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L'invention concerne la fabrication d'une cellule à. cou- che d'arrêt, en particulier une cellule au sélénium, par un pro- cédé dans lequel .on coupe un système de couches constitué par une couche bonne conductrice et une couche semi-conductrice disposées de part et d'autre d'une couche d'arrêt.
Le découpage des bords d'une cellule à couche d'arrêt ou le découpage d'un certain nombre de petites cellules dans une gran- de plaque (voir le brevet néerlandais N 56.762), présente la dif- ficulté suivante : ce découpage peut provoquer facilement un court- circuit entre les électrodes placées de part et d'autre de la cou- che d'arrêt;
c'est ainsi que, dans le cas d'une cellule au sélé- nium, ce court-circuit peut résulter du fait que pendant le décou- page, une certaine quantité de matière bonne conductrice s'étend sur la surface sectionnée. @ Procédé de fabrication de cellules à couche d'arrêt
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On a déjà proposé d'obvier à cet inconvénient en inter- rompant la couche bonne conductrice aux endroits du sectionnement du système de couches, par exemple en utilisant, pour l'applica- tion de cette couche bonne conductrice, un gabarit, de sorte qu'il ne soit pas nécessaire de la couper.
Ce procéd4 présente plusieurs inconvénients: non seulement 11 complique la fabrication du syst:- me de couches, maisles parties marginales des cellules ainsi ré- alisées ne comportent pas de couche conductrice, de sorte qu'une partie de la cellule est inactive, ce qui n'est pas économique.
En outre, il faut tenir compte des dimensions des cellules à fabri- quer dès l'application de la couche conductrice interrompue, ce qui complique l'organisation de la fabrication en grande série de cellules de dimensions différentes.
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule à couche d'arrêt, qui permet de découper sans le moindre inconvénient le système de couches; suivant l'invention, le dé- coupage du système de coucnes, au moins de la partie se trouvant à la hauteur de la couche d'arrêt, s'effectue à l'aide d'une fraise ou d'un rabot comportant des dents ou des ciseaux affec- tant la forme d'un V.
Il s'est avéré que l'application de ce procédé ne pro- voque pas de court-circuit-dans les cellules ainsi. obtenues, ce qu'il y a lieu d'attribuer au fait que la surface de sectionne- ment du bord de la cellule s'obtient, au moins à la hauteur de la couche d'arrêt, par un traitement qui enlevé la dernière couche superficielle de la surface de sectionnement dans une direction parallèle au plan de la couche d'arrêt, de sorte que la matière de l'une des couches voisines ne s'étend pas sur le bord de la couche d'arrêt.
Ce résultat s'obtient non seulement à l'aide de dents ou de ciseaux en forme de V, mais aussi à l'aide d'outils profil tel qu'ils pratiquent une rainure à parois inclinées,
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par exemple en forme de V à sommet arrondi ou à branches incur- vées au lieu de branches droites; l'expression "forme de V" com- prend donc aussi ces variantes de la forme de V. De préférence, le profil de l'outil est tel quau droit de la couche d'arrêt, la surface de sectionnement obtenue forme avec le plan de la cou- che d'arrêt un angle au maximum égal à 60 .
Après le fraisage - et en particulier pour la fabrication. de cellules de petites dimensions -, il est bon de procéder à une nouvelle formation des cellules pour augmenter l'effet d'arrête Le découpage de la couche d'arrêt peut en effet endommager le bord de sectionnement ce qui diminue localement l'effet d'arrêt, bien qu'avec le procédé conforme à l'invention, ce danger soit notable- ment moindre qu'avec les autres procédés de découpage. La forma- tion additionnelle améliore l'effet d'arrêt.
L'invention est particulièrement importante- pour les cellules au sélénium, parce qu'en général, ces cellules compor- tent, sur la couche d'arrêt, une électrode bonne conductrice en un métal à bas point de fusion, qui pourrait-provoquer facilement un court-circuit.
Dans le procédé conforme à l'invention, il n'est pas né- cessaire de découper par fraisage, outre le système constitué par la couche bonne conductrice, la couche semi-conductrice et la cou- che d'arrêt, la plaque de support. C'est ainsi que dans le cas d'une cellule à couche d'arrêt, dont la plaque de support métal- lique porte successivement une couche semi-conductrice, une cou- che d'arrêt et une couche bonne conductrice, il suffit de fraiser une rainure dans les couches appliquées et dans la partie supé- rieure de la plaque de support. La partie restante de la plaque de support peut, être sectionnée par cisaillement ou par pliage.
Si le fraisage n'a pour but que de diviser une grande cellule en surfaces plus petites, ce sectionnement est même superflu.
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Pour le découpage en ligne droite, on utilise, de pré- férence, une fraise dite circulaire, dans laquelle les dents sont ménagées sur la circonférence d'un disque. Pour découper une cel- lule à couche d'arrêt ronde, on peut utiliser une fraise dite à tête creuse, dont les dents sont taillées sur la circonférence de la surface terminale d'un cylindre, qui tourne autour de son axe longitudinal. On peut enlever de la même manière les parties d'une cellule à couche d'arrêt quiprésentent localement des propriétés insuffisantes, par exemple par suite de l'endommagement (par brû- lure par exemple) de la couche d'arrêt.
La description du dessin annexé, donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée, les particularités qui ressortent tant du texte que du dessin faisant, bien entendu, partie de ladite invention.
Sur la figure,l est une plaque de support métallique qui porte une couche seuil-conductrice 2, une couche d'arrêt 3, et une couche 4 en matière bonne conductrice; les diverses épais- seurs ne sont pas représentées à l'échelle. A l'aide d'une fraise circulaire, on a pratiqué dans le système de couches des rainures 5 en forme de V, allant jusqu'à proximité de la face inférieure de la plaque de support 1. Ceci permet de sectionner par pliage la partie non fraisée de la plaque de support et de subdiviser ainsi la système initial en un certain nombre de cellules indé- pendantes. Les rainures sont pratiquées, de préférence, à l'aide d'une fraise automatique, c'est-à-dire une fraise dont le\. rota- tion et l'avancement sont conjugués.
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The invention relates to the manufacture of a cell. barrier layer, in particular a selenium cell, by a process in which a system of layers consisting of a good conductive layer and a semiconductor layer arranged on either side of a stop layer.
Cutting the edges of a barrier layer cell or cutting a number of small cells from a large plate (see Dutch Patent No. 56,762) presents the following difficulty: this cutting can cause easily a short circuit between the electrodes placed on either side of the barrier layer;
thus, in the case of a selenium cell, this short-circuit may result from the fact that during the cutting, a certain quantity of good conductive material extends over the cut surface. @ Process for manufacturing stop-layer cells
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It has already been proposed to obviate this drawback by interrupting the good conductive layer at the places where the layer system is cut, for example by using, for the application of this good conductive layer, a template, so that 'it is not necessary to cut it.
This process has several drawbacks: not only does it complicate the manufacture of the system of layers, but the marginal parts of the cells thus produced do not include a conductive layer, so that part of the cell is inactive, which is not economical.
In addition, the dimensions of the cells to be manufactured must be taken into account as soon as the interrupted conductive layer is applied, which complicates the organization of the mass production of cells of different dimensions.
The invention relates to a method of manufacturing a barrier layer cell, which enables the layer system to be cut without any inconvenience; according to the invention, the cutting of the layer system, at least of the part located at the height of the stop layer, is carried out using a milling cutter or a plane comprising teeth or scissors shaped like a V.
It has been found that the application of this method does not cause a short circuit in the cells as well. obtained, which must be attributed to the fact that the sectioning surface of the edge of the cell is obtained, at least at the height of the barrier layer, by a treatment which removes the last layer surface of the severing surface in a direction parallel to the plane of the barrier layer, so that material from one of the adjacent layers does not extend over the edge of the barrier layer.
This result is obtained not only with the help of V-shaped teeth or scissors, but also with the help of profile tools such as they make a groove with inclined walls,
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for example, V-shaped with a rounded top or curved branches instead of straight branches; the expression "V-shape" therefore also includes these variants of the V-shape. Preferably, the profile of the tool is such that, to the right of the stopper layer, the sectioning surface obtained forms with the plane of the stopper an angle equal to at most 60.
After milling - and especially for manufacturing. cells of small dimensions - it is advisable to proceed with a new formation of the cells to increase the stopping effect The cutting of the stopping layer can indeed damage the cutting edge which locally reduces the effect of The stopping, although with the process according to the invention, this danger is appreciably less than with the other cutting processes. The additional training improves the stopping effect.
The invention is particularly important for selenium cells, because in general these cells have, on the barrier layer, a good conductive electrode made of a low-melting metal, which could easily cause A short-circuit.
In the process according to the invention, it is not necessary to cut by milling, in addition to the system constituted by the good conductive layer, the semiconductor layer and the barrier layer, the support plate. . Thus, in the case of a cell with a barrier layer, the metal support plate of which successively carries a semiconductor layer, a barrier layer and a good conductive layer, it suffices to mill a groove in the applied layers and in the upper part of the support plate. The remaining part of the support plate can be cut by shearing or by bending.
If the purpose of milling is only to divide a large cell into smaller areas, this sectioning is even superfluous.
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For cutting in a straight line, a so-called circular milling cutter is preferably used, in which the teeth are provided on the circumference of a disc. To cut a cell with a round stopper layer, a so-called socket-head milling cutter can be used, the teeth of which are cut around the circumference of the end surface of a cylinder, which rotates around its longitudinal axis. In the same way, parts of a barrier layer cell which locally have insufficient properties can be removed, for example as a result of damage (eg by burning) of the barrier layer.
The description of the appended drawing, given by way of non-limiting example, will make it clear how the invention can be carried out, the features which emerge both from the text and from the drawing, of course, forming part of said invention.
In the figure, 1 is a metal support plate which carries a threshold-conductive layer 2, a barrier layer 3, and a layer 4 of good conductive material; the various thicknesses are not shown to scale. Using a circular milling cutter, V-shaped grooves 5 have been made in the layer system, extending up to the vicinity of the underside of the support plate 1. This makes it possible to cut the part by bending. not milled from the support plate and thus subdivide the initial system into a number of independent cells. The grooves are preferably made using an automatic milling cutter, that is to say a milling cutter whose \. rotation and advancement are combined.