BE470421A - - Google Patents

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BE470421A
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations

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  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



   L'invention concerne la fabrication d'une cellule à. cou- che d'arrêt, en particulier une cellule au sélénium, par un pro- cédé dans   lequel .on   coupe un système de couches constitué par une couche bonne conductrice et une couche semi-conductrice disposées de part et d'autre d'une couche d'arrêt. 



   Le découpage des bords d'une cellule à couche d'arrêt ou le découpage d'un certain nombre de petites cellules dans une gran- de plaque (voir le brevet néerlandais N    56.762),   présente la dif-   ficulté   suivante : ce découpage peut provoquer facilement un court- circuit entre les électrodes placées de part et d'autre de la cou- che d'arrêt;

   c'est ainsi que, dans le cas d'une cellule au sélé- nium, ce court-circuit peut résulter du fait que pendant le décou- page, une certaine quantité de matière bonne conductrice   s'étend     sur   la surface sectionnée.   @   Procédé de fabrication de cellules à couche d'arrêt 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 
On a déjà proposé d'obvier à cet inconvénient en inter- rompant la couche bonne conductrice aux endroits du sectionnement du système de couches, par exemple en utilisant, pour l'applica- tion de cette couche bonne conductrice, un gabarit, de sorte qu'il ne soit pas nécessaire de la couper.

   Ce procéd4 présente plusieurs inconvénients: non seulement 11 complique la fabrication du   syst:-   me de couches, maisles parties marginales des cellules ainsi ré-   alisées   ne comportent pas de couche conductrice, de sorte qu'une partie de la cellule est inactive, ce qui n'est pas économique. 



  En outre, il faut tenir compte des dimensions des cellules à fabri- quer dès l'application de la couche conductrice interrompue, ce qui complique l'organisation de la fabrication en grande série de cellules de dimensions différentes. 



   L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule à couche d'arrêt, qui permet de découper sans le   moindre   inconvénient le système de couches; suivant l'invention, le dé- coupage du système de coucnes, au moins de la partie se trouvant à la hauteur de la couche d'arrêt,   s'effectue à   l'aide d'une fraise ou d'un rabot comportant des dents ou des ciseaux   affec-   tant la forme d'un V. 



   Il s'est avéré que l'application de ce procédé ne pro- voque pas de court-circuit-dans les cellules ainsi. obtenues, ce qu'il y a lieu d'attribuer au fait que la surface de sectionne- ment du bord de la cellule s'obtient, au moins à la hauteur de la couche d'arrêt, par un traitement qui   enlevé   la dernière couche superficielle de la surface de sectionnement dans une direction parallèle au plan de la couche d'arrêt, de sorte que la matière de l'une des couches voisines ne s'étend pas sur le bord de   la   couche d'arrêt.

   Ce résultat s'obtient non seulement à l'aide de dents ou de ciseaux en forme de V, mais aussi à   l'aide   d'outils profil tel qu'ils   pratiquent   une rainure à parois inclinées, 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 par exemple en forme de V à sommet   arrondi   ou à branches incur- vées au lieu de branches droites; l'expression "forme de V" com- prend donc aussi ces variantes de la forme de V. De préférence, le profil de l'outil est tel   quau   droit de la couche d'arrêt, la surface de sectionnement obtenue forme avec le plan de la cou- che d'arrêt un angle au maximum égal à 60 . 



   Après le fraisage - et en particulier pour la   fabrication.   de cellules de petites dimensions   -,   il est bon de procéder à une nouvelle formation des cellules pour augmenter l'effet d'arrête Le découpage de la couche d'arrêt peut en effet endommager le bord de sectionnement ce qui diminue localement l'effet   d'arrêt,   bien qu'avec le procédé conforme à l'invention, ce danger soit notable- ment moindre   qu'avec   les autres procédés de découpage. La forma- tion additionnelle améliore l'effet   d'arrêt.   



   L'invention est particulièrement importante- pour les cellules au sélénium, parce qu'en général, ces cellules compor- tent, sur la couche d'arrêt, une électrode bonne conductrice en un métal à bas point de fusion, qui pourrait-provoquer facilement un   court-circuit.   



   Dans le procédé conforme à l'invention, il n'est pas né- cessaire de découper par fraisage, outre le système constitué par la couche bonne conductrice, la couche semi-conductrice et la cou- che d'arrêt, la plaque de support. C'est ainsi que dans le cas   d'une   cellule à couche   d'arrêt,   dont la plaque de support métal- lique porte successivement une couche semi-conductrice, une cou- che d'arrêt et une couche bonne conductrice, il suffit de fraiser une rainure dans les couches appliquées et dans la partie supé- rieure de la plaque de support. La partie restante de la plaque de support peut, être sectionnée par cisaillement ou par pliage. 



  Si le fraisage n'a pour but que de diviser une grande cellule en surfaces plus petites, ce sectionnement est même superflu. 

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   Pour le découpage en ligne droite, on utilise, de pré- férence, une fraise dite circulaire, dans laquelle les dents sont ménagées sur la circonférence d'un disque. Pour découper une cel- lule à couche d'arrêt ronde, on peut utiliser une fraise dite à tête creuse, dont les dents sont taillées sur la circonférence de la surface terminale d'un cylindre, qui tourne autour de son axe longitudinal. On peut enlever de la même manière les parties d'une cellule à couche d'arrêt quiprésentent   localement   des propriétés insuffisantes, par exemple par suite de l'endommagement (par brû- lure par exemple) de la couche   d'arrêt.   



   La description du dessin annexé, donné à titre d'exemple non limitatif, fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée, les particularités qui ressortent tant du texte que du dessin faisant, bien entendu, partie de ladite invention. 



   Sur la figure,l est une plaque de support métallique qui porte une couche seuil-conductrice 2, une couche d'arrêt 3, et une couche 4 en matière bonne conductrice; les diverses épais- seurs ne sont pas représentées à   l'échelle.   A l'aide d'une fraise circulaire, on a pratiqué dans le système de couches des rainures 5 en forme de V, allant jusqu'à proximité de la face inférieure de la plaque de support 1. Ceci permet de sectionner par pliage la partie non fraisée de la plaque de support et de subdiviser ainsi la système initial en un certain nombre de cellules indé- pendantes. Les rainures sont pratiquées, de préférence, à l'aide d'une fraise automatique, c'est-à-dire une fraise dont   le\.   rota- tion et l'avancement sont conjugués.

Claims (1)

  1. RESUME ----------- 1.- Procédé de faorication d'une cellule à coucne d'ar- rêt, en particulier une cellule au sélénium, dans lequel on dé- coupe une couche semi-conductrice, une couche d'arrêt et une cou- <Desc/Clms Page number 5> che bonne conductrice, caractérise par le fait que le découpage du système de couches, au moins de la partie du système se trou- vant à la hauteur de la couche d'arrêt, s'effectue à l'aide d'une fraise ou d'un rabot à dents ou à ciseau en forme de V, ce procédé pouvant présenter en outre les particularités suivantes, prises séparément ou en combinaison:
    a) les dents ou les ciseaux sont profilés de manière qu'au droit de la couche d'arrêt, la surface de sectionnement obtenue forme un angle au maximum égal à 60o avec le plan de la couche d'arrêt; b) le découpage s'effectue à l'aide d'une fraise automati- que; c) le découpage d'un trou dans une cellule à couche d'arrêt s'effectue à l'aide d'une fraise à tête creuse; d) la coucne semi-conductrice, la couche bonne conductrice et la couche d'arrêt sont appliquées sur une plaque de support et sont toutes découpées, tandis que la plaque de support n'est découpée que partiellement.
    2.- Cellule à couche d'arrêt, en particulier cellule au sélénium, obtenue par le procédé spécifié sous 1.
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