ATE389239T1 - Halbleiteranordnung bestehend aus einer anordnung von elektrisch programmierbaren nichtflüchtigen speicherelementen - Google Patents

Halbleiteranordnung bestehend aus einer anordnung von elektrisch programmierbaren nichtflüchtigen speicherelementen

Info

Publication number
ATE389239T1
ATE389239T1 AT01272169T AT01272169T ATE389239T1 AT E389239 T1 ATE389239 T1 AT E389239T1 AT 01272169 T AT01272169 T AT 01272169T AT 01272169 T AT01272169 T AT 01272169T AT E389239 T1 ATE389239 T1 AT E389239T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
arrangement
volatile memory
wire
fuse wire
electrically programmable
Prior art date
Application number
AT01272169T
Other languages
English (en)
Inventor
Guoqiao Tao
Original Assignee
Nxp Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nxp Bv filed Critical Nxp Bv
Application granted granted Critical
Publication of ATE389239T1 publication Critical patent/ATE389239T1/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B69/00Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
    • H10W20/49Adaptable interconnections, e.g. fuses or antifuses
    • H10W20/493Fuses, i.e. interconnections changeable from conductive to non-conductive

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
AT01272169T 2000-12-22 2001-12-07 Halbleiteranordnung bestehend aus einer anordnung von elektrisch programmierbaren nichtflüchtigen speicherelementen ATE389239T1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP00204786 2000-12-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE389239T1 true ATE389239T1 (de) 2008-03-15

Family

ID=8172545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT01272169T ATE389239T1 (de) 2000-12-22 2001-12-07 Halbleiteranordnung bestehend aus einer anordnung von elektrisch programmierbaren nichtflüchtigen speicherelementen

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6559483B2 (de)
EP (1) EP1346412B1 (de)
JP (1) JP4223283B2 (de)
KR (1) KR100800637B1 (de)
CN (1) CN1222997C (de)
AT (1) ATE389239T1 (de)
DE (1) DE60133218T2 (de)
WO (1) WO2002052647A2 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006509311A (ja) * 2002-12-05 2006-03-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ プログラム可能な不揮発性半導体メモリ装置
US20060035474A1 (en) * 2004-08-10 2006-02-16 Pavel Komilovich Increasing retention time for memory devices
KR100871697B1 (ko) * 2007-01-17 2008-12-08 삼성전자주식회사 열발산 구조를 포함하는 전기 퓨즈
US9318607B2 (en) * 2013-07-12 2016-04-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
CN104659013A (zh) * 2013-11-19 2015-05-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电熔丝结构及半导体器件
CN104701296B (zh) * 2013-12-05 2018-10-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 电熔丝结构及其形成方法和半导体器件
US9791499B2 (en) * 2014-05-20 2017-10-17 International Business Machines Corporation Circuit to detect previous use of computer chips using passive test wires
DE102015121044B4 (de) * 2015-12-03 2020-02-06 Infineon Technologies Ag Anschlussblock mit zwei Arten von Durchkontaktierungen und elektronische Vorrichtung, einen Anschlussblock umfassend
CN109244040B (zh) * 2018-07-23 2021-08-20 珠海市杰理科技股份有限公司 芯片熔丝结构及芯片
CN118016635A (zh) * 2022-11-10 2024-05-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其形成方法
US20250259926A1 (en) * 2024-02-13 2025-08-14 International Business Machines Corporation Hybrid bond features in programmable circuits

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4814853A (en) * 1981-10-28 1989-03-21 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with programmable fuse
US4507756A (en) * 1982-03-23 1985-03-26 Texas Instruments Incorporated Avalanche fuse element as programmable device
GB2260219B (en) * 1991-10-01 1995-08-30 Northern Telecom Ltd Improvements in integrated circuits
US5444287A (en) * 1994-08-10 1995-08-22 International Business Machines Corporation Thermally activated noise immune fuse
TW317643B (de) * 1996-02-23 1997-10-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JPH10275905A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Mitsubishi Electric Corp シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
JP3244037B2 (ja) * 1997-10-31 2002-01-07 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPH11234823A (ja) * 1998-02-10 1999-08-27 Hitachi Ltd ガス絶縁開閉装置
US6259146B1 (en) * 1998-07-17 2001-07-10 Lsi Logic Corporation Self-aligned fuse structure and method with heat sink
US6496416B1 (en) * 2000-12-19 2002-12-17 Xilinx, Inc. Low voltage non-volatile memory cell

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020076321A (ko) 2002-10-09
JP2004516683A (ja) 2004-06-03
WO2002052647A2 (en) 2002-07-04
DE60133218T2 (de) 2008-07-31
US6559483B2 (en) 2003-05-06
DE60133218D1 (de) 2008-04-24
JP4223283B2 (ja) 2009-02-12
CN1222997C (zh) 2005-10-12
EP1346412A2 (de) 2003-09-24
US20020079513A1 (en) 2002-06-27
EP1346412B1 (de) 2008-03-12
WO2002052647A3 (en) 2002-10-31
CN1404628A (zh) 2003-03-19
KR100800637B1 (ko) 2008-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60133218D1 (de) Halbleiteranordnung bestehend aus einer anordnung von elektrisch programmierbaren nichtflüchtigen speicherelementen
ATE497260T1 (de) Dielektrische antifuse für eine elektrothermisch programmierbare vorrichtung
DE59915200D1 (de) Elektrisch programmierbare, nichtflüchtige Speicherzellenanordnung
ATE447760T1 (de) Speicher mit wahlfreiem zugriff mit programmierbarem leiter und dazugehöriges programmierverfahren
DE69513658D1 (de) Spannungsregler für nichtflüchtige, elektrisch programmierbare Halbleiterspeicheranordnungen
ATE359588T1 (de) Magnetische tunnelübergangseinrichtung, speicher und schreibe- und lese- verfahren unter verwendung einer solchen
DE69936028D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
DE60100716D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicher
DE60044014D1 (de) Nichtflüssiger Halbleiterspeicher mit programmierbaren Verriegelungsschaltungen
TW200511373A (en) Multilayered phase change memory
TW200636718A (en) Nonvolatile semiconductor memory device
DE60239315D1 (de) Speicherzelle mit Sicherungselement
MY139898A (en) Wireless communication device supporting multiple regulatory domains
ATE410774T1 (de) Verfahren zum regeln des zuerst schmelzenden bereiches einer pcm-zelle und damit hergestellte vorrichtungen
DE50106823D1 (de) Schaltungsanordnung zum zerstörungsfreien, selbstnormierenden auslesen von mram-speicherzellen
FR2792761B1 (fr) Dispositif de programmation d'une memoire non volatile electriquement programmable
JP2002175696A5 (de)
DE60133513D1 (de) Programmierbarer und elektrisch löschbarer serieller auslesbarer Speicher durch Vorempfang
TW200733352A (en) Phase change memory device and method of forming the same
WO2005059955A3 (en) A high temperature memory device
DE69321245D1 (de) Integrierte Programmierschaltung für eine elektrisch programmierbare Halbleiterspeicheranordnung mit Redundanz
TW200515418A (en) Heating MRAM cells to ease state switching
DE60211987D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher mit zirkularem Einschreiben
CN203814826U (zh) 一种防止发质损伤的硅胶卷发器
DE60221466D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties