WO2024095612A1

WO2024095612A1 - ガスシールドアーク溶接方法および溶接継手の製造方法

Info

Publication number: WO2024095612A1
Application number: PCT/JP2023/033083
Authority: WO
Inventors: 恭平小西; 央海澤西; 公一谷口
Original assignee: JFE Steel Corp
Current assignee: JFE Steel Corp
Priority date: 2022-10-31
Filing date: 2023-09-11
Publication date: 2024-05-10
Anticipated expiration: 2025-04-30

Abstract

特殊な装置を使用しなくても、溶接金属への酸素の混入を防ぎ、スラグの生成を抑制できると共に、ビード形状が良好な溶接継手を安定的に得ることができるガスシールドアーク溶接方法および溶接継手の製造方法を提供することを目的とする。　ガスシールドアーク溶接方法はパルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）が周期的に繰り返されるパルス溶接であって、パルス溶接のパルスピーク電流（Ｉｐ）が３００Ａ以上６００Ａ以下であり、溶接速度（Ｖ）が８０ｃｍ／ｍｉｎ以上２００ｃｍ／ｍｉｎ以下であり、パルスピーク電流（Ｉｐ）、前記パルスベース電流（Ｉｂ）、母材とコンタクトチップ間距離（Ｌ）、溶接速度（Ｖ）が所定の式を満足し、シールドガスとして９８体積％以上であるＡｒガスを使用するガスシールドアーク溶接方法。

Description

ガスシールドアーク溶接方法および溶接継手の製造方法

　本発明は、スラグを抑制しつつ、安定した溶接継手形状を得るためのガスシールドアーク溶接方法および溶接継手の製造方法に関するものである。

　近年、自動車に対して、車体の安全性および信頼性の向上を目的とした、車体に使用する部材の高強度化および高剛性化と、燃費改善を目的とした部材の軽量化とを両立するニーズが高まっている。その結果、高強度鋼板の適用による部材鋼板の薄肉化が進められている。一方、自動車に採用される様々な部材の中でも特に足回り部材（たとえばロアアーム等）は、部材強度や剛性の観点から、ボデーに比べ厚肉の鋼板が使用される。したがって、足回り部材で使用する鋼板の高強度化を図り、さらに鋼板の薄肉化を達成すれば、車体のさらなる軽量化が可能となる。これにより、部材強度や剛性を確保しつつ、燃費の改善が実現される。

　一般に、腐食環境下で使用される部材は、耐食性を確保する目的で、溶接後に化成処理および電着塗装等の防錆処理が施される。しかし、経時に伴い、溶接部およびその近傍で錆や腐食が確認される場合がある。上記のように、電着塗装を施した部材に発生する腐食は、溶接部から発生しやすく、時間の経過とともに溶接部とその周辺の広い範囲で塗膜膨れを伴いながら拡大し、板厚方向にも進行していく。このようにして腐食が進行すると、溶接部とその近傍の板厚が減少し、その結果、溶接部の強度低下、ひいては部材の強度低下を招く。つまり、溶接部に荷重が作用する部材（たとえば自動車の足回り部材等）において腐食が発生し、かつ進展すると、部材の破壊につながる場合がある。

　電着塗装を行なう際には、母材鋼板ならびに溶接金属と電着塗膜との密着性を高めるために、前処理として母材鋼板ならびに溶接金属に対して化成処理（たとえばリン酸亜鉛処理等）を施した後、電着塗装を行なう。化成処理の一例として広く普及しているリン酸亜鉛処理とは、母材鋼板ならびに溶接金属の表面にリン酸亜鉛結晶を成長させて、電着塗装における塗膜の密着性を高める技術である。ところが、従来の技術では、電着塗装に先立って化成処理を施した部材においても、時間の経過とともに溶接部とその周辺の広い範囲で塗膜膨れが頻繁に発生する。つまり、前処理として上記の化成処理を施した後、電着塗装を行なう技術では、溶接部を起点とする腐食の発生を完全に抑制することは困難である。

　また、めっき層を有する鋼板を使用した部材に対してアーク溶接を行うと熱源であるアークプラズマ（以下、アークという）によって高熱に曝される溶接部ではめっき層が蒸発し、非めっき部が局部的に露出する。したがって、コスト高のめっき層を有する鋼板の使用に見合うような耐食性の大幅な向上は期待できない。

　以上に説明した通り、部材の耐食性を改善する製造技術には様々なものが開発されているが、いずれも長所と短所を併せ持っている。そして、製造コストの上昇を抑えながら耐食性の向上を図る観点から、溶接部を起点とする腐食の発生と進展を一層効果的に防止する技術が検討されている。

　溶接部から腐食が発生する起点として、
（ａ）溶接部（主に溶接ビードの表面）に付着したスラグ、
（ｂ）溶接部に付着した溶接ヒューム、
（ｃ）溶接によって高温に曝される鋼板の表面で生成した酸化物、
が従来から知られている。上記した（ａ）（ｂ）の付着物や（ｃ）の酸化物が溶接部に存在する部材を化成処理に供しても、これらの付着物や生成物を起点として、リン酸亜鉛結晶からなる化成処理層で覆われない領域が局部的に残留する。そのような領域に電着塗装を施しても塗膜の形成が不十分であり、塗膜の密着性が不十分となるので、耐食性が著しく低下し、腐食の発生と進展に起因する板厚の減少を引き起こす。上記した（ａ）（ｂ）の付着物や（ｃ）の酸化物の発生を防止する技術として以下の内容が検討されている。

　たとえば、特許文献１には、アーク溶接した後、電着塗装を施す前の溶接部とその近傍に、ｐＨが２以下で液温が３０～９０℃の非酸化性の酸性溶液を用いてスプレー処理もしくは浸漬処理を行なう技術が開示されている。この技術は、溶接ビードや鋼板を非酸化性の溶液で溶解することによって、上記した（ａ）のスラグ、（ｂ）の溶接ヒューム、（ｃ）の酸化物を除去するものである。

　しかし、特許文献１に開示された技術では、電着塗装の前に酸性溶液を洗い流す必要があるので、部材の製造工程が複雑になる。また、所望の形状に成形された部材は多様な形状の鋼板を重ね合わせて接合されたものであるから、重ね合わせた隙間に残留した酸性溶液が激しい腐食を引き起こす。さらに、酸性溶液を大量に使用するので、製造設備が腐食環境に曝されて腐食や故障を生じやすくなることに加えて、ヒュームの飛散を防止して作業員の安全を確保する必要がある。

　特許文献２には、アーク溶接にて使用する溶接ワイヤと母材の合計Ｓｉ量を低減し、溶接ワイヤと母材の合計Ｍｎ量を増加することによって溶接部およびその近傍の塗装後耐食性を高める技術が開示されている。

　しかし、スラグの生成を抑制する観点からＳｉの含有量を低減すれば、鋼板の強度が低下するのは避けられない。つまり、特許文献２に開示された技術では、部材の強度を確保するために厚肉の鋼板を使用せざるを得ず、車体の軽量化を達成するのは困難である。

　特許文献３には、スラグや溶接ヒューム、ならびに酸化物が存在する溶接ビードであっても、化成処理で使用する処理液の成分を調整することによって、化成処理層を十分に形成する技術が開示されている。具体的には、リン酸亜鉛コロイドを含有する表面調整液を用いて表面処理を行なうことによって、化成処理層の形成を容易にする。さらに、Ｆ含有量が１００質量ｐｐｍ以上であるリン酸亜鉛処理液を用いて化成処理を行なうことで、スラグ、溶接ヒューム、ならびに酸化物を溶解除去して、電着塗装による塗膜の密着性を高めるものである。

　しかし、特許文献３に開示された技術では、毒物指定されているフッ素を含有するリン酸亜鉛処理液を使用するので、その廃液を工場外へ排出する際には、環境基準を満たすレベルまでフッ素を低減しなければならない。したがって、部材の製造設備に加えて、大規模な廃液処理設備が必要となる。

特開平９－２０９９４号公報特開平８－３３９９７号公報特許第５５４９６１５号公報

　本発明は、これらの課題を鑑みてなされたものであり、特殊な装置を使用しなくても溶接金属への酸素の混入を防ぎ、スラグの生成を抑制できると共に、ビード形状が良好な溶接継手を安定的に得ることができるガスシールドアーク溶接方法および溶接継手の製造方法を提供することを目的とする。

　本発明者らは、溶接部の耐食性向上を図り、さらにビード形状が良好な溶接継手を安定的に得るためには、溶接部に付着するスラグを低減させ、さらにパルス溶接を用いて周期的な短絡移行を実現することが最も効果的であることを見出した。

　溶接部のスラグ生成量を抑制するには、鋼板ならびに溶接ワイヤに含まれるＳｉ、Ｍｎ、Ｔｉ等の酸化を抑制することが重要であり、酸化性ガスの含有量を低減させたシールドガスを使用することで、これらの元素の酸化が抑制され、スラグ生成量を低減できる。ただし、シールドガス中のＡｒガス比率を高くしたガスシールドアーク溶接で、溶接速度を８０～２００ｃｍ／ｍｉｎとした場合、鋼板表面の酸化皮膜がクリーニング作用により除去された後、陰極点が鋼板表面を這い回るためアークが不安定になる。その結果、大気の巻き込みに起因する溶融池への酸素混入、あるいは溶接ビードの形状劣化という新たな問題が発生する。そこで、発明者らは、パルス溶接を用いて、陰極点の這い周りを低減し、かつアークのふらつきに影響されにくい周期的な短絡移行を実現し、かつパルス電流波形において、パルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）の差を母材とコンタクトチップ間距離（Ｌ）で除した因子が短絡の容易さと関係性が高いことを突き止め、さらに溶接速度（Ｖ）と所定の関係式を満足することにより、ビード形状が良好な溶接継手が安定的に得られると考えた。すなわち、本発明では、パルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）の差を母材とコンタクトチップ間距離（Ｌ）で除した因子を短絡の容易さの指標として見出し、溶接速度に応じて前記因子が溶接速度（Ｖ）と所定の関係式を満足することで、ビード形状が良好な溶接継手が安定的に得られる技術を見出した。

　本発明は、上記の知見によるものであり、その要旨は次のとおりである。
［１］　溶接トーチ内のコンタクトチップから給電される溶接ワイヤと母材を短絡させることで接合を行うガスシールドアーク溶接方法において、
前記ガスシールドアーク溶接方法はパルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）が周期的に繰り返されるパルス溶接であって、前記パルス溶接のパルスピーク電流（Ｉｐ）が３００Ａ以上６００Ａ以下であり、
溶接速度（Ｖ）が８０ｃｍ／ｍｉｎ以上２００ｃｍ／ｍｉｎ以下であり、
かつ、前記溶接速度（Ｖ）が８０ｃｍ／ｍｉｎ以上１２０ｃｍ／ｍｉｎ未満の場合には、前記パルスピーク電流（Ｉｐ）、前記パルスベース電流（Ｉｂ）、母材とコンタクトチップ間距離（Ｌ）、溶接速度（Ｖ）が下記（１）式を満足し、
前記溶接速度（Ｖ）が１２０ｃｍ／ｍｉｎ以上２００ｃｍ／ｍｉｎ以下の場合には、前記パルスピーク電流（Ｉｐ）、前記パルスベース電流（Ｉｂ）、母材とコンタクトチップ間距離（Ｌ）、溶接速度（Ｖ）が下記（２）式を満足し、
かつシールドガスとして９８体積％以上であるＡｒガスを使用するガスシールドアーク溶接方法。
０．１５Ｖ－３≦（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌ≦０．１Ｖ＋３８・・・（１）
０．１８Ｖ－５≦（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌ≦０．１２Ｖ＋３５・・・（２）
ここで、（１）式、（２）式中において、Ｉｐ（Ａ）はパルスピーク電流、Ｉｂ（Ａ）はパルスベース電流、Ｌ（ｍｍ）は母材とコンタクトチップ間距離、Ｖ（ｃｍ／ｍｉｎ）は溶接速度、を指す。
［２］　前記パルス溶接のパルスベース電流（Ｉｂ）が３０Ａ以上１２０Ａ以下である［１］に記載のガスシールドアーク溶接方法。
［３］　［１］または［２］に記載のガスシールドアーク溶接方法を用いる溶接継手の製造方法。

　本発明によれば、幅広い溶接速度条件においてビード形状が良好な溶接継手を安定的に得ることができる。しかも、従来の炭酸ガス溶接または不活性ガスと活性ガスの混合ガスを使用するＭＡＧ溶接または不活性ガスを主成分としたガスを使用するＭＩＧ溶接で用いる溶接装置を特別な仕様に変更せずとも溶接金属への酸素の混入およびスラグの生成を抑制することができる。

アーク溶接によって作製される溶接継手の一例を示す概略図である。図２（ａ）および図２（ｂ）は、従来のアーク溶接による溶滴移行の様子を示す概略図である。図３（ａ）および図３（ｂ）は、本発明による短絡移行の様子を示す概略図である。本発明のアーク溶接におけるパルス電流波形を示す概略図である。溶接ビードにおけるビード面積およびスラグ被覆面積を示す概略図である。ビード幅の最小値および最大値を示す概略図である。

　以下、図面を参照し、本発明の詳細を説明する。図１は、本発明の実施形態の一例を示す、アーク溶接によって作製される溶接継手の一例を示す概略図である。この例では、代表として重ね継手の隅肉溶接を示しているが、本発明では、溶接継手形状と溶接姿勢は限定しない。

　本発明では、例えば図１に示されるように、溶接トーチ２の中心部を通って溶接トーチ２から母材３（詳しくは、例えば母材３を２枚重ねて形成した段差のすみ部からなる溶接線）へ連続的に送給される溶接ワイヤ１を陽極、母材３を陰極として、溶接電源（図示せず）から溶接電圧が印加される。溶接トーチ２の中にコンタクトチップ１１が装着され、コンタクトチップ１１は溶接ワイヤ１への給電と送給ガイドの役割を担っている。溶接トーチ２内から供給されるＡｒシールドガス（図示せず）の一部が電離・プラズマ化することで溶接ワイヤ１と母材３の間にアーク５が形成される。また、上記Ａｒシールドガスの内、電離を生じず溶接トーチ２から母材３へと流れる分は、アーク５および母材３が溶融し形成される溶融池（図１では図示せず）を外気から遮断する役割を持つ。アーク５からの入熱により、溶接ワイヤ１の先端部が溶融して溶滴となり、該溶滴が、電磁力や重力等によって溶融池へと輸送される。この現象が、溶接トーチ２または母材３の移動に伴って連続的に生じることで、溶接線の後方では溶融池が凝固し、溶接ビード６が形成される。これにより、少なくとも２枚の鋼板の接合が達成される。

　一方、本発明が対象としている炭素鋼に対して、従来のＭＩＧ溶接を行った場合、溶接が極めて不安定であるという課題が存在する。ＭＡＧ溶接またはＭＩＧ溶接では、電極（ワイヤ）を陽極とする逆極性溶接であるため、母材の鋼板表面において酸化物のように仕事関数が低く、電子放出が起こりやすい領域を起点として陰極点が形成される。例えば、母材表面に強固な酸化皮膜を持つアルミニウム合金では、溶接線上の酸化皮膜を起点として陰極点が安定して形成するため良好な溶接が可能である。しかしながら、酸化皮膜を有しにくい鋼では、Ｏ_２またはＣＯ_２由来の酸化物が生成しないＭＩＧ溶接では、陰極点が定まらず、仕事関数の低い箇所を求めて陰極点が母材表面を激しく動き回る。このため、溶接が安定せず、溶接ビード６が蛇行した形状又は波打った形状の溶接継手が得られる。

　この現象に対し、本発明者らは溶接実験によるアーク挙動を観察し、炭素鋼を対象としたＭＩＧ溶接で問題として上記で挙げられた溶接ビード６の蛇行・波打ち形状の主たる原因は、不安定な溶滴移行であると考えた。
図２（ａ）および図２（ｂ）には、従来のＭＩＧ溶接による溶滴移行の様子を説明する概略図を示す。従来のＭＩＧ溶接の溶滴移行では、図２（ａ）のように溶接ワイヤ１が溶融し、細長い液柱から連続的に溶融池８へと輸送される形態が混在する。この不安定な溶滴移行を抑制するためには、溶接ワイヤ１先端から溶滴７を規則的に離脱させることが有効であると考えられるが、Ａｒシールドガスの場合、溶接ワイヤ１に作用する電磁ピンチ力が小さく、溶滴７の離脱が困難となる。
そこで、本発明では、溶滴移行を安定化させる手段として、溶接ワイヤ１先端と母材３との間で、図３（ａ）の非短絡状態と、図３（ｂ）の短絡状態とが規則的に繰り返され、短絡状態時に溶滴７が母材３へ移行する、いわゆる周期的な短絡移行により接合を完了させることが有効であることを知見した。さらに、更なる溶接実験を重ねた結果、パルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）の差を、コンタクトチップと母材３間距離（Ｌ）で除した因子（（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌ）が短絡移行のし易さであることを突き止め、（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌを２０～４３の範囲とすることが好ましく、さらに種々の溶接速度に対して所定の関係を満足した時に溶接ビード６の蛇行を抑制することができることがわかった。

　９８体積％以上であるＡｒガス
　溶接部の耐食性を向上させるために溶接部に付着するスラグ生成量を抑制する必要があり、そのためには鋼板ならびに溶接ワイヤに含まれるＳｉ、Ｍｎ、Ｔｉ等の酸化を抑制することが重要である。このため、シールドガスとして、Ａｒを９８体積％以上としたガスを使用する必要がある。Ａｒを９９体積％以上とすることが好ましい。上限は限定されるものではなく、Ａｒは１００体積％であって良い。

　パルスピーク電流（Ｉｐ）が３００Ａ以上６００Ａ以下
　図４に本発明のアーク溶接におけるパルス電流波形を示す概略図を示す。パルス溶接とは、パルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）が周期的に繰り返されて溶接する方法である。パルスピーク電流（Ｉｐ）は、過小であると溶接ワイヤ１先端に形成した溶滴７を溶融池８へと押し下げる作用が得られず、短絡が不安定になり、また十分な入熱が確保できずビード形状の劣化を生じたりする場合がある。そのため、パルスピーク電流（Ｉｐ）は３００Ａ以上とする。パルスピーク電流（Ｉｐ）は、好ましくは３５０Ａ以上であり、より好ましくは３８０Ａ以上であり、さらに好ましくは４００Ａ以上である。一方、過大であると溶落ちを引き起こしたり、シールド不良によるスラグ生成量の増加、あるいはスパッタの増加を招く。このため、パルスピーク電流（Ｉｐ）は６００Ａ以下とする。好ましくは５９０Ａ以下であり、より好ましくは５８０Ａ以下であり、さらに好ましくは５７０Ａ以下である。パルスピーク電流時に短絡を引き起こすため、１周期あたりのパルスピーク電流時間（ｔｐ）は０．５ｍｓ以上とすることが好ましい。１周期あたりのパルスピーク電流時間（ｔｐ）は０．７ｍｓ以上であることがより好ましく、０．８ｍｓ以上であることがさらに好ましい。１周期あたりのパルスピーク電流時間（ｔｐ）が過大になると短絡時のアーク５および溶融池８の乱れが大きくなり溶接ビード形状不良が発生する場合があるため、１周期あたりのパルスピーク電流時間（ｔｐ）は３．５ｍｓ以下とすることが望ましい。１周期あたりのパルスピーク電流時間（ｔｐ）は３．３ｍｓ以下であることがより好ましく、３．２ｍｓ以下であることがさらに好ましい。

　パルスベース電流（Ｉｂ）が３０Ａ以上１２０Ａ以下（好適条件）
　パルスベース電流（Ｉｂ）は、過小であるとパルスベース期間でのアーク放電が不安定になりビード形状の劣化を生じ、また溶込み不足となる場合がある。このため、パルスベース電流（Ｉｂ）は３０Ａ以上とすることが好ましい。パルスベース電流（Ｉｂ）はより好ましくは３５Ａ以上である。さらに好ましくは４０Ａ以上であり、もっとも好ましくは４５Ａ以上である。一方、過大であると溶落ちを引き起こし、またパルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）の差を十分に確保できず、溶接ワイヤ１先端に形成した溶滴７を溶融池８へと押し下げ短絡させる作用が十分に得られず溶接が安定しない場合がある。このため、パルスベース電流（Ｉｂ）は１２０Ａ以下とすることが好ましい。パルスベース電流（Ｉｂ）はより好ましくは１１０Ａ以下である。さらに好ましくは１００Ａ以下であり、もっとも好ましくは９０Ａ以下である。

　なお、パルスベース電流時間（ｔｂ）が過少では溶滴７を理想寸法まで成長させることができず周期的な短絡が実現できない場合があるため、１周期（パルス１周期）当たりのパルスベース電流時間（ｔｂ）は１．０ｍｓ以上とすることが好ましい。１周期（パルス１周期）当たりのパルスベース電流時間（ｔｂ）は１．５ｍｓ以上とすることがより好ましく、２．０ｍｓ以上とすることがさらに好ましい。パルスベース電流時間（ｔｂ）が過大ではパルスピーク時に狙い通りの短絡を制御できない、または短絡時のアーク５および溶融池８の乱れが大きくなる場合があるため、１周期当たりのパルスベース電流時間（ｔｂ）は１０．０ｍｓ以下とすることが好ましい。１周期当たりのパルスベース電流時間（ｔｂ）は９．０ｍｓ以下とすることがより好ましく、８．０ｍｓ以下とすることがさらに好ましい。

　なお、立ち上がり時間（ｔｕｐ）と立ち下がり時間（ｔｄｏｗｎ）は過小であるとアーク５のふらつきを誘発し、過大であるとビード形状の劣化を招く。このため、立ち上がり時間（ｔｕｐ）は０．１ｍｓ以上とすることが好ましい。より好ましくは、０．３ｍｓ以上であり、さらに好ましくは０．５ｍｓ以上である。立ち上がり時間（ｔｕｐ）は３．０ｍｓ以下とすることが好ましい。より好ましくは２．８ｍｓ以下であり、さらに好ましくは２．５ｍｓ以下である。また、立ち下がり時間（ｔｄｏｗｎ）は０．１ｍｓ以上とすることが好ましい。より好ましくは、０．３ｍｓ以上であり、さらに好ましくは０．５ｍｓ以上である。立ち下がり時間（ｔｄｏｗｎ）は３．０ｍｓ以下とすることが好ましい。より好ましくは２．８ｍｓ以下であり、さらに好ましくは２．５ｍｓ以下である。

　溶接速度（Ｖ）が８０ｃｍ／ｍｉｎ以上２００ｃｍ／ｍｉｎ以下
　溶接速度（Ｖ）が大きくなると、アーク５の安定性が低下するため、周期的な短絡移行を制御することが難しくなる。特に８０ｃｍ／ｍｉｎ以上の溶接条件で上記の現象が顕著になり、以下で述べる内容に限定する必要が出てくる。一方、２００ｃｍ／ｍｉｎ超えの溶接速度（Ｖ）となる溶接条件では、所望の溶接ビード形状および溶込み形状を取得することが困難になったり、アーク５の乱れによって大気巻き込みが発生し、スラグ生成を引き起こす場合がある。そのため、本発明では対象とする溶接速度（Ｖ）を８０ｃｍ／ｍｉｎ以上２００ｃｍ／ｍｉｎ以下とする。

　パルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）の差を母材３とコンタクトチップ１１間距離（Ｌ）で除した因子（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌは特に限定されるものではないが、短絡移行のし易さの指標として本発明で見出しており、本発明において重要な特徴である。（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌが過少であると、短絡移行が起こりにくく、また起こったとしても安定した短絡移行は難しく、ビード形状が不良となる。このため、（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌは２０Ａ／ｍｍ以上とすることが好ましい。より好ましくは２２Ａ／ｍｓ以上であり、さらに好ましくは２５Ａ／ｍｓ以上である。一方、（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌが過大であると溶滴７は小粒ではあるものの短絡に伴うアーク５の再点弧が過多となり、アーク５が不安定化する。このため、（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌは４３Ａ／ｍｍ以下とすることが好ましい。より好ましくは４１Ａ／ｍｓ以下であり、さらに好ましくは４０Ａ／ｍｓ以下である。

　前記パルスピーク電流（Ｉｐ）と前記パルスベース電流（Ｉｂ）と母材とコンタクトチップ間距離（Ｌ）、前記溶接速度（Ｖ）が下記（１）、（２）で規定する式を満足
０．１５Ｖ－３≦（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌ≦０．１Ｖ＋３８（溶接速度Ｖが８０ｃｍ／ｍｉｎ以上１２０ｃｍ／ｍｉｎ未満の場合）・・・（１）
０．１８Ｖ－５≦（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌ≦０．１２Ｖ＋３５（溶接速度Ｖが１２０ｃｍ／ｍｉｎ以上２００ｃｍ／ｍｉｎ以下の場合）・・・（２）
ここで、（１）式、（２）式中において、Ｉｐ（Ａ）はパルスピーク電流、Ｉｂ（Ａ）はパルスベース電流、Ｌ（ｍｍ）は母材とコンタクトチップ間距離、Ｖ（ｃｍ／ｍｉｎ）は溶接速度、を指す。
Ａｒ比率を高くしたガスシールドアーク溶接方法において周期的な短絡移行を実現するためには、パルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）の差と母材３とコンタクトチップ１１間距離（Ｌ）を（１）、（２）式の範囲にする必要がある。溶接速度Ｖが８０ｃｍ／ｍｉｎ以上１２０ｃｍ／ｍｉｎ未満の場合、（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌが０．１５Ｖ－３未満では、アーク５のふらつきに影響を受けない短絡移行の実現が困難となるため、０．１５Ｖ－３以上とする必要がある。好ましくは、０．１５Ｖ－２以上であり、さらに好ましくは０．１５Ｖ－１以上である。一方、０．１Ｖ＋３８を超えると、短絡時のアーク５および溶融池８の乱れが大きくなり溶接ビード形状不良が発生する場合があるため、０．１Ｖ＋３８以下とする必要がある。好ましくは、０．１Ｖ＋３６以下であり、より好ましくは０．１Ｖ＋３４以下である。また、溶接速度Ｖが１２０ｃｍ／ｍｉｎ以上２００ｃｍ／ｍｉｎ以下の場合、（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌが０．１８Ｖ－５未満では、アーク５のふらつきに影響を受けない短絡移行の実現が困難となるため、０．１８Ｖ－５以上とする必要がある。好ましくは、０．１８Ｖ－４以上であり、より好ましくは０．１８Ｖ－３以上である。一方、０．１２Ｖ＋３５を超えると、短絡時のアーク５および溶融池８の乱れが大きくなり溶接ビード形状不良が発生する場合があるため、０．１２Ｖ＋３５以下とする必要がある。好ましくは、０．１２Ｖ＋３３以下であり、より好ましくは０．１２Ｖ＋３１以下である。

　なお、溶接速度Ｖがより高速である１２０ｃｍ／ｍｉｎ以上２００ｃｍ／ｍｉｎ以下の条件ではアーク５がより不安定化しやすくなるため、Ｖに対する（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌの傾きを８０ｃｍ／ｍｉｎ以上１２０ｃｍ／ｍｉｎ未満の場合に比べてより大きくすることが有効である。

　また、短絡移行の平均周波数（短絡周波数）Ｆ（Ｈｚ）は、ワイヤ端の溶滴７の体積に影響し、特に限定されないが、２０Ｈｚ以上とすることが好ましい。より好ましくは３０Ｈｚ以上であり、さらに好ましくは４０Ｈｚ以上である。上限としては、２００Ｈｚ以下とすることが好ましい。より好ましくは１８０Ｈｚ以下であり、さらに好ましくは１５０Ｈｚ以下である。短絡移行の平均周波数（短絡周波数）Ｆ（Ｈｚ）は、例えばオシロスコープで溶接進行中のアーク電圧の推移を監視してそれがゼロになる回数をカウントし、カウント数を監視時間で割って１秒あたりのカウント数を求めることにより測定することができる。上記監視時間は短すぎると上記カウント数のばらつきが大きくなるため、０．５ｓ以上とすることが好ましい。０．８ｓ以上とすることがより好ましく、１．０ｓ以上とすることがさらに好ましい。一方、上限は特に限定されるものではないが、測定データの容量が大きくなるとカウント処理に多くの時間を有し、作業性が低下するため、３．０ｓ以下とすることが好ましい。例えば、短絡周波数をインプロセスで測定し、溶接条件のフィードバック制御を実施するにあたっては、上記監視時間が長すぎると溶接の状況に応じた瞬時のフィードバック制御が困難となることが上記の理由として挙げられる。

　なお、溶接条件の好ましい範囲としては、例えば、溶接電流が１５０Ａ～３００Ａ、アーク電圧が２０Ｖ～３５Ｖ、母材３とコンタクトチップ１１間の距離が５ｍｍ～３０ｍｍ、Ａｒシールドガス流量が１０Ｌ／ｍｉｎ～２５Ｌ／ｍｉｎであることが挙げられる。つまり、溶接電流は１５０Ａ以上が好ましい。より好ましくは１７０Ａ以上であり、さらに好ましくは１８０Ａ以上である。上限について、溶接電流は３００Ａ以下が好ましい。より好ましくは２８０Ａ以下であり、さらに好ましくは２７０Ａ以下である。アーク電圧は２０Ｖ以上が好ましい。より好ましくは２１Ｖ以上であり、さらに好ましくは２２Ｖ以上である。上限について、アーク電圧は３５Ｖ以下が好ましい。より好ましくは３２Ｖ以下であり、さらに好ましくは３０Ｖ以下である。母材３とコンタクトチップ１１間の距離は５ｍｍ以上が好ましい。より好ましくは８ｍｍ以上であり、さらに好ましくは１０ｍｍ以上である。母材３とコンタクトチップ１１間の距離は３０ｍｍ以下が好ましい。より好ましくは２５ｍｍ以下であり、さらに好ましくは２０ｍｍ以下である。Ａｒシールドガス流量が１０Ｌ／ｍｉｎ以上とすることが好ましい。より好ましくは１２Ｌ／ｍｉｎ以上であり、さらに好ましくは１５Ｌ／ｍｉｎ以上である。Ａｒシールドガス流量が２５Ｌ／ｍｉｎ以下とすることが好ましい。より好ましくは２４Ｌ／ｍｉｎ以下であり、さらに好ましくは２２Ｌ／ｍｉｎ以下である。なお、溶接電流、アーク電圧は各溶接パス内での平均値であり、さらに具体的にいうと溶接電流はパルスピーク電流とパルスベース電流の平均値である。これを管理することにより、溶接時の総入熱量を把握することができる。

　本発明で使用する溶接ワイヤ１は特に限定しない。例えば、ＪＩＳ　Ｚ　３３１２　に記載されているＹＧＷ１２やＹＧＷ１６のようなソリッドワイヤを用いることが可能である。

　また、本発明の母材３は、鋼板およびめっき鋼板を対象とする。鋼板の成分組成は限定されるものではないが、例えば、Ｃ：０．０２質量％～０．３質量％、Ｓｉ：０．０１質量％以上、Ｍｎ：０．５％質量％以上、Ｐ：０．０５質量％以下、Ｓ：０．０５質量％以下が含有された鋼板が好ましく、その他にＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の合金元素を含有しても良い。上記鋼板では、Ｓｉは３．０質量％以下とすることが好ましく、Ｍｎは５．０質量％以下とすることが好ましい。また、Ｐの下限は特に限定されるものではないが０．０００５質量％以上とすることが好ましく、Ｓの下限は特に限定されるものではないが０．０００５質量％以上とすることが好ましい。また、めっき鋼板におけるめっき組成は特に限定されないが、例えばＺｎが挙げられる。

　なお、上記のように限定することで、溶接部におけるスラグ生成を抑制するともに、良好なビード形状をもつ溶接継手の製造を可能とし、前記溶接継手を得ることを可能とする。スラグ生成量については実施例で記載の方法にて評価した。さらに、ビード形状の制御において、パルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）の差を母材３とコンタクトチップ１１間距離（Ｌ）で除した因子が短絡のし易さの指標となり、これと溶接速度を組合わせることでビード形状の制御に極めて効果的であることを見出したことは本発明の新たな技術思想である。

　また、本発明は上記に加えてロバスト性が高いことも有用な特徴である。なお、ロバスト性が高いとは、環境や板形状等の外乱の影響を受けにくく、適切な溶接条件が広いことを指す。

　以下、本発明の実施例について説明する。表１に示す成分を有する２枚の鋼板（いずれも板厚２．６ｍｍ）を用いて重ね、例えば図１に示す方法にて隅肉溶接を行なった。なお、表１に示す以外の成分として、ＦｅならびにＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等の合金元素を含む。溶接は表２に示す溶接条件で実施した。溶接ワイヤ１としては、ＪＩＳ　Ｚ　３３１２　に記載されているＹＧＷ１６を用いた。

　以上のようにして得られた溶接された鋼板について、以下の試験方法に従い、スラブ被覆面積率とビード幅比率を評価した。

　　（スラグ被覆面積率）
　図５は溶接ビードにおけるビード面積およびスラグ被覆面積を示す概略図である。図５に示すようなビード表面積Ｓ_ＢＥＡＤとスラグ被覆表面積Ｓ_ＳＬＡＧは、溶接ビード６のビード始終端部１０（各々長さ１５ｍｍ）を除いた領域の表面を真上から撮影し、溶接ビード６およびスラグの上面からの投影面積を測定して算出する。溶接ビード６の長さが１３０ｍｍ未満である場合は、ビード始終端部１０を除く全長の表面を撮影する。溶接ビード６の長さが１３０ｍｍ以上である場合は、ビード始終端部１０を除いて任意の部位（長さ１００ｍｍ）の表面を撮影する。算出したスラグ表面積Ｓ_SLAGの値をビード表面積Ｓ_BEADの値で除すことでスラグ被覆面積率Ｓ_RATIOを求めた。Ｓ_RATIOが３０％以下を合格とした。

　　（ビード幅比率）
　図６はビード幅の最小値および最大値を示す概略図である。同様に、図６で示すようなビード幅の最大値Ｗ_ＭＡＸと最小値Ｗ_ＭＩＮは、溶接ビード６のビード始終端部１０（各々長さ１５ｍｍ）を除いた領域の表面を撮影し、得られた写真を解析して測定した。溶接ビード６の長さが１３０ｍｍ未満であった場合は、ビード始終端部１０を除く全長の表面を撮影した。溶接ビード６の長さが１３０ｍｍ以上であった場合は、ビード始終端部１０を除いて任意の部位（長さ１００ｍｍ）の表面を撮影した。算出したビード幅の最小値Ｗ_ｍｉｎを最大値Ｗ_ｍａｘで除すことでビード幅比率Ｗ_{ＲＡＴＩＯ}を求めた。Ｗ_{ＲＡＴＩＯ}が６０％以上を合格とした。

　表２から発明例である溶接条件Ｎｏ．１～７、１５、１６は、Ｓ_RATIOが３０％以下かつＷ_RATIOが６０％以上を満足しており、スラグを抑制しつつ、安定した溶接継手形状が得られた。

　上記発明例のうちの溶接条件Ｎｏ．１～５は、Ｗ_{ＲＡＴＩＯ}が８０％以上であり、より安定した溶接継手形状が得られた。

　これに対して、比較例である溶接条件Ｎｏ．８～１４はＳ_RATIOが３０％以下、Ｗ_{ＲＡＴＩＯ}が６０％以上のいずれか一つを満足しておらずスラグ生成を抑制できず、良好な溶接ビードが得られなかった。

　なお、表２では、「Ｓ_RATIOが３０％以下かつＷ_{ＲＡＴＩＯ}が８０％以上」の場合に評価Ａ（特に優れる）とし、「Ｓ_RATIOが３０％以下かつＷ_{ＲＡＴＩＯ}が６０％以上８０％未満」の場合に評価Ｂ（優れる）とし、「Ｓ_RATIOが３０％より大きい、またはＷ_{ＲＡＴＩＯ}が６０％未満」の場合に評価Ｆ（不合格）と評価した。

　　１　溶接ワイヤ
　　２　溶接トーチ
　　３　母材
　　５　アーク
　　６　溶接ビード
　　７　溶滴
　　８　溶融池
　　１０　ビード始終端部
　　１１　コンタクトチップ
　　ｔｕｐ　立ち上がり時間
　　ｔｐ　パルスピーク電流時間
　　ｔｄｏｗｎ　立ち下がり時間
　　ｔｂ　パルスベース電流時間
　　ｔｕｐ+ｔｐ+ｔｄｏｗｎ+ｔｂ　パルス１周期
　　Ｓ_ＢＥＡＤ　ビード表面積
　　Ｓ_ＳＬＡＧ　スラグ被覆表面積
　　Ｗ_ＭＡＸ　ビード幅の最大値
　　Ｗ_ｍｉｎ　ビード幅の最小値

Claims

　溶接トーチ内のコンタクトチップから給電される溶接ワイヤと母材を短絡させることで接合を行うガスシールドアーク溶接方法において、
前記ガスシールドアーク溶接方法はパルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスベース電流（Ｉｂ）が周期的に繰り返されるパルス溶接であって、前記パルス溶接のパルスピーク電流（Ｉｐ）が３００Ａ以上６００Ａ以下であり、
溶接速度（Ｖ）が８０ｃｍ／ｍｉｎ以上２００ｃｍ／ｍｉｎ以下であり、
かつ、前記溶接速度（Ｖ）が８０ｃｍ／ｍｉｎ以上１２０ｃｍ／ｍｉｎ未満の場合には、前記パルスピーク電流（Ｉｐ）、前記パルスベース電流（Ｉｂ）、母材とコンタクトチップ間距離（Ｌ）、溶接速度（Ｖ）が下記（１）式を満足し、
前記溶接速度（Ｖ）が１２０ｃｍ／ｍｉｎ以上２００ｃｍ／ｍｉｎ以下の場合には、前記パルスピーク電流（Ｉｐ）、前記パルスベース電流（Ｉｂ）、母材とコンタクトチップ間距離（Ｌ）、溶接速度（Ｖ）が下記（２）式を満足し、
かつシールドガスとして９８体積％以上であるＡｒガスを使用するガスシールドアーク溶接方法。
０．１５Ｖ－３≦（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌ≦０．１Ｖ＋３８・・・（１）
０．１８Ｖ－５≦（Ｉｐ－Ｉｂ）／Ｌ≦０．１２Ｖ＋３５・・・（２）
ここで、（１）式、（２）式中において、Ｉｐ（Ａ）はパルスピーク電流、Ｉｂ（Ａ）はパルスベース電流、Ｌ（ｍｍ）は母材とコンタクトチップ間距離、Ｖ（ｃｍ／ｍｉｎ）は溶接速度、を指す。
　前記パルス溶接のパルスベース電流（Ｉｂ）が３０Ａ以上１２０Ａ以下である請求項１に記載のガスシールドアーク溶接方法。
　請求項１または２に記載のガスシールドアーク溶接方法を用いる溶接継手の製造方法。