AT518580A2 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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AT518580A2 ATA50315/2017A AT503152017A AT518580A2 AT 518580 A2 AT518580 A2 AT 518580A2 AT 503152017 A AT503152017 A AT 503152017A AT 518580 A2 AT518580 A2 AT 518580A2
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Abstract

Offenbart ist ein Wafer-Bearbeitungsverfahren zum Entfernen eines ringförmigen Verstärkungsbereichs, wobei der ringförmige Verstärkungsbereich um einen Wafer-Bauteilbereich ausgebildet ist. Das Verfahren umfasst das Stützen des Wafers durch ein Klebeband an einem ringförmigen Rahmen, das Bilden einer Kennzeichnung, die einer Kerbe entspricht, an einer Position radial innerhalb eines Grenzbereichs zwischen dem Verstärkungsbereich und dem Bauteilbereich, das Schneiden des Grenzbereichs gemeinsam mit dem Klebeband auf, um dadurch den Verstärkungsbereich vom Bauteilbereich zu entfernen, und das Bewegen des ringförmigen Verstärkungsbereichs, der durch das Klebeband am ringförmigen Rahmen gestützt wird, von einem Haltetisch weg, um dadurch den ringförmigen Verstärkungsbereich vom Wafer zu entfernen.

Description

Die Erfindung betrifft ein allgemeine Verfahren zum Entfernen eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts von einem Wafer, der einen Bauteilbereich hat, wobei der ringförmige Verstärkungsabschnitt um den Bauteilbereich herum gebildet ist.
Mehr im einzelnen bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der eine Vorderseite, eine Rückseite und einen äußeren Umfang hat, wobei die Vorderseite einen Bauteilbereich hat, wo eine Vielzahl von Bauteilen gebildet ist, und einen Umfangs-Randbereich, der den Bauteilbereich umgibt, wobei der äußere Umfang eine Kerbe hat, um eine Kristallausrichtung anzugeben, und die Rückseite eine kreisförmige Vertiefung hat, die dem Bauteilbereich entspricht, sowie einen ringförmigen Verstärkungsbereich, der dem Umfangs-Randbereich entspricht
Ein Wafer, der eine Vielzahl von Bauteilen, wie z.B.integrierte Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integrationen (LSIs), auf der Vorderseite hat, wird in eine Vielzahl einzelner Chips geteilt, die der Vielzahl von Bauteilen entsprechen, wobei ein sog. Dicinggerät oder dergl. verwendet wird. Diese Chips werden weitverbreitet verwendet, um in diversen elektronischen Einrichtungen verwendet zu werden. Zum Zweck des Verringerns der Größe und des Gewichts der elektronischen Einrichtung, wird die Dicke des Wafers zum Beispiel auf auf 50 bis 100 ym verringert. Ein so dünner Wafer hat jedoch eine geringe Steifigkeit, und ein Verwerfen kann auftreten. Der Wafer ist folglich schwierig zu handhaben. Um diesem Problem abzuhelfen, wurde ein Verfahren zum Schleifen der Rückseite des Wafers in einem zentralen Bereich, der einem Bauteilbereich entspricht, wo die Vorrichtungen gebildet werden, vorgeschlagen, wodurch ein ringförmiger Verstärkungsbereich entlang des äußeren Umfangs des Wafers gebildet wird, um die Steifigkeit des Wafers zu erhöhen (s. z. B. JP-Auslegeschrift2007-019461).
Es wurde auch ein Verfahren zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsbereich voem Wafer vor dem Teilen des Wafers entlang von Trennlinien vorgeschlagen (s. z.B. JP-Auslegeschrift 2015-147231). Bei dem darin beschriebenen Verfahren wird ein Klebeband an der Vorderseite des Wafers befestigt, und das Klebeband wird an seinem peripheren Bereich an einem ringförmigen Rahmen gestützt, wodurch der Wafer über das Klebeband von dem ringförmigen Rahmen gestützt wird. In diesem Zustand wird ein Grenzabschnitt zwischen dem Bauteilbereich und dem ringförmigen Verstärkungsbereich (Umfangs-Randbereich) gemeinsam mit dem Klebeband durch Laserbearbeitung geschnitten, um dadurch den ringförmigen Verstärkungsbereich von dem Bauteilbereich zu trennen. Anschließend wird der ringförmige Verstärkungsbereich gemeinsam mit dem ringförmigen Rahmen vom Wafer entfernt.
Bei dem Wafer-Bearbeitungsverfahren, gemäß der JP-Auslegeschrift Nr. 2015-147231 besteht jedoch ein Problem dabei, dass, wenn der ringförmige Verstärkungsbereich vom Wafer entfernt wird, eine Kerbe, die auf dem ringförmigen Verstärkungsbereich gebildet ist, ebenfalls vm Wafer entfernt wird, so dass ein Ausrichten des Wafers in einem darauffolgenden Schritt schwierig wird.
Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, ein Wafer-Bearbeitungsverfahren bereitzustellen, bei dem ein geeignetes Wafers auch nach dem Entfernen des ringförmigen Verstärkungsbereichs von dem Wafer möglich ist.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Wafer-Verarbeitungsverfahren Bearbeiten eines Wafers, der eine Vorderseite, eine Rückseite und einen äußeren Umfang hat, wobei die Vorderseite einen Bauteilbereich hat, wo eine Vielzahl von Bauteilen gebildet ist, und einen Umfangs-Randbereich, der den Bauteilbereich umgibt, wobei der äußere Umfang eine Kerbe hat, um eine Kristallausrichtung anzugeben, und die Rückseite eine kreisförmige Vertiefung hat, die dem Bauteilbereich entspricht, sowie einen ringförmigen Verstärkungsbereich, der dem Umfangs-Randbereich entspricht, gekennzeichnet durch einen Waferstützschritt, mit dem Anbringen der Vorderseite des Wafers an einem Klebeband, das in seinem Umfangs-Bereich an einem ringförmigen Rahmen gestützt wird, der eine Innenseitenöffnung in dem Zustand hat, in dem der Wafer in die Innenseitenöffnung des ringförmigen Rahmens gesetzt wird, wodurch der Wafer durch das Klebeband an dem ringförmigen Rahmen gestützt wird, einen Schritt des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereichs mit dem Halten des Wafers auf einem Haltetisch in dem Zustand, in dem das Klebeband mit dem Haltetisch in Berührung ist, nachdem der Waferstützschritt ausgeführt wurde, und dann Anlegen eines Laserstrahls, der eine Absorptionswellenlänge zu dem Wafer hat, wodurch ein Grenzbereich zwischen dem ringförmigen Verstärkungsbereich und dem Bauteilbereich gemeinsam mit dem Klebeband geschnitten wird, um den ringförmigen Verstärkungsbereich von dem Bauteilbereich zu trennen, einen Schritt des Bildens einer Kennzeichnung, die der Kerbe an einer Position radial innerhalb des Grenzbereichs entspricht, vor oder nach dem Ausführen des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereichs, und einen Schritt des Entfernens des ringförmigen Verstärkungsbereichs unter Bewegen des ringförmigen Verstärkungsbereichs, der durch das Klebeband an dem ringförmigen Rahmen gestützt wird, weg vom Haltetisch nach dem Ausführen des Schritts des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereichs und nach dem Schritt der Kennzeichnungsbildung, wodurch der ringförmige
Verstärkungsbereich von dem Wafer entfernt wird.
Bei dieser Technik wird der Laserstrahl entlang des Grenzbereichs zwischen dem Bauteilbereich und dem ringförmigen Verstärkungsbereich des Wafers angelegt, um dadurch den ringförmigen Verstärkungsbereich vom Bauteilbereich zu trennen. Anschließend wird der ringförmige Verstärkungsbereich vm Haltetisch weg bewegt, um dadurch den ringförmigen Verstärkungsbereich vom Wafer zu entfernen. Die Kennzeichnung, die der Kerbe entspricht, die gemäß Stand der Technik an dem äußeren Umfang des ringförmigen Verstärkungsbereichs gebildet ist, wird an einer Position radial innerhalb des Grenzbereichs zwischen dem Bauteilbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt gebildet. Auch nach Entfernen des ringförmigen Verstärkungsbereich vom Wafer bleibt die Kennzeichnung folglich auf dem Wafer. Daraus resultiert, dass der Wafer richtig bezüglich der Kennzeichnung an Stelle der Kerbe bei dem darauffolgenden Schritt ausgerichtet werden kann.
Bevorzugt weist das WaferBearbeitungsverfahren ferner einen Schritt zum Erfassen einer Positionsbeziehung zwischen der Kerbe und dem Kennzeichnen auf, die auf dem Wafer gebildet ist, indem Erfassungsmittel verwendet werden, nachdem der Kennzeichnungsschritt ausgeführt wurde und bevor der Schritt zum trennen des ringförmigen Verstärkungsbereichs ausgeführt wird.
Gemäß der Erfindung wird das Kennzeichnen, das der Kerbe entspricht, die auf dem äußeren Umfang des ringförmigen Verstärkungsbereichs gebildet ist, an einer Position radial innerhalb des Grenzbereichs zwischen dem Bauteilbereich und dem ringförmigen Verstärkungsbereich gebildet. Sogar nach dem Entfernen des ringförmigen Verstärkungsbereichs vom Wafer kann der Wafer folglich beim darauffolgenden Schritt richtig ausgerichtet werden.
Eine vorteilhafte Verfahrensweise ist weiters gekennzeichnet durch einen Schritt des Erfassens einer Positionsbeziehung zwischen der Kerbe und der Kennzeichnung, die auf dem Wafer gebildet ist, indem Erfassungsmittel verwendet werden, nachdem Schritt der Kennzeichnungsbildung ausgeführt wurde und bevor der Schritt zum Trennen des Verstärkungsbereichs ausgeführt wird. Die Erfindung wird nachfoldend anhand von Ausführungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die Zeichnungen noch weiter erläutert. Es zeigen: Figur 1 eine perspektivische Ansicht eines
Laserbearbeitungsgeräts zum Ausführen eines Wafer-Bearbeitungsverfahrens gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung,
Figur 2 eine schematische Querschnittansicht eines Wafers und eines Haltetischs, der in dem Laserberarbeitungsgerät, gemäß Figur 1 enthalten ist,
Figur 3 eine schematische Querschnittansicht, die einen
Waferstützschritt veranschaulicht,
Figur 4A eine schematische Querschnittansicht, die einen Bildgebungsprozess bei einem Kennzeichnungsschritt veranschaulicht,
Figur 4B eine schematische Draufsicht, die einen Markiervorgang beim Kennzeichnungsschritt zeigt,
Figur 4C eine schematische Querschnittansicht, die den Markiervorgang veranschaulicht,
Figur 5 eine schematische Querschnittansicht, die den Schritt des Abtrennens des ringförmigen Verstärkungsbereichs veranschaulicht,
Figur 6 eine schematische Querschnittansicht, die das Entfernen des ringförmigen Verstärkungsbereichs veranschaulicht, und
Figur 7 eine schematische Draufsicht, die den Schritt des Erfassens einer Positionsbeziehung veranschaulicht.
Eine Wafer-Bearbeitung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die anliegende Zeichnung beschrieben.
Figur 1 zeigt in einer perspektivischen Ansicht ein Laserbearbeitungsgerät 1, dessen Konfiguration - gemäß der Darstellung in Figur 1 bloß beispielhaft ist, wobei andere Konfigurationen beim Ausführen der Wafer-Bearbeitung ebenfalls verwendet werden können.
Gemäß Figur lweist das Laserverarbeitungsgerät 1 eine Lasereinrichtung 40 zum Anlegen eines Laserstrahls an einen Wafer W auf, der auf einem Haltetisch 30 gehalten wird, wobei die Lasereinrichtung 40 und der Haltetisch 30 relativ bewegt werden, um den Wafer W zu verarbeiten. Eine Vielzahl von kreuzender Teilungslinien (nicht gezeigt) wird auf der Vorderseite des Wafers W angebracht, um dadurch eine Vielzahl von getrennten Bereichen zu definieren, in welchen eine Vielzahl von Bauteilen (nicht gezeigt) ausgebildet wird. Die Vorderseite des Wafers W weist im Allgemeinen einen Bauteilbereich Al, in dem die Bauteile ausgebildet werden, und einen Umfangs-Randbereich A2 auf, der den Bauteilbereich Al umgibt. Ferner ist der äußere Umfang des Wafers W mit einer Kerbe N (s. Fig. 4B), die eine Kristallausrichtung angibt, versehen.
Wie in Figur 2 gezeigt, ist auf der Rückseite (obere Fläche in Figur 2) des Wafers W eine kreisförmige Vertiefung 70 in einem zentralen Bereich gebildet, der dem Bauteilbereich Al entspricht, um dadurch einen vorstehenden ringförmigen Verstärkungsbereich 71 um die ringförmige Vertiefung 70 auf der Rückseite des Wafers W in einem Umfangsbereich zu bilden, der dem Randbereich A2 entspricht. Die kreisförmige Vertiefung 70 wird durch Schleifen der Rückseite des Wafers W gebildet.
Der Wafer W kann TAIKO-Wafer genannt werden. Das Bezugszeichen 73 bezeichnet einen Grenzbereich zwischen dem Bauteilbereich
Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 (dem Umfangs-Randbereich A2) . Da die Dicke des Wafers W nur in dem Bauteilbereich Al klein ist, wird die Steifigkeit des Wafers W durch den ringförmigen Verstärkungsbereich 71, der um den Bauteilbereich Al herum gebildet ist, erhöht. Obwohl die Steifigkeit des Wafers W im Bauteilbereich Al aufgrund seiner verringerten Dicke gering ist, kann der ringförmige Verstärkungsbereich 71 daher einen Mangel an Steifigkeit ausgleichen, wodurch ein Verwerfen des Wafers W eliminiert und eine Beschädigung des Wafers W beim Transferieren des Wafers W verhindert wird. Der Wafer W kann ein Halbleiterwafer sein, der zum Beispiel auf Silizium- oder Galliumsarsenid gebildet ist, oder kann ein Wafer für optische Bauteile sein, der zum Beispiel aus Keramik, Glas oder Saphir gebildet ist.
Ein Klebeband T wird am zentralen Bereich an der Vorderseite des Wafers W befestigt, und der ringförmige Rahmen F wird an dem Umfangsbereich des Klebebands T angebracht. Nachdem der Wafer W mit dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71der vorbestimmten Bearbeitung unterworfen wurde, wird der ringförmige Verstärkungsbereich 71 mit Hilfe des Laserverarbeitungsgeräts 1 entfernt. Verglichen mit dem mechanischen Dicing, das eine Schneidklinge verwendet, hat die Laserbearbeitung einen Vorteil dadurch, dass der Laserstrahl nicht mit dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 beim Entfernen dieses Verstärkungsbereichs 71 vom Wafer W interferiert. Das vorbestimmte Bearbeiten, ist ein Bearbeiten zum des Wafers W, der bereits den ringförmigen Verstärkungsbereich 71 hat. Diese Bearbeitung umfasst zum Beispiel das Bilden einer Reflexionsfolie auf der Rückseite des Wafers W im Bauteilbereich Al.
Gemäß Figur 1 hat das Laserverarbeitungsgerät 1 eine Basis 10 und einen Haltetisch-Bewegungsmechanismus 20, der auf der Basis 10 zum Bewegen des Haltetischs 30 in die X-Richtung, die durch den Pfeil X gezeigt ist, und in die Y-Richtung, die durch den Pfeil Y gezeigt ist, vorgesehen ist. Der Haltetisch-Bewegungsmechanismus 20 weist ein Paar paralleler Führungsschienen 21 auf, die auf der Basis 10 vorgesehen sind und sich in die X-Richtung erstrecken, und einen motorbetriebenen X-Tisch 22, der gleitbar auf den Führungsschienen 21 montiert ist. Der Haltetisch-Bewegungsmechanismus 20 weist ferner ein Paar parallele Führungsschienen 23 auf, die auf der oberen Fläche des X-Tischs 22 derart vorgesehen sind, dass sie sich in die Y-Richtung erstrecken, und einen motorbetriebenen Y-Tisch 24, der gleitbar auf den Führungsschienen 23 montiert ist.
Ein Nutbereich (nicht gezeigt) ist auf der unteren Fläche des X-Tischs 22 gebildet, und eine KugelumlaufSpindel 25 steht in Gewindeeingriff mit dem Nutabschnitt des X-Tischs 22. Ein Motor 27 zum Antreiben des X-Tischs 22 ist mit einem Ende der KugelumlaufSpindel 25 verbunden. Wenn daher der Motor 27 betrieben wird, wird die KugelumlaufSpindel 25 gedreht, wodurch der X-Tisch 22 entlang den Führungsschienen 21 in die X-Richtung bewegt wird. Ähnlich ist auf der unteren Fläche des Y-Tischs 24 ein Nutbereich (nicht gezeigt) gebildet, und eine Kugelumlaufspindel 26 steht in Gewindeeingriff mit dem Nutbereich des Y-Tischs 24. Ein Motor 28 zum Antreiben des Y-Tischs 24 ist mit einem Ende der Kugelumlaufspindel 26 verbunden. Wenn der Motor 28 betrieben wird, wird die Kugelumlaufspindel 26 gedreht, wodurch der Y-Tisch 24 entlang der Führungsschienen 23 in die Y-Richtung bewegt wird. Daraus resultiert, dass der Haltetisch 30 sowohl in der X-Richtung entlang den Führungsschienen 21 als auch in der Y-Richtung entlang den Führungsschienen 23 bewegt werden kann. Der Haltetisch 30 ist auf dem Y-Tisch 24 montiert, um so um eine vertikale Achse drehbar zu sein, die sich in Z-Richtung, gezeigt durch einen Pfeil Z, erstreckt. Der Haltetisch 30 hat eine obere Fläche als Halteoberfläche 31 zum Halten des Wafers W. Eine Vielzahl von Klemmen 32 zum Klemmen des ringförmigen Rahmens F, der den Wafer B durch das Klebeband T trägt, ist auf dem äußeren Umfang des Haltetischs 30 vorgesehen.
Eine vertikale Wand 11 ist an dem hinteren Ende der Basis 10 auf der Rückseite des Haltetischs 30 gebildet. Ein Armabschnitt 12 ragt von der vorderen Fläche der vertikalen Wand 11 vor. Die Lasereinrichtung 40 ist am vorderen Ende des
Armabschnitts 12 derart vorgesehen, dass sie vertikal dem Haltetisch 30 gegenüberliegt ist. Die Lasereinrichtung 40 weist einen Laserkopf 41 zum Anlegen des Laserstrahls an den Wafer W auf, der auf dem Haltetisch 30 gehalten wird. Der Laserstrahl wird daher von einem Oszillator (nicht gezeigt) oszilliert und dann durch Fokussierungsmittel (nicht gezeigt) zum Wafer W, auf dem Haltetisch 30 fokussiert. Der Laserstrahl hat eine Absorptionswellenlänge zu dem Wafer W derart, dass ein Teil des Wafers W durch das Anlegen des Laserstrahls an den Wafer W sublimiert wird, d.h., dass Laserabtragung ausgeführt wird.
Der Begriff „Abtragung" („Ablation"), der hier verwendet wird, bedeutet, dass, wenn die Intensität des angelegten Laserstrahls größer wird als ein vorbestimmter Bearbeitungs-Schwellenwert, die Energie des Laserstrahls in elektronische, Wärme-, fotowissenschaftliche und mechanische Energie auf der Oberfläche eines Feststoffs derart umgewandelt wird, dass neutrale Atome, Moleküle, positive und negative Ionen,
Radikale, Cluster, Elektronen und Licht explosiv abgegeben werden und die Feststoff-Oberfläche geätzt wird.
Bildgebungsmittel 45 zum Abbilden der äußeren Umfangskante 72 (siehe Figur 4B) des Wafers W sind nahe der Lasereinrichtung 40 angeordnet. Die äußere Umfangskante 72 des Wafers W wird an drei willkürlichen Positionen durch die Bildgebungsmittel 45 abgebildet. Jedes durch die
Bildgebungsmittel 45 erhaltene Bild wird, wird diversen Bildverarbeitungen unterworfen, um die Koordinaten dieser drei Positionen auf der äußeren Umfangskante 72 zu erfassen. Anschließend wird die Mitte des Wafers W relativ zu den Koordinaten an diesen drei Positionen auf der äußeren Umfangskante 72 berechnet, und der Laserkopf 41 wird relativ zu dieser Mitte des Wafers W ausgerichtet. Durch Ausführen dieser Ausrichtung kann der Laserkopf 41 präzise direkt oberhalb des Grenzbereichs 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 (dem Randbereich A2) positioniert werden.
Das Laserbearbeitungsgerät 1 weist ferner Steuermittel 50 zum zentralen Steuern aller Bauteile auf. Die Steuermittel 50 weisen einen Prozessor zum Ausführen diverser Verarbeitungen und einen Speicher auf, der mit dem Prozessor verbunden ist. Der Speicher besteht aus einem oder mehreren Speichermedien, wie zum Beispiel, je nach dem Verwendungen,einem Nurlesespeicher (ROM) und einem Direktzugriffsspeicher (RAM). Der ROM der Steuermittel 50 speichert vorab ein Programm, das durch den Prozessor beim Ausführen diverser Verarbeitungen bei den Schritten, die nachstehend beschrieben werden, auszuführen ist. Das Laserbearbeitungsgerät 1 führt die Laserbearbeitung entlang des Grenzbereichs 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 aus, um dadurch den ringförmigen Verstärkungsbereich 71 vom Bauteilbereich Al zu trennen.
In dem Fall, dass eine Reflexionsfolie aus Metall auf der Rückseite des Wafers W im Bauteilbereich Al gebildet ist, kann das Muster auf der Vorderseite des Wafers W von der Rückseite des Wafers W durch Verwenden einer Infrarot (IR)-Kamera oder dergleichen nicht gesehen werden, so dass die Richtung des Wafers W nicht erkannt werden kann. Die Kerbe N zum Ausrichten wird folglich auf dem äußeren Umfang des Wafers sowie derart gebildet, dass sie das Erkennen der Richtung des Wafers W auch von seiner Rückseite erlaubt. Nach dem Entfernen des ringförmigen Verstärkungsbereichs 71 von dem Wafer W ist jedoch die Kerbe N, die auf dem ringförmigen
Verstärkungsbereich 71 ausgebildet war, nicht mehr vorhanden, so dass der Wafer W im darauffolgenden Schritt nicht mehr relativ zur Kerbe N ausgerichtet werden kann.
Um diesem Problem abzuhelfen, wird eine Kennzeichnung M, die der Kerbe N entspricht, radial innerhalb des Grenzbereichs 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 vor dem Abtrennen des ringförmigen Verstärkungsbereichs 71 von dem Bauteilbereich Al (siehe Figur 4C) gebildet. Auch nach dem Entfernen des ringförmigen Verstärkungsbereichs 71 vom Wafer W kann der Wafer W folglich im darauffolgenden Schritt relativ zur der Kennzeichnung M richtig ausgerichtet werden. Die Richtung des Wafers W kann daher unter Bezugnahme auf die Kennzeichnung M erkannt werden.
Der Haltetisch 30, der beim Ausführen des Wafer-Bearbeitungsverfahrens verwendet wird, wird nun ausführlicher unter Bezugnahme auf Figur 2 beschrieben. Figur 2 ist eine schematische Querschnittansicht des Wafers W und des Haltetischs 30 bei dieser bevorzugten Ausführungsform. Die Konfiguration des Haltetischs 30, die in Figur 2 gezeigt ist, ist rein veranschaulichend, und sie kann im Rahmen der Erfindung passend geändert werden.
Wie in Figur 2 gezeigt, ist die obere Fläche des Haltetischs 30 mit einer ringförmigen Austrittsnut 33 versehen, um einen Laserstrahl beim Ausführen des Abtragens austreten zu lassen. Die Austrittnut 33 ist entlang des äußeren Umfangs des Haltetischs 30 derart gebildet, dass sie dem Grenzbereich 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 des Wafers W entspricht. Ein zentraler Abschnitt der oberen Fläche des Haltetischs 30, radial innerhalb der Austrittsnut 33, ist als Haltefläche 31 zum Halten des Wafers W gebildet und entspricht dem Bauteilbereich Al des Wafers W. Die Haltefläche 31 des Haltetischs 30 ist mit einem Paar orthogonaler Saugnuten 34 (s. Figur 1), die sich in der Mitte der Haltefläche 31 kreuzen, und einer Vielzahl konzentrischer Saugnuten 35 um die Schnittstelle der Saugnuten 34 gebildet.
Die Saugnuten 34 und 35 sind mit einer Vakuumquelle (nicht gezeigt) durch eine Saugpassage (Saugverbindung) (nicht gezeigt), die in dem Haltetisch 30 ausgebildet ist, verbunden. Ein Vakuum bzw. Unterdrück, das bzw. der von der Vakuumquelle erzeugt wird, wird folglich an die Saugnuten 34 und 35 angelegt, wodurch der Wafer W durch das Klebeband T auf der Haltefläche 31 gehalten wird. Ferner ist ein Umfangsabschnitt der oberen Fläche des Haltetischs 30, radial außerhalb der Austrittnut 33, als ringförmige Tragfläche 36 ausgebildet. Die Tragfläche 36 ist mit der Haltefläche 31 bündig und entspricht einem Winkelbereich des Klebebands T zwischen dem Wafer W und dem ringförmigen Rahmen F. Das Klebeband T wird folglich horizontal auf der Haltefläche 31 und der Tragfläche 36 gehalten, und der ringförmige Verstärkungsbereich 71 wird daran gehindert, in die Austrittsnut 33 zu fallen.
Die Austrittsnut 33 hat einen schrägen Boden 37, dessen Tiefe zu der Mitte des Haltetischs 30 zunimmt. Der schräge Boden 37 der Austrittsnut 33 ist mit feinen Rauigkeiten zum Streuen des Laserstrahls ausgebildet. Die feinen Rauigkeiten können zum Beispiel durch Sandstrahlen gebildet werden. Dank der Neigung des schrägen Bodens 37 wird der Laserstrahl, der von dem schrägen Boden 37 reflektiert wird, von der Lichtquelle (Laserkopf 41) abgelenkt. Der Laserstrahl wird ferner von den feinen Rauigkeiten, die auf dem schrägen Boden 37 gebildet sind, derart gestreut, dass die Intensität des Laserstrahls, der von dem schrägen Boden 37 reflektiert wird, verringert wird, um dadurch einen Schaden an der Lichtquelle aufgrund des reflektierten Lichts zu verhindern. Ferner wird auch beim Abbilden des Wafers W durch Verwenden der Bildgebungsmittel 45 (s. Figur 4A) das Bildgebungslicht, das von den Bildgebungsmitteln 45 abgegeben und von dem schrägen Boden 37 reflektiert wird, von den Bildgebungsmitteln 45 aufgrund der Neigung des schrägen Bodens 37 abgelenkt, und die Stärke des reflektierten Bildgebungslichts wird ebenfalls durch die feinen Rauigkeiten des schrägen Bodens 37 verringert. Daraus resultiert, dass ein hoher Kontrast in einem Bild, das die äußere Umfangskante 72 des Wafers W zeigt, wie es durch die Bildgebungsmittel 45 erhalten wird, erzielt werden kann.
Das Wafer-Bearbeitungsverfahren gemäß der bevorzugten Ausführungsform wird nun ausführlicher unter Bezugnahme auf die Figuren 3 bis 7 beschrieben. Figur 3 zeigt einen Waferstützschritt, die Figuren 4A bis 4C zeigen einen Kennzeichnungsschritt, Figur 5 zeigt einen Schritt zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsbereichs, Figur 6 zeigt einen Schritt des Entfernens des ringförmigen Verstärkungsbereichs, und Figur 7 zeigt einen Schritt des Erfassens einer Positionsbeziehung. Das folgende Wafer-Bearbeitungsverfahren ist rein veranschaulichend und kann passend geändert werden. Figur 4A zeigt einen Bildgebungsprozess für den Wafer W, und die Figuren 4B und 4C zeigen einen Kennzeichnungsprozess für den Wafer W.
Wie in Figur 3 gezeigt, wird der Waferstützschritt zuerst auf die folgende Art ausgeführt. Bei dem Waferstützschritt wird der Wafer W in die Innenseitenöffnung Fa des ringförmigen Rahmens F gesetzt, und das Klebeband T wird an der Vorderseite (untere Fläche) des Wafers W und an einer Seite (untere Fläche) des ringförmigen Rahmens F angebracht. Der Wafer W wird folglich durch das Klebeband T an dem ringförmigen Rahmen 11 in dem Zustand gestützt, in dem der ringförmige Verstärkungsbereich 71 aufwärts gerichtet ist. Danach wird der Wafer W, der durch das Klebeband T an dem ringförmigen Rahmen F gehalten wird, zu dem Lasereinrichtung 1 (s. Figur 1) transferiert. Der Waferstützschritt kann manuell von einem Bediener ausgeführt werden, oder kann durch einen Klebeband-Mounter (nicht gezeigt) ausgeführt werden.
Nach dem Ausführen des Waferstützschritts, der in Figur 3 gezeigt ist, wird der Bildgebungsprozess in der Kennzeichnungsbildung, wie in Figur 4A gezeigt, ausgeführt.
Bei dem Bildgebungsprozess gemäß Figur 4A wird der Wafer W durch das Klebeband T auf dem Haltetisch 30 der Lasereinrichtung 1 (s. Figur 1) in dem Zustand gehalten, in dem der ringförmige Verstärkungsbereich 21 aufwärts gerichtet ist, und der ringförmige Rahmen F wird durch die Klemmen 32 befestigt. Danach wird der Haltetisch 30 geeignet bewegt, um den ringförmigen Versbereichbschnitt 71 des Wafers W direkt unterhalb des Bildgebungsmittels 45 zu positionieren. In diesem Zeitpunkt wird Bildgebungslicht von den
Bildgebungsmitteln 45 an die äußere Umfangskante 42 des Wafers W und an seinen Umfangbereich angelegt. Das angelegte Bildgebungslicht wird von der äußeren Umfangskante 72 und ihrem Umfang reflektiert und dann zu den Bildgebungsmitteln 45 zurückgesendet, wodurch ein Bild erhalten wird.
Wie in Figur 4A gezeigt, hat der ringförmige Verstärkungsbereich 71 eine horizontale obere Fläche 76 radial innerhalb der äußeren Umfangskante 72. Das Beleuchtungslicht, das von den Bildgebungsmitteln 45 angelegt wird, wird auf der oberen Fläche 76 des ringförmigen Verstärkungsbereichs 71 reflektiert, um eine Lichthofbildung zu verursachen. Das reflektierte Licht von der äußeren Umfangskante 72 und der oberen Fläche 76 des ringförmigen Verstärkungsbereichs 71 wird von den Bildgebungsmitteln 45 aufgefangen. Andererseits befindet sich die Austrittnut 33 radial außerhalb der äußeren Umfangskante 72. Das Bildgebungslicht, das von den Bildgebungsmitteln 45 angelegt wird, wird folglich durch das Klebeband T übertragen und dann an dem schrägen Boden 37 der Austrittnut 33 reflektiert. Das reflektierte Licht von dem schrägen Boden 37 wird zu der Mitte des Wafers W gelenkt und auch von den feinen Rauigkeiten auf dem schrägen Boden 37 gestreut. Das von dem schrägen Boden 37 reflektierte Licht und der Austrittnut 33, die radial außerhalb der äußeren
Umfangskante 72 vorhanden ist, wird folglich kaum von den Bildgebungsmitteln 45 aufgefangen.
Das Bild der äußeren Umfangskante 72 und ihres Umfangs, ein Teil des Bilds, das der oberen Fläche 76 entspricht, die radial innerhalb der äußeren Umfangskante 72 vorliegt, wird als heller Bereich gesehen, weil das von der oberen Fläche 76 reflektierte Licht von den Bildgebungsmitteln 45 aufgefangen wird, während der andere Bereich des Bilds, der dem schrägen Boden 37 entspricht, der radial außerhalb der äußeren Umfangskante 72 vorhanden ist, als ein dunkler Abschnitt gesehen wird, da das vom schrägen Boden 37 reflektierte Licht kaum von den Bildgebungsmitteln 45 aufgefangen wird. Der Kontrast in dem Bild der äußeren Umfangskante 72 und ihres Umfangs kann folglich hoch sein, so dass die äußere Umfangskante 72 des Wafers W sicher erkannt werden kann. Auf diese Art wird die äußere Umfangskante 72 des Wafers W an einer Mehrzal von Positionen (bei dieser bevorzugten Ausführungsform drei Positionen) durch die Bildgebungsmittel 45 abgebildet. Gemäß den Bildern an diesen mehreren Positionen auf der äußeren Umfangskante 72 werden die Koordinaten dieser Positionen erfasst, und die Mitte 0 (siehe Figur 4B) des Wafers W wird gemäß den zuvor erfassten Koordinaten berechnet.
Nach dem Ausführen des Abbildungsprozesses, der in Figur 4A gezeigt ist, wird der Kennzeichnungsprozess in einem Kennzeichnungsschritt, wie in Figur 4B gezeigt, ausgeführt.
Bei dem Kennzeichnungsprozess wird die Kennzeichnung M (siehe Figur 4C), die der Kerbe N entspricht, an einer Position radial innerhalb des Grenzbereichs 73 zwischen dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 und dem Bauteilbereich A 1 gebildet, das heißt radial innerhalb einer durch Laser bearbeiteten Kennzeichnung 79, um in dem darauffolgenden Schritt des Abtrennens des ringförmigen Verstärkungsbereichs gebildet zu werden. Genauer genommen wird eine Kennzeichnungsposition P radial gleich innerhalb des Grenzabschnitts 73 derart bestimmt, dass sie auf einer geraden Linie LI, die die Mitte 0 und die Kerbe N des Wafers W verbindet, liegt. Diese Kennzeichnungsposition P ist direkt unter dem Laserkopf 41 (siehe Figur 4C) eingestellt. Die Position der Kerbe N kann gemäß dem Abstand und der Richtung von der Mitte 0 des Wafers W, wie zuvor gespeichert, erfasst werden, oder kann durch die Bildgebungsmittel 45 beim Detektieren der äußeren Umfangskante 72 erfasst werden.
Danach wird der Brennpunkt des Laserstrahls, der von dem Laserkopf 41 anzulegen ist, auf eine Position nahe der oberen Fläche (Rückseite) des Wafers W eingestellt. In diesem Zustand wird der Laserstrahl von dem Laserkopf 41 an der Kennzeichnungsposition P angelegt, die radial innerhalb des Grenzabschnitts 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 des Wafers W, wie in Figur 4C gezeigt, eingestellt ist. Wie oben beschrieben hat der
Laserstrahl eine Absorptionswellenlänge zu dem Wafer W, so dass die obere Fläche des Wafers W teilweise von dem Laserstrahl an der Kennzeichnungsposition P entfernt wird, um dadurch die Kennzeichnung M, die der Kerbe N entspricht, zu bilden. Die Lasereinrichtung 40 zum Anlegen des Laserstrahls, die den Laserkopf 41 aufweisen, funktioniert daher als Kennzeichnungsmittel zum Bilden der Kennzeichnung M auf der oberen Oberfläche des Wafers W. In einer Modifikation können solche Kennzeichnungsmittel auch durch Tintenstrahlmittel zum Aufbringen einer Tinte auf der oberen Fläche des Wafers W zum Bilden einer Kennzeichnung bereitgestellt werden.
Nach Ausführen des Kennzeichnungsschritts, der in den Figuren 4A bis 4C gezeigt ist, wird der Schritt des Trennens des ringförmigen Bereichs, wie in Figur 5 gezeigt, ausgeführt. Bei diesem Trenn-Schritt wird der Laserstrahl, der eine Absorptionswellenlänge bezüglich des Wafers W hat, von dem Laserkopf 41 zu dem Grenzbereich 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 in dem Zustand, in dem der Wafer W auf dem Haltetisch 30 gehalten wird, angelegt, wodurch der Grenzbereich 73 geschnitten wird. Der ringförmige Verstärkungbereich 71 wird daher von dem Bauteilbereich Al getrennt. Genauer wird der Haltetisch 30 passend zu der Position des Grenzbereichs 73 direkt unter dem Laserkopf 41 bewegt. Anschließend wird der Brennpunkt des Laserstrahls eingestellt, und der Laserstrahl wird dann von dem Laserkopf 41 an den Grenzabschnitt 73 angelegt.
In dem Zustand, in dem der Laserstrahl angelegt wird, wird der Haltetisch 30 gedreht, um dadurch den Grenzbereich 73 gemeinsam mit dem Klebeband T zu schneiden. Der ringförmige Verstärkungsbereich 71 wird folglich von dem Bauteilbereich Al getrennt. Zu diesem Zeitpunkt dringt der Laserstrahl in den Wafer W und das Klebeband T ein und wird dann auf dem schrägen Boden 37 der Austrittnut 33 reflektiert. Das vom schrägen Boden 37 reflektierte Licht wird zu der Mitte des Haltetischs 30 gelenkt. Ferner wird, da die feinen Rauigkeiten auf dem schrägen Boden 37 ausgebildet sind, der Laserstrahl von dem schrägen Boden 37 gestreut, um die Intensität zu verringern. Das vom schrägen Boden 37 reflektierte Licht wird folglich kaum zum Laserkopf 41 zurückgeführt. Sogar wenn der Laserstrahl zu dem Laserkopf 41 reflektiert wird, wird die Laserquelle nicht von dem reflektierten Licht beschädigt, weil die Intensität gering ist.
Auf diese Weise wird der Grenzbereich 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 72 durch den Laserstrahl beim Trennen des ringförmigen Verstärkungsbereichs geschnitten. Falls die Breite einer Schnittnut, die von dem Laserstrahl gebildet wird, jedoch klein ist, besteht die Möglichkeit, dass diese Schnittnut durch Abfall, der durch das Abtragen erzeugt wird, gefüllt wird. Um diesem Problem abzuhelfen, kann der Schritt des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereich konzentrisch wiederholt werden, um die Breite der Schnittnut, die den Grenzbereich 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 schneidet, zu erhöhen. Der ringförmige Verstärkungsbereich 71 kann folglich vollständig vom Bauteilbereich Al getrennt werden.
Nach dem Ausführen des Schritts des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereich, der in Figur 5 gezeigt ist, wird der Schritt des Entfernens des ringförmigen Verstärkungsbereich, wie in Figur 6 gezeigt, ausgeführt. Beim Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts werden die Klemmen 32, die den ringförmigen Rahmen F klemmen, freigegeben, und Transfermittel 60, die eine Vielzahl von Saugnäpfen 61 haben, werden direkt oberhalb des Haltetischs 30 angebracht. Anschließend werden die Saugnäpfe 61 betätigt, um den ringförmigen Rahmen F durch Ansaugen zu halten. Danach werden die Saugnäpfe 61 gehoben, um den ringförmigen Rahmen 11, der den ringförmigen Verstärkungsbereich 71 durch das Klebeband T hält, vertikal weg vom Haltetisch 30 zu bewegen.
Der ringförmige Verstärkungsbereich 71 wird folglich von dem Wafer W entfernt und nur der Bauteilbereich Al bleibt auf dem Haltetisch 30.
Nach dem Entfernen des ringförmigen Verstärkungsbereichs 71 von dem Wafer W kann nicht geprüft werden, ob die
Kennzeichnung M präzis der Kerbe N entspricht. In dieser Hinsicht kann ein Schritt des Erfassens der Positionsbeziehung, der in Figur 7 gezeigt ist, nach dem Ausführen des Schritts der Kennzeichnungsbildung und vor dem Ausführen des Schritts des Trennens des ringförmigen Abschnitts ausgeführt werden, so dass die Positionsbeziehung zwischen der Kennzeichnung M und der Kerbe N erfasst wird.
Beim Erfassen der Positionsbeziehung wird die Kennzeichnung M, die auf dem Wafer W gebildet wird, direkt unterhalb der Bildgebungsmittel 45 positioniert (s. Figur 4A) , und die Kennzeichnung M wird durch die Bildgebungsmittel 45 abgebildet. Anschließend werden die Koordinaten der Kennzeichnung M präzise von einem Bild erfasst, das durch die Bildgebungsmittel 45 erhalten wird. Die Positionsbeziehung zwischen der Kennzeichnung M und der Kerbe N kann daher präzise erfasst werden.
Als eine Modifikation kann dieser Schritt einen Schritt des Bestimmens eines Winkels Θ zwischen einer geraden Linie LI, die die Mitte 0 des Wafers W und die Kerbe N verbindet, und einer geraden Linie L2, die die Mitte 0 des Wafers W und die Markierung, wie in Figur 7 gezeigt, verbindet, aufweisen. Es ist folglich möglich, eine Winkelabweichung der Ausrichtung der Kennzeichnung M, wie von der Mitte 0 des Wafers W gesehen, von der Ausrichtung der Kerbe N, wie von der Mitte 0 des Wafers W gesehen, zu erkennen. Die Winkelabweichung der
Kennzeichnung M relativ zu der Kerbe N oder den Koordinaten der Kennzeichnung M kann beim Ausrichten der Bearbeitungsmittel relativ zu jeder Teilungslinie (nicht gezeigt), die auf dem Wafer W in dem darauffolgenden Schritt gebildet wird, verwendet werden. Die Bildgebungsmittel 45 funktionieren daher als Erfassungsmittel für das präzise Erfassen der Positionsbeziehung zwischen der Kennzeichnung M und der Kerbe N. Als Modifikation können solche Erfassungsmittel durch irgendeine Konfiguration bereitgestellt werden, die in der Lage ist, die Kennzeichnung M, die auf dem Wafer W gebildet ist, zu erkennen.
Bei dem Wafer-Bearbeitungsverfahren gemäß dieser oben beschriebenen Ausführungsform wird der Laserstrahl entlang des Grenzbereichs 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 des Wafers W angelegt, um dadurch den ringförmigen Verstärkungsbereich 71 von dem Bauteilbereich Al zu trennen. Anschließend wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt 71 von dem Haltetisch 30 weg bewegt, um dadurch den ringförmigen Verstärkungsbereich 71 von dem Wafer W zu entfernen. Die Kennzeichnung M, die der Kerbe N entspricht, die an dem äußeren Umfang des ringförmigen Verstärkungsbereich 71 gebildet ist, ist in einer Position radial innerhalb des Grenzbereichs 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 gebildet. Sogar nach dem Entfernen des ringförmigen
Verstärkungsbereichs 71 von dem Wafer W verbleibt die Kennzeichnung M auf dem Wafer W. Daraus resultiert, dass der Wafer W richtig in Bezug zu der Kennzeichnung M an Stelle der Kerbe N bei dem darauffolgenden Schritt ausgerichtet werden kann.
Die Erfindung ist nicht auf die oben stehende bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern es können diverse Modifikationen erfolgen. Bei der oben stehenden bevorzugten Ausführungsform sind die Größe, Form usw., die in der beiliegenden Zeichnung gezeigt sind, nur beispielhaft, und sie können passend innerhalb des Umfangs geändert werden, in dem die Wirkung der Erfindung dargelegt werden kann. Ferner können diverse Änderungen vorgenommen werden, ohne vom Geltungsbereich des Gegenstands der Erfindung abzuweichen.
Beispielsweise kann, wenn auch die Austrittnut 33 in der oben stehenden bevorzugten Ausführungsform auf der oberen Fläche des Haltetischs 30 gebildet ist, die Austrittnut 33 nicht auf der oberen Fläche des Haltetischs 30 gebildet sein, vorausgesetzt, dass die Lichtquelle des Laserstrahls durch das reflektierte Licht von der oberen Fläche des Haltetischs nicht beschädigt wird.
Obwohl bei der vorstehenden bevorzugten Ausführungsform der Schritt der Kennzeichnungsbildung vor dem Ausführen des Schritts des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereichs ausgeführt wird, kann der Schritt der Kennzeichnungsbildung auch nach dem Ausführen des Schritts des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereichs ausgeführt werden.
Wenngleich die Kennzeichnung M an einer Position radial innerhalb des Grenzbereichs 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 derart gebildet ist, dass sie auf der geraden Linie LI, die die Mitte 0 des Wafers W und die Kerbe N bei der oben stehenden bevorzugten Ausführungsform verbindet, liegt, kann die Kennzeichnung M an irgendeiner Position gebildet werden, die der Kerbe N radial innerhalb des Grenzbereich 73 zwischen dem Bauteilbereich Al und dem ringförmigen Verstärkungsbereich 71 entspricht. Die Kennzeichnung M kann zum Beispiel an einer Position radial innerhalb des Grenzbereich 73 derart gebildet werden, dass sie auf einer geraden Linie orthogonal zu der geraden Linie LI, die die Mitte 0 des Wafers W und die Kerbe N verbindet, liegt. Mit anderen Worten bedeutet die Kennzeichnung M, die der Kerbe N entspricht, dass die Kennzeichnung M eine klare Positionsbeziehung in Bezug zu der Kerbe N hat.
Ferner können, obwohl der gesamte Kennzeichnungsbildungs-Schritt, der Schritt des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereich, der Schritt des Entfernens des ringförmigen Verstärkungsbereich sowie der Schritt des Erfassens der Positionsbeziehung bei der oben stehenden bevorzugten Ausführungsform durch dasselbe
Laserverarbeitungsgerät 1 ausgeführt werden, diese Schritte auch durch getrennte Geräte ausgeführt werden.
Wie oben beschrieben, hat die Erfindung eine Wirkung derart, dass der Wafer sogar richtig ausgerichtet werden kann, nachdem der ringförmige Verstärkungsbereich von dem Wafer entfernt wurde. Insbesondere ist die Erfindung als ein Wafer-Bearbeitungsverfahren in dem Fall des Entfernens des ringförmigen Verstärkungsbereichs von einem Wafer, der eine Reflexionsfolie aus Metall auf der Rückseite des Bauteilbereichs hat, von Nutzen.
Die Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Geltungsbereich der Erfindung wird von den anliegenden Ansprüchen definiert, und alle Änderungen und Modifikationen, die in die Äquivalenz des Geltungsbereichs der Ansprüche fallen, sind daher in der Erfindung enthalten.

Claims (2)

  1. Patentansprüche :
    1. Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers, der eine Vorderseite, eine Rückseite und einen äußeren Umfang hat, wobei die Vorderseite einen Bauteilbereich hat, wo eine Vielzahl von Bauteilen gebildet ist, und einen Umfangs-Randbereich, der den Bauteilbereich umgibt, wobei der äußere Umfang eine Kerbe hat, um eine Kristallausrichtung anzugeben, und die Rückseite eine kreisförmige Vertiefung hat, die dem Bauteilbereich entspricht, sowie einen ringförmigen Verstärkungsbereich, der dem Umfangs-Randbereich entspricht, gekennzeichnet durch einen Waferstützschritt, mit dem Anbringen der Vorderseite des Wafers an einem Klebeband, das in seinem Umfangs-Bereich an einem ringförmigen Rahmen gestützt wird, der eine Innenseitenöffnung in dem Zustand hat, in dem der Wafer in die Innenseitenöffnung des ringförmigen Rahmens gesetzt wird, wodurch der Wafer durch das Klebeband an dem ringförmigen Rahmen gestützt wird, einen Schritt des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereichs mit dem Halten des Wafers auf einem Haltetisch in dem Zustand, in dem das Klebeband mit dem Haltetisch in Berührung ist, nachdem der Waferstützschritt ausgeführt wurde, und dann Anlegen eines Laserstrahls, der eine Absorptionswellenlänge zu dem Wafer hat, wodurch ein Grenzbereich zwischen dem ringförmigen Verstärkungsbereich und dem Bauteilbereich gemeinsam mit dem Klebeband geschnitten wird, um den ringförmigen Verstärkungsbereich von dem Bauteilbereich zu trennen, einen Schritt des Bildens einer Kennzeichnung, die der Kerbe an einer Position radial innerhalb des Grenzbereichs entspricht, vor oder nach dem Ausführen des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereichs, und einen Schritt des Entfernens des ringförmigen Verstärkungsbereichs unter Bewegen des ringförmigen Verstärkungsbereichs, der durch das Klebeband an dem ringförmigen Rahmen gestützt wird, weg vom Haltetisch nach dem Ausführen des Schritts des Trennens des ringförmigen Verstärkungsbereichs und nach dem Schritt der Kennzeichnungsbildung, wodurch der ringförmige Verstärkungsbereich von dem Wafer entfernt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, ferner gekennzeichnet durch einen Schritt des Erfassens einer Positionsbeziehung zwischen der Kerbe und der Kennzeichnung, die auf dem Wafer gebildet ist, indem Erfassungsmittel verwendet werden, nachdem Schritt der Kennzeichnungsbildung ausgeführt wurde und bevor der Schritt zum Trennen des Verstärkungsbereichs ausgeführt wird.
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