ATE433468T1 - Hochmolekulare verbindung, säuregenerator, positivresistzusammensetzungen und verfahren zur herstellung von resiststrukturen - Google Patents

Hochmolekulare verbindung, säuregenerator, positivresistzusammensetzungen und verfahren zur herstellung von resiststrukturen

Info

Publication number
ATE433468T1
ATE433468T1 AT05765320T AT05765320T ATE433468T1 AT E433468 T1 ATE433468 T1 AT E433468T1 AT 05765320 T AT05765320 T AT 05765320T AT 05765320 T AT05765320 T AT 05765320T AT E433468 T1 ATE433468 T1 AT E433468T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
group
positive resist
polymer compound
acid generator
structural unit
Prior art date
Application number
AT05765320T
Other languages
English (en)
Inventor
Shogo Matsumaru
Masaru Takeshita
Takeshi Iwai
Hideo Hada
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of ATE433468T1 publication Critical patent/ATE433468T1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1811—C10or C11-(Meth)acrylate, e.g. isodecyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate or 2-naphthyl (meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/22—Esters containing halogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/283—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing one or more carboxylic moiety in the chain, e.g. acetoacetoxyethyl(meth)acrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/38—Esters containing sulfur
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
AT05765320T 2004-08-03 2005-07-01 Hochmolekulare verbindung, säuregenerator, positivresistzusammensetzungen und verfahren zur herstellung von resiststrukturen ATE433468T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004226735A JP4794835B2 (ja) 2004-08-03 2004-08-03 高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
PCT/JP2005/012201 WO2006013687A1 (ja) 2004-08-03 2005-07-01 高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE433468T1 true ATE433468T1 (de) 2009-06-15

Family

ID=35786983

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT05765320T ATE433468T1 (de) 2004-08-03 2005-07-01 Hochmolekulare verbindung, säuregenerator, positivresistzusammensetzungen und verfahren zur herstellung von resiststrukturen

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7482108B2 (de)
EP (1) EP1783148B1 (de)
JP (1) JP4794835B2 (de)
KR (1) KR100915567B1 (de)
CN (1) CN100537623C (de)
AT (1) ATE433468T1 (de)
DE (1) DE602005014876D1 (de)
TW (1) TWI308155B (de)
WO (1) WO2006013687A1 (de)

Families Citing this family (168)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1064987C (zh) * 1997-09-29 2001-04-25 中国石油化工总公司 高粘沥青及其生产方法
JP4597655B2 (ja) * 2004-12-20 2010-12-15 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP4580793B2 (ja) * 2005-03-18 2010-11-17 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4822010B2 (ja) * 2006-04-25 2011-11-24 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP4921160B2 (ja) * 2006-05-30 2012-04-25 兵庫県 感光性樹脂及び感光性組成物
TW200807155A (en) * 2006-06-20 2008-02-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and resist pattern formation method
WO2008029673A1 (en) 2006-09-08 2008-03-13 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition and process for producing low-molecular compound for use therein
TWI416253B (zh) 2006-11-10 2013-11-21 Jsr Corp 敏輻射線性樹脂組成物
JP5068526B2 (ja) * 2006-12-28 2012-11-07 東京応化工業株式会社 高分子化合物、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US7957322B2 (en) 2007-02-02 2011-06-07 Silver Sring Networks, Inc. Flow-through provisioning in utility AMR/AMI networks
EP1967904A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-10 FUJIFILM Corporation Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit
JP5398248B2 (ja) 2008-02-06 2014-01-29 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5054042B2 (ja) 2008-02-08 2012-10-24 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5054041B2 (ja) * 2008-02-08 2012-10-24 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
EP2101217B1 (de) 2008-03-14 2011-05-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfoniumsalz enthaltendes Polymer, Resistzusammensetzung und Strukturierungsverfahren
JP5237173B2 (ja) 2008-06-03 2013-07-17 信越化学工業株式会社 重合性化合物、高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5548406B2 (ja) 2008-08-22 2014-07-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5544078B2 (ja) * 2008-10-17 2014-07-09 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US8232040B2 (en) 2008-11-28 2012-07-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
JP5407941B2 (ja) 2009-03-09 2014-02-05 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5463963B2 (ja) 2009-03-09 2014-04-09 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5264575B2 (ja) 2009-03-11 2013-08-14 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5549289B2 (ja) * 2009-03-13 2014-07-16 セントラル硝子株式会社 フルオロアルカンスルホン酸アンモニウム塩類およびその製造方法
JP5568258B2 (ja) 2009-07-03 2014-08-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに含フッ素高分子化合物
JP5746836B2 (ja) * 2009-07-14 2015-07-08 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、重合体及びフォトレジスト組成物
JP5292216B2 (ja) * 2009-07-31 2013-09-18 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
KR20120044349A (ko) * 2009-07-31 2012-05-07 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 조성물 및 그것을 사용한 패턴 형성 방법
WO2011018928A1 (ja) * 2009-08-10 2011-02-17 日産化学工業株式会社 ポリマー型の光酸発生剤を含有するレジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP2013517613A (ja) * 2009-11-17 2013-05-16 テララックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄ電源の検出および制御
JP5464131B2 (ja) 2009-12-02 2014-04-09 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5470053B2 (ja) 2010-01-05 2014-04-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5597460B2 (ja) * 2010-01-05 2014-10-01 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5639795B2 (ja) 2010-02-18 2014-12-10 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5561192B2 (ja) 2010-02-26 2014-07-30 信越化学工業株式会社 高分子化合物及びこれを用いた化学増幅ポジ型レジスト組成物並びにパターン形成方法
JP5505371B2 (ja) 2010-06-01 2014-05-28 信越化学工業株式会社 高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法
JP5622448B2 (ja) 2010-06-15 2014-11-12 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、化合物
JP5645495B2 (ja) 2010-06-17 2014-12-24 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5278406B2 (ja) 2010-11-02 2013-09-04 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5601309B2 (ja) 2010-11-29 2014-10-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5723624B2 (ja) 2011-02-14 2015-05-27 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、および高分子化合物
WO2012114963A1 (ja) * 2011-02-23 2012-08-30 Jsr株式会社 ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物
JP5677135B2 (ja) 2011-02-23 2015-02-25 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
JP5776580B2 (ja) 2011-02-25 2015-09-09 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6084157B2 (ja) * 2011-03-08 2017-02-22 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5732306B2 (ja) 2011-04-20 2015-06-10 東京応化工業株式会社 化合物、高分子化合物、酸発生剤、レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5715890B2 (ja) 2011-06-10 2015-05-13 東京応化工業株式会社 高分子化合物の製造方法
US9097971B2 (en) 2011-06-17 2015-08-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Compound, radical polymerization initiator, method for producing compound, polymer, resist composition, and method for forming resist pattern
JP5601286B2 (ja) 2011-07-25 2014-10-08 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5434983B2 (ja) 2011-07-27 2014-03-05 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5698184B2 (ja) 2011-09-02 2015-04-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP5698185B2 (ja) 2011-09-06 2015-04-08 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP5655756B2 (ja) 2011-10-03 2015-01-21 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5655755B2 (ja) 2011-10-03 2015-01-21 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
US9057948B2 (en) 2011-10-17 2015-06-16 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition for EUV or EB, and method of forming resist pattern
JP2013097272A (ja) 2011-11-02 2013-05-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5856441B2 (ja) 2011-11-09 2016-02-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
JP6002378B2 (ja) 2011-11-24 2016-10-05 東京応化工業株式会社 高分子化合物の製造方法
JP5764480B2 (ja) 2011-11-25 2015-08-19 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
KR20130076598A (ko) 2011-12-28 2013-07-08 금호석유화학 주식회사 친수성 광산발생제 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
JP2013171085A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5965682B2 (ja) 2012-03-12 2016-08-10 東京応化工業株式会社 高分子化合物の製造方法及びレジストパターン形成方法
US8795948B2 (en) * 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound
US8795947B2 (en) 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition and method of forming resist pattern
JP5712963B2 (ja) 2012-04-26 2015-05-07 信越化学工業株式会社 高分子化合物、ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6002430B2 (ja) 2012-05-08 2016-10-05 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物
JP5954252B2 (ja) 2012-05-16 2016-07-20 信越化学工業株式会社 レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5954253B2 (ja) 2012-05-16 2016-07-20 信越化学工業株式会社 レジスト材料、これを用いたパターン形成方法、及び高分子化合物
JP6130109B2 (ja) 2012-05-30 2017-05-17 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物
JP6020347B2 (ja) 2012-06-04 2016-11-02 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP6118533B2 (ja) 2012-06-13 2017-04-19 東京応化工業株式会社 化合物、レジスト組成物、レジストパターン形成方法。
JP6020361B2 (ja) 2012-06-26 2016-11-02 信越化学工業株式会社 高分子化合物、ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5772760B2 (ja) 2012-08-13 2015-09-02 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6131776B2 (ja) 2012-09-05 2017-05-24 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6048345B2 (ja) 2012-09-05 2016-12-21 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6127832B2 (ja) 2012-09-05 2017-05-17 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5817707B2 (ja) 2012-11-21 2015-11-18 信越化学工業株式会社 現像液及びこれを用いたパターン形成方法
JP5825248B2 (ja) 2012-12-12 2015-12-02 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5913077B2 (ja) 2012-12-18 2016-04-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5835204B2 (ja) 2012-12-20 2015-12-24 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5825252B2 (ja) 2012-12-26 2015-12-02 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6213296B2 (ja) 2013-04-10 2017-10-18 信越化学工業株式会社 現像液を用いたパターン形成方法
GB2514190A (en) * 2013-05-17 2014-11-19 Crfs Ltd RF signal generating device
US9397761B2 (en) 2013-05-17 2016-07-19 Crfs Limited RF signal generating device
JP6237470B2 (ja) 2013-06-12 2017-11-29 信越化学工業株式会社 感光性レジスト材料用現像液及びこれを用いたパターン形成方法
JP6221939B2 (ja) 2013-06-19 2017-11-01 信越化学工業株式会社 感光性レジスト材料用現像液及びこれを用いたパターン形成方法
JP5954269B2 (ja) 2013-07-10 2016-07-20 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5987802B2 (ja) 2013-09-04 2016-09-07 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6003873B2 (ja) 2013-11-28 2016-10-05 信越化学工業株式会社 レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5920322B2 (ja) 2013-11-28 2016-05-18 信越化学工業株式会社 ネガ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6044557B2 (ja) 2014-01-24 2016-12-14 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6020477B2 (ja) 2014-01-24 2016-11-02 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6028744B2 (ja) 2014-01-24 2016-11-16 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6052207B2 (ja) 2014-03-04 2016-12-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6044566B2 (ja) 2014-03-04 2016-12-14 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6428495B2 (ja) 2014-08-12 2018-11-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP2016108508A (ja) 2014-12-10 2016-06-20 信越化学工業株式会社 ポリマー、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP6325464B2 (ja) 2015-01-05 2018-05-16 信越化学工業株式会社 現像液及びこれを用いたパターン形成方法
US10191373B2 (en) 2015-02-05 2019-01-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for producing polymer
JP2016141796A (ja) 2015-02-05 2016-08-08 信越化学工業株式会社 ポリマー、レジスト材料及びパターン形成方法
JP6520372B2 (ja) 2015-05-14 2019-05-29 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
US9891522B2 (en) 2015-05-18 2018-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and composition of a chemically amplified copolymer resist
JP6536207B2 (ja) 2015-06-19 2019-07-03 信越化学工業株式会社 高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP6370265B2 (ja) 2015-07-09 2018-08-08 信越化学工業株式会社 重合性モノマー、高分子化合物、ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法
JP6520524B2 (ja) 2015-07-28 2019-05-29 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP6411967B2 (ja) 2015-07-29 2018-10-24 信越化学工業株式会社 レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP6520753B2 (ja) 2016-02-19 2019-05-29 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法
US10012903B2 (en) 2016-03-28 2018-07-03 Shin-Estu Chemical Co., Ltd. Resist composition and pattern forming process
JP6531723B2 (ja) 2016-06-29 2019-06-19 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP6609225B2 (ja) 2016-07-22 2019-11-20 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP7076207B2 (ja) * 2017-12-28 2022-05-27 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP7264019B2 (ja) 2018-12-14 2023-04-25 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7264020B2 (ja) 2018-12-27 2023-04-25 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7283373B2 (ja) 2019-01-29 2023-05-30 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
JP7494731B2 (ja) 2020-02-04 2024-06-04 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7622544B2 (ja) 2020-05-18 2025-01-28 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US12013639B2 (en) 2020-08-13 2024-06-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist material and patterning process
JP7626044B2 (ja) 2021-01-20 2025-02-04 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7729202B2 (ja) 2021-01-22 2025-08-26 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7639675B2 (ja) 2021-01-27 2025-03-05 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7666321B2 (ja) 2021-01-27 2025-04-22 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7673652B2 (ja) 2021-02-17 2025-05-09 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7677200B2 (ja) 2021-04-14 2025-05-15 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US12422751B2 (en) 2021-05-28 2025-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and pattern forming process
JP7679335B2 (ja) 2021-06-22 2025-05-19 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7691963B2 (ja) 2021-07-29 2025-06-12 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7757911B2 (ja) 2021-10-07 2025-10-22 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR102755856B1 (ko) 2021-11-17 2025-01-15 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR102734809B1 (ko) 2021-11-18 2024-11-26 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP2023077400A (ja) 2021-11-24 2023-06-05 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US20230259027A1 (en) * 2022-01-27 2023-08-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and pattern forming process
JP7779248B2 (ja) 2022-01-27 2025-12-03 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7779249B2 (ja) 2022-01-27 2025-12-03 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7782480B2 (ja) 2022-02-04 2025-12-09 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US20230251572A1 (en) 2022-02-04 2023-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and pattern forming process
JP7666365B2 (ja) 2022-03-11 2025-04-22 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US20230314944A1 (en) 2022-03-30 2023-10-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition and pattern forming process
JP7719754B2 (ja) 2022-06-20 2025-08-06 信越化学工業株式会社 重合性単量体、高分子化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法
JP7752096B2 (ja) 2022-07-12 2025-10-09 信越化学工業株式会社 オニウム塩、レジスト組成物、及びパターン形成方法
US20240027903A1 (en) 2022-07-12 2024-01-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist Material And Patterning Process
JP7752099B2 (ja) 2022-08-16 2025-10-09 信越化学工業株式会社 オニウム塩、酸拡散制御剤、レジスト組成物、及びパターン形成方法
JP2024035804A (ja) 2022-09-02 2024-03-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2024055778A (ja) 2022-10-07 2024-04-18 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2024055780A (ja) 2022-10-07 2024-04-18 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2024059083A (ja) 2022-10-17 2024-04-30 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法
JP2024059418A (ja) 2022-10-18 2024-05-01 信越化学工業株式会社 オニウム塩、レジスト組成物、及びパターン形成方法
JP2024062389A (ja) 2022-10-24 2024-05-09 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7826903B2 (ja) 2022-11-02 2026-03-10 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2024087770A (ja) 2022-12-19 2024-07-01 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2024113956A (ja) 2023-02-10 2024-08-23 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法
JP2024127773A (ja) 2023-03-07 2024-09-20 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2024155758A (ja) 2023-04-19 2024-10-31 信越化学工業株式会社 レジスト材料、レジスト組成物、パターン形成方法、及びモノマー
JP2024154791A (ja) 2023-04-19 2024-10-31 信越化学工業株式会社 レジスト材料、レジスト組成物、及びパターン形成方法
JP2025017327A (ja) 2023-07-24 2025-02-05 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2025020011A (ja) 2023-07-28 2025-02-07 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2025060434A (ja) 2023-09-29 2025-04-10 信越化学工業株式会社 モノマー、ポリマー、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2025076310A (ja) 2023-10-31 2025-05-15 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2025082813A (ja) 2023-11-17 2025-05-29 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2025082814A (ja) 2023-11-17 2025-05-29 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2025087601A (ja) 2023-11-29 2025-06-10 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2025111292A (ja) 2024-01-17 2025-07-30 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2025126471A (ja) 2024-02-19 2025-08-29 信越化学工業株式会社 オニウム塩、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2025137440A (ja) 2024-03-08 2025-09-19 信越化学工業株式会社 パターン形成方法およびレジスト材料
JP2025177372A (ja) 2024-05-23 2025-12-05 信越化学工業株式会社 モノマー、ポリマー、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2025182799A (ja) 2024-06-04 2025-12-16 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2025183658A (ja) 2024-06-05 2025-12-17 信越化学工業株式会社 オニウム塩、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2026004975A (ja) 2024-06-26 2026-01-15 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2026004979A (ja) 2024-06-26 2026-01-15 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2026006899A (ja) 2024-07-01 2026-01-16 信越化学工業株式会社 オニウム塩、化学増幅レジスト組成物及びパターン形成方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2881969B2 (ja) 1990-06-05 1999-04-12 富士通株式会社 放射線感光レジストとパターン形成方法
JPH10221852A (ja) * 1997-02-06 1998-08-21 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JP3920457B2 (ja) * 1998-05-28 2007-05-30 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性平版印刷版
KR100279497B1 (ko) * 1998-07-16 2001-02-01 박찬구 술포늄 염의 제조방법
JP4273919B2 (ja) * 2002-10-16 2009-06-03 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩
JP4357830B2 (ja) 2002-12-02 2009-11-04 東京応化工業株式会社 レジスト用（メタ）アクリル酸誘導体ポリマーの製造方法
JP4244755B2 (ja) * 2003-09-09 2009-03-25 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
US7459261B2 (en) * 2005-01-06 2008-12-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
US7629106B2 (en) * 2005-11-16 2009-12-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same

Also Published As

Publication number Publication date
DE602005014876D1 (de) 2009-07-23
KR100915567B1 (ko) 2009-09-03
CN100537623C (zh) 2009-09-09
US20070231708A1 (en) 2007-10-04
US7482108B2 (en) 2009-01-27
TW200613268A (en) 2006-05-01
EP1783148B1 (de) 2009-06-10
WO2006013687A1 (ja) 2006-02-09
EP1783148A4 (de) 2007-10-03
JP4794835B2 (ja) 2011-10-19
CN1993394A (zh) 2007-07-04
EP1783148A1 (de) 2007-05-09
TWI308155B (en) 2009-04-01
JP2006045311A (ja) 2006-02-16
KR20070033454A (ko) 2007-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE433468T1 (de) Hochmolekulare verbindung, säuregenerator, positivresistzusammensetzungen und verfahren zur herstellung von resiststrukturen
WO2008099869A1 (ja) 光酸発生剤用化合物及びそれを用いたレジスト組成物、パターン形成方法
KR920020276A (ko) 패턴형성용 레지스트
WO2009057769A1 (ja) 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
WO2006064151A3 (fr) Nouveau latex inverse concentre, procede pour sa preparation, et utilisation dans l'industrie
TW200833757A (en) Resin composition and molding made from the composition
ATE505447T1 (de) Verfahren zur behandlung von porösem stein, bei dem eine fluorchemische zusammensetzung verwendet wird
BRPI0704509A2 (pt) polìmero orgánico, composição aquosa, e, processo para a formação de uma composição aquosa
DE602007010820D1 (de) Mit aktiver strahlung härtbare wasserbasierte harzzusammensetzung, mit aktiver strahlung härtbare beschichtungsmasse, verfahren zur bildung eines gehärteten beschichtungsfilms und gegenstand
ATE275934T1 (de) Verfahren zur erhöhung der beständigkeit von mindestens eines pflege- oder kosmetischen effekts einer kosmetischen zusammenfassung , kosmetische zusammensetzung und ihre anwendung
TW200745757A (en) Positive resist composition for thick-film resist film forming, thick-film resist laminated product, and method for forming resist pattern
ATE503750T1 (de) Säureverstärker mit acetalgruppe, fotolackzusammensetzung damit und methode zur erzeugung von fotolackstrukturen
ATE517141T1 (de) Norbornenpolymerzusammensetzungen für deckschichten und lithographisches immersionsverfahren unter deren verwendung
TW201613855A (en) Sulfonic acid derivatives and photoacid generator
WO2008105138A1 (ja) ポリチオウレタン系光学材料用重合触媒、それを含む重合性組成物、それより得られる光学材料、およびその製造方法
BRPI0511577A (pt) éster de poliol para transformadores
WO2008099709A1 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物
TW200619239A (en) Positive resist composition and method for forming resist pattern
TW200619852A (en) Photoacid generating polymer, its preparation method and top anti-reflective coating composition comprising the same
ATE463541T1 (de) Verdickungssysteme und wässrige beschichtingszusammensetzungen und verfahren zu deren herstellung und verwendung
EP1790645A4 (de) Lactone-derivate,lacton-enthaltende monomere,daraus hergestellte polymere und resistzusammensetzungen,sowie verfahren zur herstellung von mustern unter verwendung dieser zusammen setzungen
WO2005089355A3 (en) Environmentally friendly photoacid generators (pags) with no perfluorooctyl sulfonates (pfos)
BR112013006159A2 (pt) gerador eletroquímico e processo de realização desse gerador
TW200502695A (en) Basic compound, resist composition and patterning process
TW200641522A (en) Positive resist composition, method for forming resist pattern and compound

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties