AT157636B - Sekundärelektronenverstärkung. - Google Patents

Sekundärelektronenverstärkung.

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AT157636B
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   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Sekundärelektronenverstärkung. 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 ladungen und Beanspruchungen der anodenbleche niedriger bleiben als bei bisher bekannten Anordnungen. Da die Rauhladungsdichte nach einem logarithmisehen Gesetz zunimmt, ist es   zweckmässig.   um eine stets gleichbleibende Raumladung zu erhalten, die Fläche der Auslöseelektroden nach einem logarithmisehen Gesetz anwachsen zu lassen. Bei Zugrundelegung der Kegelform ergibt sich dadurch eine Rotationsfläche für die   Auslöseelektroden,   deren Erzeugende eine logarithmische Linie ist. 



   Die Spannungen für die Auslöseelektroden werden so gewählt, dass die Ausbeute an   Sekundär-   
 EMI2.1 
 gegen die Kathode, die Elektrode 19 an 900 Volt, die Elektrode   20   an   1350   Volt, die Elektrode 21 an 1800 Volt usw. gelegt. Die zwischen den Elektroden gegebenenfalls vorgesehenen Hilfselektroden 7,   8,   9, 10 und   11,   die ein sicheres Absaugen der Sekundärelektronen bewirken sollen, erhalten beispielsweise das Potential der   nächstfolgenden   Auslöseelektrode und können mit dieser direkt verbunden werden. 



   Vergrössert man den Winkel in der Spitze des Kegels auf   180 .   so gelangt man zu einer Anordnung, bei der die Elektroden aus konzentrischen Kreisringen gebildet werden. Eine solche Anordnung ist in Fig. 2 und 3 dargestellt. Hier bedeutet 1 die erste   Auslöseelektrode,   die als Kreisplatte ausgebildet ist. 2, 3, 4, 5 und 6 sind kreisringförmige Auslöseelektroden, so dass auch hier mit steigender Stufenzahl die Oberflächen der Elektroden proportional dem Radius sind. Die Auffanganode 24 ist als Zylinder ausgebildet. 



   Die Erfindung ist nicht   beschränkt   auf eine   Sekundärverstärkung   mit elektrisehen Feldern, sondern auch Anordnungen, bei denen der Transport der Sekundärelektronen unter Zuhilfenahme magnetischer Ablenkfelder vor sieh geht, werden zweekmässig gemäss der Erfindung ausgeführt. In Fig. 4 ist 25 ein metallischer Topf, auf dessen Boden in der Mitte ein   senkrechter   Metallstift 26 auf-   geschweisst oder aufgelötet ist. Zwischen das Ende dieses Metallstiftes 26 und das obere Ende des Metall-   topfes 25 wird eine Gleichstromquelle 27 angeschlossen, so dass sieh in dem Topf und seiner Mittelachse ein magnetisches Feld ausbilden kann, bei dem die Kraftlinien als geschlossene Kreise das gesamte Topfinnere ausfüllen.

   Es ist selbstverständlich   möglich,   diesen Topf durch einen Spulenkörper entsprechender Windungsausbildung zu ersetzen, um so die Gleichstromaufnahme der Anordnung herunterzusetzen. Man kann diesen Topf entweder direkt in ein   Vakuumgefäss   einsetzen oder ein Vakuumgefäss 28 im Innern des Topfes anordnen. In diesem Vakuumgefäss befinden sich konzentrische kreis- 
 EMI2.2 
   kathode 32,   und beschleunigungslektroden 33, 34, 35. Die elektrischen Felder der Kreisringkondensatoren haben einen solchen Verlauf, dass sich im Zusammenwirken mit dem Magnetfeld halbkreisförmige Elektronenbahnen ergeben, auf denen die Primärelektronen zur   nächstfolgenden   Auslöseelektrode laufen.

   Da es sieh nicht erreichen lässt, dass die Kraftlinien den Querschnitt des Magnetkörpers homogen ausfüllen, so werden die Elektronenbahnen zum Rande des Topfes hin einen grösseren Radius haben und man wird dementsprechend die Breite der einzelnen Kreisringe auch stetig wachsen lassen, um sicher zu sein, dass die Primärelektronen eines Ringes auf die nächstfolgende Auslöseelektrode auftreffen. 



   Eine weitere Ausführungsform ist in Fig. 5 dargestellt. Die Elektroden sind in diesem Fall halb- 
 EMI2.3 
 ordnet ist. Das Feld des Magneten hat im Bereich des Vakuumgefässes annähernd halbkreisförmigen Verlauf, so dass auch in diesem Falle ähnlich wie nach Fig. 4 die Elektronen sich auf bogenförmigen 
 EMI2.4 
 
PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Mehrstufiger Sekundärelektronenverstärker, dadurch gekennzeichnet, dass die Auslöseelektroden aufeinanderfolgender Stufen derart wachsende Flächen besitzen, dass die maximal auftretende Raumladungsdichte in den höheren Stufen etwa konstant bleibt.

Claims (1)

  1. 2. Sekundärelektronenverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Auslöse- elektroden (18-2 als Rotationskörper mit gemeinsamer Achse und in den höheren Stufen zunehmenden Halbmessern ausgebildet sind (Fig. 1).
    3. Sekundärelektronenverstärker nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Flächen der Auslöseelektroden (2-6) in senkrecht zur Rotationsachse verlaufenden Ebenen liegen (Fig. 2 und 3).
    4. Sekundärelektronenverstärker nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Auslöseelektroden wachsender Fläche in einem Magnetfeld angeordnet sind.
    5. Sekundärelektronenverstärker nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Auslöse- elektroden aus zu einem rotationssymmetrisehen Magnetfeld konzentrischen Kreisringplatten 9-. 1 bestehen, denen gegenüber eine weitere Anordnung von konzentrischen Kreisringplatten (. 33- : 1. 5) als Hilfselektroden liegt (Fig. 4).
    6. Sekundärelektronenverstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Auslöseelektroden halbkreisförmig ausgebildet sind und im halbkreisförmigen Magnetfeld eines U-Magneten (37) EMI2.5 <Desc/Clms Page number 3> 7. Sekundärelektronenverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Auslöseelektroden (18-23) in jeder Stufe längs des ganzen Umfanges einander zugekehrte Flächen aufweisen, wobei zwischen je zwei aufeinanderfolgenden Auslöseelektroden eine vorzugsweise auf dem Potential der nächstfolgenden Auslöseelektrode liegende, elektronendurchlässige Hilfselektrode, z. B. ein Netz (7-11), angeordnet ist (Fig. 1).
    8. Sekundärelektronenverstärker nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Auslöseelektroden kegel-oder kegelstumpfförmig ausgebildet sind.
    9. Sekundärelektronenverstärker nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Auslöseelektroden in ihrer Gesamtheit zwei ineinandergesteckte Kegel bzw. Kegelstümpfe bilden. EMI3.1
AT157636D 1936-02-10 1937-02-08 Sekundärelektronenverstärkung. AT157636B (de)

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