WO2026057801A2 - Réacteur cvd - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un dispositif et un procédé pour déposer des couches sur un ou plusieurs substrats (21), une chambre de traitement (12) délimitée vers le haut par un plafond de chambre de traitement (13) et vers le bas par un ensemble suscepteur (14, 15, 16) destiné à recevoir le ou les substrats (21) étant disposée dans un boîtier (2) comportant des parois de boîtier (3, 4, 5), chambre de traitement dans laquelle un gaz de traitement fourni par un système de mélange de gaz (10) peut être introduit à l'aide d'un organe d'admission de gaz (6), l'ensemble suscepteur (14, 15, 16) pouvant être chauffé par un dispositif de chauffage (17) à une température de traitement > 800°C, le plafond de chambre de traitement (13) présentant une distance verticale par rapport à l'ensemble suscepteur (14, 15, 16) suffisamment faible pour que le plafond de la chambre de traitement (13) atteigne une température d'au moins 500 °C, et comprenant un dispositif optique (22) qui coopère, par l'intermédiaire d'un chemin optique (25) à travers une ouverture (23) de la paroi de boîtier (3), avec la surface du substrat (21) ou de l'ensemble suscepteur (14, 15, 16). Selon l'invention, le dispositif optique (22) doit comporter un guide de lumière (101, 101') constitué en particulier d'une ligne à fibres optiques et reliant l'ouverture (23) à un élément optique (103) disposé à distance de l'ouverture (23) dans un module optique (102).
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