BE588537A - Procédé pour l'obtention d'un monocristal à partir d'un barreau semi-conducteur polycristallin par fusion zonale sans creuset - Google Patents

Procédé pour l'obtention d'un monocristal à partir d'un barreau semi-conducteur polycristallin par fusion zonale sans creuset

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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating

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BE588537A 1959-03-13 1960-03-11 Procédé pour l'obtention d'un monocristal à partir d'un barreau semi-conducteur polycristallin par fusion zonale sans creuset BE588537A (fr)

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