ATE525745T1 - Verfahren zur herstellung eines bipolaren transistors und in diesem verfahren hergestellter bipolarer transistor - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines bipolaren transistors und in diesem verfahren hergestellter bipolarer transistor

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ATE525745T1
ATE525745T1 AT07766732T AT07766732T ATE525745T1 AT E525745 T1 ATE525745 T1 AT E525745T1 AT 07766732 T AT07766732 T AT 07766732T AT 07766732 T AT07766732 T AT 07766732T AT E525745 T1 ATE525745 T1 AT E525745T1
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Philippe Meunier-Beillard
Johannes Donkers
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Nxp Bv
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7947552B2 (en) * 2008-04-21 2011-05-24 Infineon Technologies Ag Process for the simultaneous deposition of crystalline and amorphous layers with doping
US8431966B2 (en) 2008-05-21 2013-04-30 Nxp B.V. Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device and semiconductor devices obtained thereby
EP2581930B1 (de) 2011-10-11 2014-06-04 Nxp B.V. Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors, bipolarer Transistor und integrierte Schaltung
EP2565911B1 (de) * 2011-09-02 2014-08-20 Nxp B.V. Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit einem bipolaren Transistor und integrierte Schaltung
TWI743788B (zh) * 2020-05-18 2021-10-21 力晶積成電子製造股份有限公司 電晶體及其製造方法
EP4525047B1 (de) * 2023-09-18 2026-02-18 Nxp B.V. Verfahren zur herstellung eines bipolartransistors

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2655052B2 (ja) 1993-10-07 1997-09-17 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5620908A (en) 1994-09-19 1997-04-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method of semiconductor device comprising BiCMOS transistor
JP2746225B2 (ja) * 1995-10-16 1998-05-06 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6531369B1 (en) 2000-03-01 2003-03-11 Applied Micro Circuits Corporation Heterojunction bipolar transistor (HBT) fabrication using a selectively deposited silicon germanium (SiGe)
FR2806831B1 (fr) 2000-03-27 2003-09-19 St Microelectronics Sa Procede de fabrication d'un transistor bipolaire de type double-polysilicium auto-aligne a base a heterojonction et transistor correspondant
US6509242B2 (en) 2001-01-12 2003-01-21 Agere Systems Inc. Heterojunction bipolar transistor
US6869852B1 (en) * 2004-01-09 2005-03-22 International Business Machines Corporation Self-aligned raised extrinsic base bipolar transistor structure and method

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