ATE62550T1 - Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor. - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor.

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Publication number: ATE62550T1
Authority: AT; Austria
Prior art keywords: gate surface; cirf; field effect; sensor; making
Prior art date: 1986-06-17

Application number

AT87420161T

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English (en)

Inventor

Nicole Jaffrezic

Claude Martelet

Pierre Bataillard

Paul Clechet

Rooij Nicolas Frans De

Den Vlekkert Hendrik Harme Van

Original Assignee

Public A Caractere Scient Cult

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1986-06-17

Filing date

1987-06-15

Publication date

1991-04-15

1987-06-15 Application filed by Public A Caractere Scient Cult filed Critical Public A Caractere Scient Cult

1991-04-15 Application granted granted Critical

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Classifications

- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS

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AT87420161T 1986-06-17 1987-06-15 Verfahren zur herstellung einer gateoberflaeche an einem aus einem feldeffekttransistor gebildeten, integrierten elektrochemischen sensor und sensor. ATE62550T1 (de)

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