ATE542234T1 - Verfahren zur herstellung einer vorrichtung mit mehrstrahlen-ablenkanordnung mit elektroden - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer vorrichtung mit mehrstrahlen-ablenkanordnung mit elektrodenInfo
- Publication number
- ATE542234T1 ATE542234T1 AT10450006T AT10450006T ATE542234T1 AT E542234 T1 ATE542234 T1 AT E542234T1 AT 10450006 T AT10450006 T AT 10450006T AT 10450006 T AT10450006 T AT 10450006T AT E542234 T1 ATE542234 T1 AT E542234T1
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- electrodes
- trenches
- opening
- producing
- sidewalls
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. program control
- H01J37/3023—Program control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
- H01J2237/0437—Semiconductor substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP09450018 | 2009-01-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ATE542234T1 true ATE542234T1 (de) | 2012-02-15 |
Family
ID=42016482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT10450006T ATE542234T1 (de) | 2009-01-28 | 2010-01-27 | Verfahren zur herstellung einer vorrichtung mit mehrstrahlen-ablenkanordnung mit elektroden |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8198601B2 (de) |
| EP (1) | EP2214194B1 (de) |
| JP (1) | JP5641391B2 (de) |
| AT (1) | ATE542234T1 (de) |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2251893B1 (de) * | 2009-05-14 | 2014-10-29 | IMS Nanofabrication AG | Mehrstrahlen-Ablenkarray mit verbundenen Elektroden |
| KR20120088780A (ko) * | 2009-10-26 | 2012-08-08 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 변조 디바이스를 갖는 하전 입자 다중-빔렛 리소그라피 시스템 |
| DE102010041156B9 (de) * | 2010-09-21 | 2018-01-25 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Blendeneinheit für ein Teilchenstrahlgerät sowie Teilchenstrahlgerät |
| EP2638559B1 (de) | 2010-11-13 | 2016-07-20 | Mapper Lithography IP B.V. | Modulator für geladene teilchenstrahlen |
| EP2757571B1 (de) * | 2013-01-17 | 2017-09-20 | IMS Nanofabrication AG | Hochspannungsisolationsvorrichtung für eine optische Vorrichtung mit geladenen Partikeln |
| JP2015023286A (ja) | 2013-07-17 | 2015-02-02 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | 複数のブランキングアレイを有するパターン画定装置 |
| EP2830083B1 (de) | 2013-07-25 | 2016-05-04 | IMS Nanofabrication AG | Verfahren zur Ladungsteilchen-Mehrstrahlbelichtung |
| US20150069260A1 (en) | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Ims Nanofabrication Ag | Charged-particle multi-beam apparatus having correction plate |
| EP2913838B1 (de) | 2014-02-28 | 2018-09-19 | IMS Nanofabrication GmbH | Kompensation defekter Beamlets in einem Ladungsträger-Mehrstrahlbelichtungswerkzeug |
| EP2937889B1 (de) | 2014-04-25 | 2017-02-15 | IMS Nanofabrication AG | Mehrstrahliges werkzeug zum schneiden von mustern |
| US20150311031A1 (en) | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Ims Nanofabrication Ag | Multi-Beam Tool for Cutting Patterns |
| EP2950325B1 (de) | 2014-05-30 | 2018-11-28 | IMS Nanofabrication GmbH | Kompensation von dosisinhomogenität mittels überlappender belichtungsorte |
| JP6892214B2 (ja) | 2014-07-10 | 2021-06-23 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化 |
| EP2993684B1 (de) | 2014-09-05 | 2017-03-08 | IMS Nanofabrication AG | Korrektur von verwerfungen mit kurzer reichweite in einem mehrstrahlschreiber |
| US9568907B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-02-14 | Ims Nanofabrication Ag | Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer |
| JP5816739B1 (ja) * | 2014-12-02 | 2015-11-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置、及びマルチビームのブランキングアパーチャアレイ装置の製造方法 |
| US9653263B2 (en) | 2015-03-17 | 2017-05-16 | Ims Nanofabrication Ag | Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension |
| KR102302015B1 (ko) | 2015-03-17 | 2021-09-15 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 완화된 임계 치수의 패턴 에어리어의 멀티빔 기록 |
| EP3096342B1 (de) | 2015-03-18 | 2017-09-20 | IMS Nanofabrication AG | Bidirektionales mehrstrahliges schreiben mit doppeldurchgang |
| US10410831B2 (en) | 2015-05-12 | 2019-09-10 | Ims Nanofabrication Gmbh | Multi-beam writing using inclined exposure stripes |
| EP3093869B1 (de) | 2015-05-12 | 2018-10-03 | IMS Nanofabrication GmbH | Mehrstrahliges schreiben mit geneigten belichtungsstreifen |
| EP3258479B1 (de) | 2016-06-13 | 2019-05-15 | IMS Nanofabrication GmbH | Verfahren zur kompensation von durch variation von musterbelichtungsdichte verursachten musterplatzierungsfehlern in einem mehrstrahlenschreiber |
| US10325756B2 (en) | 2016-06-13 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer |
| US10325757B2 (en) | 2017-01-27 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Advanced dose-level quantization of multibeam-writers |
| EP3355337B8 (de) | 2017-01-27 | 2024-04-10 | IMS Nanofabrication GmbH | Erweiterte quantisierung auf dosisebene für mehrstrahlschreiber |
| US10840056B2 (en) * | 2017-02-03 | 2020-11-17 | Kla Corporation | Multi-column scanning electron microscopy system |
| US10522329B2 (en) | 2017-08-25 | 2019-12-31 | Ims Nanofabrication Gmbh | Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus |
| JP7201364B2 (ja) | 2017-08-25 | 2023-01-10 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | マルチビーム描画装置において露光される露光パターンにおける線量関連の特徴再形成 |
| US11569064B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-01-31 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for irradiating a target using restricted placement grids |
| EP3460825B1 (de) | 2017-09-18 | 2020-02-19 | IMS Nanofabrication GmbH | Verfahren zur bestrahlung eines ziels mit gittern mit eingeschränkter platzierung |
| EP3518272B1 (de) | 2018-01-09 | 2025-06-25 | IMS Nanofabrication GmbH | Nichtlineare dosis- und unschärfeabhängige kantenplatzierungskorrektur |
| US10651010B2 (en) | 2018-01-09 | 2020-05-12 | Ims Nanofabrication Gmbh | Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction |
| US10840054B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-11-17 | Ims Nanofabrication Gmbh | Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering |
| US11145485B2 (en) * | 2018-12-26 | 2021-10-12 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple electron beams irradiation apparatus |
| US11099482B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-08-24 | Ims Nanofabrication Gmbh | Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers |
| KR102835338B1 (ko) | 2019-05-03 | 2025-07-17 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 멀티 빔 라이터에서의 노출 슬롯의 지속 시간 조정 |
| KR102919104B1 (ko) | 2020-02-03 | 2026-01-29 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 멀티―빔 라이터의 블러 변화 보정 |
| EP3876258A1 (de) | 2020-03-06 | 2021-09-08 | ASML Netherlands B.V. | Strahlmanipulator in einer ladungsteilchenstrahl-belichtungsvorrichtung |
| JP7359050B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2023-10-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用のブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| KR102922552B1 (ko) | 2020-04-24 | 2026-02-04 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 대전 입자 소스 |
| EP4095882A1 (de) | 2021-05-25 | 2022-11-30 | IMS Nanofabrication GmbH | Musterdatenverarbeitung für programmierbare direktschreibgeräte |
| US12154756B2 (en) | 2021-08-12 | 2024-11-26 | Ims Nanofabrication Gmbh | Beam pattern device having beam absorber structure |
| CN118974872A (zh) * | 2022-04-12 | 2024-11-15 | 华为技术有限公司 | 一种电子束矫正器、其制备方法及扫描电子显微镜 |
| JP2023165626A (ja) | 2022-05-04 | 2023-11-16 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | マルチビームパターン規定装置 |
| US20240304415A1 (en) | 2023-03-08 | 2024-09-12 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for Determining Focal Properties in a Target Beam Field of a Multi-Beam Charged-Particle Processing Apparatus |
| US12695055B2 (en) | 2023-03-08 | 2026-07-28 | Ims Nanofabrication Gmbh | Optimizing image distortion in a multi beam charged particle processing apparatus |
| US20240304407A1 (en) | 2023-03-08 | 2024-09-12 | Ims Nanofabrication Gmbh | Device and Method for Calibrating a Charged-Particle Beam |
| US20260186419A1 (en) | 2024-12-27 | 2026-07-02 | Ims Nanofabrication Gmbh | Particle-Beam Writing Method Using a Stripe Exposure Order Within a Finite Stripe Window |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2907221B2 (ja) * | 1989-09-19 | 1999-06-21 | 富士通株式会社 | ブランキングアパーチャアレーおよびその製造方法 |
| US5369282A (en) * | 1992-08-03 | 1994-11-29 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput |
| EP0739531B1 (de) | 1994-01-13 | 1998-07-08 | IMS Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft m.b.H. | Teilchenoptisches abbildungssystem |
| DE19946447B4 (de) * | 1998-10-13 | 2012-01-19 | Ims Nanofabrication Ag | Teilchenoptisches Abbildungssystem für Lithographiezwecke |
| US6768125B2 (en) * | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Ims Nanofabrication, Gmbh | Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate |
| JP4116316B2 (ja) | 2002-04-10 | 2008-07-09 | キヤノン株式会社 | アレイ構造体の製造方法、荷電粒子ビーム露光装置並びにデバイス製造方法 |
| US6818911B2 (en) * | 2002-04-10 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Array structure and method of manufacturing the same, charged particle beam exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US6953938B2 (en) | 2002-10-03 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus |
| JP4076834B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2008-04-16 | 株式会社アドバンテスト | 偏向器、偏向器の製造方法、及び荷電粒子線露光装置 |
| GB2414111B (en) | 2004-04-30 | 2010-01-27 | Ims Nanofabrication Gmbh | Advanced pattern definition for particle-beam processing |
| JP4704702B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | ブランキングアパーチャアレイおよびその製造方法 |
| EP1851784B8 (de) * | 2005-02-11 | 2016-10-19 | IMS Nanofabrication AG | Vorrichtung zur belichtung mit geladenen teilchen mit elektrostatischer zonenplatte |
| DE102008010123B4 (de) * | 2007-02-28 | 2024-11-28 | Ims Nanofabrication Gmbh | Vielstrahl-Ablenkarray-Einrichtung für maskenlose Teilchenstrahl-Bearbeitung |
| JP5491704B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2014-05-14 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | 対向電極アレイ板を有するパターン定義装置 |
| EP2251893B1 (de) * | 2009-05-14 | 2014-10-29 | IMS Nanofabrication AG | Mehrstrahlen-Ablenkarray mit verbundenen Elektroden |
-
2010
- 2010-01-25 US US12/692,679 patent/US8198601B2/en active Active
- 2010-01-27 AT AT10450006T patent/ATE542234T1/de active
- 2010-01-27 EP EP10450006A patent/EP2214194B1/de active Active
- 2010-01-28 JP JP2010016377A patent/JP5641391B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8198601B2 (en) | 2012-06-12 |
| JP2010177667A (ja) | 2010-08-12 |
| US20100187434A1 (en) | 2010-07-29 |
| EP2214194A1 (de) | 2010-08-04 |
| JP5641391B2 (ja) | 2014-12-17 |
| EP2214194B1 (de) | 2012-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2505600A (en) | Micro-electro-mechanical system (MEMS) and related actuator bumps method of manufacture and design structures | |
| EP2040521A3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Substrats | |
| WO2012166483A3 (en) | Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same | |
| EP2343749A3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Musters einer organischen Dünnschicht mit hoher Auflösung | |
| EP3220433A3 (de) | Anzeigevorrichtung | |
| WO2010078343A3 (en) | Resist feature and removable spacer pitch doubling patterning method for pillar structures | |
| WO2012068426A3 (en) | Arrays of long nanostructures in semiconductor materials and method thereof | |
| EP3425669A3 (de) | Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung davon | |
| EP2618554A3 (de) | Bildsensoreinheit, Bildlesevorrichtung, Bilderzeugungsvorrichtung und Herstellungsverfahren | |
| WO2018114974A3 (de) | Vorrichtung und verfahren zur herstellung von bipolarplatten | |
| WO2014204748A8 (en) | Optoelectronic integrated circuit | |
| WO2011100647A3 (en) | Double-sided reusable template for fabrication of semiconductor substrates for photovoltaic cell and microelectronics device manufacturing | |
| WO2011068621A3 (en) | Methods of patterning materials, and methods of forming memory cells | |
| WO2008022097A3 (en) | Methods for forming patterned structures | |
| EP1798765A3 (de) | Halbleiter auf einem unter Verwendung eines verbesserten Ionen-Implantationsverfahren hergestellten Glasisolator | |
| WO2011004198A3 (en) | Patterning | |
| WO2011056534A3 (en) | Methods of forming pillars for memory cells using sequential sidewall patterning | |
| EP2028543A3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises mithilfe zweier Maskenebenen | |
| WO2018102695A3 (en) | Cochlear implants including electrode arrays and methods of making the same | |
| EP2348547A3 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung, Verfahren zu deren Herstellung, Verpackung für lichtemittierende Vorrichtung und Beleuchtungssystem | |
| SG140481A1 (en) | A method for fabricating micro and nano structures | |
| EP2942667A3 (de) | Mustererzeugungsverfahren unter verwendung einer aufdruckform, mit dem verfahren hergestellte musterstruktur und drucksystem | |
| ATE538406T1 (de) | Verfahren zur herstellung eines künstliches facettenauges | |
| EP2605296A3 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung | |
| EP2930752A3 (de) | Verfahren zur herstellung einer transistorvorrichtung. |