AT127317B - Verfahren zur Herstellung von Elektroden für trockene Gleichrichterzellen. - Google Patents

Description

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  Verfahren zur Herstellung von Elektroden für trockene   Gleichriehterzellen.   
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Elektroden trockener Gleichrichterzellen   mit Berührungsflächen   von besonderer Gleichförmigkeit und Dicke. Damit diese Zellen möglichst 
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 heiten an der Oberfläche auftreten können, ist es nötig, dass die Elektrodenelemente möglichst glatt, dicht und von im wesentlichen durchaus   gleichförmiger   Dicke sind. Die Erfindung bezieht sich auf die Auswahl der im folgenden angegebenen Verfahren für die Herstellung von Gleichrichterelektroden. 



   Um bei Gleichrichterzellen, bei welchen für die elektropositive Elektrode Aluminium und für die elektronegative Elektrode Kupfersulfid verwendet wird, dichte, glatte und feste Elektroden zu erhalten, werden gemäss der Erfindung Methoden angewandt, die im allgemeinen in der Anwendung chemischer Prozesse bestehen. Hiebei ist zu bemerken, dass, obwohl Aluminium allein als elektropositives Elektrodenmaterial für gewisse Zwecke Anwendung finden kann, dasselbe doch im allgemeinen unbeständig ist, da die darauf durch den hindurchgehenden Strom erzeugte gleichrichtende Schicht im allgemeinen nur eine verhältnismässig kurze Zeit hält, und da starke   Formierungsströme   nötig sind, um auf Aluminium durch die Wirkung trockener Elektrolyse eine Schicht zu erzeugen, die einigermassen für Gleichrichtungszwecke genügt.

   Wird die Elektrode aus amalgamiertem Aluminium hergestellt, so ist sie dauerhaft und gegenüber der negativen Elektrode in hohem Masse aktiv. 



   Um eine solche dichte, glatte und feste Aluminium-Amalgamelektrode zu erhalten, taucht man in an sich bekannter Weise Aluminiumplatten in ein Bad von im wesentlichen gesättigter Quecksilberchloridlösung, bis die Reaktion zwischen der Platte und der Lösung eine verhältnismässig dichte und dicke Schicht von Aluminium-Amalgam erzeugt hat. Eine Platte mit einer solchen Schicht bildet eine sehr wirksame Elektrode für die Verwendung in einer Gleichrichterzelle in Berührung mit einer Kupfersulfid-Elektrode.

   Sie vermag grosse elektrische Überlastungen auszuhalten, da sie infolge der besonderen Art ihrer Formierung eine erhöhte Kapazität besitzt, welche zum Teil daher rührt, dass das Amalgam nicht nur eine   Oberflächenschicht   bildet, sondern eine in das Innere der Platte hineingreifende und sie durchdringende Schicht, und zum Teil darauf, dass der Übergangswiderstand zwischen einem solchen Aluminium-Amalgam und der Kupfersulfid-Elektrode verhältnismässig niedriger ist, als der Übergangswiderstand zwischen Elektroden, die auf andere Art formiert wurden. 



   Die Erzeugung der elektronegativen Elektrode aus Kupfersulfid, welche mit der erwähnten elektropositiven Elektrode zusammenwirken soll, erfolgt derart, dass man Scheiben oder Platten von metallischem Kupfer, welche verhältnismässig dünn sind, z. B. eine Dicke von etwa 5 mm besitzen, in einer Reaktionskammer der Einwirkung von   Schwefeldämpfen   aussetzt, wobei man in der Kammer eine niehtoxydierende Atmosphäre erhält und die Reaktion bei einer Temperatur von 150 bis   5000 C,   u. zw. vorzugsweise bei der letzterwähnten Temperatur durchführt.

   Bei einer solchen Behandlung wird die ganze Masse mit Ausnahme einer verhältnismässig dünnen Kernschicht in Kupfersulfid umgewandelt, welches als hartes, schwarzes, festes   metallähnliches   Material erscheint, das verhältnismässig günstige Gleichrichter-und sonstige elektrische Eigenschaften besitzt, z. B. verhältnismässig geringen Leitungswiderstand aufweist. 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Verfahren zur Herstellung von aus Aluminium-Amalgam bestehenden elektropositiven Elektroden trockener Gleichrichterzellen, dadurch gekennzeichnet, dass reines Aluminium in eine gesättigte Lösung von Quecksilberchlorid eingetaucht wird, bis sich eine dicke Aluminium-Amalgamschieht gebildet hat. 

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Claims (1)

1. 2. Verfahren zur Herstellung von aus Kupfersulfid bestehenden elektronegativen Elektroden trockener Gleichrichterzellen, dadurch gekennzeichnet, dass Kupfer in einer Schwefeldämpfe enthaltenden Atmosphäre auf eine zwischen 150'C und 500'C liegende Temperatur erhitzt wird. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.