BE451411A - - Google Patents
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Description
Procédé de fabrication des disques de redresseurs au sélénium. On sait que l'on ajoute au sélénium, destiné à former la cou- che semi-conductrice des redresseurs secs métalliques, des corps, qui augmentent la conductibilité du redresseur dans le sens du passage du courant par rapport à celle des redresseurs qui ne comportent pas cette addition, mais qui la conservent dans le sens du blocage ou la diminuent si possible. Les additions au sélénium, qui provoquentainsi une amélioration de l'effet de redressement, sont par exemple les métaux alcalino-terreux ou alcalins. On connaît aussi lasolution qui consiste à ajouter dans le même but au sélénium des halo- gènes, par exemple du chlore ou des composés du chlore avec des métaux ou des corps organiques. Ces additions connues ont certains inconvénients. S'il s'agit d'additions gazeuses, par exemple de chlore, la dosage exact, absolument nécessaire de l'addition, est difficile à faire et inexécutable dans la fabrication en série. S'il s'agit d'additions d'halogé- nures métalliques ou de composés halogènes organiques, ces additions introduisent dans la couche de sélénium des corps étrangers, qui exercent une action nuisible, soit qu'ils augmentent la conductibi- lité de la couche de sélénium aussi dans le sens de blocage, soit qu'ils diminuent la résistance à la tension du redresseur, en empêchant la formation d'une couche d'arrêt de bonne qualité, sans lacu- <EMI ID=1.1> tés des redresseurs, outre les effets avantageux, des effets secondaires nuisibles. Des essais, sur lesquels l'invention est basée, ont fait découvrir des additions au sélénium destiné aux disques de redresseurs au sélénium, qui permettent non seulement d'éviter toutes les manifestations secondaires exerçant un effet défavorable sur l'effet de re- <EMI ID=2.1> du passage dans des conditions inconnues jusqu'à présent dans les redresseurs au sélénium. On a découvert que les composés de chlore <EMI ID=3.1> ajoutés en proportions déterminées au sélénium donnent lieu à une forte diminution de la résistance de passage du redresseur au sélénium, exercent un effet de blocage satisfaisant, c'est-à-dire que le courant inverse est faible et donnent au redresseur une forte résistance à la tension. Ces additions qui sont faciles à doser peuvent être ajoutées au sélénium fondu ou mélangées avec le sélénium en poudre ou ajoutées au sélénium en solution. Des proportions d'addi- tion atteignant 5 % de la quantité de sélénium ont donné de bons résultats. Des effets particulièrement avantageux ont été obtenus avec <EMI ID=4.1> s'agit de l'addition du tétrachlorure de sélénium. L'effet favorable surprenant qui peut être obtenu par l'addition de ces composés de chlore et qui ne peut être obtenu ni par les additions connues d'halogènes, ni par les autres additions connues, est dû évidemment à ce que ces additions n'introduisent pas dans le sélénium des métaux étrangers ou des corps organiques, comme dans le cas des additions connues, ainsi qu'à la grande stabilité de ces additions. Par rapport à l'addition du chlore pur, les additions suivant l'invention ont entre autres l'avantage d'une dosabilité simple et précise. REVENDICATIONS. 1. Procédé de fabrication des disques de redresseur au sélénium, dont le sélénium destiné à former la couche semi-conductrice contient une addition qui diminue la résistance existant dans le sens dé passage du courant, caractérisé en ce que l'addition est un-composé de chlore et de sélénium;
Claims (1)
- 2. Procédé suivant revendication 1, caractérisé en ce que le composé ajouté au sélénium est le tétrachlorure de sélénium.3. Procédé suivant revendications 1 et 2, caractérisé en ce <EMI ID=5.1>4. A titre de produits industriels nouveaux, les redresseurs au sélénium, dont les disques sont fabriqués par le procédé ci-dessus.
Applications Claiming Priority (1)
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1943
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Also Published As
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| FR896191A (fr) | 1945-02-14 |
| CH236303A (de) | 1945-01-31 |
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