AT228274B - Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus Silizium - Google Patents
Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus SiliziumInfo
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<Desc/Clms Page number 1> Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus Silizium EMI1.1
Claims (1)
- Photodioden,PATENTANSPRÜCHE : 1. Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus Silizium, und einem oder mehreren pn-Übergängen sowie einem die Oberfläche des Halbleiterkörpers, zumindest an den Stellen, an denen ein pn-Übergang zutage tritt, schützenden Lacküberzug, dadurch gekennzeichnet, dass dem Lack ein schwach sauer reagierender Stoff zugesetzt ist.2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein mindestens bis zu Temperaturen von 1500C bis 2000C beständiger Lack mit einem Zusatz eines Säureanhydrids die Oberfläche bedeckt.3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass dem Lack Titandioxyd zu- gesetzt ist.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE228274X | 1961-02-10 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT228274B true AT228274B (de) | 1963-07-10 |
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|---|---|---|---|
| AT937761A AT228274B (de) | 1961-02-10 | 1961-12-12 | Halbleiteranordnung mit einem im wesentlichen einkristallinen Grundkörper, insbesondere aus Silizium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT228274B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1257978B (de) * | 1965-04-06 | 1968-01-04 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Verfahren zur Herstellung eines Lackueberzuges zur Stabilisierung von Halbleiterbauelementen |
-
1961
- 1961-12-12 AT AT937761A patent/AT228274B/de active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1257978B (de) * | 1965-04-06 | 1968-01-04 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Verfahren zur Herstellung eines Lackueberzuges zur Stabilisierung von Halbleiterbauelementen |
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