil is sprayed in a high-temperature atmosphere to thermally decompose, followed by rapid cooling to produce particulate carbon raw material.
  • the method for producing the carbon raw material is not limited to this and may be arbitrary.
  • a tungsten solution is a solution containing W and O.
  • the tungsten solution is, for example, a solution produced by dissolving a tungsten oxide raw material in a solvent.
  • the tungsten oxide raw material here is the raw material of the Na x WO y particles 32, and tungsten trioxide is used, for example.
  • As the solvent for example, an alkaline liquid is used, and in this embodiment, an aqueous ammonia solution is used. Therefore, in this embodiment, the tungsten solution is an alkaline solution containing W and O, more specifically, ammonium tungstate.
  • the tungsten solution may be any solution containing W and O.
  • the content of W contained in the tungsten solution added to the second solution is 0.5% or more and 20% or less in mass ratio with respect to the addition amount of the carbon raw material added in step S12. is preferably 1% or more and 15% or less, and even more preferably 1.3% or more and 10% or less. By setting it as this numerical range, the affinity of carbon and NaxWOy can be improved appropriately.
  • the negative electrode material is generated by removing the liquid component of the third solution (negative electrode material generating step).
  • steps S16 and S18 are performed as negative electrode material generation steps.
  • the third solution is dried to produce a negative electrode intermediate (step S16; drying step).
  • step S16 for example, the third solution is dried in the atmosphere at 80° C. for 12 hours to remove, ie, evaporate, the liquid component contained in the additive solution.
  • drying conditions may be arbitrary. It can be said that the negative electrode intermediate contains the solid component remaining after the liquid component of the third solution is removed.
  • a negative electrode material is produced (step S18; heating step).
  • a negative electrode material in which Na x WO y particles 32 and silicon particles 33 are provided on the surface of carbon particles 30 is formed. That is, the ionic Na, W, and O contained in the third solution precipitate as Na x WO y particles 32 on the surface of the carbon particles 30 dispersed in the third solution, forming a negative electrode material. be done.
  • the conditions for heating the negative electrode intermediate in the heating step may be arbitrary, but are preferably performed as follows. That is, the heating step includes a step of putting the negative electrode intermediate into a furnace to create an inert atmosphere in the furnace, a first heating step of heating the negative electrode intermediate to a first temperature at a first heating rate, and a first heating step of heating the negative electrode intermediate to a first temperature. and a second heating step of heating the negative electrode intermediate heated to one temperature to a second temperature at a second heating rate.
  • the inert atmosphere in the step of creating an inert atmosphere in the furnace may be, for example, a nitrogen atmosphere or a rare gas atmosphere such as Ar.
  • a nitrogen atmosphere or a rare gas atmosphere such as Ar.
  • the inert atmosphere It may be used as an active atmosphere. Note that this step is not essential.
  • the first heating step is a step of removing metals and organic substances contained in the negative electrode intermediate.
  • the first heating temperature in the first heating step is, for example, 550 ° C., but is not limited thereto, preferably 150 ° C. or higher and 625 ° C. or lower, preferably 175 ° C. or higher and 600 ° C. or lower, and 200 ° C. or higher. It is more preferably 575° C. or lower.
  • the first heating rate may be any rate, but for example, it is preferably 45° C./hour or more and 75° C./hour or less, more preferably 50° C./hour or more and 70° C./hour or less, More preferably, the temperature is 55° C./hour or more and 65° C./hour or less.
  • the second heating step is a step of generating Na x WO y after the first heating step.
  • the second heating temperature is higher than the first heating temperature, for example, 700 ° C., but is not limited thereto, preferably 680 ° C. or higher and 750 ° C. or lower, and 685 ° C. or higher and 740 ° C. or lower. It is preferably 690° C. or higher and 730° C. or lower.
  • the second heating rate may be any rate, but is preferably higher than the first heating rate. /hour or less is more preferable, and 175°C/hour or more and 185°C/hour or less is even more preferable. By setting the second heating temperature and the second heating rate within this range, it is possible to appropriately generate Na x WO y while shortening the time required for the process.
  • the negative electrode intermediate heated to the second heating temperature is preferably held at the second heating temperature for a predetermined time.
  • the holding time is preferably 1.25 hours or more and 2.75 hours or less, more preferably 1.5 hours or more and 2.5 hours or less, and 1.75 hours or more and 2.25 hours or less. is more preferable.
  • the negative electrode intermediate is heated to a third temperature at a third heating rate and held at the third temperature for a predetermined time.
  • the third temperature is lower than the first temperature, for example, 100° C., but is not limited thereto, preferably 80° C. or higher and 120° C. or lower, preferably 85° C. or higher and 115° C. or lower, 90° C. or higher and 110° C. or higher. °C or less is more preferable.
  • the third heating rate may also be arbitrary, for example, it is preferably 165° C./hour or more and 195° C./hour or less, more preferably 170° C./hour or more and 190° C./hour or less, and 175° C./hour. More preferably, the temperature is 185° C./hour or more.
  • the predetermined time for holding at the third heating temperature may also be arbitrary, for example, it is preferably 0.5 hours or more and 1.75 hours or less, and is preferably 0.75 hours or more and 1.5 hours or less. More preferably, it is 1.0 hours or more and 1.25 hours or less. By providing this step, moisture can be properly removed.
  • the formed negative electrode material is used to form the negative electrode 14 (step S20). That is, the negative electrode 14 is formed by forming the negative electrode material layer 22 containing the negative electrode material on the surface of the current collecting layer 20 .
  • the positive electrode 16 is formed (step S22).
  • the positive electrode material may be formed in the same manner as steps S10 to S20, except that a lithium compound raw material, which is a lithium compound, is used instead of the carbon raw material and the silicon raw material. Then, a positive electrode material layer containing a positive electrode material is formed on the surface of the collector layer for the positive electrode 16 to form the positive electrode 16 .
  • the battery 1 is manufactured using the negative electrode 14 and the positive electrode 16 (step S24).
  • the electrode group 12 is formed by stacking the negative electrode 14 , the separator 18 and the positive electrode 16 , and the electrode group 12 and the electrolytic solution are accommodated in the casing 10 to manufacture the battery 1 .
  • the manufacturing method is not limited to the above and may be arbitrary.
  • the negative electrode material according to the present embodiment is a negative electrode material for a battery, and contains carbon, sodium tungstate, and silicon particles 33 containing silicon.
  • the silicon particles 33 the ratio of the amount of Si in Si2p derived from simple silicon to the amount of Si in Si2p derived from SiO2 in the surface layer is 3 or more on the atomic concentration basis when measured by X-ray photoelectron spectroscopy. .
  • the performance of the battery can be improved by providing a tungsten compound or Si in the negative electrode material.
  • oxides of Si which is the raw material, suppress the improvement in capacity.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p derived from elemental silicon to the amount of Si in Si2p derived from SiO2 in the surface layer is 3 or more on an atomic concentration basis. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to reduce the amount of oxides of silicon and improve the performance of the battery.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s in the surface layer, when measured by X-ray photoelectron spectroscopy, is preferably 1.0 or more on the basis of atomic concentration.
  • the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s of the silicon particles 33 is within this range, so that the amount of oxide in the vicinity of the surface is reduced, and the battery performance can be improved.
  • silicon oxides other than SiO2 may also act as a factor that suppresses the improvement in capacity, and in such cases, the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s is within the above range, the amount of silicon oxides other than SiO 2 can be reduced, and the performance of the battery can be appropriately improved.
  • the silicon particles 33 include a Si layer 33A made of Si and an oxide layer 33B formed on the surface of the Si layer 33A and made of silicon oxide.
  • the volume of the oxide layer 33B is preferably 0.06% or less of the total volume of the silicon particles 33 .
  • the silicon particles 33 include a Si layer 33A made of Si and an oxide layer 33B formed on the surface of the Si layer 33A and made of silicon oxide.
  • the volume of the silicon particles 33 is calculated using the particle diameter D50 with a cumulative frequency of 50% by volume in the volume-based particle size distribution measured by the laser diffraction scattering method, the volume of the oxide layer 33B is equal to that of the silicon particles 33. It is preferably 0.4% or less with respect to the total volume. By setting the volume ratio of the oxide layer 33B within this range, the amount of oxide in the vicinity of the surface is reduced, and the performance of the battery can be improved.
  • the negative electrode material when the total content of carbon, sodium tungstate, and silicon particles 33 is 100% by weight, the negative electrode material preferably has a content of silicon particles 33 of 1% by weight or more and 10% by weight or less. By setting the content of the silicon particles 33 within this range, the performance of the battery can be improved.
  • sodium tungstate is preferably represented by a chemical formula of Na x WO y , where x is greater than 0 and 1 or less and y is 2 or more and 4 or less.
  • sodium tungstate of such a chemical formula sodium tungstate can be appropriately arranged on the surface of the carbon.
  • the negative electrode material according to the present embodiment has a sodium content of 0.01% or more and 0.5% or less by mass when measured by fluorescent X-ray analysis, and a tungsten content is 0.5% or more and 20% or less in mass ratio, and the oxygen content is preferably 1% or more and 15% or less in mass ratio.
  • sodium tungstate can be included in an appropriate amount, and sodium tungstate can be appropriately arranged on the surface of the carbon.
  • the negative electrode material according to the present embodiment preferably has a Na/W content ratio of sodium to tungsten of 0.001 or more and 0.2 or less when measured by fluorescent X-ray analysis.
  • a Na/W content ratio of sodium to tungsten of 0.001 or more and 0.2 or less when measured by fluorescent X-ray analysis.
  • the method for producing a negative electrode material includes a step of preparing a silicon raw material in an atmosphere with an oxygen concentration of 5% or less, and carbon, sodium tungstate, and silicon particles 33 using the silicon raw material. including the step of producing a negative electrode material, wherein the silicon particles 33 are such that the ratio of the amount of Si2p of elemental silicon to the amount of Si2p of elemental silicon due to SiO2 in the surface layer, as measured by X-ray photoelectron spectroscopy, is equal to the atomic concentration As a standard, it is preferably 3 or more.
  • Example 1 Preparation of silicon raw materials
  • a scale-like polycrystalline silicon chunk (purity: 99.999999999% by mass, length: 5-15 mm, width: 5-15 mm, thickness: 2-10 mm) was crushed using a hammer mill.
  • the obtained pulverized material was dry-classified using a sieve with an opening of 5 mm to obtain a silicon pulverized material under the sieve.
  • the obtained silicon crushed material, hard balls (zirconia balls, diameter: 10 mm), and an 80 mm ⁇ ZrO 2 -sphere container that can be divided into one container and the other are housed in a glove box filled with Ar gas. bottom.
  • coarse pulverization was carried out under the conditions of rotation speed of the first rotating shaft: 300 rpm, rotation speed of the second rotating shaft: 300 rpm, and pulverization time: 0.33 hours.
  • the coarsely pulverized silicon material and the hard balls were dry-classified using a sieve with an opening of 1000 ⁇ m to obtain coarse silicon particles having a maximum particle size of 1000 ⁇ m or less.
  • the obtained silicon coarse particles, hard balls (zirconia balls, diameter: 10 mm), and hemispherical containers were each housed in a glove box filled with Ar gas.
  • Example 1 (Preparation of negative electrode material)
  • a negative electrode material was produced by the method described in the embodiment. Specifically, as the first solution, a solution in which SDS was dissolved using water as a solvent and as a surfactant was prepared. The concentration of SDS in the first solution was 3%. Then, the amorphous carbon raw material and the silicon raw material are added to the first solution and stirred with a stirring propeller (360 rpm) so that the mass ratio of SDS in the first solution to the amorphous carbon raw material to be added is 3%. 2 solutions. The amount of silicon added was 4 wt % with respect to the amount of carbon added.
  • ammonium tungstate (tungsten solution) is added to the second solution so that the amount of W contained in the ammonium tungstate (tungsten solution) with respect to the amorphous carbon raw material in the second solution is 5% by mass.
  • the third solution was dried by heating to evaporate water to form a negative electrode intermediate.
  • this negative electrode intermediate is introduced into a tubular furnace (firing furnace) and heated to 550° C. (first heating temperature) at a first heating rate of 60° C./hour under an argon atmosphere. After reaching the first heating temperature, the temperature was raised to 700° C. (second heating temperature) at a second heating temperature of 180° C./hour, and held for 2 hours. After holding for 2 hours, the heating was stopped and the temperature was naturally lowered to 50° C. to produce a negative electrode material.
  • Example 2 the negative electrode material was produced in the same manner as in Example 1, except that the pulverization time was 3 hours, and the amounts of silicon, tungsten, and SDS added were 5 wt%, 5 wt%, and 3 wt%. bottom.
  • Example 3 the negative electrode material was produced in the same manner as in Example 1, except that the pulverization time was 4 hours, and the amounts of silicon, tungsten, and SDS added were 5 wt%, 5 wt%, and 3 wt%. bottom.
  • Example 4 In Example 4, the shape of the container used for pulverization was 80 mm ⁇ SUS barrel length, and the pulverization time was 2 hours. A negative electrode material was produced in a manner similar to that of Example 1.
  • Example 5 In Example 5, the shape of the container used for pulverization was 80 mm ⁇ SUS barrel length, and the pulverization time was 1 hour. A negative electrode material was produced in a manner similar to that of Example 1.
  • Example 6 In Example 6, the shape of the container used for grinding was 80 mm ⁇ SUS barrel length container, the grinding time was 3 hours, and the amounts of silicon, tungsten, and SDS added were 10 wt%, 5 wt%, and 3 wt%. A negative electrode material was produced in a manner similar to that of Example 1.
  • Example 7 In Example 7, the pulverization time was 2 hours, and the concentration of the surfactant C 12 H 25 O(C 2 H 4 ) n H (poly(oxyethylene) dodecyl ether) in the first solution was 4%, stearic acid A negative electrode material was produced in the same manner as in Example 1, except that the concentration of sodium was 1%.
  • Comparative example 1 In Comparative Example 1, only amorphous carbon was used as the negative electrode material.
  • Comparative example 2 In Comparative Example 2, the shape of the container used for pulverization was a 80 mm ⁇ SUS container with a long barrel, the atmosphere inside the container was air, the pulverization time was 1 hour, and the amounts of silicon, tungsten, and SDS added were 10 wt%, 4 wt%, and 2 wt% A negative electrode material was produced in the same manner as in Example 1, except that
  • Comparative Example 3 In Comparative Example 3, the shape of the container used for grinding was 80 mm ⁇ ZrO 2 spheres, the atmosphere in the container was air, and the grinding time was 3 hours. A negative electrode material was produced in the same manner as in Example 1, except that
  • FIG. 10 is a table showing the manufacturing conditions of each example and the characteristics of the silicon material. As shown in FIG. 10, the characteristics based on the XPS measurement were measured for the silicon material of each example.
  • the Si concentration in FIG. 10 corresponds to the Si concentration described in this embodiment
  • the O concentration in FIG. 10 corresponds to the O concentration described in this embodiment
  • the Si concentration ratio derived from SiO 2 in FIG. It corresponds to the Si concentration ratio derived from SiO 2 described in this embodiment
  • the Si concentration ratio derived from Si in FIG. 10 corresponds to the Si concentration ratio derived from Si described in this embodiment, and the concentration ratio ratio in FIG.
  • Si/Si (SiO 2 ) corresponds to the ratio of the amount of Si in Si 2p derived from elemental silicon to the amount of Si in Si 2p derived from SiO 2 in the surface layer described in the present embodiment
  • concentration ratio Si/ O corresponds to the ratio of the amount of Si in Si2p to the amount of O in O1s in the surface layer described in this embodiment
  • oxide film thickness in FIG. 10 corresponds to the thickness of the oxide layer 33B described in this embodiment. do.
  • the X-ray photoelectron spectroscopy in each example used the apparatus and conditions described in this embodiment. Further, as shown in FIG. 10, the characteristics based on the volume average particle size and D50 were measured for the silicon material of each example.
  • the silicon material was put into the surfactant aqueous solution, and the silicon fine particles were dispersed by ultrasonic treatment to prepare a silicon fine particle dispersion.
  • the particle size distribution of the silicon fine particles in the resulting silicon fine particle dispersion was measured using a laser diffraction/scattering particle size distribution analyzer (MT3300EX II, manufactured by Microtrack Bell Co., Ltd.). From the obtained particle size distribution, the volume average particle size, D50, was obtained.
  • the SiO2 volume in FIG. 10 corresponds to the volume of the oxide layer 33B calculated using the volume average particle diameter (or D50) in this embodiment, and the particle volume in FIG. It corresponds to the volume of the silicon particles 33 calculated using the average particle size (or D50), and the SiO2 volume/particle volume in FIG. It corresponds to the volume ratio of the layer 33B.
  • FIG. 11 is a table showing identification results of negative electrode materials in each example. Fluorescent X-ray analysis was performed on the negative electrode material produced in each example, and the content of elements contained in the negative electrode material, Na / W, Si / C, W / C, Si / W, Si / O was measured. FIG. 11 shows the measurement results of the element contents. In addition, the measurement conditions of the fluorescent X-ray analysis used the conditions described in the above embodiment.
  • the negative electrode materials of Examples 1 to 7 also contain C derived from amorphous carbon, Si derived from a silicon material, and elements other than Na, W, and O derived from sodium tungstate (here, S), but these are impurities. be. In addition, unavoidable impurities other than the elements listed in FIG. 11 may be included.
  • XRD XRD was performed on the negative electrode material produced in each example to identify the chemical formula and crystal structure of sodium tungstate contained in the negative electrode material. The identification results are shown in FIG. In addition, the conditions described in the above embodiment were used as the XRD measurement conditions.
  • the capacity of the negative electrode using the negative electrode material was measured. Specifically, the current value (mAh/g) per 1 g when the C rate is 0.2 and the current value (mAh/g) per 1 g when the C rate is 3.2 are measured. bottom.
  • the current value of the negative electrode per 1 g when the C rate is 0.2 refers to the current value that consumes the rated capacity in 5 hours.
  • FIG. 11 shows the evaluation results. As shown in FIG.
  • Example 1-7 in which Si/SiO 2 was 3 or more and sodium tungstate was provided on the surface of the carbon, the ratio was 0.00 in comparison with Comparative Example 1 containing no sodium tungstate. It can be seen that the battery characteristics at 2C are improved. Furthermore, it can be seen that the 3.2C battery characteristics of Example 1-7 also maintain sufficient values.
  • the embodiment of the present invention has been described above, the embodiment is not limited by the content of this embodiment.
  • the components described above include those that can be easily assumed by those skilled in the art, those that are substantially the same, and those within the so-called equivalent range.
  • the components described above can be combined as appropriate.
  • various omissions, replacements, or modifications of components can be made without departing from the gist of the above-described embodiments.

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Abstract

性能を向上させる。負極材料は、電池の負極材料であって、カーボンと、タングステン酸ナトリウムと、シリコンを含むシリコン粒子（３３）とを含み、シリコン粒子（３３）は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、３以上である。

Description

負極材料、電池、負極材料の製造方法、及び電池の製造方法
　本発明は、負極材料、電池、負極材料の製造方法、及び電池の製造方法に関する。
　リチウムイオン二次電池の負極材料としては、炭素が用いられる場合がある。例えば特許文献１には、黒鉛の表面に三酸化タングステンを配置した負極が記載されている。黒鉛の表面に三酸化タングステンを配置することで、リチウムイオンの拡散性を向上させることが可能となり、電池の性能を向上できる。また例えば特許文献２には、ケイ素粒（シリコン）、タングステン、及び炭素を含む負極が記載されている。
特開２０１８－４５９０４号公報 特開２０１５－１２５８１６号公報
　負極材料においては、三酸化タングステンなどのタングステン化合物やシリコンを設けることで性能を向上させることができるが、性能向上に改善の余地がある。
　本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、性能を向上した負極材料、電池、負極材料の製造方法、及び電池の製造方法を提供することを目的とする。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係る負極材料は、電池の負極材料であって、カーボンと、タングステン酸ナトリウムと、シリコンを含むシリコン材料と、を含み、前記シリコン材料は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、３以上である。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係る電池は、前記負極材料と、正極材料とを含む。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係る負極材料の製造方法は、電池の負極材料の製造方法であって、酸素濃度が５％以下の雰囲気下でシリコン原料を準備するステップと、前記シリコン原料を用いて、カーボンと、タングステン酸ナトリウムと、シリコン材料とを含む負極材料を生成するステップを含み、前記シリコン材料は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、３以上である。
　上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係る電池の製造方法は、前記負極材料の製造方法と、正極材料を製造するステップと、を含む。
　本発明によれば、負極材料の性能を向上することができる。
図１は、本実施形態に係る電池の模式的な一部断面図である。 図２は、本実施形態に係る負極の一例の模式的な断面図である。 図３は、シリコン材料の模式的な断面図である。 図４は、シリコン材料のＸＰＳによる測定結果を示すサーベイスペクトルの一例を示す図である。 図５は、シリコン材料のＸＰＳによる測定結果を示すＳｉ２ｐのナロースペクトルの一例を示す図である。 図６は、シリコン材料のＸＰＳによる測定結果を示すＳｉ２ｐのナロースペクトルのピーク分離の一例を示す図である。 図７は、シリコン材料のＸＰＳによる測定結果を示すＯ１ｓのナロースペクトルの一例を示す図である。 図８は、シリコン原料を準備するステップを説明するフローチャートである。 図９は、本実施形態の電池の製造方法の一例を説明するフローチャートである。 図１０は、各例の製造条件、及びシリコン材料の特性を示す表である。 図１１は、各例の負極材料の同定結果と電池特性結果を示す表である。
　以下、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の発明を実施するための形態（以下、実施形態という）により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
　（電池）
　図１は、本実施形態に係る電池の模式的な一部断面図である。本実施形態に係る電池１は、リチウムイオン二次電池である。電池１は、ケージング１０と、電極群１２と、図示しない電解液と、を備える。ケージング１０は、内部に電極群１２及び電解液を収納するケースである。ケージング１０内には、電極群１２以外にも、電極群１２に接続される配線や端子などを備えていてよい。
　電極群１２は、負極１４と、正極１６と、セパレータ１８とを備える。電極群１２は、負極１４と正極１６との間に、セパレータ１８が配置される構成となっている。図１の例では、電極群１２は、矩形状のセパレータ１８を間に挟んで、矩形状の負極１４と矩形状の正極１６とが交互に積層された、いわゆる積層型の電極群構造である。ただし、電極群１２は、積層型の電極群構造に限られない。例えば、電極群１２は、帯状のセパレータ１８を間に挟んで、帯状の負極１４と帯状の正極１６とが積層されて、これらが巻回される、巻回型の電極群構造であってもよい。
　（負極）
　図２は、本実施形態に係る負極の一例の模式的な断面図である。図２に示すように、負極１４は、集電層２０と、負極材料層２２と、を備える。集電層２０は、導電性部材で構成される層である。集電層２０の導電性部材としては、例えば銅が挙げられる。負極材料層２２は、本実施形態に係る負極材料を含む層である。負極材料層２２は、集電層２０の表面に設けられる。集電層２０の厚みは、例えば、１５μｍ以上４０μｍ以下程度であってよく、負極材料層２２の厚みは、例えば２０μｍ以上２００μｍ以下程度であってよい。なお、負極１４は、集電層２０の両面に、負極材料層２２を備えてもよい。
　負極材料層２２は、負極材料を含む。負極材料は、カーボンと、タングステン酸ナトリウムと、シリコン材料（シリコン粒子）とを含む。タングステン酸ナトリウムは、ＮａｘＷＯｙで表されるタングステン化合物であり、ｘ、ｙは、０より大きい数である。ＮａｘＷＯｙの詳細については後述する。本実施形態の負極材料は、カーボンの表面にタングステン酸ナトリウムが設けられ、カーボンの表面にシリコン材料が設けられるが、カーボン、タングステン酸ナトリウム、及びシリコン材料の位置関係はそれに限られず任意であってよい。より具体的には、負極材料層２２の負極材料は、カーボンの粒子であるカーボン粒子３０と、タングステン酸ナトリウムの粒子であるＮａｘＷＯｙ（タングステン酸ナトリウム）粒子３２と、シリコンを含む粒子であるシリコン粒子３３と、を含む。なお、ここでの粒子とは、形状が球状などに限定されるものではなく、線状やシート形状など、任意の形状であってよい。さらに、粒子表面の形態は、滑らかであっても、凹凸状態のものでも良い。
　カーボンの表面に設けられるタングステン酸ナトリウムとは、カーボンにタングステン酸ナトリウムが直接的に固着することと、カーボンに固着されたシリコンを介してタングステン酸ナトリウムが間接的にカーボンに固着することと、カーボンに固着されたタングステン酸ナトリウムを介してシリコンが間接的にカーボンに固着することと、タングステン酸ナトリウムとシリコンが直接的に固着した複合粒子がカーボンに直接的に又は間接的に固着することとのうち少なくとも一つを含む。なお、本実施形態における負極材料は、少なくともカーボンと、タングステン酸ナトリウムが固着したシリコン材料とを含むことが好ましい。また、本実施形態の負極材料は、カーボンと、タングステン酸ナトリウムと、シリコン材料とからなり、不可避的不純物を除き、カーボンとタングステン酸ナトリウムとシリコン材料以外を含まないものであってもよい。また、本実施形態の負極材料は、残部に不可避的不純物を含んでもよい。
　負極材料層２２の負極材料は、複数のカーボン粒子３０を含む。カーボン粒子３０は、アモルファスカーボン又はグラファイトを含む。
　アモルファスカーボンとは、結晶構造を有さない非晶質なカーボンである。アモルファスカーボンは、無定形炭素やダイヤモンドライクカーボンと呼ばれることもあり、ｓｐ２結合とｓｐ３結合とが混在した炭素であるともいえる。アモルファスカーボンのカーボン粒子は、粒子全体がアモルファスカーボンで構成されており、不可避的不純物を除き、アモルファスカーボン以外の成分を含有しないことが好ましい。具体的には、アモルファスカーボンのカーボン粒子には、黒鉛が含まれていないことが好ましい。
　また、アモルファスカーボンは、表面にタングステン酸ナトリウムを配置する処理の際に、表面に官能基（例、ヒドロキシ基、カルボキシル基）を含むことができる。そのため、この官能基によって、アモルファスカーボンの表面にタングステン酸ナトリウムを適切にトラップすることが可能となり、表面にタングステン酸ナトリウムを適切に配置できる。また、この官能基によってタングステン酸ナトリウムがアモルファスカーボンの表面に定着されるために、アモルファスカーボンの表面へのタングステン酸ナトリウムの密着性を高くすることができ、タングステン酸ナトリウムがカーボンの表面から切り離されることを抑制できる。特に、ハードカーボン原料は、例えば黒鉛に比べて低温で製造されるため、官能基が除去されずに残りやすく、表面にタングステン酸ナトリウム及びシリコンを適切に配置できる。
　グラファイトとは、平面的な結晶構造を有するカーボンである。
　カーボン粒子３０は、平均粒径が、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。平均粒径がこの範囲にあることで、電極膜の強度を保つことができる。
　負極材料層２２の負極材料は、さらに複数のＮａｘＷＯｙ粒子３２及びシリコン粒子（シリコン材料）３３を含む。より詳しくは、それぞれのカーボン粒子３０に対し、複数のＮａｘＷＯｙ粒子３２及びシリコン粒子３３が設けられている。複数のＮａｘＷＯｙ粒子３２のうち一方のＮａｘＷＯｙ粒子３２は、カーボン粒子３０の表面に設けられている。また、複数のＮａｘＷＯｙ粒子３２のうち他方のＮａｘＷＯｙ粒子３２は、シリコン粒子３３の表面に設けられている。より詳しくは、シリコン粒子３３は、カーボン粒子３０の表面に密着（接触）しており、シリコン粒子３３の表面にＮａｘＷＯｙ粒子３２が密着（接触）している。カーボン粒子３０とＮａｘＷＯｙ粒子３２とシリコン粒子３３とは、複合化されていてもよい。または、カーボン粒子３０とシリコン粒子３３とが複合化され、カーボン粒子３０とＮａｘＷＯｙ粒子３２とが複合化されていてもよい。したがって、負極材料層２２の負極材料は、カーボン粒子３０とＮａｘＷＯｙ粒子３２とシリコン粒子３３とが複合化された構成であるが、更にカーボン粒子３０とシリコン粒子３３とが複合化された構成及びカーボン粒子３０とＮａｘＷＯｙ粒子３２とが複合化された構成の少なくともどちらかを含んでもよい。
　さらに、タングステン酸ナトリウムは、結晶構造上、ＮａｘＷＯｙの形態だけでなく、Ｎａ２ＷＯ４やＮａ５Ｗ１４Ｏ４４のような形態をとる場合もある。なお、Ｎａ２ＷＯ４は、Ｎａの価数が２、Ｗの価数が１、Ｏの価数が４のため、ＮａｘＷＯｙという化学式で表されるといえる。また、Ｎａ５Ｗ１４Ｏ４４は、Ｗの価数を１に換算すると、Ｎａ５／１４ＷＯ４４／１４という化学式で表されるため（すなわちＮａの価数が５／１４、Ｗの価数が１、Ｏの価数が４４／１４となるため）、ＮａｘＷＯｙという化学式で表されるといえる。すなわち、ＮａｘＷＯｙという化学式で表されるタングステン酸ナトリウムとは、Ｎａの価数とＷの価数とＯの価数との比率が、Ｘ：１：Ｙとなるタングステン酸ナトリウムを指すと言える。
　ここでの複合化とは、少なくとも外力が作用しない場合においては、シリコン粒子３３をカーボン粒子３０から引き離すこと、シリコン粒子３３をＮａｘＷＯｙ粒子３２から引き離すこと、及びＮａｘＷＯｙ粒子３２をカーボン粒子３０から引き離すことが不可能になっている状態を指す。例えば、外力とは、負極材料を使用した電池を作動させた際に、ＳＥＩ(Ｓｏｌｉｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ　Ｉｎｔｅｒｐｈａｓｅ)被膜が表層全体を覆って形成され膨張収縮される際の力をいう。
　例えば、複合化は、カーボン粒子３０の表面にシリコン粒子３３が配置されてシリコン粒子３３の表面にＮａｘＷＯｙ粒子３２が配置された複合体を形成すること、カーボン粒子３０の表面にＮａｘＷＯｙ粒子３２が配置されてＮａｘＷＯｙ粒子３２の表面にシリコン粒子３３が配置された複合体を形成すること、カーボン粒子３０の表面にシリコン粒子３３が配置された複合体を形成すること、カーボン粒子３０の表面にＮａｘＷＯｙ粒子３２が配置された複合体を形成すること、及びシリコン粒子３３の表面にＮａｘＷＯｙ粒子３２が配置された複合体を形成すること、及びカーボン粒子３０の表面にＮａｘＷＯｙ粒子３２とシリコン粒子３３が配置され、ＮａｘＷＯｙ粒子３２とシリコン粒子３３同士も密着(接触)することの少なくとも何れかを含む。
　負極材料層２２の負極材料に含まれるＮａｘＷＯｙ粒子３２は、ｙ（Ｏの価数）が３であることが好ましく、言い換えれば、ＮａｘＷＯ３であることが好ましい。また、負極材料層２２の負極材料に含まれるＮａｘＷＯｙ粒子３２は、ｘ（Ｎａの価数）が０より大きく１以下であり、かつｙ（Ｏの価数）が２以上４以下であることが好ましい。また、ＮａｘＷＯｙ粒子３２は、ｘの価数が０．１以上０．９５以下であり、かつｙが２．５以上３．５以下であることがより好ましく、ｘの価数が０．３以上０．７以下であり、かつｙが２．８以上３．２以下であることが更に好ましい。ｘ及びｙがこの範囲となることで、カーボン粒子３０の表面にＮａｘＷＯｙ粒子３２を適切に配置できる。なお、負極材料層２２の負極材料は、１種類のＮａｘＷＯｙ粒子３２のみを含んでいてもよいし、複数種類のＮａｘＷＯｙ粒子３２を含んでいてもよい。
　また、負極材料層２２の負極材料は、ＮａｘＷＯｙ粒子３２として、Ｎａ０．７８ＷＯ３、Ｎａ０．４８ＷＯ３、Ｎａ０．７２ＷＯ３、Ｎａ０．４４ＷＯ３、Ｎａ０．４９ＷＯ３、Ｎａ０．３３ＷＯ３、NaＮａ２ＷＯ４、及びＮａ５Ｗ１４Ｏ４４の少なくとも１つを含むことが好ましい。
　また、Ｎａ２ＷＯ４やＮａ５Ｗ１４Ｏ４４の少なくとも１つを含んでもよい。このように、本実施形態における負極材料層２２の負極材料は、タングステン酸ナトリウムとして、Ｎａ０．７８ＷＯ３、Ｎａ０．４８ＷＯ３、Ｎａ０．７２ＷＯ３、Ｎａ０．４４ＷＯ３、Ｎａ０．４９ＷＯ３、Ｎａ０．３３ＷＯ３、Ｎａ０．５８ＷＯ３、Ｎａ２ＷＯ４、及びＮａ５Ｗ１４Ｏ４４の少なくとも１つを含むことが好ましい。
　ＮａｘＷＯｙ粒子３２など、負極材料に含まれる化合物は、ＸＲＤ（Ｘ－Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）により測定できる。ＸＲＤでの測定条件は、例えば以下であってよい。
　・測定装置：(株）　リガク社製　Ultima　IV
　・使用管球：Ｃｕ
　・管電圧：４０ｋＶ
　・管電流：４０ｍＡ
　・走査範囲：５°～８０°
　・走査速度：２°／ｍｉｎ
　化合物を同定するためのデータベースとしては、粉末回折・結晶構造データベースの、ＩＣＤＤ（ＰＤＦ２．ＤＡＴ）、すなわち、ＩＣＤＤ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｅｎｔｅｒ　ｆｏｒ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ　Ｄａｔａ）のＰＤＦ２．ＤＡＴを使用してよい。そして、ＸＲＤで検出された結晶ピークに対して、統合粉末Ｘ線回折ソフトウェアであるＰＤＸＬ２を用いて、測定サンプル（ここでは負極材料）に含まれる化合物を特定してよい。具体的には、同ソフトウェアを用いてＦＯＭ（性能指数）が閾値以下となる化合物を抽出し、ＦＯＭが閾値以下となる化合物を、その測定サンプル（ここでは負極材料）に含まれる化合物として特定してよい。ＦＯＭは、０～１００の値をとり、値が小さいほど一致度が高い。ＦＯＭの閾値は、１０としてよい。すなわち例えば、負極材料の回折ピークの、ＩＣＤＤでのＮａ０．３ＷＯ３の回折ピークに対するＦＯＭが閾値（例えば１０）以下である場合、負極材料にＮａ０．３ＷＯ３が含まれると判断する。また例えば、分析対象物のＸ線回折分析結果におけるピーク波形が、カーボンのピーク波形を示すが、既知のグラファイト構造における（００２）ピーク波形がブロードになる場合に、アモルファスカーボンであると判断できる。
　ＮａｘＷＯｙ粒子３２は、立方晶の結晶構造のものと、正方晶の結晶構造のものと、三斜晶のものとの、少なくとも１つを含むことが好ましい。すなわち、負極材料は、ＮａｘＷＯｙ粒子３２として立方晶のもののみを有していてもよいし、正方晶のみを有していてもよいし、三斜晶のもののみを有していてもよいし、立方晶と正方晶との両方を有していてもよいし、立方晶と三斜晶との両方を有していてもよいし、正方晶と三斜晶との両方を有していてもよいし、立方晶と正方晶と三斜晶との全てを有していてもよい。負極材料層２２の負極材料は、ＮａｘＷＯｙ粒子３２として立方晶と正方晶との両方が含まれている場合、立方晶のＮａｘＷＯｙ粒子３２よりも、正方晶のＮａｘＷＯｙ粒子３２が多く含まれていてよい。また、三斜晶と他の結晶構造とが含まれる場合、他の結晶構造よりも三斜晶の含有量が少なくてもよい。
　立方晶のＮａｘＷＯｙとしては、例えば、Ｎａ０．３ＷＯ３、Ｎａ０．７８ＷＯ３、Ｎａ０．７２ＷＯ３、Ｎａ０．４４ＷＯ３、Ｎａ０．４９ＷＯ３、Ｎａ０．５８ＷＯ３、Ｎａ２ＷＯ４が挙げられ、正方晶のＮａｘＷＯｙとしては、例えば、Ｎａ０．１ＷＯ３、Ｎａ０．４８ＷＯ３、Ｎａ０．３３ＷＯ３、が挙げられ、三斜晶のＮａｘＷＯｙとしては、例えば、Ｎａ５Ｗ１４Ｏ４４が挙げられる。ただし、負極材料に含まれる三酸化タングステンの結晶構造はこれに限られず、例えば、他の結晶構造の三酸化タングステンを含んでもよい。また、負極材料は、非晶質の三酸化タングステンを含んでいてもよい。
　なお、ＮａｘＷＯｙ粒子３２の結晶構造も、負極材料に含まれる化合物の同定と同様の方法で同定できる。すなわち例えば、負極材料の回折ピークの、ＩＣＤＤでの立方晶のＮａ０．３ＷＯ３の回折ピークとのＦＯＭが閾値（例えば１０）以下である場合に、負極材料に立方晶のＮａ０．３ＷＯ３が含まれると判断する。
　ＮａｘＷＯｙ粒子３２の平均粒径は、カーボン粒子３０の平均粒径より小さいことが好ましい。ＮａｘＷＯｙ粒子３２の平均粒径は、１００ｎｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。
　このように、負極材料は、カーボン粒子３０の表面に、粒子状のタングステン酸ナトリウム（ＮａｘＷＯｙ粒子３２）及びシリコン材料（シリコン粒子３３）が設けられた構造となっているが、それに限られない。負極材料は、カーボンの表面にタングステン酸ナトリウム及びシリコン材料が設けられる構造であればよく、カーボンの表面に設けられるタングステン酸ナトリウム及びシリコン材料の形状は、任意であってよい。本実施形態では、シリコン粒子３３として、シリコン微粒子を用いたが、シリコン化合物微粒子を用いてもよい。
　負極材料におけるタングステン酸ナトリウム（ＮａｘＷＯｙ粒子３２）の含有量は、蛍光Ｘ線分析によってＮａ、Ｗ、Ｏの含有量を測定することで確認できる。すなわち、蛍光Ｘ線分析で検出されたＮａ、Ｗ、Ｏの全量の内の少なくとも一部が、タングステン酸ナトリウム（ＮａｘＷＯｙ粒子３２）を構成するため、Ｎａ、Ｗ、Ｏの含有量によってタングステン酸ナトリウムの含有量が確認できる。
　負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、Ｎａの含有量が、質量比率で０．０１％以上０．５％以下であり、Ｗの含有量が、質量比率で０．５％以上２０％以下であり、Ｏの含有量が、質量比率で１％以上１５％以下であることが好ましい。また、負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、Ｎａの含有量が、質量比率で０．０２％以上０．４％以下であり、Ｗの含有量が、質量比率で０．７％以上１７％以下であり、Ｏの含有量が、質量比率で２％以上１３％以下であることがより好ましい。また、負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、Ｎａの含有量が、質量比率で０．０３％以上０．３％以下であり、Ｗの含有量が、質量比率で１％以上１５％以下であり、Ｏの含有量が、質量比率で３％以上１２％以下であることが更に好ましい。Ｎａ、Ｗ、Ｏの含有量がこれらの範囲となることで、タングステン酸ナトリウムが適量含有され、炭素の表面に適切にタングステン化合物を配置できる。
　負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、Ｃの含有量が、質量比率で、６０％以上９５％以下であることが好ましく、６５％以上９５％以下であることがより好ましく、７０％以上９２％以下であることが更に好ましい。Ｃの含有量がこの範囲となることで、炭素の表面に適切にタングステン化合物を配置できる。
　負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、Ｗの含有量に対するＮａの含有量の比率であるＮａ／Ｗが、質量比率で、０．００１以上０．２以下であることが好ましく、０．００５以上０．１５以下であることがより好ましく、０．００７以上０．１５以下であることが更に好ましい。また、負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、Ｃの含有量に対するＷの含有量の比率であるＷ／Ｃが、質量比率で、０．００５以上０．３以下であることが好ましく、０．００８以上０．２５以下であることがより好ましく、０．０１以上０．２以下であることが更に好ましい。含有量の比率がこれらの範囲となることで、炭素の表面に適切にタングステン化合物を配置できる。
　負極材料におけるシリコン粒子３３の含有量は、蛍光Ｘ線分析によってＳｉの含有量を測定することで確認できる。すなわち、蛍光Ｘ線分析で検出されたＳｉの全量の内の少なくとも一部が、シリコン粒子３３を構成する。
　負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、Ｓｉの含有量が、質量比率で、１％以上１５％以下であることが好ましく、２％以上１２％以下であることがより好ましく、３％以上１０％以下であることが更に好ましい。Ｓｉの含有量がこの範囲となることで、炭素の表面に適切にシリコン粒子３３を配置できる。
　負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、Ｃの含有量に対するＳｉの含有量の比率であるＳｉ／Ｃが、質量比率で、０．０１以上０．３以下であることが好ましく、０．０２以上０．２５以下であることがより好ましく、０．０３以上０．１５以下であることが更に好ましい。また、負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、Ｗの含有量に対するＳｉの含有量の比率であるＳｉ／Ｗが、質量比率で、０．１以上１５以下であることが好ましく、０．１５以上１２以下であることがより好ましく、０．２以上１０以下であることが更に好ましい。また、負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、Ｏの含有量に対するＳｉの含有量の比率であるＳｉ／Ｏが、質量比率で、０．１以上２以下であることが好ましく、０．２以上１．５以下であることがより好ましく、０．３以上１．３以下であることが更に好ましい。含有量の比率がこれらの範囲となることで、炭素の表面に適切にタングステン化合物を配置できる。
　蛍光Ｘ線分析は、波長分散型蛍光Ｘ線分析装置を用いて行ってよく、測定条件は以下であってよい。
　・測定装置：(株）　リガク社製　ZSX　PrimusIV
　・管電圧：３０ｋＶ
　・管電流：１００ｍＡ
　測定方法としては、スタンダードレス・ファンダメンタル・パラメータ法を用い、解析にはリガク社のＳＱＸ散乱線ＦＰ法を用いてよい。
　なお、負極材料層２２は、負極材料（カーボン粒子３０、ＮａｘＷＯｙ粒子３２及びシリコン粒子３３）以外の物質を含んでよい。負極材料層２２は、例えば、バインダを含んでよい。バインダの材料は任意であってよいが、例えば、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、スチレンブタジエンラバー（ＳＢＲ）、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）等が挙げられる。バインダは１種類のみで使用されてもよいし、２種以上が組み合わされて使用されてもよい。ただし、カーボン粒子３０がアモルファスカーボンの場合、負極材料層２２は、言い換えれば負極材料は、黒鉛を含まないことが好ましい。
　また、ＮａｘＷＯｙ粒子３２及びシリコン粒子３３がカーボン粒子３０の表面に配置されていることは、ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）や、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）などの電子顕微鏡で観察することで、確認することができる。
　また、負極材料層２２の負極材料は、シリコン粒子３３が、カーボン粒子３０の表面に密着（接触）し、ＮａｘＷＯｙ粒子３２が、カーボン粒子３０の表面に密着（接触）していてもよい。この場合は、カーボン粒子３０とシリコン粒子３３とが複合化され、カーボン粒子３０とＮａｘＷＯｙ粒子３２とが複合化されていてもよい。
　このように、負極材料は、カーボン粒子３０の表面に、粒子状のタングステン酸ナトリウム（ＮａｘＷＯｙ粒子３２）及びシリコン粒子３３が設けられた構造となっているが、それに限られない。負極材料は、カーボンの表面にタングステン酸ナトリウム及びシリコン材料が設けられる構造であればよく、カーボンの表面に設けられるタングステン酸ナトリウム及びシリコン材料の形状は、任意であってよい。
　（シリコン材料）
　図３は、添加される前のシリコン材料の模式的な断面図である。図３に示すように、シリコン粒子３３は、Ｓｉ層３３Ａと酸化層３３Ｂとを含む。Ｓｉ層３３Ａは、Ｓｉで構成される層であり、シリコン粒子３３のコアとなる部分といえる。Ｓｉ層３３Ａは、不可避的不純物を除き、Ｓｉ以外の元素を含まないことが好ましい。酸化層３３Ｂは、Ｓｉ層３３Ａの表面に形成される層であり、Ｓｉ層３３Ａの表面の全域を覆っていることが好ましい。酸化層３３Ｂは、シリコン粒子３３の最も外側の表面となる層といえる。酸化層３３Ｂは、シリコンの酸化物（ＳｉＯｘ）で構成される層である。酸化層３３Ｂは、シリコン酸化物としてＳｉＯ２を含むが、ＳｉＯ２以外のシリコン酸化物を含んでよく、例えばＳｉＯを含んでもよい。酸化層３３Ｂは、不可避的不純物を除き、シリコンの酸化物を構成する元素以外の元素を含まないことが好ましい。
　（ＸＰＳに基づくシリコン材料の特性）
　次に、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて測定した場合における、シリコン粒子３３の特性について説明する。以降においては、特に断りが無い限り、Ｘ線光電子分光法の測定条件を、以下とする。
　・測定装置：ＰＨＩ５０００　Ｖｅｒｓａ　ＰｒｏｂｅII　（アルバック・ファイ社製）
　・励起Ｘ線：モノクロＡｌＫα線
　・出力：５０Ｗ
　・パスエネルギー：１８７．８５ｅＶ（Ｓｕｒｖｅｙ）、４６．９５ｅＶ（Ｎａｒｒｏｗ）
　・測定間隔：０．８ｅＶ／ｓｔｅｐ（Ｓｕｒｖｅｙ）、０．１ｅＶ／ｓｔｅｐ（Ｎａｒｒｏｗ）
　・試料面に対する光電子取り出し角：４５°
　・Ｘ線径：２００μｍ
　（ＳｉＯ２由来のＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉの量の比率）
　シリコン粒子３３は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、３．０以上であり、３．５以上であることが好ましく、４以上であることがより好ましい。
　ここでの表層とは、表面から、光電子が試料内から脱出できる深さまでの範囲のことで、例えば、論文Ｊ．Ｄ．Ｌｅｅ　ｅｔ　ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ　ｓｕｒｆａｃｅ　ａｎａｌｙｓｉｓ　Ｖｏｌ１６，Ｎｏ．１　（２００９）ＰＰ．４２－６３の図５に記載されている。また、シリコン粒子３３を、上記の測定条件でＸ線光電子分光法により測定した場合に、光電子が観測できる深さ範囲を、表層といってもよい。
　試料面に対する光電子の取り出し角が４５°であるので、Ｓｉウエハのような平面の場合には、検出される光電子の測定深さｄ´＝ｄｃｏｓθ（θは試料面に対する光電子取り出し角度、ｄは光電子の脱出深さ）より、θ＝９０°の場合の０．７１倍になる。しかし、今回は粒子状のシリコンを平板の上に敷き詰めて測定を行ったので、検出器に向いている個々の粒子の面からの光電子が主と考えられるので、試料面に対する光電子取り出し角度の補正は行わなかった。
　また、Ｓｉ２ｐのＳｉとは、Ｘ線光電子分光法によって２ｐ軌道の電子が飛び出したＳｉ原子を指す。ＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉとは、Ｘ線光電子分光法によって２ｐ軌道の電子が飛び出した、ＳｉＯ２を構成するＳｉを指し、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉとは、Ｘ線光電子分光法によって２ｐ軌道の電子が飛び出した、単体シリコン（金属シリコン）を構成するＳｉを指す。
　表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率とは、表層（ここでは例えば、シリコン粒子３３の最表面から、最表面よりもおよそ６オングストローム深い位置まで）における、２ｐ軌道の電子が飛び出したＳｉＯ２由来のＳｉ（Ｓｉ原子）の原子濃度に対する、２ｐ軌道の電子が飛び出した単体シリコン由来のＳｉ（Ｓｉ原子）の原子濃度の比率を指す。シリコン粒子３３は、ＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉに対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率がこの範囲（３．０以上）となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、負極材料の容量を向上できる。また、表面の酸化層が薄くなるので、Ｌｉイオンの侵入と脱離が容易になり、インピーダンスが低下する。また、シリコン粒子３３は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、９以下であることが好ましく、１９以下であることがより好ましく、９９以下であることがさらに好ましい。シリコン粒子３３は、ＳｉＯ２の量に対するＳｉの量の比率がこの範囲（９９以下）となることで、過度にシリコン材料の酸化を防止するための設備やプロセスを準備する必要がなくなり、負極材料の容量を向上させつつ、生産性の低下を抑制できる。このように、Ｘ線光電子分光法を用いてシリコン粒子３３を測定した場合において、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、３以上９以下であることが好ましく、３以上１９以下であることがより好ましく、３以上９９以下であることがさらに好ましい。また、Ｘ線光電子分光法を用いてシリコン粒子３３を測定した場合において、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、３．５以上９以下であることが好ましく、３．５以上１９以下であることがより好ましく、３．５以上９９以下であることがさらに好ましい。さらに、Ｘ線光電子分光法を用いてシリコン粒子３３を測定した場合において、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、４以上９以下であることが好ましく、４以上１９以下であることがより好ましく、４以上９９以下であることがさらに好ましい。
　なお例えば、ＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量が１％のとき、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉは９９％になるので、その比をとると、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、９９となる。同様に、ＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量が５％のとき、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉは９５％になるので、その比をとると、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、１９となる。
　ここで、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、ＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量と単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量との比率の算出方法について説明する。図４は、シリコン材料のＸＰＳによる測定結果を示すサーベイスペクトルの一例を示す図であり、図５は、シリコン材料のＸＰＳによる測定結果を示すＳｉ２ｐのナロースペクトルの一例を示す図であり、図６は、シリコン材料のＸＰＳによる測定結果を示すＳｉ２ｐのナロースペクトルのピーク分離の一例を示す図であり、図７は、シリコン材料のＸＰＳによる測定結果を示すＯ１ｓのナロースペクトルの一例を示す図である。図４は、ワイドスキャン分析におけるシリコン粒子３３のピーク波形Ｐの一例であり、結合エネルギー１００ｅＶ付近のピーク波形Ｐ１が、Ｓｉ２ｐのピークを示している。図５は、ピーク波形Ｐ１近傍のナロースキャン分析におけるシリコン粒子３３のナロースペクトルの一例であり、バックグラウンドが除去されてＳｉ２ｐのピークが抽出されたものとなっている。ここで、ＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉと単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉとは、結合状態の違いにより、結合エネルギーが異なる。従って、図６に示すように、ピーク波形Ｐ１を、単体シリコン由来のＳｉ２ｐを示すピーク波形Ｐ１Ａと、ＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐを示すピーク波形Ｐ１Ｂとに分離できる。ピーク波形Ｐ１Ａは、結合エネルギー９９ｅＶ近傍に１つのピークを有する波形であり、ピーク波形Ｐ１Ｂは、結合エネルギー１０３ｅＶ近傍に１つのピークを有する波形である。ピーク波形からのバックグランド除去は、Ｘ線光電子分光装置に付属しているＭｕｌｔｉｐａｋ　ｖｅｒｓｉｏｎ９．９．０．８をソフトウェアとして用いて、ベースラインの補正は主にＳｈｉｒｌｅｙ法で行った。
　本実施形態では、ピーク波形Ｐ１Ｂの面積に対するピーク波形Ｐ１Ａの面積の比率を、原子濃度基準での、ＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率として算出する。
　（Ｓｉ由来Ｓｉ濃度割合）
　また、シリコン粒子３３の表層における、全てのＳｉ２ｐのＳｉ（２ｐ軌道の電子が飛び出した全てのＳｉ）の原子濃度に対する、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの原子濃度の比率を、Ｓｉ由来のＳｉ濃度割合（第１Ｓｉ濃度）とする。Ｓｉ由来のＳｉ濃度割合は、ピーク波形Ｐ１の面積に対するピーク波形Ｐ１Ａの面積の比率として算出できる。Ｓｉ由来のＳｉ濃度割合は、７５％以上であることが好ましく、７７％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがさらに好ましい。Ｓｉ由来のＳｉ濃度割合がこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、負極材料の容量を向上できる。また、Ｓｉ由来のＳｉ濃度割合は、９０％以下であることが好ましく、９５％以下であることがより好ましく、９９％以下であることがさらに好ましい。Ｓｉ由来のＳｉ濃度割合がこの範囲となることで、過度にシリコン材料の酸化を防止するための設備やプロセスを準備する必要がなくなり、負極材料の容量を向上させつつ、生産性の低下を抑制できる。
　（ＳｉＯ２由来のＳｉ濃度割合）
　また、シリコン粒子３３の表層における、全てのＳｉ２ｐのＳｉの原子濃度に対する、ＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの原子濃度の比率を、ＳｉＯ２由来のＳｉ濃度割合とする。ＳｉＯ２由来のＳｉ濃度割合は、ピーク波形Ｐ１の面積に対するピーク波形Ｐ１Ｂの面積の比率として算出できる。ＳｉＯ２由来のＳｉ濃度割合は、２５％以下であることが好ましく、２４％以下であることがより好ましく、２０％以下であることがさらに好ましい。ＳｉＯ２由来のＳｉ濃度割合がこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、負極材料の容量を向上できる。また、ＳｉＯ２由来のＳｉ濃度割合は、１０％以上であることが好ましく、５％以上であることがより好ましく、１％以上であることがさらに好ましい。ＳｉＯ２由来のＳｉ濃度割合がこの範囲となることで、過度にシリコン材料の酸化を防止するための設備やプロセスを準備する必要がなくなり、負極材料の容量を向上させつつ、生産性の低下を抑制できる。
　（Ｏの量に対するＳｉの量の比率）
　シリコン粒子３３は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層のＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、１．０以上であることが好ましく、１．１以上であることがより好ましく、１．３以上であることがさらに好ましい。
　Ｏ１ｓのＯとは、Ｘ線光電子分光法によって１ｓ軌道の電子が飛び出したＯ原子を指す。
　表層におけるＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率とは、シリコン粒子３３の表層（例えば、最表面から、最表面よりもおよそ１０オングストローム深い位置まで）における、Ｏ１ｓのＯ（１ｓ軌道の電子が飛び出したＯ原子）の原子濃度に対する、シリコン粒子３３の表層（例えば、最表面よりもおよそ６オングストローム深い位置まで）における、Ｓｉ２ｐのＳｉ（２ｐ軌道の電子が飛び出したＳｉ原子）の原子濃度の比率を指す。シリコン粒子３３は、Ｏ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率がこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、負極材料の容量を向上できる。特に、ＳｉＯ２以外のシリコン酸化物（例えばＳｉＯなど）も、容量の向上を抑制する因子として作用する可能性があり、そのような場合に、Ｏの量に対するＳｉの量の比率が上記範囲となることで、ＳｉＯ２以外のシリコン酸化物の量も少なくして、容量を適切に向上できる。また、シリコン粒子３３は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、４以下であることが好ましく、９以下であることがより好ましく、９９以下であることがさらに好ましい。シリコン粒子３３は、Ｏの量に対するＳｉの量の比率がこの範囲となることで、過度に純粋なＳｉを準備する必要がなくなり、負極材料の容量を向上させつつ、生産性の低下を抑制できる。このように、Ｘ線光電子分光法を用いてシリコン粒子３３を測定した場合において、表層のＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、１．０以上４以下であることが好ましく、１．０以上９以下であることがより好ましく、１．０以上９９以下であることがさらに好ましい。また、Ｘ線光電子分光法を用いてシリコン粒子３３を測定した場合において、表層のＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、１．１以上４以下であることが好ましく、１．１以上９以下であることがより好ましく、１．１以上９９以下であることがさらに好ましい。さらに、Ｘ線光電子分光法を用いてシリコン粒子３３を測定した場合において、表層のＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの比率が、原子濃度基準で、１．３以上４以下であることが好ましく、１．３以上９以下であることがより好ましく、１．３以上９９以下であることがさらに好ましい。
　なお例えば、Ｏ濃度が２０ａｔ％でＳｉ濃度が８０％のとき、表層のＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの比率は、４となり、Ｏ濃度が５ａｔ％でＳｉ濃度が９５％のとき、表層のＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの比率は、１９となる。
　ここで、Ｘ線光電子分光法で測定した場合のＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率の算出方法について説明する。図４のサーベイスペクトルと呼ぶ、定性分析をおこなう。次に、サーベイスペクトルの測定で存在が確認された元素について、各元素ごとに決まっている軌道準位に対応した結合エネルギーのナロースペクトルを測定する。例えば、図５はＳｉ２ｐのナロースペクトルを、図７はＯ１ｓのナロースペクトルをそれぞれ示す。これ以外に、微量の元素があれば、同様にその元素のナロースペクトルを測定する。各ナロースペクトルのバックグラウンド補正を行い、ピーク面積を求める。このピーク面積に各元素の軌道準位に対応した感度係数をかけて、その元素の濃度とする。一連の濃度計算は、ＰＨＩ５０００　Ｖｅｒｓａ　ＰｒｏｂｅIIに付属している解析ソフト、Ｍｕｌｔｉ　Ｐａｃｋを用いて求めることが出来る。そのようにして求めた結果が、図１０のＳｉ濃度（第２Ｓｉ濃度）とＯ濃度である。この濃度からＳｉ／Ｏの比を求めた。
　すなわち、上記のように求めたＯ濃度に対するＳｉ濃度の比率が、Ｓｉ／Ｏ比、すなわち、Ｏ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率となる。
　（Ｓｉ濃度）
　Ｓｉ濃度は、５０ａｔ％以上であることが好ましく、５２ａｔ％以上であることがより好ましく、５５ａｔ％以上であることがさらに好ましい。Ｓｉ濃度がこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、負極材料の容量を向上できる。また、Ｓｉ濃度は、８０ａｔ％以下であることが好ましく、９０ａｔ％以下であることがより好ましく、９９ａｔ％以下であることがさらに好ましい。Ｓｉ濃度がこの範囲となることで、過度にシリコン材料の酸化を防止するための設備やプロセスを準備する必要がなくなり、負極材料の容量を向上させつつ、生産性の低下を抑制できる。
　（Ｏ濃度）
　Ｏ濃度は、４６ａｔ％以下であることが好ましく、４０ａｔ％以下であることがより好ましく、３０ａｔ％以下であることがさらに好ましい。Ｏ濃度がこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、負極材料の容量を向上できる。また、Ｏ濃度は、１ａｔ％以上であることが好ましく、１０ａｔ％以上であることがより好ましく、２０ａｔ％以上であることがさらに好ましい。Ｏ濃度がこの範囲となることで、過度にシリコン材料の酸化を防止するための設備やプロセスを準備する必要がなくなり、負極材料の容量を向上させつつ、生産性の低下を抑制できる。
　（酸化層の厚み）
　シリコン粒子３３は、酸化層３３Ｂの厚みが、２.３オングストローム以下であることが好ましく、２．０オングストローム以下であることがより好ましく、１．５オングストローム以下であることがより好ましく、１．３オングストローム以下であることがさらに好ましい。酸化層３３Ｂの厚みがこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、負極材料の容量を向上できる。さらに、カーボン粒子３０やＮａｘＷＯｙ粒子３２との接触抵抗を下げることができ、電荷の移動度が向上する。また、酸化層３３Ｂの厚みは、０．７オングストローム以上であることが好ましく、０．３オングストローム以上であることがより好ましく、０．０６オングストローム以上であることがさらに好ましい。酸化層３３Ｂの厚みがこの範囲となることで、過度に純粋なＳｉを準備する必要がなくなり、負極材料の容量を向上させつつ、生産性の低下を抑制できる。なお、酸化層３３Ｂの厚みは、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層における、単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対するＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率（ＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率の逆数）に、Ｓｉ２ｐのＳｉの光電子の脱出深さ６オングストロームを乗じることで算出される。
　（体積平均粒径に基づくシリコン材料の特性）
　次に、体積平均粒径に基づくシリコン粒子３３の特性について説明する。
　（体積平均粒子径）
　シリコン粒子３３の、レーザ回折散乱法によって測定される体積平均粒子径（体積基準の平均粒子径）を、以下、体積平均粒子径と記載する。
　（体積平均粒径に基づく酸化層の体積比率）
　シリコン粒子３３を球形と仮定し体積平均粒子径を用いて体積を算出した場合の、シリコン粒子３３の全体の体積に対する酸化層３３Ｂの体積の比率を、体積平均粒子径に基づく酸化層３３Ｂの体積比率とする。この場合、体積平均粒子径に基づく酸化層３３Ｂの体積比率は、０．０６％以下であることが好ましく、０．０５％以下であることがより好ましく、０．０４％以下であることがさらに好ましい。体積比率がこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、負極材料の容量を向上できる。さらに、カーボン粒子３０やＮａｘＷＯｙ粒子３２との接触抵抗を下げることができ、電荷の移動度が向上する。また、体積平均粒子径に基づく酸化層３３Ｂの体積比率は、０．０１５％以上であることが好ましく、０．０１％以上であることがより好ましく、０．００１％以上であることがさらに好ましい。体積比率がこの範囲となることで、過度にシリコン材料の酸化を防止するための設備やプロセスを準備する必要がなくなり、負極材料の容量を向上させつつ、生産性の低下を抑制できる。
　体積平均粒子径に基づく酸化層３３Ｂの体積比率は、次のように算出できる。すなわち、シリコン粒子３３を球形（真球）と仮定して、体積平均粒子径をシリコン粒子３３の径として用いて、シリコン粒子３３の体積を算出する。そして、体積平均粒子径から、上記のように算出した酸化層３３Ｂの厚みを差し引いてＳｉ層３３Ａの径を算出し、Ｓｉ層３３Ａを球形（真球）と仮定して、Ｓｉ層３３Ａの径を用いてＳｉ層３３Ａの体積を算出する。このように算出したシリコン粒子３３の体積から、Ｓｉ層３３Ａの体積を差し引いた値を、酸化層３３Ｂの体積とする。そして、シリコン粒子３３の体積に対する、酸化層３３Ｂの体積の比率を、体積平均粒子径に基づく酸化層３３Ｂの体積比率とする。
　（Ｄ５０に基づくシリコン材料の特性）
　次に、Ｄ５０に基づくシリコン粒子３３の特性について説明する。
　（Ｄ５０）
　レーザ回折散乱法によって測定される体積基準の粒度分布において、累積度数が５０体積％の粒子径を、Ｄ５０とする。
　（Ｄ５０に基づく酸化層の体積比率）
　ここで、シリコン粒子３３を球形と仮定しＤ５０を用いて体積を算出した場合の、シリコン粒子３３の全体の体積に対する酸化層３３Ｂの体積の比率を、Ｄ５０に基づく酸化層３３Ｂの体積比率とする。この場合、Ｄ５０に基づく酸化層３３Ｂの体積比率は、０．４％以下であることが好ましく、０．３％以下であることがより好ましく、０．２５％以下であることがさらに好ましい。体積比率がこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、負極材料の容量を向上できる。また、Ｄ５０に基づく酸化層３３Ｂの体積比率は、０．１３％以上であることが好ましく、０．０５％以上であることがより好ましく、０．０１％以上であることがさらに好ましい。体積比率がこの範囲となることで、過度にシリコン材料の酸化を防止するための設備やプロセスを準備する必要がなくなり、負極材料の容量を向上させつつ、生産性の低下を抑制できる。
　Ｄ５０に基づく酸化層３３Ｂの体積比率は、次のように算出できる。すなわち、シリコン粒子３３を球形（真球）と仮定して、Ｄ５０をシリコン粒子３３の径として用いて、シリコン粒子３３の体積を算出する。そして、Ｄ５０から、上記のように算出した酸化層３３Ｂの厚みを差し引いてＳｉ層３３Ａの径を算出し、Ｓｉ層３３Ａを球形（真球）と仮定して、Ｓｉ層３３Ａの径を用いて、Ｓｉ層３３Ａの体積を算出する。このように算出したシリコン粒子３３の体積から、Ｓｉ層３３Ａの体積を差し引いた値を、酸化層３３Ｂの体積とする。そして、シリコン粒子３３の体積に対する、酸化層３３Ｂの体積の比率を、Ｄ５０に基づく酸化層３３Ｂの体積比率とする。
　（正極）
　図１に示す正極１６は、集電層と正極材料層とを備える。正極１６の集電層は、導電性部材で構成される層であり、ここでの導電性部材としては、例えばアルミニウムが挙げられる。正極材料層は、正極材料の層であり、正極１６の集電層の表面に設けられる。正極の集電層の厚みは、例えば、１０μｍ以上３０μｍ以下程度であってよく、正極材料層の厚みは、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下程度であってよい。
　正極材料層は、正極材料を含む。正極材料は、リチウムを含有する化合物であるリチウム化合物の粒子を含む。リチウム化合物としては、リチウム含有金属酸化物やリチウム含有リン酸塩などであってよい。より詳しくは、リチウム化合物は、ＬｉＣｏＯ２、ＬｉＮｉＯ２、ＬｉＭｎＯ２、ＬｉＭｎ２Ｏ４、ＬｉＮｉａＣｏｂＭｎｃＯ２（ただし、０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、０＜ｃ＜１、ａ＋ｂ＋ｃ＝１である）、ＬｉＦｅＰＯ４等が挙げられる。リチウム化合物は、１種類の材料のみを含んでもよいし、２種類以上の材料を含んでもよい。また、正極材料層は、正極材料以外の物質を含んでよく、例えば、バインダを含んでよい。バインダの材料は任意であってよいが、例えば、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ＰＡＡ等が挙げられる。バインダは１種類のみで使用されてもよいし、２種以上が組み合わされて使用されてもよい。
　（セパレータ）
　図１に示すセパレータ１８は、絶縁性の部材である。本実施形態では、セパレータ１８は、例えば、樹脂製の多孔質膜であり、樹脂としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）などが挙げられる。また、セパレータ１８は、異なる材料の膜が積層された構造であってもよい。また、セパレータ１８は、耐熱層を有していてもよい。耐熱層は、高融点の物質を含有する層である。耐熱層は、たとえば、アルミナ等の無機材料の粒子を含有してもよい。
　（電解液）
　電池１に設けられる電解液は、非水電解液である。電解液は、電極群１２内の空隙に含浸されている。電解液は、例えば、リチウム塩および非プロトン性溶媒を含む。リチウム塩は、非プロトン性溶媒に分散、溶解している。リチウム塩としては、たとえば、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、Ｌｉ［Ｎ（ＦＳＯ２）２］、Ｌｉ［Ｎ（ＣＦ３ＳＯ２）２］、Ｌｉ［Ｂ（Ｃ２Ｏ４）２］、ＬｉＰＯ２Ｆ２などが挙げられる。非プロトン性溶媒は、例えば、環状炭酸エステルおよび鎖状炭酸エステルの混合物であってよい。環状炭酸エステルとしては、たとえば、ＥＣ、ＰＣ、ブチレンカーボネート等が挙げられる。鎖状炭酸エステルとしては、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）、エチルメチルカーボネート（ＥＭＣ）、ジエチルカーボネート（ＤＥＣ）等が挙げられる。
　（電池の製造方法）
　次に、本実施形態に係る電池１の製造方法の一例を説明する。本製造方法は、酸素濃度が５％以下の雰囲気下でシリコン原料を準備するステップと、シリコン原料を用いて、カーボンの表面に、タングステン酸ナトリウムとシリコン材料とを設けて負極材料を製造するステップと、正極材料を製造するステップとを含む。
　（シリコン原料を準備するステップ）
　図８は、シリコン原料を準備するステップを説明するフローチャートである。シリコン原料は、シリコン粒子３３の原料である。図８に示すように、シリコン原料を準備するステップは、破砕工程Ｓ１と、粗粉砕工程Ｓ２と、粉砕工程Ｓ３と、を含む。
　シリコン原料を準備するステップは、酸素濃度が５％以下の雰囲気下でシリコン母材を粉砕してシリコン原料を準備することが好ましく、酸素濃度は３％以下であることがより好ましく、酸素濃度は１％以下であることがより好ましく、０．１％以下であることがさらに好ましい。酸素濃度がこのように低いことで、破砕後に現れるシリコンの新生面の酸化および破砕前の表面に形成されていた酸化層の厚みがさらに厚くなることを抑制して容量の低下を抑制できる。なお、酸素濃度は、泰榮エンジニアリング株式会社製　酸素モニタＯＭ－２５ＭＦ０１によって、また、酸素濃度が１％より低い場合は、株式会社イチネンジコー製　低濃度酸素モニター　ＪＫＯ－Ｏ２ＬＪＤ３で測定できる。また、粗粉砕工程Ｓ２と粉砕工程Ｓ３とにおいて、酸素濃度を上記範囲とすることが好ましく、破砕工程Ｓ１と粗粉砕工程Ｓ２と粉砕工程Ｓ３との全ての工程において、酸素濃度を上記範囲とすることがより好ましい。
　（破砕工程）
　破砕工程Ｓ１は、シリコン塊状物を破砕してシリコン破砕物を得る工程である。シリコン塊状物のサイズは、特に制限はない。シリコン塊状物の形状は、特に制限はなく、例えば、柱状、板状、粒状であってもよい。シリコン塊状物としては、シリコンチャンク、チャンク以外の多結晶シリコン、単結晶シリコンと柱状晶シリコンインゴットの塊、モニター用シリコンウエハ、ダミー用シリコンウエハ、粒状シリコンを用いることができる。
　シリコン塊状物を破砕するための破砕装置としては特に制限はなく、例えば、ハンマークラッシャー、ジョークラッシャー、ジャイレクトリークラッシャー、コーンクラッシャー、ロールクラッシャー、インパクトクラッシャーを用いることができる。シリコン塊状物の破砕によって得られるシリコン破砕物のサイズは、最長径が１ｍｍを超え５ｍｍ以下の範囲内にあることが好ましい。
　（粗粉砕工程）
　粗粉砕工程Ｓ２は、シリコン破砕物を粗粉砕してシリコン粗粒子を得る工程である。粗粉砕工程Ｓ２で得られるシリコン粗粒子は、ふるい法により分別される最大粒子径が１０００μｍ以下であることが好ましい。このため、粗粉砕工程Ｓ２は、粗粉砕によって得られた粗粉砕物を目開き１０００μｍのふるいを用いて分級して、最大粒子径が１０００μｍ以下の粗粒子を回収する工程を含むことが好ましい。シリコン粗粒子のサイズが１０００μｍを超えると、次の粉砕工程Ｓ３でシリコン粗粒子が十分に粉砕されずに、その粒子が混入するおそれがある。シリコン粗粒子の最大粒子径は、５００μｍ以下であることが特に好ましい。
　粗粉砕は、乾式及び湿式のうちいずれの方式で行ってもよいが、乾式で行うことが好ましい。シリコン破砕物を粗粉砕するための粉砕装置としては特に制限はなく、例えば、ボールミル（遊星ボールミル、振動ボールミル、転動ボールミル、撹拌ボールミル）、ジェットミル、三次元ボールミルを用いることができる。
　（粉砕工程）
　粉砕工程Ｓ３は、シリコン粗粒子を粉砕してシリコン原料（シリコン微粒子）を得る工程である。粉砕工程Ｓ３では、例えば、ボールミル（遊星ボールミル、振動ボールミル、転動ボールミル、撹拌ボールミル）、ジェットミル、三次元ボールミルを用いることができる。粉砕装置として、株式会社ナガオシステムの三次元ボールミルを用いることが好ましい。
　硬質ボールとしては、ジルコニア（ＺｒＯ２）ボールやアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いることができる。硬質ボールの粒子径は、０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下の範囲内にあることが好ましい。硬質ボールの粒子径がこの範囲内あると、シリコン粗粒子を効率よく粉砕することができる。硬質ボールの使用量は、シリコン粗粒子１００質量部に対する量として５００質量部以上２５００質量部以下の範囲内にあることが好ましい。硬質ボールの使用量がこの範囲内にあると、シリコン粗粒子を効率よく粉砕することができる。硬質ボールの使用量は１０００質量部以上２０００質量部以下の範囲内にあることがより好ましく、１１００質量部以上１５００質量部以下の範囲内にあることが特に好ましい。
　三次元ボールミルの容器中のシリコン粗粒子と硬質ボールの充填率は、容器の容量に対するシリコン粗粒子と硬質ボールの合計体積の量として３％以上３５％以下の範囲内にあることが好ましい。充填率が少なくなりすぎると粉砕効率が低下して製造コストが高くなるおそれがある。一方、充填率が多くなりすぎると、粉砕が進行しにくくなり、得られるシリコン原料の平均粒子径が大きくなる、もしくはシリコン粗粒子が十分に粉砕されずに、その粒子が残るおそれがある。シリコン粗粒子と硬質ボールの充填率は、１５％以上３０％以下の範囲内にあることがより好ましく、２０％以上３０％以下の範囲内にあることが特に好ましい。なお、充填率は、容器の内部が原料とボールで隙間なく充填されているときを１００％と仮定した体積である。例えば、球状の容器の半分まで原料と硬質ボールで充填されていれば５０％、球状の容器の１／２の高さまで原料と硬質ボールで充填されていれば１５．６％である。
　容器は、非酸化性ガスが充填されていることが好ましい。非酸化性ガスが充填された容器を用いることによって、シリコン微粒子の吸湿による粒子の凝集やシリコン微粒子の酸化を抑制することができる。非酸化性ガスとしては、アルゴン、窒素、二酸化炭素を用いることができる。
　本実施形態のシリコン原料の製造方法は、粗粉砕工程Ｓ２において、ふるい法により測定される最大粒子径が１０００μｍ以下であるシリコン粗粒子を用意し、次の粉砕工程Ｓ３において、三次元ボールミルを用いて、所定の条件でシリコン粗粒子を粉砕する。このため、微細で、かつ粗大な凝集粒子を形成しにくく、他の原料粒子と混合する際の分散性が高いシリコン原料を工業的に有利に製造することができる。
　以上、シリコン原料の製造方法について説明したが、製造方法は以上に限られず任意であってよい。
　（負極材料と正極材料を製造するステップ）
　図９は、本実施形態の電池の製造方法の一例を説明するフローチャートである。図９に示すように、本製造方法においては、ステップＳ１０からステップＳ２０の工程で、負極１４を形成する。
　具体的には、界面活性剤を溶媒に溶解させて、第１溶液を生成する（ステップＳ１０）。第１溶液は、界面活性剤が溶解し、かつ、Ｎａ（イオン状態のＮａ）を含む溶液である。界面活性剤は、アモルファスカーボンを分散させるために用いられる。界面活性剤としては、アモルファスカーボンを分散可能な任意の物を用いてよいが、本実施形態では、Ｎａを含有する物を用いる。Ｎａを含有する界面活性剤としては、例えば、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）を用いてよい。第１溶液の溶媒は、界面活性剤を溶解させる任意のものであってよいが、例えば水を用いてよい。
　なお、界面活性剤は、Ｎａを含有するものであることには限られない。この場合、例えばＮａを含有しない界面活性剤と、Ｎａを含有する化合物とを、溶媒に溶解させて、第１溶液を生成してもよい。Ｎａを含有しない界面活性剤としては、例えば、ポリ（オキシエチレン）アルキルエーテルや、ポリオキシエチレンノニルフェニールエーテルなどを用いてよい。ポリ（オキシエチレン）アルキルエーテルとしては、アルキル基の炭素数が１２以上１５以下の物を用いることが好ましく、例えば、Ｃ１２Ｈ２５Ｏ（Ｃ２Ｈ４）ｎＨ（ポリ（オキシエチレン）ドデシルエーテル）、Ｃ１３Ｈ２７Ｏ（Ｃ２Ｈ４）ｎＨ（ポリ（オキシエチレン）トリデシルエーテル）、Ｃ１３Ｈ２７Ｏ（Ｃ２Ｈ４）ｎＨ（ポリ（オキシエチレン）イソトリデシルエーテル）、Ｃ１４Ｈ２５Ｏ（Ｃ２Ｈ４）ｎＨ（ポリ（オキシエチレン）テトラデシルエーテル）、Ｃ１５５Ｈ２５Ｏ（Ｃ２Ｈ４）ｎＨ（ポリ（オキシエチレン）ペンタデシルエーテル）などを用いてよい。ここでｎは１以上の整数である。ポリオキシエチレンノニルフェニールエーテルとしては、例えば、Ｃ９Ｈ１９Ｃ６（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）８Ｈ、Ｃ９Ｈ１９Ｃ６（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）１０Ｈ、Ｃ９Ｈ１９Ｃ６（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）１２Ｈなどを用いてよい。Ｎａを含有する化合物としては、例えば、硫酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、ヒアルロン酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウムなどを用いてよい。
　第１溶液における界面活性剤の含有量は、すなわち界面活性剤の添加量は、後段のステップＳ１２で添加するカーボン原料の添加量に対して、質量比率で、０．１％以上１０％以下であることが好ましく、０．５％以上７％以下であることがより好ましく、１％以上５％以下であることが更に好ましい。この数値範囲とすることで、カーボンとＮａｘＷＯｙとの親和性を適切に向上できる。
　次に、第１溶液にカーボン原料とシリコン原料を添加して、第２溶液を生成する（ステップＳ１２）。カーボン原料は、カーボン粒子３０の原料として用いられるカーボンである。カーボン原料は、例えば、平均粒径が、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。カーボン原料の平均粒径をこの範囲とすることで、電池の容量を高くすることが可能となる。ステップＳ１２では、カーボン原料及びシリコン原料が添加された第１溶液、すなわち第２溶液を撹拌して、第１溶液中にアモルファスカーボン原料及びシリコン原料を分散させる。すなわち、第２溶液は、アモルファスカーボン原料及びシリコン原料が分散した第１溶液といえる。
　なお、本ステップにおいては、第１溶液へのシリコン原料とカーボン原料との添加順番は任意であってよい。例えば、第１溶液に対して、シリコン原料を先に添加して撹拌した後、カーボン原料を添加して撹拌してもよい。また例えば、第１溶液に対して、カーボン原料を先に添加して撹拌した後、シリコン原料を添加して撹拌してもよい。また例えば、第１溶液に対して、カーボン原料とシリコン原料とを同時に添加して撹拌してもよい。
　カーボン原料は、例えば、オイルファーネス法で製造されてよい。オイルファーネス法では、例えば高温雰囲気中に原料油を噴霧して熱分解させた後、急冷することで、粒子状のカーボン原料を製造する。ただし、カーボン原料の製造方法はこれに限られず任意であってよい。
　次に、第２溶液とタングステン溶液とを混合して、第３溶液を生成する（ステップＳ１４）。タングステン溶液は、ＷとＯとを含む溶液である。タングステン溶液は、例えば、酸化タングステン原料が溶媒に溶解して生成される溶液である。ここでの酸化タングステン原料は、ＮａｘＷＯｙ粒子３２の原料であり、例えば三酸化タングステンが用いられる。溶媒としては、例えばアルカリ性の液体が用いられ、本実施形態ではアンモニア水溶液が用いられる。そのため、タングステン溶液は、本実施形態では、ＷとＯとを含むアルカリ性の溶液であり、さらに言えば、タングステン酸アンモニウムである。ただし、タングステン溶液は、ＷとＯとを含む任意の溶液であってよい。
　第２溶液に添加するタングステン溶液に含まれるＷの含有量は、すなわちＷの添加量は、ステップＳ１２で添加したカーボン原料の添加量に対して、質量比率で、０．５％以上２０％以下であることが好ましく、１％以上１５％以下であることがより好ましく、１．３％以上１０％以下であることが更に好ましい。この数値範囲とすることで、カーボンとＮａｘＷＯｙとの親和性を適切に向上できる。
　次に、第３溶液の液体成分を除去することで、負極材料を生成する（負極材料生成ステップ）。本実施形態では、負極材料生成ステップとして、ステップＳ１６、Ｓ１８を実行する。具体的には、第３溶液を乾燥させて、負極中間物を生成する（ステップＳ１６；乾燥ステップ）。ステップＳ１６においては、例えば、大気中で第３溶液を８０℃で１２時間乾燥させることで、添加溶液に含まれる液体成分を除去、すなわち蒸発させる。ただし乾燥条件は任意であってよい。負極中間物は、第３溶液の液体成分が除去されて残った固形成分を含むものであるといえる。
　次に、負極中間物を加熱することで、負極材料を生成する（ステップＳ１８；加熱ステップ）。負極中間物を加熱することで、カーボン粒子３０の表面にＮａｘＷＯｙ粒子３２及びシリコン粒子３３が設けられた負極材料が形成される。すなわち、第３溶液において分散していたカーボン粒子３０の表面に、第３溶液に含まれていたイオン状態のＮａ、Ｗ、Ｏが、ＮａｘＷＯｙ粒子３２として析出して、負極材料が形成される。
　加熱ステップにおいて負極中間物を加熱する条件は、任意であってよいが、次のように行われることが好ましい。すなわち、加熱ステップは、負極中間物を炉内に投入して、炉内を不活性雰囲気とするステップと、負極中間物を第１加熱速度で第１温度まで加熱する第１加熱ステップと、第１温度まで加熱した負極中間物を、第２加熱速度で第２温度まで加熱する第２加熱ステップとを含むことが好ましい。
　炉内を不活性雰囲気とするステップにおける不活性雰囲気は、例えば、窒素雰囲気や、Ａｒなどの希ガス雰囲気などであってよく、例えば炉内の酸素を窒素や希ガスに置換することで、不活性雰囲気としてよい。なお、このステップは必須ではない。
　第１加熱ステップは、負極中間物に含まれる金属や有機物などを除去するステップである。第１加熱ステップにおける、第１加熱温度は、例えば５５０℃であるが、それに限られず、１５０℃以上６２５℃以下であることが好ましく、１７５℃以上６００℃以下であることが好ましく、２００℃以上５７５℃以下であることがより好ましい。第１加熱速度は、任意の速度であってよいが、例えば、４５℃／時以上７５℃／時以下であることが好ましく、５０℃／時以上７０℃／時以下であることがより好ましく、５５℃／時以上６５℃／時以下であることが更に好ましい。第１加熱温度や第１加熱速度をこの範囲とすることで、負極中間物に含まれる金属や有機物などを適切に除去できる。
　第２加熱ステップは、第１加熱ステップ後に、ＮａｘＷＯｙを生成するステップである。第２加熱ステップにおける、第２加熱温度は、第１加熱温度より高く、例えば７００℃であるが、それに限られず、６８０℃以上７５０℃以下であることが好ましく、６８５℃以上７４０℃以下であることが好ましく、６９０℃以上７３０℃以下であることがより好ましい。第２加熱速度は、任意の速度であってよいが、第１加熱速度より高いことが好ましく、例えば、１６５℃／時以上１９５℃／時以下であることが好ましく、１７０℃／時以上１９０℃／時以下であることがより好ましく、１７５℃／時以上１８５℃／時以下であることが更に好ましい。第２加熱温度や第２加熱速度をこの範囲とすることで、プロセスに要する時間を短くしつつ、ＮａｘＷＯｙを適切に生成できる。
　第２加熱ステップにおいては、第２加熱温度まで加熱した負極中間物を、第２加熱温度で所定時間保持することが好ましい。ここでの保持時間は、１．２５時間以上２．７５時間以下であることが好ましく、１．５時間以上２．５時間以下であることがより好ましく、１．７５時間以上２．２５時間以下であることが更に好ましい。
　なお、第１加熱ステップより前（かつ、本実施形態では不活性雰囲気にするステップの後）に、負極中間物を第３加熱速度で第３温度まで加熱して、第３温度で所定時間保持するステップが設けられていてもよい。第３温度は、第１温度より低く、例えば１００℃であるが、それに限られず、８０℃以上１２０℃以下であることが好ましく、８５℃以上１１５℃以下であることが好ましく、９０℃以上１１０℃以下であることがより好ましい。第３加熱速度も任意であってよく、例えば、１６５℃／時以上１９５℃／時以下であることが好ましく、１７０℃／時以上１９０℃／時以下であることがより好ましく、１７５℃／時以上１８５℃／時以下であることが更に好ましい。また、第３加熱温度で保持する所定時間も任意であってよく、例えば、０．５時間以上１．７５時間以下であることが好ましく、０．７５時間以上１．５時間以下であることがより好ましく、１．０時間以上１．２５時間以下であることが更に好ましい。このステップを設けることで、水分を適切に除去できる。
　次に、形成した負極材料を用いて、負極１４を形成する（ステップＳ２０）。すなわち、集電層２０の表面に、負極材料を含んだ負極材料層２２を形成して、負極１４を形成する。
　また、本製造方法は、正極１６を形成する（ステップＳ２２）。ステップＳ２２においては、カーボン原料及びシリコン原料の代わりに、リチウム化合物であるリチウム化合物原料を用いる点以外は、ステップＳ１０からステップＳ２０と同じの方法で、正極材料を形成してよい。そして、正極１６用の集電層の表面に、正極材料を含んだ正極材料層を形成して、正極１６を形成する。
　負極１４と正極１６を形成したら、負極１４と正極１６とを用いて、電池１を製造する（ステップＳ２４）。具体的には、負極１４とセパレータ１８と正極１６とを積層して電極群１２を形成して、電極群１２と電解液とをケージング１０内に収納して、電池１を製造する。
　以上、負極材料及び正極材料の製造方法について説明したが、製造方法は以上に限られず任意であってよい。
　（効果）
　以上説明したように、本実施形態に係る負極材料は、電池の負極材料であって、カーボンと、タングステン酸ナトリウムと、シリコンを含むシリコン粒子３３と、を含む。シリコン粒子３３は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、３以上である。
　ここで、負極材料にタングステン化合物やＳｉを設けると、電池の性能を向上できる。しかし、さらなる性能向上が求められており、本発明者は、鋭意研究の結果、原料のＳｉの酸化物が容量の向上を抑制していることを発見した。それに対し、本実施形態に係る負極材料は、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、３以上である。従って、本実施形態によると、シリコンの酸化物を少なくして、電池の性能を向上させることができる。
　また、シリコン粒子３３は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、１．０以上であることが好ましい。本実施形態に係る負極材料は、シリコン粒子３３の、Ｏ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率がこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、電池の性能を向上させることができる。特に、ＳｉＯ２以外のシリコン酸化物（例えばＳｉＯなど）も、容量の向上を抑制する因子として作用する可能性があり、そのような場合に、Ｏ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が上記範囲となることで、ＳｉＯ２以外のシリコン酸化物の量も少なくして、電池の性能を適切に向上できる。
　また、シリコン粒子３３は、Ｓｉで構成されるＳｉ層３３Ａと、Ｓｉ層３３Ａの表面に形成されてシリコンの酸化物で構成される酸化層３３Ｂと、を含み、シリコン粒子３３を球形と仮定し、体積平均粒子径を用いてシリコン粒子３３の体積を算出した場合に、酸化層３３Ｂの体積は、シリコン粒子３３の全体の体積に対して、０．０６％以下であることが好ましい。酸化層３３Ｂの体積比率がこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、電池の性能を向上させることができる。
　また、シリコン粒子３３は、Ｓｉで構成されるＳｉ層３３Ａと、Ｓｉ層３３Ａの表面に形成されてシリコンの酸化物で構成される酸化層３３Ｂと、を含み、シリコン粒子３３を球形と仮定し、レーザ回折散乱法によって測定される体積基準の粒度分布において累積度数が５０体積％の粒子径Ｄ５０を用いてシリコン粒子３３の体積を算出した場合に、酸化層３３Ｂの体積は、シリコン粒子３３の全体の体積に対して、０．４％以下であることが好ましい。酸化層３３Ｂの体積比率がこの範囲となることで、表面近傍での酸化物の量が少なくなり、電池の性能を向上させることができる。
　また、負極材料は、カーボンとタングステン酸ナトリウムとシリコン粒子３３との合計含有量を１００重量％とした場合に、シリコン粒子３３の含有量が１重量％以上１０重量％以下であることが好ましい。シリコン粒子３３の含有量をこの範囲とすることで、電池の性能を向上させることができる。
　また、本実施形態に係る負極材料において、タングステン酸ナトリウムは、ＮａｘＷＯｙという化学式で表され、ｘが０より大きく１以下でありｙが２以上４以下であることが好ましい。このような化学式のタングステン酸ナトリウムを含むことで、カーボンの表面にタングステン酸ナトリウムを適切に配置することができる。
　また、本実施形態に係る負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、ナトリウムの含有量が、質量比率で、０．０１％以上０．５％以下であり、かつ、タングステンの含有量が、質量比率で、０．５％以上２０％以下であり、酸素の含有量が、質量比率で、１％以上１５％以下であることが好ましい。Ｎａ、Ｗ、Ｏがこの範囲となることで、タングステン酸ナトリウムが適切な量含まれて、カーボンの表面にタングステン酸ナトリウムを適切に配置することができる。
　また、本実施形態に係る負極材料は、蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、タングステンに対するナトリウムの含有比率であるＮａ／Ｗが、０．００１以上０．２以下であることが好ましい。Ｎａ／Ｗがこの範囲となることで、タングステン酸ナトリウムが適切な量含まれて、カーボンの表面にタングステン酸ナトリウムを適切に配置することができる。
　本実施形態に係る負極材料の製造方法は、酸素濃度が５％以下の雰囲気下でシリコン原料を準備するステップと、シリコン原料を用いて、カーボンと、タングステン酸ナトリウムと、シリコン粒子３３とを含む負極材料を生成するステップを含み、シリコン粒子３３は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＳｉＯ２に起因するＳｉ２ｐのＳｉに対する単体シリコンのＳｉ２ｐのＳｉの量に対する比率が、原子濃度基準で、３以上であることが好ましい。このように低酸素濃度でシリコン原料を準備することで、シリコンの酸化を抑制して、電池の性能を向上させることができる。
　（実施例）
　次に、実施例について説明する。
　（実施例１）
　（シリコン原料の準備）
　鱗片状多結晶シリコンチャンク（純度：９９．９９９９９９９９９質量％、縦：５～１５ｍｍ、横：５～１５ｍｍ、厚さ：２～１０ｍｍ）を、ハンマーミルを用いて破砕した。次いで、得られた粉砕物を、目開き５ｍｍのふるいを用いて乾式分級して、ふるい下のシリコン破砕物を得た。
　得られたシリコン破砕物と、硬質ボール（ジルコニアボール、直径：１０ｍｍ）と、一方の容器と他方の容器とに分割可能な８０ｍｍΦＺｒＯ２球容器とを、それぞれＡｒガスが充填されたグローブボックスに収容した。グローブボックス内にて、容器の一方にシリコン破砕物３０質量部と硬質ボール３８０質量部とを投入した。次いで、シリコン破砕物と硬質ボールを投入した一方の容器と、他方の容器とを組み合わせ、Ａｒガスが充填されたグローブボックス内で、二つの容器をねじ止めして密封した。二つの容器の合わせ面は、気密が保たれるようにすり合わせ面となっている。容器中のシリコン破砕物と硬質ボールの充填率は２８％とした。
　シリコン破砕物と硬質ボールとを充填した８０ｍｍΦＺｒＯ２球容器を、グローブボックスから取り出して、三次元ボールミル装置にセットした。そして、第１回転軸の回転速度：３００ｒｐｍ、第２回転軸の回転速度：３００ｒｐｍ、粉砕時間：０．３３時間の条件で粗粉砕した。粗粉砕後のシリコン粗粉砕物と硬質ボールとを、目開き１０００μｍのふるいを用いて乾式分級して、最大粒子径が１０００μｍ以下のシリコン粗粒子を得た。
　得られたシリコン粗粒子と、硬質ボール（ジルコニアボール、直径：１０ｍｍ）と、半球状容器とを、それぞれＡｒガスが充填されたグローブボックスに収容した。次いで、グローブボックス内にて、半球容器の一方にシリコン破砕物１５質量部と硬質ボール２００質量部とを投入した（シリコン粗粒子１００質量部に対する硬質ボールの量は１３３３質量部）。次いで、球状容器を形成するように、シリコン破砕物と硬質ボールを投入した一方の半球容器と、他方の半球容器とを組み合わせ、Ａｒガスが充填されたグローブボックス内で、二つの容器をねじ止めして密封した。容器中のシリコン破砕物と硬質ボールの充填率は１５％であった。
　シリコン粗粒子と硬質ボールとを充填した８０ｍｍΦＺｒＯ２球容器を、グローブボックスから取り出して、三次元ボールミル装置にセットした。そして、第１回転軸の回転速度：３００ｒｐｍ、第２回転軸の回転速度：３００ｒｐｍ、粉砕時間：６時間の条件で粉砕して、シリコン原料を得た。
　（負極材料の準備）
　実施例１においては、実施形態で説明した方法で、負極材料を製造した。具体的には、第１溶液として、水を溶媒として界面活性剤としてＳＤＳが溶解した溶液を準備した。第１溶液におけるＳＤＳの濃度は、３％とした。そして、添加するアモルファスカーボン原料に対する第１溶液中のＳＤＳの質量比率が３％となるように、第１溶液に、アモルファスカーボン原料とシリコン原料を添加して撹拌プロペラ（３６０ｒｐｍ）で撹拌し、第２溶液とした。添加するシリコンの量は、カーボンの添加量に対して、４ｗｔ％であった。そして、第２溶液中のアモルファスカーボン原料に対するタングステン酸アンモニウム（タングステン溶液）に含まれるＷの量が質量比で５％となるように、第２溶液にタングステン酸アンモニウム（タングステン溶液）を添加して、第３溶液とした。そして、第３溶液を撹拌プロペラ（１８０ｒｐｍ）で撹拌した後、加熱により水分を蒸発させて乾燥させて、負極中間物を生成した。そして、この負極中間物を、管状炉（焼成炉）内に導入し、アルゴン雰囲気下で、第１加熱速度６０℃／時にて５５０℃（第１加熱温度）まで昇温させる。第１加熱温度に達した後に、第２加熱温度１８０℃／時にて７００℃（第２加熱温度）に昇温し、２時間保持した。２時間保持した後、加熱を停止し５０℃になるまで自然降温させて負極材料を生成した。
　（実施例２）
　実施例２においては、粉砕時間：３時間、添加したシリコン、タングステン、ＳＤＳの量を、５ｗｔ％、５ｗｔ％、３ｗｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法で、負極材料を生成した。
　（実施例３）
　実施例３においては、粉砕時間：４時間、添加したシリコン、タングステン、ＳＤＳの量を、５ｗｔ％、５ｗｔ％、３ｗｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法で、負極材料を生成した。
　（実施例４）
　実施例４においては、粉砕に使用する容器形状を８０ｍｍΦＳＵＳ胴長容器で粉砕時間：２時間、添加したシリコン、タングステン、ＳＤＳの量を、５ｗｔ％、５ｗｔ％、３ｗｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法で、負極材料を生成した。
　（実施例５）
　実施例５においては、粉砕に使用する容器形状を８０ｍｍΦＳＵＳ胴長容器で粉砕時間：１時間、添加したシリコン、タングステン、ＳＤＳの量を、１０ｗｔ％、５ｗｔ％、３ｗｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法で、負極材料を生成した。
　（実施例６）
　実施例６においては、粉砕に使用する容器形状を８０ｍｍΦＳＵＳ胴長容器で粉砕時間：３時間、添加したシリコン、タングステン、ＳＤＳの量を、１０ｗｔ％、５ｗｔ％、３ｗｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法で、負極材料を生成した。
　（実施例７）
　実施例７においては、粉砕時間：２時間として、第１溶液における界面活性剤のＣ１２Ｈ２５Ｏ（Ｃ２Ｈ４）ｎＨ（ポリ（オキシエチレン）ドデシルエーテルの濃度を４％、ステアリン酸ナトリウムの濃度を１％とした点以外は、実施例１と同様の方法で、負極材料を生成した。
　（比較例１）
　比較例１においては、アモルファスカーボンのみを用いて負極材料とした。
　（比較例２）
　比較例２においては、粉砕に使用する容器形状を８０ｍｍΦＳＵＳ胴長容器で容器内雰囲気を空気として粉砕時間：１時間、添加したシリコン、タングステン、ＳＤＳの量を、１０ｗｔ％、４ｗｔ％、２ｗｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法で、負極材料を生成した。
　（比較例３）
　比較例３においては、粉砕に使用する容器形状を８０ｍｍΦＺｒＯ２球容器で容器内雰囲気を空気として粉砕時間：３時間、添加したシリコン、タングステン、ＳＤＳの量を、１０ｗｔ％、８ｗｔ％、２ｗｔ％とした点以外は、実施例１と同様の方法で、負極材料を生成した。
　（シリコン材料の特性）
　図１０は、各例の製造条件、及びシリコン材料の特性を示す表である。図１０に示すように、各例のシリコン材料について、ＸＰＳ測定に基づく特性を測定した。図１０におけるＳｉ濃度は、本実施形態で説明したＳｉ濃度に相当し、図１０におけるＯ濃度は、本実施形態で説明したＯ濃度に相当し、図１０におけるＳｉＯ２由来のＳｉ濃度割合は、本実施形態で説明したＳｉＯ２由来のＳｉ濃度割合に相当し、図１０におけるＳｉ由来のＳｉ濃度割合は、本実施形態で説明したＳｉ由来のＳｉ濃度割合に相当し、図１０の濃度割合比Ｓｉ／Ｓｉ（ＳｉＯ２）は、本実施形態で説明した、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率に相当し、図１０の濃度比Ｓｉ／Ｏは、本実施形態で説明した、表層におけるＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率に相当し、図１０の酸化膜厚は、本実施形態で説明した酸化層３３Ｂの厚みに相当する。各例でのＸ線光電子分光法は、本実施形態で説明した装置及び条件を用いた。
　また、図１０に示すように、各例のシリコン材料について、体積平均粒径及びＤ５０に基づく特性を測定した。シリコン材料を界面活性剤水溶液に投入し、超音波処理によりシリコン微粒子を分散させてシリコン微粒子分散液を調製した。次いで、得られたシリコン微粒子分散液中のシリコン微粒子の粒度分布を、レーザ回折・散乱式粒子径分布測定装置（ＭＴ３３００ＥＸ　ＩＩ、マイクロトラック・ベル株式会社製）を用いて測定した。得られた粒度分布から、体積平均粒径、Ｄ５０を求めた。図１０におけるＳｉＯ２体積は、本実施形態での、体積平均粒子径（又はＤ５０）を用いて算出した酸化層３３Ｂの体積に相当し、図１０における粒子体積は、本実施形態での、体積平均粒子径（又はＤ５０）を用いて算出したシリコン粒子３３の体積に相当し、図１０でのＳｉＯ２体積／粒子体積は、本実施形態での、体積平均粒子径（又はＤ５０）に基づく酸化層３３Ｂの体積比率に相当する。
　（負極材料の同定）
　図１１は、各例の負極材料の同定結果を示す表である。各例で製造した負極材料に対して、蛍光Ｘ線分析を実行して、負極材料に含まれる元素の含有量と、Ｎａ／Ｗ、Ｓｉ／Ｃ、Ｗ／Ｃ、Ｓｉ／Ｗ、Ｓｉ／Ｏを測定した。元素の含有量の測定結果を図１１に示す。なお、蛍光Ｘ線分析の測定条件は、上述の実施形態で説明した条件を用いた。
　実施例１乃至７の負極材料は、アモルファスカーボン由来のＣ、シリコン材料由来のＳｉ、タングステン酸ナトリウム由来のＮａ、Ｗ、Ｏ以外の元素（ここではＳ）も含んでいるが、これらは不純物である。また、図１１に挙げられている元素以外にも不可避的不純物を含んでもよい。
　各例で製造した負極材料に対して、ＸＲＤを実行して、負極材料に含まれるタングステン酸ナトリウムの化学式と結晶構造とを同定した。同定結果を図１１に示す。なお、ＸＲＤの測定条件は、上述の実施形態で説明した条件を用いた。
　（評価結果）
　各例の負極材料の評価として、負極材料を用いた負極の容量を測定した。具体的には、Ｃレートを０．２とした場合の１ｇ当たりの電流値（ｍＡｈ／ｇ）と、Ｃレートを３．２とした場合の１ｇ当たりの電流値（ｍＡｈ／ｇ）とを測定した。例えばＣレートを０．２とした場合の１ｇ当たりの負極の電流値とは、５時間で定格容量を消費する電流値を指す。
　また、各例の負極材料の評価として、負極のＳｉにリチウムが流入するか、負極のＳｉからリチウムが放出されるかについても確認した。負極のＳｉにリチウムが流入する場合をあり、流入しない場合をなしとした。
　図１１に評価結果を示す。図１１に示すように、Ｓｉ／ＳｉＯ２が３以上となり、タングステン酸ナトリウムがカーボンの表面に設けられた実施例１－７においては、タングステン酸ナトリウムを含まない比較例１に対して、０．２Ｃでの電池特性が向上していることがわかる。さらに、実施例１－７の３．２Ｃの電池特性も、十分な値を保っていることが分かる。
　以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態の内容により実施形態が限定されるものではない。また、前述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、前述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。さらに、前述した実施形態の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
　１　電池
　１４　負極
　２２　負極材料層
　３０　カーボン粒子
　３２　ＮａｘＷＯｙ粒子
　３３　シリコン粒子

Claims (11)

  1. 　電池の負極材料であって、
    　カーボンと、タングステン酸ナトリウムと、シリコンを含むシリコン材料と、を含み、
    　前記シリコン材料は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、３以上である、
    　負極材料。
  2. 　前記シリコン材料は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＯ１ｓのＯの量に対するＳｉ２ｐのＳｉの量の比率が、原子濃度基準で、１．２以上である、請求項１に記載の負極材料。
  3. 　前記シリコン材料は、Ｓｉで構成されるＳｉ層と、Ｓｉ層の表面に形成されてシリコンの酸化物で構成される酸化層と、を含み、前記シリコン材料を球形と仮定し、体積平均粒子径を用いて前記シリコン材料の体積を算出した場合に、前記酸化層の体積は、前記シリコン材料の全体の体積に対して、０．０４％以下である、請求項１又は請求項２に記載の負極材料。
  4. 　前記シリコン材料は、Ｓｉで形成されるＳｉ層と、Ｓｉ層の表面に形成されてＳｉとＯとを含む酸化層と、を含み、前記シリコン材料を球形と仮定し、レーザ回折散乱法によって測定される体積基準の粒度分布において累積度数が５０体積％の粒子径Ｄ５０を用いて前記シリコン材料の体積を算出した場合に、前記酸化層の体積は、前記シリコン材料の全体の体積に対して、０．４％以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の負極材料。
  5. 　前記タングステン酸ナトリウムは、ＮａｘＷＯｙという化学式で表され、ｘが０より大きく１以下であり、ｙが２以上４以下である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の負極材料。
  6. 　蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、ナトリウムの含有量が、質量比率で、０．０１％以上０．５％以下であり、かつ、タングステンの含有量が、質量比率で、０．５％以上２０％以下であり、酸素の含有量が、質量比率で、１％以上１５％以下である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の負極材料。
  7. 　蛍光Ｘ線分析で測定した場合における、タングステンに対するナトリウムの含有比率であるＮａ／Ｗが、０．００１以上０．２以下である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の負極材料。
  8. 　前記タングステン酸ナトリウムとして、Ｎａ０．７８ＷＯ３、Ｎａ０．４８ＷＯ３、Ｎａ０．７２ＷＯ３、Ｎａ０．４４ＷＯ３、Ｎａ０．４９ＷＯ３、Ｎａ０．３３ＷＯ３、Ｎａ０．５８ＷＯ３、Ｎａ２ＷＯ４、及びＮａ５Ｗ１４Ｏ４４の少なくとも１つを含む、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の負極材料。
  9. 　請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の負極材料と、正極材料とを含む、電池。
  10. 　電池の負極材料の製造方法であって、
    　酸素濃度が５％以下の雰囲気下でシリコン原料を準備するステップと、
    　前記シリコン原料を用いて、カーボンと、タングステン酸ナトリウムと、シリコン材料とを含む負極材料を生成するステップを含み、
    　前記シリコン材料は、Ｘ線光電子分光法で測定した場合の、表層におけるＳｉＯ２由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する単体シリコン由来のＳｉ２ｐのＳｉの量に対する比率が、原子濃度基準で、３以上である、
    　負極材料の製造方法。
  11. 　請求項１０に記載の負極材料の製造方法と、正極材料を製造するステップと、を含む、電池の製造方法。
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