ATE496393T1 - Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements und mit einem solchen verfahren erhaltenes halbleiterbauelement - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements und mit einem solchen verfahren erhaltenes halbleiterbauelement

Info

Publication number
ATE496393T1
ATE496393T1 AT06821240T AT06821240T ATE496393T1 AT E496393 T1 ATE496393 T1 AT E496393T1 AT 06821240 T AT06821240 T AT 06821240T AT 06821240 T AT06821240 T AT 06821240T AT E496393 T1 ATE496393 T1 AT E496393T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
semiconductor
region
opening
semiconductor layer
collector
Prior art date
Application number
AT06821240T
Other languages
English (en)
Inventor
Joost Melai
Erwin Hijzen
Philippe Meunier-Beillard
Johannes Donkers
Original Assignee
Nxp Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nxp Bv filed Critical Nxp Bv
Application granted granted Critical
Publication of ATE496393T1 publication Critical patent/ATE496393T1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/01—Manufacture or treatment
    • H10D10/021—Manufacture or treatment of heterojunction BJTs [HBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/01—Manufacture or treatment
    • H10D10/051—Manufacture or treatment of vertical BJTs
    • H10D10/054—Forming extrinsic base regions on silicon substrate after insulating device isolation in vertical BJTs having single crystalline emitter, collector or base regions

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
AT06821240T 2005-11-21 2006-10-29 Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements und mit einem solchen verfahren erhaltenes halbleiterbauelement ATE496393T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05110997 2005-11-21
PCT/IB2006/053996 WO2007057803A1 (en) 2005-11-21 2006-10-29 Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE496393T1 true ATE496393T1 (de) 2011-02-15

Family

ID=37772906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT06821240T ATE496393T1 (de) 2005-11-21 2006-10-29 Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements und mit einem solchen verfahren erhaltenes halbleiterbauelement

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8173511B2 (de)
EP (1) EP1955367B1 (de)
JP (1) JP2009516912A (de)
CN (1) CN101313394B (de)
AT (1) ATE496393T1 (de)
DE (1) DE602006019770D1 (de)
WO (1) WO2007057803A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2281302B1 (de) 2008-05-21 2012-12-26 Nxp B.V. Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements eines bipolaren transistors
US8729662B2 (en) * 2008-09-12 2014-05-20 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP2372754B1 (de) * 2010-04-01 2018-03-14 Nxp B.V. Abstandshalterstruktur bei der Herstellung von flachen Bipolartransistoren
EP2506297A1 (de) * 2011-03-29 2012-10-03 Nxp B.V. Bi-CMOS-Vorrichtung und Verfahren
CN109887996B (zh) * 2019-01-31 2022-03-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 自对准锗硅hbt器件的制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1267092A (zh) * 1999-03-10 2000-09-20 光磊科技股份有限公司 光电晶体
FR2805923B1 (fr) 2000-03-06 2002-05-24 St Microelectronics Sa Procede de fabrication d'un transistor bipolaire double- polysilicium auto-aligne
TW515106B (en) * 2000-09-13 2002-12-21 Toshiba Corp Bipolar transistor, semiconductor light emitting device and semiconductor device
US7074685B2 (en) * 2002-05-29 2006-07-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of fabrication SiGe heterojunction bipolar transistor
EP1654755A1 (de) 2003-08-01 2006-05-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur herstellung eines halbleiter-bauelements mit bipolar-transistor und einrichtung mit bipolar-transistor
FR2868203B1 (fr) * 2004-03-29 2006-06-09 St Microelectronics Sa Procede de fabrication d'un transistor bipolaire a base extrinseque monocristalline

Also Published As

Publication number Publication date
EP1955367A1 (de) 2008-08-13
US8173511B2 (en) 2012-05-08
US20100289022A1 (en) 2010-11-18
CN101313394B (zh) 2011-10-05
CN101313394A (zh) 2008-11-26
EP1955367B1 (de) 2011-01-19
WO2007057803A1 (en) 2007-05-24
DE602006019770D1 (de) 2011-03-03
JP2009516912A (ja) 2009-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100346482C (zh) 半导体器件及其制备方法
ATE466378T1 (de) Verfahren zur herstellung eines sige heteroübergang-bipolartransistors
JP2000031156A5 (de)
CN107112218B (zh) Iii-n器件中的凹陷欧姆接触
ATE399367T1 (de) Verfahren zur herstellung eines silizium- germanium basis eines heteroübergang- bipolartransistors
US20090194790A1 (en) Field effect transister and process for producing the same
DE60233241D1 (de) Verfahren zur herstellung eines vertikalen doppelgate-feldeffekttransistor
WO2004027820A3 (en) Self-aligned npn transistor with raised extrinsic base
WO2009044638A1 (ja) ＧａＮエピタキシャル基板、半導体デバイス、ＧａＮエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法
TW200618432A (en) Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
JP2012094688A (ja) 半導体装置およびその製造方法
ATE532211T1 (de) Verfahren zur herstellung eines bipolaren transistors
CN109716492A (zh) 半导体装置用基板、半导体装置及半导体装置用基板的制造方法
EP2251464A3 (de) Epitaxiesubstrat für Halbleiterbauelement, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Epitaxiesubstrats für ein Halbleiterbauelement
WO2004095517A3 (en) Passivation layer for group iii-v semiconductor devices
TW200719433A (en) Growth controlled vertical transistor
EP1724378A3 (de) Epitaktisches Substrat, Halbleiterbauteil, Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Substrats und Verfahren zur unregelmässigen Verteilung von Versetzungen in einer Gruppe III-Nitrid Kristall
GB2452213A (en) Biopolar junction transistor with a reduced collector-substrate capacitance
ATE496393T1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements und mit einem solchen verfahren erhaltenes halbleiterbauelement
KR20130066396A (ko) 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법
WO2012169019A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US10147601B2 (en) Method for producing a layer structure as a buffer layer of a semiconductor component and layer structure as a buffer layer of a semiconductor component
JP2007504649A5 (de)
US8168000B2 (en) III-nitride semiconductor device fabrication
US8420516B2 (en) Method for producing n-type group III nitride semiconductor

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties