BE588537A - Procédé pour l'obtention d'un monocristal à partir d'un barreau semi-conducteur polycristallin par fusion zonale sans creuset - Google Patents

Procédé pour l'obtention d'un monocristal à partir d'un barreau semi-conducteur polycristallin par fusion zonale sans creuset

Info

Publication number
BE588537A
BE588537A BE588537A BE588537A BE588537A BE 588537 A BE588537 A BE 588537A BE 588537 A BE588537 A BE 588537A BE 588537 A BE588537 A BE 588537A BE 588537 A BE588537 A BE 588537A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
crucible
obtaining
single crystal
polycrystalline semiconductor
semiconductor bar
Prior art date
Application number
BE588537A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of BE588537A publication Critical patent/BE588537A/fr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
BE588537A 1959-03-13 1960-03-11 Procédé pour l'obtention d'un monocristal à partir d'un barreau semi-conducteur polycristallin par fusion zonale sans creuset BE588537A (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES62123A DE1079593B (de) 1959-03-13 1959-03-13 Verfahren zur Zuechtung eines Einkristalls aus einem polykristallinen Halbleiterstabdurch tiegelfreies Zonenschmelzen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE588537A true BE588537A (fr) 1960-07-01

Family

ID=7495362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE588537A BE588537A (fr) 1959-03-13 1960-03-11 Procédé pour l'obtention d'un monocristal à partir d'un barreau semi-conducteur polycristallin par fusion zonale sans creuset

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE588537A (fr)
CH (1) CH376088A (fr)
DE (1) DE1079593B (fr)
GB (1) GB889160A (fr)

Also Published As

Publication number Publication date
GB889160A (en) 1962-02-07
DE1079593B (de) 1960-04-14
CH376088A (de) 1964-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH379126A (fr) Procédé de filtration d'un alliage d'aluminium en fusion
FR1194484A (fr) Procédé d'obtention de silicium pur par cristallisation fractionnée
FR1237642A (fr) Procédé d'obtention de bâtonnets mono-cristallins de semi-conducteur, par tirage à partir d'un bain de fusion
FR1231481A (fr) Dispositif pour la fusion par zones, sans creuset
FR1289520A (fr) Procédé pour la fabrication d'indium de haute pureté
FR1193104A (fr) Procédé pour l'obtention d'alliages de polyéthylène
FR1233543A (fr) Procédé pour préparer des polymérisats de l'acroléine
BE588537A (fr) Procédé pour l'obtention d'un monocristal à partir d'un barreau semi-conducteur polycristallin par fusion zonale sans creuset
BE591713A (fr) Procédé pour l'étirage par zone sans creuset
FR1229205A (fr) Procédé pour la production de polyamides substitués sur l'azote
FR1245617A (fr) Procédé pour la préparation d'azacyclo-2,3-alcène-2-chloro-n-carbochlorures à partir de omega-lactames
FR2301297A1 (fr) Procede d'obtention de monocristaux de beryl a partir d'un sel fondu
FR1267425A (fr) Procédé pour fabriquer des cristaux semi-conducteurs en forme de tiges minces, par tirage à partir d'une masse fondue
BE610603A (fr) Procédé de fabrication d'un monocristal de silicium, exempt de dislocations, par la méthode de la fusion par zone sans creuset
FR1375672A (fr) Procédé de préparation de monocristaux à partir d'une substance en fusion cristallisant en réseau cubique du type du diamant
BE580762A (fr) Procédé pour la production d'azathiacyclohexane dioxyde-4-4.
FR1289498A (fr) Procédé pour la fabrication d'antimoine de haute pureté
FR1258574A (fr) Procédé pour purifier une barre de semi-conducteur par fusion de zone sans creuset
FR1530665A (fr) Procédé d'obtention d'oxygène à haute pureté
JPS5276278A (en) Apparatus for preparing long and narrow crystal
FR1266266A (fr) Procédé pour l'élaboration de lingots donnant un rendement élevé
BE576249A (fr) Procédé pour la préparation de la pentaméthyl-1,2,2,6,6, pipéridine
FR1362968A (fr) Procédé simplifié pour préparer le 4, 4' dihydroxydiphényl-2, 2-propane de haute pureté
BE609336A (fr) Procédé pour la fusion par zones sans creuset d'une barre semi-conductrice, en particulier en silicium
BE576250A (fr) Nouveau procédé pour la préparation de la pentaméthyl-1,2,2,6,6 pipéridine