WO2024252736A1 - 電子部品 - Google Patents

電子部品 Download PDF

Info

Publication number
WO2024252736A1
WO2024252736A1 PCT/JP2024/005976 JP2024005976W WO2024252736A1 WO 2024252736 A1 WO2024252736 A1 WO 2024252736A1 JP 2024005976 W JP2024005976 W JP 2024005976W WO 2024252736 A1 WO2024252736 A1 WO 2024252736A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
electrodes
electronic component
insulator
dummy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2024/005976
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
智慶 樋江井
悟史 重松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2025525949A priority Critical patent/JPWO2024252736A1/ja
Priority to CN202480030697.9A priority patent/CN121153093A/zh
Publication of WO2024252736A1 publication Critical patent/WO2024252736A1/ja
Priority to US19/404,944 priority patent/US20260088793A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/32—Insulating of coils, windings, or parts thereof
    • H01F27/323—Insulation between winding turns, between winding layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/40—Structural association with built-in electric component, e.g. fuse
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/008—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1708—Comprising bridging elements, i.e. elements in a series path without own reference to ground and spanning branching nodes of another series path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Definitions

  • This disclosure relates to an electronic component that has an external electrode on the side of an insulator.
  • Patent Document 1 discloses the configuration of an electronic component that prevents moisture from penetrating.
  • Patent Document 1 JP 2004-273917 A (Patent Document 1), a protruding convex portion is formed on the side edge of the pull-out portion of the internal electrode to prevent moisture from penetrating from the end face of the electronic component along the vicinity of the side edge of the pull-out portion.
  • a convex portion on the internal electrode cannot prevent problems such as migration that occur between the internal electrode and the side electrode that is electrically connected to the external electrode.
  • the purpose of this disclosure is to provide electronic components that can suppress the occurrence of defects such as migration.
  • An electronic component includes an insulator formed by stacking a plurality of insulating substrates, each of which includes a side electrode and an internal electrode, and an external electrode electrically connected to the side electrode and provided on a side surface of the insulator.
  • Each of the plurality of insulating substrates further includes dummy electrodes disposed on both sides of the side electrode with an insulating portion sandwiched therebetween when viewed from the stacking direction.
  • the external electrodes are connected to the dummy electrodes on the side surfaces of the insulator.
  • the insulating substrates further include dummy electrodes arranged on both sides of the side electrodes with insulating portions sandwiched therebetween when viewed from the stacking direction, thereby making it possible to suppress the occurrence of defects such as migration.
  • FIG. 1 is a perspective view of an electronic component according to an embodiment; 1 is a circuit diagram of an electronic component according to an embodiment. 2 is a plan view of the vicinity of one external electrode of the electronic component according to the embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the vicinity of one external electrode of the electronic component according to the embodiment.
  • FIG. 1 is an exploded plan view illustrating a configuration of an electronic component according to an embodiment.
  • FIG. 13 is an exploded plan view showing a configuration of an electronic component according to a first modified example.
  • FIG. 11 is an exploded plan view showing a configuration of an electronic component according to a second modified example.
  • FIG. 11 is a plan view of the vicinity of one external electrode of an electronic component according to Modification 3.
  • a filter circuit including a coil and a capacitor is formed with internal electrodes within a rectangular parallelepiped insulator.
  • the filter circuit does not need to be formed with internal electrodes, and other circuits may be formed with internal electrodes.
  • Fig. 1 is a perspective view of an electronic component 1 according to an embodiment.
  • Fig. 2 is a circuit diagram of the electronic component 1 according to an embodiment.
  • the short side direction of the electronic component 1 is the X direction
  • the long side direction is the Y direction
  • the height direction is the Z direction.
  • the stacking direction of the insulating substrate (hereinafter also simply referred to as substrate) is the Z direction
  • the direction of the arrow indicates the upper layer direction.
  • Electronic component 1 is a filter circuit in which a first coil L1 and a second coil L2 that constitute a transformer are arranged in the stacking direction, and a first capacitor C1 and a second capacitor C2 are arranged in the Y direction.
  • the electronic component 1 has a first coil L1 and a second coil L2 that are magnetically coupled and connected in series between a first terminal P1 and a second terminal P2. Furthermore, the electronic component 1 has a first capacitor C1 connected in parallel to the first coil L1 and the second coil L2, and an intermediate terminal between the first coil L1 and the second coil L2 is connected to ground (GND) via a second capacitor C2.
  • GND ground
  • the electronic component 1 is composed of an insulator 3 formed by stacking multiple substrates on which internal electrodes that form part of a coil and part of a capacitor are formed. Side electrodes that form the first terminal P1, second terminal P2, GND terminal, and free terminal (NC terminal) are formed at the four corners of the substrate.
  • the insulator 3 may be manufactured using a method of forming an electrode pattern of the internal electrodes and side electrodes with a photomask that uses a photosensitive conductive paste and a photosensitive insulating paste.
  • the insulator 3 may also be manufactured using a method of stacking ceramic green sheets, which are insulating substrates, using a process of forming an electrode pattern by screen printing, or a process of drilling holes in an insulating layer with a laser and filling them with via electrodes.
  • the insulator 3 has a pair of first and second principal surfaces that face each other, and a side surface that connects the first and second principal surfaces. As shown in FIG. 1, the insulator 3 is made up of substrates stacked in the Z direction on which the internal electrode 11 of the first coil L1, the internal electrode 12 of the second coil L2, the internal electrode 13 of the first capacitor C1, and the internal electrode 14 of the second capacitor C2 that constitute the filter circuit are formed.
  • the four corners of the insulator 3 are formed with a side electrode 21 constituting the first terminal P1, a side electrode 22 constituting the second terminal P2, a side electrode 23 constituting the GND terminal, and a side electrode 24 constituting the vacant terminal (NC terminal).
  • the shape of the external electrodes 41 to 44 when viewed from the stacking direction is a rectangle. Note that the side electrodes 21 to 24 do not need to be formed at the four corners of the insulator 3, but only need to be formed on the outer periphery of the insulator 3.
  • the side electrodes 21 to 24 formed on the outer periphery of the insulator 3 are electrically connected to the external electrodes 41 to 44 formed on the side surfaces of the insulator 3, respectively.
  • the external electrodes 41 to 44 may be formed not only on the side surfaces of the insulator 3, but also on the bottom surface (second main surface) of the insulator 3 as shown in FIG. 1. Of course, the external electrodes 41 to 44 may be formed not only on the bottom surface (second main surface) of the insulator 3, but also on the top surface (first main surface) of the insulator 3.
  • the external electrodes 41 to 44 are thin film layers formed on the side and bottom surfaces of the insulator 3, and are plating layers. For example, if the side electrodes 21 to 24 are formed from silver (Ag) paste, the external electrodes 41 to 44 are formed from a gold (Au) plating layer to make it easier to solder the electronic component 1 to the mounting board.
  • FIG. 3 is a plan view of the vicinity of one external electrode 41 of an electronic component 1 according to an embodiment.
  • an external electrode 41 including a nickel (Ni) plating layer 41a (first external electrode layer) and a gold (Au) plating layer 41b (second external electrode layer) is provided on the side of the insulator 3 on which the side electrode 21 is formed.
  • a gap may occur at the interface between the side of the insulator 3 and the external electrode 41.
  • the nickel (Ni) plating layer 41a may be dissolved (Ni corrosion) when the gold (Au) plating layer 41b is formed, so a gap occurs at the interface between the side of the insulator 3 and the external electrode 41. If a gap occurs at the interface between the side of the insulator 3 and the external electrode 41, moisture may penetrate into the insulator 3 through the gap, causing problems such as migration.
  • dummy electrodes 51 and 52 are provided on both sides of the side electrode 21, sandwiching an insulating portion, when viewed from the stacking direction (Z direction). Note that the dummy electrodes are omitted from the electronic component 1 shown in FIG. 1. Also, in FIG. 3, the gaps occurring at the interface between the side of the insulator 3 and the external electrode 41 are shown by dashed triangles, and the moisture penetrating through the gaps is shown by arrows.
  • the dummy electrode 51 the moisture penetrating through the gaps cannot reach the side electrode 21 without bypassing the dummy electrode 51, and the occurrence of defects such as migration occurring between the side electrode 21 and the internal electrode 13 can be suppressed.
  • the dummy electrodes 51 and 52 the path from the end of the external electrode 41 to the side electrode 21 can be extended, and the penetration path of moisture penetrating into the inside of the insulator 3 can be lengthened.
  • the external electrode 41 is provided from the side electrode 21 to the position where the dummy electrodes 51, 52 are arranged, and is connected to the dummy electrodes 51, 52 on the side of the insulator 3. In other words, the external electrode 41 is connected not only to the side electrode 21 but also to the dummy electrodes 51, 52. If the insulator 3 is formed of, for example, a glass element, the side electrode 21 and the dummy electrodes 51, 52 have a higher degree of adhesion to the external electrode 41, which is a plating layer, than the glass element.
  • the dummy electrodes 51, 52 are formed of the same material as the side electrode 21, for example, a silver (Ag) paste, but may be made of a different material from the side electrode 21 as long as the material has a higher degree of adhesion to the external electrode 41 than the glass element.
  • the dummy electrodes 51, 52 are made of the same material as the side electrode 21, then even if the area of the side electrode 21 is reduced by providing the dummy electrodes 51, 52, it is possible to suppress a decrease in the degree of adhesion between the external electrode 41 and the insulator 3. Furthermore, when the insulator 3 is fired, a stress that peels off the side electrode 21 from the insulator 3 occurs due to the difference in thermal contraction rate between the glass element insulator 3 and the metal side electrode 21. However, by providing the dummy electrodes 51, 52, the area of the side electrode 21 is reduced, thereby alleviating the peeling stress and suppressing the occurrence of delamination.
  • the shape of the dummy electrodes 51, 52 when viewed from the stacking direction (Z direction) is preferably rectangular in which the side not in contact with the external electrode 41 is longer than the side in contact with the external electrode 41. This ensures a sufficient peripheral length for the dummy electrodes 51, 52.
  • the shape of the dummy electrodes 51, 52 is not limited to a rectangular shape, and may be a triangle, a circle, a polygon, etc.
  • the distance between the dummy electrodes 51, 52 and the internal electrode 13 is longer than the distance between the side electrode 21 and the internal electrode 13. This can prevent the creation of a path for moisture to penetrate from the dummy electrodes 51, 52 to the internal electrode 13.
  • the distance here means the shortest distance connecting the side electrode 21 and the internal electrode 13.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the vicinity of one external electrode 41 of the electronic component 1 according to the embodiment.
  • the cross-sectional view shown in FIG. 4 is a cross-sectional view of the IV-IV surface of FIG. 3. Note that the electronic component 1 shown in FIG. 4 differs from the electronic component 1 shown in FIG. 1 in that an external electrode 41 is also provided on the top surface of the insulator 3.
  • the side electrode 21a first side electrode
  • the side electrode 21b second side electrode one layer closer to the bottom surface of the insulator 3 than the side electrode 21a are not electrically connected by a via conductor. Note that this is not limited to the case where the side electrode 21b is provided one layer below the side electrode 21a, and at least one layer of insulating substrate on which no side electrode or internal electrode is formed may be sandwiched between the side electrodes 21a and 21b. In other words, it is sufficient that the side electrode 21b is adjacent to the side electrode 21a at a position closer to the bottom surface of the insulator 3 than the side electrode 21a.
  • the side electrode 21a is not connected to the side electrode 21b by a via conductor, so the penetrated moisture cannot reach the side electrode 21b without bypassing the side electrode 21a, and it is possible to suppress the occurrence of defects such as migration between the side electrode 21b and the internal electrode.
  • the side electrode 21a and the side electrode 21b by not connecting the side electrode 21a and the side electrode 21b by a via conductor, it is possible to extend the path from the end of the external electrode 41 to the side electrode 21b, and it is possible to lengthen the penetration path of moisture that penetrates into the inside of the insulator 3.
  • the dummy electrode 51a provided in the same layer as the side electrode 21a also contributes to lengthening the penetration path of moisture that penetrates into the inside of the insulator 3.
  • the side electrode 21k third side electrode
  • the side electrode 21j fourth side electrode one layer closer to the top surface of the insulator 3 than the side electrode 21k are not electrically connected by a via conductor. Note that this is not limited to the case where the side electrode 21j is provided one layer above the side electrode 21k, and at least one layer of insulating substrate on which no side electrode or internal electrode is formed may be sandwiched between the side electrode 21k and the side electrode 21j.
  • the side electrode 21j is adjacent to the side electrode 21k at a position closer to the top surface of the insulator 3 than the side electrode 21k. Therefore, the path from the end of the external electrode 41 to the side electrode 21j can be extended, and the path of moisture penetrating into the inside of the insulator 3 can be lengthened.
  • the dummy electrode 51k which is provided in the same layer as the side electrode 21k, also contributes to lengthening the path through which moisture penetrates into the inside of the insulator 3.
  • the side electrodes of each layer are electrically connected to each other by via conductors, except between side electrode 21a and side electrode 21b, and between side electrode 21k and side electrode 21j.
  • side electrode 21b and side electrode 21c are electrically connected to each other by via conductor 31
  • side electrode 21c and side electrode 21d are electrically connected to each other by via conductor 32. Note that this is not limited to the case where all side electrodes of each layer are electrically connected to each other by via conductors, except between side electrode 21a and side electrode 21b, and between side electrode 21k and side electrode 21j, as long as the side electrodes of some layers are electrically connected to each other by via conductors. Of course, it is not necessary that the side electrodes of all layers are electrically connected to each other by via conductors.
  • the via conductors (e.g., via conductors 31, 32) that connect the side electrodes of each layer to each other are preferably electrically connected directly to the external electrode 41.
  • the electrical resistance between the external electrode 41 and the side electrode can be kept low.
  • the electrical resistance is low, it is not necessary to electrically connect the via conductors (e.g., via conductors 31, 32) that connect the side electrodes of each layer to each other to the external electrode 41 directly.
  • the configuration near the external electrode 41 has been described in Figures 3 and 4, but the electronic component 1 also employs a similar configuration near the other external electrodes 42 to 44, making it possible to suppress problems such as migration between the side electrodes and the internal electrodes.
  • the electronic component 1 employs dummy electrodes 51 and 52 shown in Figure 3, but does not necessarily have to employ the configuration shown in Figure 4.
  • FIG. 5 is an exploded plan view showing the configuration of an electronic component 1 according to an embodiment.
  • each of the electrode patterns of the internal electrodes and side electrodes of the coils and capacitors are formed with conductive paste (Ag paste) on insulating substrates 3a to 3l, which are the substrates, as shown in FIG. 5.
  • conductive paste Ag paste
  • the insulating substrate 3a is formed with side electrodes 21a to 24a and dummy electrodes 51a to 58a. Furthermore, the insulating substrate 3a is formed with an internal electrode 12a that constitutes part of the second coil L2, an internal electrode 13a that constitutes part of the first capacitor C1, and an internal electrode 14a that constitutes part of the second capacitor C2. The internal electrode 12a is electrically connected to the internal electrode 13a.
  • Insulating substrate 3b has side electrodes 21b to 24b and dummy electrodes 51b to 58b formed thereon. Furthermore, insulating substrate 3b has internal electrode 12b forming part of second coil L2, internal electrode 13b forming part of first capacitor C1, and internal electrode 14b forming part of second capacitor C2 formed thereon. Side electrode 21b is electrically connected to internal electrode 13b, and side electrode 24b is electrically connected to internal electrode 14b. Furthermore, connection point 34b of side electrode 22b is electrically connected to connection point 34a of internal electrode 13a via via conductor 34. Connection point 33b of side electrode 23b is electrically connected to connection point 33a of internal electrode 14a via via conductor 33.
  • Insulating substrate 3c has side electrodes 21c to 24c and dummy electrodes 51c to 58c formed thereon. Furthermore, insulating substrate 3c has internal electrode 12c forming part of second coil L2, internal electrode 13c forming part of first capacitor C1, and internal electrode 14c forming part of second capacitor C2 formed thereon. Side electrode 22c is electrically connected to internal electrode 13c, and side electrode 23c is electrically connected to internal electrode 14c.
  • Insulating substrate 3d has side electrodes 21d to 24d and dummy electrodes 51d to 58d formed thereon. Furthermore, insulating substrate 3d has internal electrode 12d forming part of second coil L2, internal electrode 13d forming part of first capacitor C1, and internal electrode 14d forming part of second capacitor C2 formed thereon. Side electrode 21d is electrically connected to internal electrode 13d, and side electrode 24d is electrically connected to internal electrode 14d. Furthermore, internal electrode 12d is electrically connected to internal electrode 14d. Internal electrodes 12a to 12d are electrically connected by via conductors (not shown) to form second coil L2.
  • Insulating substrate 3e has side electrodes 21e to 24e and dummy electrodes 51e to 58e formed thereon. Furthermore, insulating substrate 3e has internal electrode 13e that constitutes part of first capacitor C1 and internal electrode 14e that constitutes part of second capacitor C2 formed thereon. Side electrode 22e is electrically connected to internal electrode 13e, and side electrode 23e is electrically connected to internal electrode 14e.
  • Insulating substrate 3f is formed with side electrodes 21f to 24f and dummy electrodes 51f to 58f. Furthermore, insulating substrate 3f is formed with internal electrode 11f constituting part of first coil L1, internal electrode 13f constituting part of first capacitor C1, and internal electrode 14f constituting part of second capacitor C2. Side electrode 21f is electrically connected to internal electrode 13f, and side electrode 24f is electrically connected to internal electrode 14f. Furthermore, internal electrode 11f is electrically connected to internal electrode 14f.
  • Insulating substrate 3g is formed with side electrodes 21g to 24g and dummy electrodes 51g to 58g. Furthermore, insulating substrate 3g is formed with internal electrode 11g that constitutes part of first coil L1, internal electrode 13g that constitutes part of first capacitor C1, and internal electrode 14g that constitutes part of second capacitor C2. Side electrode 22g is electrically connected to internal electrode 13g, and side electrode 23g is electrically connected to internal electrode 14g.
  • Insulating substrate 3h has side electrodes 21h to 24h and dummy electrodes 51h to 58h formed thereon. Furthermore, insulating substrate 3h has internal electrode 11h that constitutes part of first coil L1, internal electrode 13h that constitutes part of first capacitor C1, and internal electrode 14h that constitutes part of second capacitor C2 formed thereon. Side electrode 21h is electrically connected to internal electrode 13h, and side electrode 24h is electrically connected to internal electrode 14h.
  • Insulating substrate 3i is formed with side electrodes 21i to 24i and dummy electrodes 51i to 58i. Furthermore, insulating substrate 3i is formed with internal electrode 11i that constitutes part of first coil L1, internal electrode 13i that constitutes part of first capacitor C1, and internal electrode 14i that constitutes part of second capacitor C2. Side electrode 22i is electrically connected to internal electrode 13i, and side electrode 23i is electrically connected to internal electrode 14i.
  • Insulating substrate 3j has side electrodes 21j to 24j and dummy electrodes 51j to 58j formed thereon. Furthermore, insulating substrate 3j has internal electrode 11j forming part of first coil L1, internal electrode 13j forming part of first capacitor C1, and internal electrode 14j forming part of second capacitor C2 formed thereon. Side electrode 21j is electrically connected to internal electrode 13j, and side electrode 24j is electrically connected to internal electrode 14j. Furthermore, internal electrode 11j is electrically connected to internal electrode 13j. Internal electrodes 11f to 11j are electrically connected by via conductors (not shown) to form first coil L1.
  • Insulating substrate 3k has side electrodes 21k to 24k and dummy electrodes 51k to 58k formed thereon. Furthermore, insulating substrate 3k has internal electrode 13k forming part of first capacitor C1 and internal electrode 14k forming part of second capacitor C2 formed thereon. Connection point 36k of internal electrode 13k is electrically connected to connection point 36j of side electrode 22j through via conductor 36. Connection point 35k of internal electrode 14k is electrically connected to connection point 35j of side electrode 23j through via conductor 35.
  • the insulating substrate 3l has side electrodes 21l to 24l formed in correspondence with the external electrodes 41 to 44 formed on the bottom surface of the insulator 3.
  • dummy electrodes 51a to 51k are collectively referred to as dummy electrode 51
  • dummy electrodes 52a to 52k are collectively referred to as dummy electrode 52
  • dummy electrodes 53a to 53k are collectively referred to as dummy electrode 53
  • dummy electrodes 54a to 54k are collectively referred to as dummy electrode 54.
  • dummy electrodes 55a to 55k are collectively referred to as dummy electrode 55
  • dummy electrodes 56a to 56k are collectively referred to as dummy electrode 56
  • dummy electrodes 57a to 57k are collectively referred to as dummy electrode 57
  • dummy electrodes 58a to 58k are collectively referred to as dummy electrode 58.
  • At least one of the insulating substrates 3a to 3l shown in FIG. 5 is laminated, and multiple insulating substrates (dummy layers) without electrode patterns printed on both the top and bottom sides are laminated.
  • the multiple insulating substrates, including the dummy layers, are pressed together to form an unfired insulator 3 (glass element).
  • the formed insulator 3 is fired, and the external electrodes 41 to 44 are formed on the outside of the fired insulator 3 by plating.
  • the electronic component 1 includes an insulator 3 formed by stacking a plurality of insulating substrates, each of which includes side electrodes 21-24 and internal electrodes 11-14, and external electrodes 41-44 electrically connected to the side electrodes 21-24 and provided on the side of the insulator 3.
  • Each of the plurality of insulating substrates 3a-3k further includes dummy electrodes 51-58 arranged on both sides of the side electrodes 21-24 with an insulating portion sandwiched between them when viewed from the stacking direction.
  • the external electrodes 41-44 are provided from the side electrodes 21-24 to the positions where the dummy electrodes 51-58 are arranged, and are connected to the dummy electrodes 51-58 on the side of the insulator 3.
  • the multiple insulating substrates further include dummy electrodes 51-58 arranged on both sides of the side electrodes 21-24, sandwiching an insulating portion, when viewed from the stacking direction, thereby suppressing the occurrence of defects such as migration.
  • the internal electrodes 13a, 14a closest to the top surface of the insulator 3 and the internal electrodes 13k, 14k closest to the bottom surface of the insulator 3 are not electrically connected to the side electrodes.
  • this is not limited to the above, and the internal electrodes 13a, 14a and the internal electrodes 13k, 14k may be electrically connected to the side electrodes.
  • FIG. 6 is an exploded plan view showing the configuration of electronic component 1A according to modified example 1. Note that in the configuration of electronic component 1A according to modified example 1, the same components as those in electronic component 1 according to the embodiment are given the same reference numerals and detailed descriptions will not be repeated.
  • the insulating substrate 3a1 is formed with side electrodes 21a to 24a and dummy electrodes 51a to 58a. Furthermore, the insulating substrate 3a1 is formed with an internal electrode 12a constituting a part of the second coil L2, an internal electrode 13a constituting a part of the first capacitor C1, and an internal electrode 14a constituting a part of the second capacitor C2.
  • the internal electrode 13a is electrically connected to the side electrode 22a
  • the internal electrode 14a is electrically connected to the side electrode 23a. Therefore, even if the via conductor 33 is not provided, the internal electrode 14a is electrically connected to the side electrode 23b because the side electrodes 23a and 23b are electrically connected through the external electrode 43 (see FIG. 1). Also, even if the via conductor 34 is not provided, the internal electrode 13a is electrically connected to the side electrode 22b because the side electrodes 22a and 22b are electrically connected through the external electrode 42 (see FIG. 1).
  • Insulating substrate 3k1 has side electrodes 21k to 24k and dummy electrodes 51k to 58k formed thereon.
  • insulating substrate 3k1 has internal electrode 13k forming part of first capacitor C1 and internal electrode 14k forming part of second capacitor C2 formed thereon.
  • Internal electrode 13k is electrically connected to side electrode 22k
  • internal electrode 14k is electrically connected to side electrode 23k. Therefore, even without via conductor 35, internal electrode 14k is electrically connected to side electrode 23j because side electrode 23j and side electrode 23k are electrically connected via external electrode 43 (see FIG. 1).
  • internal electrode 13k is electrically connected to side electrode 22j because side electrode 22j and side electrode 22k are electrically connected via external electrode 42 (see FIG. 1).
  • the electronic component 1A according to the first modification can ensure design freedom by adopting the configuration shown in FIG. 6.
  • dummy electrodes 51-58 are formed on all layers of the side electrodes 21-24.
  • this is not limited to this, and the electronic component may have dummy electrodes 51-58 formed on necessary layers of the side electrodes 21-24.
  • FIG. 7 is an exploded plan view showing the configuration of electronic component 1B according to modified example 2. Note that in the configuration of electronic component 1B according to modified example 2, the same components as those in electronic component 1 according to the embodiment are given the same reference numerals and detailed descriptions will not be repeated.
  • Insulating substrate 3b2, insulating substrate 3d2, insulating substrate 3f2, insulating substrate 3h2, and insulating substrate 3j2 form dummy electrodes 55-56 only in the vicinity of side electrode 23. Furthermore, insulating substrate 3a2, insulating substrate 3c2, insulating substrate 3e2, insulating substrate 3g2, insulating substrate 3i2, and insulating substrate 3k2 form dummy electrodes 53-54 only in the vicinity of side electrode 24.
  • dummy electrodes are provided only on electrodes (e.g., side electrodes 23 and 24) where a voltage difference may occur and migration may occur, so there is no need to provide unnecessary dummy electrodes, and a larger area can be secured in the insulating substrate in which internal electrodes can be formed.
  • one dummy electrode 51, 52 is formed on each side of the side electrode 21.
  • the electronic component may have multiple dummy electrodes formed on both sides of the side electrode 21.
  • FIG. 8 is a plan view of the vicinity of one external electrode of an electronic component according to Modification 3. Note that in the configuration of electronic component 1C according to Modification 3, the same components as those in electronic component 1 according to the embodiment are given the same reference numerals and detailed descriptions will not be repeated.
  • dummy electrodes 51A, 52A are provided on both sides of side electrode 21 when viewed from the stacking direction (Z direction) with insulating portions sandwiched between them. Furthermore, electronic component 1C has dummy electrodes 51B, 52B (second dummy electrodes) provided at a position farther from side electrode 21 than dummy electrodes 51A, 52A. External electrode 41 is provided from side electrode 21 to the position where dummy electrodes 51B, 52B are provided, and is connected to dummy electrodes 51A, 51B, 52A, 52B on the side of insulator 3.
  • dummy electrode 51B in addition to dummy electrode 51A, moisture that penetrates through the gap cannot reach side electrode 21 without bypassing dummy electrode 51A as well as dummy electrode 51B, and the occurrence of defects such as migration occurring between side electrode 21 and internal electrode 13 can be further suppressed.
  • dummy electrodes 51B and 52B in addition to dummy electrodes 51A and 52A, the path from the end of the external electrode 41 to the side electrode 21 can be extended, and the path through which moisture can penetrate into the inside of the insulator 3 can be lengthened.
  • electronic component 1C may further include multiple dummy electrodes located farther from side electrode 21 than dummy electrodes 51B, 5Bb. While the configuration near external electrode 41 has been described in FIG. 8, electronic component 1C employs a similar configuration near the other external electrodes 42-44.
  • dummy electrodes 51-54 of electronic component 1C include dummy electrodes (first dummy electrodes) close to side electrodes 21-24 when viewed from the stacking direction, and dummy electrodes (second dummy electrodes) far from side electrodes 21-24, thereby further reducing the occurrence of problems such as migration between side electrodes and internal electrodes.
  • An electronic component formed by laminating a plurality of insulating substrates, each of which includes a side electrode and an internal electrode; an external electrode electrically connected to the side electrode and provided on a side surface of the insulator; the insulating substrates further include dummy electrodes disposed on both sides of the side electrode with an insulating portion interposed therebetween when viewed from the stacking direction; The external electrode is connected to the dummy electrode on the side of the insulator.
  • the insulator has a first main surface and a second main surface opposed to each other in the stacking direction; There is no electrical connection by via conductors between the first side electrode closest to the first main surface and the adjacent second side electrode at a position closer to the second main surface than the first side electrode, and between the third side electrode closest to the second main surface and the adjacent fourth side electrode at a position closer to the first main surface than the third side electrode.
  • the electronic component according to any one of (1) to (5) The dummy electrodes, as viewed from the lamination direction, have a rectangular shape in which the sides not in contact with the external electrodes are longer than the sides in contact with the external electrodes.
  • the dummy electrodes include a first dummy electrode close to the side electrode when viewed from the stacking direction, and a second dummy electrode far from the side electrode.
  • the external electrodes include a first external electrode layer provided on a side surface of the insulator and a second external electrode layer covering the first external electrode layer, and the first external electrode layer is in contact with the side surface electrode and the dummy electrode.
  • the electronic component according to (8) is The first outer electrode layer is nickel and the second outer electrode layer is gold.
  • the side electrodes are provided at the four corners of the insulator when viewed from the stacking direction, and each has a rectangular shape.
  • the internal electrodes include at least an electrode that constitutes a part of the coil and an electrode that constitutes a part of the capacitor, and form a filter circuit within the insulator.
  • 1, 1A-1C electronic components
  • 3 insulator
  • 3a-3l insulating substrate
  • 11-14 internal electrodes
  • 21-24 side electrodes
  • 31-36 via conductors
  • 41-51 external electrodes
  • 51-58 dummy electrodes.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Abstract

本開示は、マイグレーションなどの不具合の発生を抑えることができる電子部品を提供する。電子部品（１）は、各々が側面電極（２１）～（２４）および内部電極（１１）～（１４）を含む複数の絶縁基板を積層した絶縁体（３）と、側面電極（２１）～（２４）と電気的に接続し、絶縁体（３）の側面に設けられる外部電極（４１）～（４４）と、を備える。複数の絶縁基板の各々は、積層方向から視て側面電極（２１）～（２４）の両側に絶縁部分を挟んで配置されたダミー電極をさらに含む。外部電極（４１）～（４４）は、絶縁体（３）の側面でダミー電極と接続されている。

Description

電子部品
　本開示は、絶縁体の側面に外部電極を設ける電子部品に関する。
　絶縁体の側面に外部電極を設ける電子部品では、絶縁体と外部電極との間に隙間が発生すると、その隙間を経由して絶縁体の内部に水分が浸入しマイグレーションなどの不具合を発生させてしまう虞がある。特開２００４―２７３９１７号公報（特許文献１）には、水分の浸入を阻止する電子部品の構成が開示されている。
特開２００４―２７３９１７号公報
　特開２００４―２７３９１７号公報（特許文献１）では、内部電極の引出し部の側辺に、突出した凸形状部分を形成することで、電子部品の端面から引出し部の側縁近傍に沿う水分の浸入を阻止している。しかし、内部電極に凸形状部分を設けるだけでは、外部電極と電気的に接続される側面電極と内部電極との間で生じるマイグレーションなどの不具合の発生を抑えることができない。
　そこで、本開示の目的は、マイグレーションなどの不具合の発生を抑えることができる電子部品を提供することである。
　本開示の一形態に係る電子部品は、各々が側面電極および内部電極を含む複数の絶縁基板を積層した絶縁体と、側面電極と電気的に接続し、絶縁体の側面に設けられる外部電極と、を備える。複数の絶縁基板の各々は、積層方向から視て側面電極の両側に絶縁部分を挟んで配置されたダミー電極をさらに含む。外部電極は、絶縁体の側面でダミー電極と接続されている。
　本開示の一形態によれば、複数の絶縁基板は、積層方向から視て側面電極の両側に絶縁部分を挟んで配置されたダミー電極をさらに含むので、マイグレーションなどの不具合の発生を抑えることができる。
実施の形態に係る電子部品の斜視図である。 実施の形態に係る電子部品の回路図である。 実施の形態に係る電子部品の１つの外部電極近傍の平面図である。 実施の形態に係る電子部品の１つの外部電極近傍の断面図である。 実施の形態に係る電子部品の構成を示す分解平面図である。 変形例１に係る電子部品の構成を示す分解平面図である。 変形例２に係る電子部品の構成を示す分解平面図である。 変形例３に係る電子部品の１つの外部電極近傍の平面図である。
　以下に、実施の形態に係る電子部品について説明する。以下に説明する電子部品では、直方体状の絶縁体内において、コイルとコンデンサとを含むフィルタ回路を内部電極で構成している。しかし、本開示に係る電子部品は、絶縁体の側面に外部電極を設ける構成であれば、フィルタ回路を内部電極で構成している必要はなく、他の回路を内部電極で構成してもよい。
　まず、実施の形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、実施の形態に係る電子部品１の斜視図である。図２は、実施の形態に係る電子部品１の回路図である。ここで、図１では、電子部品１の短辺方向をＸ方向、長辺方向をＹ方向、高さ方向をＺ方向としている。また、絶縁基板（以下、単に基板ともいう）の積層方向はＺ方向で、矢印の向きが上層方向を示している。
　電子部品１は、トランスを構成する第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とを積層方向に配置し、第１コンデンサＣ１および第２コンデンサＣ２をＹ方向に配置したフィルタ回路である。
　電子部品１は、図２に示すように、第１端子Ｐ１と第２端子Ｐ２との間に、磁界結合した第１コイルＬ１および第２コイルＬ２を直列に接続している。さらに、電子部品１は、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２に対して第１コンデンサＣ１を並列に接続し、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との間の中間端子を第２コンデンサＣ２を介してグランド（ＧＮＤ）に接続している。
　電子部品１は、図１および図２に示すようにコイルの一部およびコンデンサの一部を構成する内部電極が形成された基板が複数枚積層された絶縁体３で構成されている。なお、基板の四隅には、第１端子Ｐ１、第２端子Ｐ２、ＧＮＤ端子、空き端子（ＮＣ端子）を構成する側面電極が形成されている。たとえば、感光性導電ペーストおよび感光性絶縁ペーストを用いるフォトマスクで内部電極および側面電極の電極パターンを形成する工法を使って、絶縁体３を製造してもよい。また、たとえば、スクリーン印刷による電極パターンを形成する工程や、絶縁層にレーザーで孔をあけビア電極を充填する工程を用いて、絶縁基板であるセラミックグリーンシートを積層する工法を使って、絶縁体３を製造してもよい。
　絶縁体３は、互いに対向する１対の第１主面および第２主面と、第１主面－第２主面間を結ぶ側面とを有している。絶縁体３は、図１に示すように、フィルタ回路を構成する第１コイルＬ１の内部電極１１、第２コイルＬ２の内部電極１２、第１コンデンサＣ１の内部電極１３、および第２コンデンサＣ２の内部電極１４が形成された基板がＺ方向に積み重ねられている。
　積層方向から視て絶縁体３の四隅には、第１端子Ｐ１を構成する側面電極２１、第２端子Ｐ２を構成する側面電極２２、ＧＮＤ端子を構成する側面電極２３、空き端子（ＮＣ端子）を構成する側面電極２４がそれぞれ形成されている。外部電極４１～外部電極４４の積層方向から視た形状は、四角形である。なお、側面電極２１～側面電極２４は、絶縁体３の四隅に形成されている必要はなく、絶縁体３の外周辺に形成されていればよい。また、絶縁体３の外周辺に形成された側面電極２１～側面電極２４は、絶縁体３の側面に形成された外部電極４１～外部電極４４のそれぞれと電気的に接続されている。
　外部電極４１～外部電極４４は、絶縁体３の側面だけでなく、図１に示すように絶縁体３の底面（第２主面）に形成してもよい。もちろん、外部電極４１～外部電極４４は、絶縁体３の底面（第２主面）だけでなく、絶縁体３の天面（第１主面）に形成してもよい。なお、外部電極４１～外部電極４４は、絶縁体３の側面および底面に形成した薄膜層であり、めっき層である。たとえば銀（Ａｇ）のペーストで側面電極２１～側面電極２４を形成した場合、電子部品１を実装基板にはんだ付けし易くするために、金（Ａｕ）のめっき層で外部電極４１～外部電極４４を形成する。
　ただ、銀（Ａｇ）のペーストで形成した側面電極２１～側面電極２４に、金（Ａｕ）のめっき層を直接形成すると密着性が悪いので、ニッケル（Ｎｉ）のめっき層を形成した上で金（Ａｕ）のめっき層を形成する２層の外部電極４１～外部電極４４とする。図３は、実施の形態に係る電子部品１の１つの外部電極４１近傍の平面図である。図３では、側面電極２１が形成されている絶縁体３の側面に、ニッケル（Ｎｉ）のめっき層４１ａ（第１外部電極層）と金（Ａｕ）のめっき層４１ｂ（第２外部電極層）とを含む外部電極４１が設けられている。
　このように、側面電極２１が形成されている絶縁体３の側面に外部電極４１を設けた場合、絶縁体３の側面と外部電極４１との界面に隙間が生じる可能性がある。特に、ニッケル（Ｎｉ）のめっき層４１ａを形成した後に金（Ａｕ）のめっき層４１ｂを形成する場合、金（Ａｕ）のめっき層４１ｂを形成する際にニッケル（Ｎｉ）のめっき層４１ａを溶出（Ｎｉ腐食）させることがあるので、絶縁体３の側面と外部電極４１との界面に隙間が生じる。絶縁体３の側面と外部電極４１との界面に隙間が生じると、その隙間を経由して絶縁体３の内部に水分が浸入しマイグレーションなどの不具合を発生させる虞がある。
　そこで、本実施の形態に係る電子部品１では、積層方向（Ｚ方向）から視て側面電極２１の両側に絶縁部分を挟んで配置されたダミー電極５１，５２を設けている。なお、図１に示した電子部品１では、ダミー電極の図示を省略している。また、図３では、絶縁体３の側面と外部電極４１との界面に生じる隙間を破線の三角形で示しており、その隙間から浸入する水分を矢印で示している。ダミー電極５１を設けることで、隙間から浸入した水分は当該ダミー電極５１を迂回しなければ側面電極２１に至ることができず、側面電極２１と内部電極１３との間で生じるマイグレーションなどの不具合の発生を抑えることができる。つまり、ダミー電極５１，５２を設けることで、外部電極４１の端から側面電極２１に至る経路を延長することができ、絶縁体３の内部へと浸入する水分の浸入経路を長くすることができる。
　また、外部電極４１は、側面電極２１からダミー電極５１，５２が配置されている位置まで設けられ、絶縁体３の側面でダミー電極５１，５２と接続されている。つまり、外部電極４１は、側面電極２１だけでなくダミー電極５１，５２とも接続されている。絶縁体３がたとえばガラス素体で形成されている場合、ガラス素体に比べて側面電極２１およびダミー電極５１，５２の方がめっき層である外部電極４１との密着度が高い。なお、ダミー電極５１，５２は、側面電極２１と同じ材料、たとえば銀（Ａｇ）のペーストで形成されるが、ガラス素体に比べて外部電極４１との密着度が高い材料であれば側面電極２１と異なる材料であってもよい。
　なお、ダミー電極５１，５２が側面電極２１と同じ材料であれば、ダミー電極５１，５２を設けることで側面電極２１の面積が小さくなっても、外部電極４１と絶縁体３との密着度の低下を抑制することができる。また、絶縁体３を焼成する場合、ガラス素体の絶縁体３と金属の側面電極２１との熱収縮率の差で、絶縁体３から側面電極２１を剥離させる応力が生じるが、ダミー電極５１，５２を設けることで側面電極２１の面積が小さくすることで剥離させる応力を緩和させて層剥離（Delamination）の発生を抑えることもできる。
　また、ガラス素体の絶縁体３と金属の側面電極２１およびダミー電極５１，５２との熱収縮率の差で、絶縁体３と側面電極２１およびダミー電極５１，５２との間に隙間が生じるが、絶縁体３の焼成後に形成する外部電極４１は、側面電極２１およびダミー電極５１，５２との間に隙間が生じにくい。そのため、ダミー電極５１，５２と外部電極４１との間に水分が浸入することはなく、ダミー電極５１，５２の外周に沿って水分が浸入することになるので浸入経路を延長することができる。
　さらに、図３に示すように、積層方向（Ｚ方向）から視たダミー電極５１，５２の形状は、外部電極４１と接する辺より外部電極４１と接しない辺の方が長い矩形状であることが好ましい。これにより、ダミー電極５１，５２の外周の長さを確保することができる。なお、ダミー電極５１，５２の形状は、矩形状に限定されず、三角形、円形、多角形などであってもよい。
　また、図３に示すように、ダミー電極５１，５２と内部電極１３との距離は、側面電極２１と内部電極１３の距離よりも長いことが好ましい。これにより、ダミー電極５１，５２から内部電極１３へと水分が浸入する浸入経路が生じないようにすることができる。ここでの距離とは側面電極２１と内部電極１３をつなぐ最短距離のことを意味する。
　図３では、絶縁体３の平面方向（ＸＹ方向）での水分の浸入について説明したが、絶縁体３の積層方向（Ｚ方向）についても水分の浸入が考えられる。図４は、実施の形態に係る電子部品１の１つの外部電極４１近傍の断面図である。図４に示す断面図は、図３のＩＶ－ＩＶ面の断面図である。なお、図４に示す電子部品１は、図１に示す電子部品１と異なり、絶縁体３の天面にも外部電極４１が設けられている構成とする。
　図４では、絶縁体３の天面と外部電極４１との界面に隙間が生じると、その隙間を経由して絶縁体３の内部に水分が浸入しマイグレーションなどの不具合を発生させる虞がある。そこで、本実施の形態に係る電子部品１では、絶縁体３の天面に最も近い側面電極２１ａ（第１側面電極）と、側面電極２１ａより絶縁体３の底面に１層分近い側面電極２１ｂ（第２側面電極）との間は、ビア導体で電気的に接続していない。なお、側面電極２１ａに対して１層分下層に側面電極２１ｂが設けられている場合に限られず、側面電極２１ａと側面電極２１ｂとの間に側面電極および内部電極が形成されていない絶縁基板が少なくとも１層分挟まれていてもよい。つまり、側面電極２１ａより絶縁体３の底面に近い位置で側面電極２１ｂが側面電極２１ａと隣接していればよい。
　そのため、絶縁体３の天面と外部電極４１との界面に生じる隙間（破線の三角形）から矢印のように水分が浸入しても、側面電極２１ａが側面電極２１ｂとビア導体で接続されていないため、浸入した水分は側面電極２１ａを迂回しなければ側面電極２１ｂに至ることができず、側面電極２１ｂと内部電極との間で生じるマイグレーションなどの不具合の発生を抑えることができる。つまり、側面電極２１ａと側面電極２１ｂとをビア導体で接続しないことで、外部電極４１の端から側面電極２１ｂに至る経路を延長することができ、絶縁体３の内部へと浸入する水分の浸入経路を長くすることができる。なお、側面電極２１ａと同じ層に設けられたダミー電極５１ａも絶縁体３の内部へと浸入する水分の浸入経路を長くすることに寄与している。
　絶縁体３の底面と外部電極４１との界面に隙間が生じる虞もあるので、同様に、本実施の形態に係る電子部品１では、絶縁体３の底面に最も近い側面電極２１ｋ（第３側面電極）と、側面電極２１ｋより絶縁体３の天面に１層分近い側面電極２１ｊ（第４側面電極）との間は、ビア導体で電気的に接続していない。なお、側面電極２１ｋに対して１層分上層に側面電極２１ｊが設けられている場合に限られず、側面電極２１ｋと側面電極２１ｊとの間に側面電極および内部電極が形成されていない絶縁基板が少なくとも１層分挟まれていてもよい。つまり、側面電極２１ｋより絶縁体３の天面に近い位置で側面電極２１ｊが側面電極２１ｋと隣接していればよい。そのため、外部電極４１の端から側面電極２１ｊに至る経路を延長することができ、絶縁体３の内部へと浸入する水分の浸入経路を長くすることができる。なお、側面電極２１ｋと同じ層に設けられたダミー電極５１ｋも絶縁体３の内部へと浸入する水分の浸入経路を長くすることに寄与している。
　電子部品１は、側面電極２１ａと側面電極２１ｂとの間、および側面電極２１ｋと側面電極２１ｊとの間を除いて、各層の側面電極は互いにビア導体で電気的に接続されている。具体的に、側面電極２１ｂと側面電極２１ｃとはビア導体３１で電気的に接続され、さらに側面電極２１ｃと側面電極２１ｄ（図示せず）とはビア導体３２で電気的に接続されている。なお、側面電極２１ａと側面電極２１ｂとの間、および側面電極２１ｋと側面電極２１ｊとの間を除く、すべての各層の側面電極は互いにビア導体で電気的に接続されている場合に限られず、一部の層の側面電極が互いにビア導体で電気的に接続されていればよい。もちろん、すべての各層の側面電極が互いにビア導体で電気的に接続されていなくてもよい。
　各層の側面電極を互いに接続するビア導体（たとえば、ビア導体３１，３２）は、外部電極４１と電気的に直接接続されていることが好ましい。ビア導体と外部電極４１とが電気的に直接接続されることで、外部電極４１と側面電極との間の電気抵抗を低く抑えることができる。もちろん、電気抵抗が低ければ、各層の側面電極を互いに接続するビア導体（たとえば、ビア導体３１，３２）と外部電極４１とを電気的に直接接続しなくてもよい。
　図３および図４において外部電極４１近傍の構成について説明したが、電子部品１では、他の外部電極４２～４４近傍についても同様の構成を採用しており、側面電極と内部電極との間で生じるマイグレーションなどの不具合の発生を抑えることができる。また、電子部品１は、図３に示すダミー電極５１，５２を採用するが、図４に示す構成を採用しなくてもよい。
　次に、分解平面図を用いて各層の構成について説明する。図５は、実施の形態に係る電子部品１の構成を示す分解平面図である。まず、たとえば、スクリーン印刷法を用いて、コイルやコンデンサの内部電極および側面電極の電極パターンの各々が、図５に示すように、基板である絶縁基板３ａ～３ｌに導電性ペースト（Ａｇペースト）で形成される。
　絶縁基板３ａは、図５に示すように、側面電極２１ａ～側面電極２４ａおよびダミー電極５１ａ～ダミー電極５８ａが形成されている。さらに、絶縁基板３ａは、第２コイルＬ２の一部を構成する内部電極１２ａ、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ａ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ａが形成されている。内部電極１２ａは、内部電極１３ａと電気的に接続されている。
　絶縁基板３ｂは、側面電極２１ｂ～側面電極２４ｂおよびダミー電極５１ｂ～ダミー電極５８ｂが形成されている。さらに、絶縁基板３ｂは、第２コイルＬ２の一部を構成する内部電極１２ｂ、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｂ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｂが形成されている。側面電極２１ｂは、内部電極１３ｂと電気的に接続され、側面電極２４ｂは、内部電極１４ｂと電気的に接続されている。さらに、側面電極２２ｂの接続点３４ｂは、内部電極１３ａの接続点３４ａとビア導体３４を介して電気的に接続されている。側面電極２３ｂの接続点３３ｂは、内部電極１４ａの接続点３３ａとビア導体３３を介して電気的に接続されている。
　絶縁基板３ｃは、側面電極２１ｃ～側面電極２４ｃおよびダミー電極５１ｃ～ダミー電極５８ｃが形成されている。さらに、絶縁基板３ｃは、第２コイルＬ２の一部を構成する内部電極１２ｃ、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｃ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｃが形成されている。側面電極２２ｃは、内部電極１３ｃと電気的に接続され、側面電極２３ｃは、内部電極１４ｃと電気的に接続されている。
　絶縁基板３ｄは、側面電極２１ｄ～側面電極２４ｄおよびダミー電極５１ｄ～ダミー電極５８ｄが形成されている。さらに、絶縁基板３ｄは、第２コイルＬ２の一部を構成する内部電極１２ｄ、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｄ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｄが形成されている。側面電極２１ｄは、内部電極１３ｄと電気的に接続され、側面電極２４ｄは、内部電極１４ｄと電気的に接続されている。さらに、内部電極１２ｄは、内部電極１４ｄと電気的に接続されている。内部電極１２ａ～内部電極１２ｄは、図示していないがビア導体で電気的に接続され第２コイルＬ２を構成している。
　絶縁基板３ｅは、側面電極２１ｅ～側面電極２４ｅおよびダミー電極５１ｅ～ダミー電極５８ｅが形成されている。さらに、絶縁基板３ｅは、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｅ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｅが形成されている。側面電極２２ｅは、内部電極１３ｅと電気的に接続され、側面電極２３ｅは、内部電極１４ｅと電気的に接続されている。
　絶縁基板３ｆは、側面電極２１ｆ～側面電極２４ｆおよびダミー電極５１ｆ～ダミー電極５８ｆが形成されている。さらに、絶縁基板３ｆは、第１コイルＬ１の一部を構成する内部電極１１ｆ、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｆ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｆが形成されている。側面電極２１ｆは、内部電極１３ｆと電気的に接続され、側面電極２４ｆは、内部電極１４ｆと電気的に接続されている。さらに、内部電極１１ｆは、内部電極１４ｆと電気的に接続されている。
　絶縁基板３ｇは、側面電極２１ｇ～側面電極２４ｇおよびダミー電極５１ｇ～ダミー電極５８ｇが形成されている。さらに、絶縁基板３ｇは、第１コイルＬ１の一部を構成する内部電極１１ｇ、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｇ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｇが形成されている。側面電極２２ｇは、内部電極１３ｇと電気的に接続され、側面電極２３ｇは、内部電極１４ｇと電気的に接続されている。
　絶縁基板３ｈは、側面電極２１ｈ～側面電極２４ｈおよびダミー電極５１ｈ～ダミー電極５８ｈが形成されている。さらに、絶縁基板３ｈは、第１コイルＬ１の一部を構成する内部電極１１ｈ、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｈ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｈが形成されている。側面電極２１ｈは、内部電極１３ｈと電気的に接続され、側面電極２４ｈは、内部電極１４ｈと電気的に接続されている。
　絶縁基板３ｉは、側面電極２１ｉ～側面電極２４ｉおよびダミー電極５１ｉ～ダミー電極５８ｉが形成されている。さらに、絶縁基板３ｉは、第１コイルＬ１の一部を構成する内部電極１１ｉ、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｉ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｉが形成されている。側面電極２２ｉは、内部電極１３ｉと電気的に接続され、側面電極２３ｉは、内部電極１４ｉと電気的に接続されている。
　絶縁基板３ｊは、側面電極２１ｊ～側面電極２４ｊおよびダミー電極５１ｊ～ダミー電極５８ｊが形成されている。さらに、絶縁基板３ｊは、第１コイルＬ１の一部を構成する内部電極１１ｊ、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｊ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｊが形成されている。側面電極２１ｊは、内部電極１３ｊと電気的に接続され、側面電極２４ｊは、内部電極１４ｊと電気的に接続されている。さらに、内部電極１１ｊは、内部電極１３ｊと電気的に接続されている。内部電極１１ｆ～内部電極１１ｊは、図示していないがビア導体で電気的に接続され第１コイルＬ１を構成している。
　絶縁基板３ｋは、側面電極２１ｋ～側面電極２４ｋおよびダミー電極５１ｋ～ダミー電極５８ｋが形成されている。さらに、絶縁基板３ｋは、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｋ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｋが形成されている。内部電極１３ｋの接続点３６ｋは、側面電極２２ｊの接続点３６ｊとビア導体３６を介して電気的に接続されている。内部電極１４ｋの接続点３５ｋは、側面電極２３ｊの接続点３５ｊとビア導体３５を介して電気的に接続されている。
　側面電極２１ｂ～側面電極２１ｊ、側面電極２２ｂ～側面電極２２ｊ、側面電極２３ｂ～側面電極２３ｊ、および側面電極２４ｂ～側面電極２４ｊのすべての側面電極は、図４で説明したように互いにビア導体で電気的に接続されている。なお、絶縁基板３ｌは、絶縁体３の底面に形成される外部電極４１～外部電極４４の各々に対応して側面電極２１ｌ～側面電極２４ｌが形成されている。
　ここで、ダミー電極５１ａ～５１ｋを総称してダミー電極５１、ダミー電極５２ａ～５２ｋを総称してダミー電極５２、ダミー電極５３ａ～５３ｋを総称してダミー電極５３、ダミー電極５４ａ～５４ｋを総称してダミー電極５４とする。さらに、ダミー電極５５ａ～５５ｋを総称してダミー電極５５、ダミー電極５６ａ～５６ｋを総称してダミー電極５６、ダミー電極５７ａ～５７ｋを総称してダミー電極５７、ダミー電極５８ａ～５８ｋを総称してダミー電極５８とする。
　電子部品１では、図５に示した複数の絶縁基板３ａ～３ｌの各々を少なくとも１枚積層するとともに、その上下両面側に電極パターンが印刷されていない絶縁基板（ダミー層）を複数積層する。ダミー層を含め複数の絶縁基板を圧着することにより、未焼成の絶縁体３（ガラス素体）を形成する。形成した絶縁体３を焼成し、焼成した絶縁体３の外部に、外部電極４１～外部電極４４の各々をめっきで形成する。
　以上のように、実施の形態に係る電子部品１は、各々が側面電極２１～２４および内部電極１１～１４を含む複数の絶縁基板を積層した絶縁体３と、側面電極２１～２４と電気的に接続し、絶縁体３の側面に設けられる外部電極４１～４４と、を備える。複数の絶縁基板３ａ～３ｋの各々は、積層方向から視て側面電極２１～２４の両側に絶縁部分を挟んで配置されたダミー電極５１～５８をさらに含む。外部電極４１～４４は、側面電極２１～２４からダミー電極５１～５８が配置されている位置まで設けられ、絶縁体３の側面でダミー電極５１～５８と接続されている。
　これにより、実施の形態に係る電子部品１は、複数の絶縁基板は、積層方向から視て側面電極２１～２４の両側に絶縁部分を挟んで配置されたダミー電極５１～５８をさらに含むので、マイグレーションなどの不具合の発生を抑えることができる。
＜変形例＞
　（１）これまで説明した電子部品１では、図５に示すように、絶縁体３の天面に最も近い内部電極１３ａ，１４ａ、および絶縁体３の底面に最も近い内部電極１３ｋ，１４ｋは、側面電極と電気的に接続していない。しかし、これに限られず、内部電極１３ａ，１４ａ、および内部電極１３ｋ，１４ｋは、側面電極と電気的に接続してもよい。
　図６は、変形例１に係る電子部品１Ａの構成を示す分解平面図である。なお、変形例１に係る電子部品１Ａの構成において、実施の形態に係る電子部品１の構成と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。
　絶縁基板３ａ１は、図５に示すように、側面電極２１ａ～側面電極２４ａおよびダミー電極５１ａ～ダミー電極５８ａが形成されている。さらに、絶縁基板３ａ１は、第２コイルＬ２の一部を構成する内部電極１２ａ、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ａ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ａが形成されている。内部電極１３ａは、側面電極２２ａと電気的に接続され、内部電極１４ａは、側面電極２３ａと電気的に接続されている。そのため、内部電極１４ａは、ビア導体３３を設けなくても、側面電極２３ａと側面電極２３ｂとが外部電極４３（図１参照）を介して電気的に接続されているので、側面電極２３ｂと電気的に接続される。また、内部電極１３ａは、ビア導体３４を設けなくても、側面電極２２ａと側面電極２２ｂとが外部電極４２（図１参照）を介して電気的に接続されているので、側面電極２２ｂと電気的に接続される。
　絶縁基板３ｋ１は、側面電極２１ｋ～側面電極２４ｋおよびダミー電極５１ｋ～ダミー電極５８ｋが形成されている。さらに、絶縁基板３ｋ１は、第１コンデンサＣ１の一部を構成する内部電極１３ｋ、および第２コンデンサＣ２の一部を構成する内部電極１４ｋが形成されている。内部電極１３ｋは、側面電極２２ｋと電気的に接続され、内部電極１４ｋは、側面電極２３ｋと電気的に接続されている。そのため、内部電極１４ｋは、ビア導体３５を設けなくても、側面電極２３ｊと側面電極２３ｋとが外部電極４３（図１参照）を介して電気的に接続されているので、側面電極２３ｊと電気的に接続される。また、内部電極１３ｋは、ビア導体３６を設けなくても、側面電極２２ｊと側面電極２２ｋとが外部電極４２（図１参照）を介して電気的に接続されているので、側面電極２２ｊと電気的に接続される。
　変形例１に係る電子部品１Ａは、図６に示す構成を採用することで設計の自由度を確保することができる。
　（２）これまで説明した電子部品１では、図５に示すように、側面電極２１～２４の各層のすべてにダミー電極５１～５８を形成している。しかし、これに限られず、電子部品は、側面電極２１～２４の各層のうち必要な層にダミー電極５１～５８を形成してもよい。
　図７は、変形例２に係る電子部品１Ｂの構成を示す分解平面図である。なお、変形例２に係る電子部品１Ｂの構成において、実施の形態に係る電子部品１の構成と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。
　絶縁基板３ｂ２、絶縁基板３ｄ２、絶縁基板３ｆ２、絶縁基板３ｈ２、および絶縁基板３ｊ２は、側面電極２３の近傍のみにダミー電極５５～５６を形成している。さらに、絶縁基板３ａ２、絶縁基板３ｃ２、絶縁基板３ｅ２、絶縁基板３ｇ２、絶縁基板３ｉ２、および絶縁基板３ｋ２は、側面電極２４の近傍のみにダミー電極５３～５４を形成している。
　変形例２に係る電子部品１Ｂは、図７に示す構成を採用することで電圧差が生じマイグレーションが起こり得る可能性がある電極（たとえば、側面電極２３，側面電極２４）のみにダミー電極を設けるため、不要なダミー電極を設ける必要がなく、絶縁基板において内部電極を形成することができる領域をより広く確保することができる。
　（３）これまで説明した電子部品１では、図３に示すように、側面電極２１の両側に形成されるダミー電極５１，５２は各１個であった。しかし、これに限られず、電子部品は、側面電極２１の両側に複数のダミー電極を形成してもよい。
　図８は、変形例３に係る電子部品の１つの外部電極近傍の平面図である。なお、変形例３に係る電子部品１Ｃの構成において、実施の形態に係る電子部品１の構成と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明を繰り返さない。
　変形例３に係る電子部品１Ｃでは、積層方向（Ｚ方向）から視て側面電極２１の両側に絶縁部分を挟んで配置されたダミー電極５１Ａ，５２Ａ（第１ダミー電極）を設けている。さらに、電子部品１Ｃは、ダミー電極５１Ａ，５２Ａより側面電極２１から遠い位置にダミー電極５１Ｂ，５２Ｂ（第２ダミー電極）を設けている。外部電極４１は、側面電極２１からダミー電極５１Ｂ，５２Ｂが配置されている位置まで設けられ、絶縁体３の側面でダミー電極５１Ａ，５１Ｂ，５２Ａ，５２Ｂと接続されている。ダミー電極５１Ａに加えてダミー電極５１Ｂを設けることで、隙間から浸入した水分はダミー電極５１Ａだけでなくダミー電極５１Ｂを迂回しなければ側面電極２１に至ることができず、側面電極２１と内部電極１３との間で生じるマイグレーションなどの不具合の発生をより抑えることができる。つまり、ダミー電極５１Ａ，５２Ａに加えてダミー電極５１Ｂ，５２Ｂを設けることで、外部電極４１の端から側面電極２１に至る経路を延長することができ、絶縁体３の内部へと浸入する水分の浸入経路を長くすることができる。
　図示していないが、電子部品１Ｃは、さらにダミー電極５１Ｂ，５Ｂｂより側面電極２１から遠い位置に複数のダミー電極を設けてもよい。図８において外部電極４１近傍の構成について説明したが、電子部品１Ｃでは、他の外部電極４２～４４近傍についても同様の構成を採用している。つまり、電子部品１Ｃのダミー電極５１～５４は、積層方向から視て側面電極２１～２４に近いダミー電極（第１ダミー電極）と、側面電極２１～２４から遠いダミー電極（第２ダミー電極）と、を含むので、側面電極と内部電極との間で生じるマイグレーションなどの不具合の発生をより抑えることができる。
　＜態様＞
　（１）本開示に係る電子部品は、
　各々が側面電極および内部電極を含む複数の絶縁基板を積層した絶縁体と、
　側面電極と電気的に接続し、絶縁体の側面に設けられる外部電極と、を備え、
　複数の絶縁基板は、積層方向から視て側面電極の両側に絶縁部分を挟んで配置されたダミー電極をさらに含み、
　外部電極は、絶縁体の側面でダミー電極と接続されている。
　（２）（１）に記載の電子部品は、
　絶縁体は、積層方向に対して互いに対向する第１主面と第２主面とを有し、
　第１主面に最も近い第１側面電極と、第１側面電極より第２主面に近い位置に隣接される第２側面電極との間、および第２主面に最も近い第３側面電極と、第３側面電極より第１主面に近い位置に隣接される第４側面電極との間は、ビア導体で電気的に接続されていない。
　（３）（２）に記載の電子部品は、
　第１側面電極と第２側面電極との間、および第３側面電極と第４側面電極との間を除いて、各層の側面電極は互いにビア導体で電気的に接続されている。
　（４）（３）に記載の電子部品は、
　ビア導体は、外部電極と電気的に直接接続されている。
　（５）（１）～（４）のいずれか１項に記載の電子部品は、
　ダミー電極と内部電極との距離は、側面電極と内部電極の距離よりも長い。
　（６）（１）～（５）のいずれか１項に記載の電子部品は、
　積層方向から視たダミー電極の形状は、外部電極と接する辺より外部電極と接しない辺の方が長い矩形状である。
　（７）（１）～（６）のいずれか１項に記載の電子部品は、
　ダミー電極は、積層方向から視て側面電極に近い第１ダミー電極と、側面電極から遠い第２ダミー電極と、を含む。
　（８）（１）～（７）のいずれか１項に記載の電子部品は、
　外部電極は、絶縁体の側面に設けられる第１外部電極層と、第１外部電極層を覆う第２外部電極層と、を含み、第１外部電極層は、側面電極およびダミー電極と接する。
　（９）（８）に記載の電子部品は、
　第１外部電極層はニッケルで、第２外部電極層は金である。
　（１０）（１）～（９）のいずれか１項に記載の電子部品は、
　側面電極は、積層方向から視て絶縁体の四隅に設けられ、各々の形状が四角形である。
　（１１）（１）～（１０）のいずれか１項に記載の電子部品は、
　内部電極は、コイルの一部を構成する電極と、コンデンサの一部を構成する電極とを少なくとも含み、絶縁体内でフィルタ回路を構成する。
　今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１，１Ａ～１Ｃ　電子部品、３　絶縁体、３ａ～３ｌ　絶縁基板、１１～１４　内部電極、２１～２４　側面電極、３１～３６　ビア導体、４１～５１　外部電極、５１～５８　ダミー電極。

Claims (11)

  1. 　電子部品であって、
    　各々が側面電極および内部電極を含む複数の絶縁基板を積層した絶縁体と、
    　前記側面電極と電気的に接続し、前記絶縁体の側面に設けられる外部電極と、を備え、
    　前記複数の絶縁基板の各々は、積層方向から視て前記側面電極の両側に絶縁部分を挟んで配置されたダミー電極をさらに含み、
    　前記外部電極は、前記絶縁体の側面で前記ダミー電極と接続されている、電子部品。
  2. 　前記絶縁体は、積層方向に対して互いに対向する第１主面と第２主面とを有し、
    　前記第１主面に最も近い第１側面電極と、前記第１側面電極より前記第２主面に近い位置に隣接される第２側面電極との間、および前記第２主面に最も近い第３側面電極と、前記第３側面電極より前記第１主面に近い位置に隣接される第４側面電極との間は、ビア導体で電気的に接続されていない、請求項１に記載の電子部品。
  3. 　前記第１側面電極と前記第２側面電極との間、および前記第３側面電極と前記第４側面電極との間を除いて、各層の前記側面電極は互いに前記ビア導体で電気的に接続されている、請求項２に記載の電子部品。
  4. 　前記ビア導体は、前記外部電極と電気的に直接接続されている、請求項３に記載の電子部品。
  5. 　前記ダミー電極と前記内部電極との距離は、前記側面電極と前記内部電極の距離よりも長い、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の電子部品。
  6. 　積層方向から視た前記ダミー電極の形状は、前記外部電極と接する辺より前記外部電極と接しない辺の方が長い矩形状である、請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の電子部品。
  7. 　前記ダミー電極は、積層方向から視て前記側面電極に近い第１ダミー電極と、前記側面電極から遠い第２ダミー電極と、を含む、請求項１～請求項６のいずれか１項に記載の電子部品。
  8. 　前記外部電極は、前記絶縁体の側面に設けられる第１外部電極層と、前記第１外部電極層を覆う第２外部電極層と、を含み、前記第１外部電極層は、前記側面電極および前記ダミー電極と接する、請求項１～請求項７のいずれか１項に記載の電子部品。
  9. 　前記第１外部電極層はニッケルで、前記第２外部電極層は金である、請求項８に記載の電子部品。
  10. 　前記側面電極は、積層方向から視て前記絶縁体の四隅に設けられ、各々の形状が四角形である、請求項１～請求項９のいずれか１項に記載の電子部品。
  11. 　前記内部電極は、コイルの一部を構成する電極と、コンデンサの一部を構成する電極とを少なくとも含み、前記絶縁体内でフィルタ回路を構成する、請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載の電子部品。
PCT/JP2024/005976 2023-06-06 2024-02-20 電子部品 Ceased WO2024252736A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2025525949A JPWO2024252736A1 (ja) 2023-06-06 2024-02-20
CN202480030697.9A CN121153093A (zh) 2023-06-06 2024-02-20 电子部件
US19/404,944 US20260088793A1 (en) 2023-06-06 2025-12-01 Electronic component

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023-093242 2023-06-06
JP2023093242 2023-06-06

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US19/404,944 Continuation US20260088793A1 (en) 2023-06-06 2025-12-01 Electronic component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2024252736A1 true WO2024252736A1 (ja) 2024-12-12

Family

ID=93795828

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2024/005976 Ceased WO2024252736A1 (ja) 2023-06-06 2024-02-20 電子部品

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20260088793A1 (ja)
JP (1) JPWO2024252736A1 (ja)
CN (1) CN121153093A (ja)
WO (1) WO2024252736A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154632A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Murata Mfg Co Ltd ３端子コンデンサ
JP2012094820A (ja) * 2010-09-28 2012-05-17 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品
JP2012119681A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 積層セラミックキャパシタ
JP2018056543A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 積層型キャパシタ及びその製造方法
JP2018198326A (ja) * 2018-08-21 2018-12-13 太陽誘電株式会社 積層コンデンサ
WO2021215104A1 (ja) * 2020-04-20 2021-10-28 株式会社村田製作所 電子部品
JP2023062846A (ja) * 2021-10-22 2023-05-09 Tdk株式会社 コイル部品及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154632A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Murata Mfg Co Ltd ３端子コンデンサ
JP2012094820A (ja) * 2010-09-28 2012-05-17 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品
JP2012119681A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 積層セラミックキャパシタ
JP2018056543A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 積層型キャパシタ及びその製造方法
JP2018198326A (ja) * 2018-08-21 2018-12-13 太陽誘電株式会社 積層コンデンサ
WO2021215104A1 (ja) * 2020-04-20 2021-10-28 株式会社村田製作所 電子部品
JP2023062846A (ja) * 2021-10-22 2023-05-09 Tdk株式会社 コイル部品及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN121153093A (zh) 2025-12-16
US20260088793A1 (en) 2026-03-26
JPWO2024252736A1 (ja) 2024-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110036469B (zh) 高频模块
CN108109807B (zh) 电子部件
US8050045B2 (en) Electronic component and method of manufacturing the same
JP7155499B2 (ja) 積層型電子部品およびその製造方法
JP5333680B2 (ja) 部品内蔵基板およびその製造方法
JP6107080B2 (ja) 積層コンデンサ
KR100970838B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터
CN107785148B (zh) 电子部件
KR100770556B1 (ko) 적층형 콘덴서
KR20220116559A (ko) 박막 캐패시터 및 그 제조 방법 및 박막 캐패시터를 구비하는 전자 회로 기판
KR20140081360A (ko) 적층 세라믹 커패시터, 그 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터가 실장된 회로기판
US10827613B2 (en) Multilayer circuit board, multilayer electronic component, and module
JPWO2013058144A1 (ja) 複合電子部品
JP6064860B2 (ja) 複合電子部品及び複合電子部品の製造方法
JP2021002591A (ja) 積層コイル部品
JP6740874B2 (ja) 電子部品
JP5958454B2 (ja) 部品内蔵モジュール
JP6136507B2 (ja) 積層コンデンサアレイ
WO2024252736A1 (ja) 電子部品
JP4752280B2 (ja) チップ型電子部品およびその製造方法
CN114093592A (zh) 表面安装型无源部件
JP4837275B2 (ja) 積層型コンデンサの実装構造
JP4975668B2 (ja) 積層型コンデンサ及びその実装構造
JP4501524B2 (ja) セラミック多層基板およびその製造方法
JPWO2014087792A1 (ja) 高周波モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 24818975

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2025525949

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2025525949

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: CN2024800306979

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE