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METHODE DE PRODUCTION DE REDRESSEURS ELECTRIQUES.
La présente invention se rapporte uneaméthode de produc- tion de redresseurs électriques à contact métallique, par exemple que des redresseurs au sélénium.
La fabrication des redresseurs au sélénium; conformément à des procédés bien connus, comporte en principe les étapes suivantes : nettoyage, corrosion et placage de la matière conductrice employée comme plaque de support, chauffage de ladite plaque de support application d'une couche uniform de sélénium en poudre à la plaque de support chauffés, application de températures qui donnent au sélénium la forme cristalline désirable, application, par pulvérisation ou autrement, d'une contre-électrode conductrice à la surface du sélénium et électro-formation de l'élément complet, pour obtenir une caractéristique symétrique, ou rectificatrice.
Chacune desdites étapes nécessite d'ordinaire l'accomplissement d'une ou de plusieurs
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opérations sur les redresseurs individuels ±µ s, processus qui
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est à la fois encombrant et peu économique. Conformément à certaines caractéristiques de l'invention, des étapes du processus de fabrication ci-dessus sont'accomplies sur une longueur continue de matière de plaque de base et l'application du sélénium à ladite plaque de base est obtenue d'une manière nouvelle et perfectionnée, employée de préférence suivant un processus continu,
L'invention a donc notamment pour objet la constitution d'une méthode de fabrication de redresseurs à contact métallique, suivant laquelle on peut employer une longueur continue de matière de plaque de base plusieurs opérations de fabrication;
peuvent être accomplies simultanément en différents points de ladite matière.
Conformément à d'autres caractéristiques de l'invention, la poudre de sélénium est appliquée à la matière de plaque de base par attraction électrostatiques les particules de sélénium chargées positivement étant attirées de force sur la plaque de base chargée négativement et y étant appliquées de façon adhérente, Un tel processus peut être le plus avantageusement employé quand la plaque de base est sous forme d'une longueur continue, en déplacement ininterrompu, bien que la même méthode puisse être utilisée avec des éléments isolés de plaque de base, disposés séparément ou en groupes pour l'application de la poudre de sélénium.
L'invention a également pour objet la constitution d'un procédé et de moyens perfectionnés d'application uniforme de la poudre de s'élénium dur une surface désirée de plaque de base de redresseurs.
Elle a encore pour objet la mise au point d'un procédé perfectionné de fabrication de redresseurs suivant lequel la matière conductrice en poudre est appliquée à des surfaces successives d'une longueur importante de matière de plaque de base.
Le procédé continu de fabrication de redresseurs conforme à certaines caractéristiques de l'invention peut utiliser une bande continue, relativement mince, d'une matière telle que l'aluminium, à partir de laquelle on pourra cisailler les éléments individuels
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de plaque de base, ou bien la bande continue peut être sous forme d'une certaine longueur de fil, auquel cas elle peut avoir une forme - de section à partir de laquelle on peut produire des éléments re- dresseurs en forme de tiges, par une opération de coupe.
Lesdits éléments redresseurs en forme de tiges, susceptibles d'être produits de cette manière, ou conformément à des variantes de méthode égale- ment décrites à la présente demande, sont d'une configuration nou- velle et leur substitution aux autres types de redresseurs peut souvent être à désirer.
Un autre objet de l'invention est la constitution de pro- cédés de fabrication de redresseurs à contact métallique en forme de tiges.
Un objet additionnel est la constitution d'une méthode de fabrication de redresseurs au sélénium en forme de tiges, suivant laquelle certaines des processus de fabrication s'effectuent sur une longueur continue de matière de plaque de base analogue à un fil.
L'invention, avec ses autres objets et caractéristiques non énumérés ci-dessus, sera mieux comprise à la lecture de la des- cription suivante et à l'examen des dessins joints qui représentent schématiquement à titre d'exemples non limitatifs, quelques-modes de réalisation de l'invention.
La figure 1 est illustrative d'un dispositif'simplifié de fabrication de redresseurs, conformément à certaines caractéristiques de l'invention.
La figure 2 représente, avec arrachement partiel, un re- dresseur du type en plaque rectangulaire susceptible d'être fabriqué à l'aide du dispositif de la figure 1. d'un La figure 3 est une coupetredresseur au sélénium en forme de tige, susceptible d'être produit au moyen des procédés de l'in- vention.
Les figutes 4 et 5 sont relatives à une réalisation de redresseurs en spirale, dont la fabrication est facilités par les procédés décrits.
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La figure 6 représente un dispositif de fabrication de redresseurs au sélénium, particulièrement adapté à la production de certaines phases du processus de fabrication redresseurs en forme de tiges utilisant une longueur continue de matière de plaque de base.
La figure 7 représente en coupe un redresseur au sélénium en forme de tige, susceptible d'être produit par le procédé de la figure 4.
Une bobine 1 de matière de plaque de base continue, telle que représentée sur la figure 1, peut être constituée soit par une bande plate, soit par un fil de matière -conductrice nettoyé, décapé et plaqué, dans les bains de solution chimique respectivement indi- qués en 2 3 4. Un dispositif de chauffage 5 élève la température de la plaque de base continue à environ 150 , en vue de l'applica- tion à ladite plaque de poudre de sélénium. Comme bien connu dans la technique, le chauffage de la matière de plaque de base avant le dépôt de particules solides de sélénium sur celle-ci a pour résultat de ramollir et de fondre lesdites particules, ce qui assure une bonne adhérence du sélénium à la plaque du base.
Le dépôt de sélénium en poudre sur la plaque de base chauffée staccomplit dans un compartiment, pratiquement clos 6, dans lequel le sélénium en poudre est introduit, de manière à produire un nuage de particules de sélénium finement divisé, comme indiqué en 7. Ces particules sont chargées positivement par une haute ten- sion, par exemple de LOOKv, appliquée à la plaque 8, à partir de la source de courant continu 9. Le matière de plaque de base est chargée négativement par connexion avec la source 9, au moyen dtun contact tel que celui fourni par les rouleaux 10. Un desdits rou- leaux est représenté entraîné par un moteur 11; ce qui permet de communiquer le mouvement à la plaque de base continue.
A mesure que le fil, ou la bande négatifs traversent le compartiment 6, les particules de sélénium positives sont attirées de force à leur sur- face et y achèrent fermement. Lorsque seulement certaines parties de la matière de plaque de base doivent être revêtues, il est né- cessaire de protéger les parties restantes, pour éviter que le sé-
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lénium y adhére. Un cache 12, représenté schématiquement sur la figure 1, indique comment la surface inférieure d'une bande de matière de plaque de base peut être protégée pendant le processus d' application du sélénium.
Un second dispositif de chauffage 13, élevant la température de la plaque de base recouverte de sélénium à environ 217 , amène ledit sélénium à l'état cristallin désiré. On applique alors à certaines parties du revêtement de sélénium un alliage, le dispositif de pulvérisation dudit alliage étant indiqué en 14 et un cache convenable en 15. La séparation des plaques de base revêtues de façon continue en éléments redresseurs individuels s'accomplit par une opération de coupe telle que celle indiquée par le dispositif de cisaillement 16,fonctionnent en liaison avec l'organe de support 17.
La cisaillement s'effectue de préférence sur des parties non revêtues d'alliage. Le redresseur complet 18 se trouve ainsi revêtu d'un côté de sélénium avec un revêtement d'alliage adhérant aux parties du revêtement de sélénium qui n'ont pas été masquées pendant l'opération de pulvérisation. Dans la fabrication de redresseurs en forme de tiges, utilisant, non une plaque, mais une tige de base, il est à désirer que les revêtements de sélénium et d'alliage entourent complètement le matière de plaque de base, par suite, le cache 12 n'est pas employé dans ce cas.
Un mode de réalisation de. redresseur 18 de la figure 1 est représenté par la figure 2. Il comporte une plaque de base rectangulaire 19, revêtue sur l'une de ses faces de,sélénium 20, lui-même couvert d'un revêtement de contre-électrode 21. La partie arrachée 22 montre le dispositif relative de la plaque de base et des revêtements. Bien entendu, la plaque de base ¯peut comporter un ou plusieurs trous, pour faciliter son empilage, bien que lesdits trous n'aient pas été représentés.
Un redresseur en forme de tige, qui peut également être produit de la manière représentée par la figure 1; à partir d'une tige de base se présentant comme un fil est représenté sur la fi-
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gure 3. La matière de plaque de base 23 est revêtu d'une couche de sélénium 24 et,un revêtement d'alliage 25 recouvre la plupart de la couche de sélénium, sans contact conducteur avec la plaque de base
23. La partie non revêtue 26 de la plaque de base est obtenue par retrait d'une partie de la couche de sélénium susistant après que les éléments redresseurs individuels ont été cisaillés à partie de la longueur continue de tige.
Ledit retrait peut s'accomplir au moyen de procédés soit chimiques, soit mécaniques, le but envisagé étant l'obtention d'une surface sur laquelle en contact puisse être conducteur établi entre la plaque de base 23 et untextérieur.
Le procédé de la figure 1 oonvient particulièrement à la fabrication de plaques de base pour redresseurs en forme de spirale,
La figure 4 représente un tel redresseur, dans lequel la plaque de base 27 est en forme de fil et d'une matière recouverte d'une couche de sélénium 28, avec un revêtement d'alliage 29 recouvrant pratique- ment le sélénium. Sur la figure 5, on a représenté un autre redres- seur en spirale dans lequel la plaque de base 30 est de largeur ap- préciable et recouverte à son tour d'une couche de sélénium 31 et dtun alliage de contre-électrode 32. Les bandes de plaque de base à double revêtement sont coupées en longueurs appropriées par le dispositif de cisaillement 16 de la figure 1 et, enduite, enroulées en spirales.
Une forme particulière de redresseurs en tige (voir figure
7) porte, à l'une de ses extrémités, les deux revêtements d'alliage et de sélénium. Dans la fabrication de tels redresseurs, on ne peut employer le procédé continu de la figure 1. La figure 6 repré- sente une disposition de fabrication de ces redresseurs, utilisant une plaque de base continue, jusqu'à ce que le revêtement de sélénium soit sur le point d'être appliqué. Les premières étapes : nettoyage, décapage, placage et chauffage, s'accomplissent comme sur la figure
1. Ensuite, le dispositif de cisaillement 16, fonctionnent en liai- son avec l'organe de support 17, sépare la plaque de base en éléments individuels 27.
Le sélénium est appliqué, sous forme pulvérisée 7;
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par la force d'un champ électrostatique établi entre la plaque positive 8 et les éléments de plaque de base chargés négativement 27.
Ces éléments sont montés dans un organe de support et de masquage 28, comportant également une partie conductrice 29, assurent le contact électrique avec chacun des éléments de plaque de base.
Un second dispositif de chauffage 30 donne au revêtement de sélénium la forme cristalline désirés, après quoi le revêtement d'alliage est appliqué au moyen du dispositif pulvérisateur 14, comme sur la figure 1. Une disposition de masquage d'une extrémité de chacmn des éléments 27 et d'une partie du revêtement de sélénium qui les recouvre a été représentée, comportant un organe de support 31, disposé de manière à recevoir lesdits éléments en -- couvrant les parties nécessaires de l'extrémité et du revêtement de sélénium.
Le dispositif pulvérisateur 14 est déplaçable, de manière à permettre l'application de l'alliage à un certain nombre d'éléments disposés de la manière indiquée et à produire un revêtement uniforme.
La figure 7 représente en coupe un redresseur complet en forme de tige, produit conformément ou procédé de la figure 6. La matière de plaque de base 27 reste découverte à l'une de ses extrémités 32 et la couche de sélénium 33, qui s'étend sur le reste de la plaque de base, est pratiquement recouverte par le revêtement d'alliage 34.
De nombreuses variantes de procédé fondamental ci-dessus peuvent être employées sans sortir des limites de l'invention. Il est évident, par exemple, que la plaque de base continue peut être traitée de manières autres ou additionnelles, que les étapes du processus peuvent être distribuées de façons différentes, que l'appareillage de dépôt électrostatique de la poudre de sélénium peut prendre divèrses formes, qu'un trempage dans l'alliage fondu peut, dans certaines applications, être préférable à la pulvérisation,, qu'un appareillage convenable de coupe ou de cisaillement peut être utilisé, ainsi qu'un certain nombre de dispositions de masquage.
En outre, diverses formes de redresseurs peuvent être obtenues à partir
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d'un métal de base revêtu conformément aux étapes de l'invention les redresseurs représentés par les figures 2, 3, 4, 5, 7 n'ayant été données qu'à titre d'exemples. par suite, bien que les modes de réalisation décrits soient considérés comme' préférables, ladite description n'a été faite qu'à titre d'exemple et ne saurait limiter le domaine de l'invention.