AT228274B - Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus Silizium - Google Patents
Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus SiliziumInfo
- Publication number
- AT228274B AT228274B AT937761A AT937761A AT228274B AT 228274 B AT228274 B AT 228274B AT 937761 A AT937761 A AT 937761A AT 937761 A AT937761 A AT 937761A AT 228274 B AT228274 B AT 228274B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- semiconductor arrangement
- silicon
- base body
- particular made
- monocrystalline base
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1> Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus Silizium EMI1.1
Claims (1)
- Photodioden,PATENTANSPRÜCHE : 1. Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus Silizium, und einem oder mehreren pn-Übergängen sowie einem die Oberfläche des Halbleiterkörpers, zumindest an den Stellen, an denen ein pn-Übergang zutage tritt, schützenden Lacküberzug, dadurch gekennzeichnet, dass dem Lack ein schwach sauer reagierender Stoff zugesetzt ist.2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein mindestens bis zu Temperaturen von 1500C bis 2000C beständiger Lack mit einem Zusatz eines Säureanhydrids die Oberfläche bedeckt.3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dem Lack Titandioxyd zu- gesetzt ist.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE228274X | 1961-02-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT228274B true AT228274B (de) | 1963-07-10 |
Family
ID=5867112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT937761A AT228274B (de) | 1961-02-10 | 1961-12-12 | Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus Silizium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT228274B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1257978B (de) * | 1965-04-06 | 1968-01-04 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Verfahren zur Herstellung eines Lackueberzuges zur Stabilisierung von Halbleiterbauelementen |
-
1961
- 1961-12-12 AT AT937761A patent/AT228274B/de active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1257978B (de) * | 1965-04-06 | 1968-01-04 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Verfahren zur Herstellung eines Lackueberzuges zur Stabilisierung von Halbleiterbauelementen |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nosow et al. | Man, work and society: A reader in the sociology of occupations. | |
| AT374622B (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einem halbleiterkoerper, bei dem die elektrischen eigenschaften von zwei an durch masken definierte oberflaechenteile des halbleiterkoerpers grenzenden zonen des halbleiterkoerpers geaendert werden | |
| AT228274B (de) | Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus Silizium | |
| Komura et al. | Ferromagnetism of the Intermetallic Compound UFe2 | |
| GB1007863A (en) | Improvements in or relating to condensers and other heat exchangers having anti-corrosion coatings having a plastics base | |
| JPS5251498A (en) | Corrosionproof aqueous epoxy resin compsoitons containing tannic acid | |
| AT201984B (de) | Aufreißbarer Werbebriefumschlag | |
| JPS5665052A (en) | Water-soluble film-forming resin composition | |
| AT237824B (de) | Verkürzbarer Schirm | |
| AT204447B (de) | Patronenhülse aus Aluminiumlegierung | |
| JPS5411160A (en) | Coating resin composition | |
| AT348954B (de) | Behaelter, insbesondere fuer abwasser | |
| AT262701B (de) | Vorrichtung zum Aufweiten eines Rohres zur Herstellung eines dichten Sitzes desselben in einer Öffnung einer Wand | |
| DE1823871U (de) | Arretierunterlegscheibe. | |
| AT223974B (de) | Formularsatzblock | |
| AT220929B (de) | Verstellbarer Steg für Streichinstrumente | |
| FR2065181A5 (en) | Copper-zinc alloy suitable for hot pressure - forming | |
| AT245182B (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Mosaik, insbesondere Glasmosaik | |
| AT228288B (de) | Zeilenablenkgenerator | |
| Sakai | The Relation between the Home Managerial Abilities of Homemakers and the Happiness of their Families | |
| AT272167B (de) | Federverrastung | |
| AT242307B (de) | Schablone zur Herstellung einer härtbaren Auskleidung in einer Kokille | |
| AT215036B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Verbundkörpers bzw. Verbundmaterials | |
| AT212452B (de) | Regeleinrichtung für Stromerzeuger mit Nebenschlußerregung, insbesondere für Lichtmaschinen von Kraftfahrzeugen u. dgl. | |
| JPS56157462A (en) | Thermosetting paint composition |