CH376088A - Verfahren zur Züchtung eines Einkristalles aus einem polykristallinen Halbleiterstab durch tiegelfreies Zonenschmelzen - Google Patents
Verfahren zur Züchtung eines Einkristalles aus einem polykristallinen Halbleiterstab durch tiegelfreies ZonenschmelzenInfo
- Publication number
- CH376088A CH376088A CH55360A CH55360A CH376088A CH 376088 A CH376088 A CH 376088A CH 55360 A CH55360 A CH 55360A CH 55360 A CH55360 A CH 55360A CH 376088 A CH376088 A CH 376088A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- crucible
- growing
- single crystal
- polycrystalline semiconductor
- free zone
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES62123A DE1079593B (de) | 1959-03-13 | 1959-03-13 | Verfahren zur Zuechtung eines Einkristalls aus einem polykristallinen Halbleiterstabdurch tiegelfreies Zonenschmelzen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH376088A true CH376088A (de) | 1964-03-31 |
Family
ID=7495362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH55360A CH376088A (de) | 1959-03-13 | 1960-01-19 | Verfahren zur Züchtung eines Einkristalles aus einem polykristallinen Halbleiterstab durch tiegelfreies Zonenschmelzen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE588537A (fr) |
| CH (1) | CH376088A (fr) |
| DE (1) | DE1079593B (fr) |
| GB (1) | GB889160A (fr) |
-
1959
- 1959-03-13 DE DES62123A patent/DE1079593B/de active Pending
-
1960
- 1960-01-19 CH CH55360A patent/CH376088A/de unknown
- 1960-03-11 GB GB873860D patent/GB889160A/en not_active Expired
- 1960-03-11 BE BE588537A patent/BE588537A/fr unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB889160A (en) | 1962-02-07 |
| BE588537A (fr) | 1960-07-01 |
| DE1079593B (de) | 1960-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CH355220A (de) | Verfahren zur Herstellung eines kristallisierten Halbleiterstoffes | |
| CH475014A (de) | Verfahren zum Ziehen von Kristallen aus der Schmelze | |
| CH417543A (de) | Verfahren zur Herstellung von Stäben aus Halbleitersubstanz | |
| CH425738A (de) | Verfahren zur Gewinnung von kristallinem Halbleitermaterial | |
| CH416576A (de) | Verfahren zum Herstellen von Körpern aus hochgereinigtem Halbleitermaterial | |
| CH365545A (de) | Verfahren zum Herstellen von Kristallen aus hochreinem Halbleitermaterial aus einer in einem Tiegel befindlichen Schmelze | |
| CH478594A (de) | Verfahren zum Herstellen hochreiner Siliciumstäbe | |
| CH368142A (de) | Verfahren zur Abtrennung von Flüssigkeiten aus einer Mischung | |
| CH406157A (de) | Verfahren zur Herstellung eines Stabes aus niederohmigem Halbleitermaterial | |
| CH386116A (de) | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben aus Silizium | |
| CH389249A (de) | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleitermaterial | |
| CH442245A (de) | Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes, insbesondere Halbleiterstabes | |
| CH376088A (de) | Verfahren zur Züchtung eines Einkristalles aus einem polykristallinen Halbleiterstab durch tiegelfreies Zonenschmelzen | |
| CH454097A (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Stabes durch Züchten aus einer Schmelze | |
| CH390554A (de) | Verfahren zum Ziehen von dünnen, stabförmigen Halbleiterkristallen aus einer Halbleiterschmelze | |
| CH386702A (de) | Verfahren zum Ziehen von kristallinen Halbleiterstäben aus der Schmelze | |
| CH373059A (de) | Verfahren zur Herstellung neuer Epoxydverbindungen | |
| CH425736A (de) | Verfahren zum Herstellen einkristalliner Halbleiterstäbe | |
| CH432473A (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen durch einkristallines Abscheiden von Halbleitermaterial | |
| CH393379A (de) | Verfahren zur Verbesserung des Pflanzenwachstums | |
| CH385498A (de) | Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Halbleitermaterialstabes | |
| CH406160A (de) | Verfahren zum Ziehen von Halbleiterkristallen aus Schmelzen | |
| CH372385A (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung aus Silizium | |
| CH382296A (de) | Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial | |
| CH412816A (de) | Verfahren zum kontinuierlichen Herstellen dendritischer Halbleiterkristalle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |