ATE261503T1 - Verfahren zur herstellung eines siliziumeinkristalles mittels eines elektrischen potentials - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines siliziumeinkristalles mittels eines elektrischen potentials

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ATE261503T1
ATE261503T1 AT00941581T AT00941581T ATE261503T1 AT E261503 T1 ATE261503 T1 AT E261503T1 AT 00941581 T AT00941581 T AT 00941581T AT 00941581 T AT00941581 T AT 00941581T AT E261503 T1 ATE261503 T1 AT E261503T1
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silicon single
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silicon
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AT00941581T
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Masahiko Baba
Scott M Kirkland
Richard W Rudberg
Susumu Sonokawa
Mura
Darren M Taie
Akira Uchikawa
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Seh America Inc
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    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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    • C30—CRYSTAL GROWTH
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