BE620444A - - Google Patents

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BE620444A
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/80Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using non-linear magnetic devices; using non-linear dielectric devices
    • H03K17/81Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
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    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/06Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element
    • G11C11/06007Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit
    • G11C11/06014Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit
    • G11C11/06021Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using single-aperture storage elements, e.g. ring core; using multi-aperture plates in which each individual aperture forms a storage element using a single aperture or single magnetic closed circuit using one such element per bit with destructive read-out
    • G11C11/06028Matrixes
    • G11C11/06035Bit core selection for writing or reading, by at least two coincident partial currents, e.g. "bit"- organised, 2L/2D, or 3D

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  "Montage de circuit pour 1'exploration de signaux   digitaux*.        



   L'on a besoin,pour l'introduction de signaux digitaux dans un système de traitement de données, de montages qui, parmi les signaux d'entrée digitaux se trouvant sur une série de lignes d'entrée, sélectionnent suivant une instruction un ou plusieurs signaux et les appliquent à l'entrée du système de traitement de données. L'exploration de tels signaux d'entrée se fait en général à l'aide de réseaux à coïncidence qui, pour un grand nombre de lignes d'entrée et pour tenir compte   d'une   dépense aussi faible que possible pour l'exploration,   sont,uti-   lement agencés sous la forme d'une matrice. De tels réseaux à 

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 EMI2.1 
 coïncidence peuvent être constitués par des réa1stnce. et des redresseurs ou encore par des noyaux magnétiques a encl@ de hystérésis rectangulaire. 



  La construction des réseaux à coïncidâmes à Partir de noyaux magnétiques offre, en plus d'une dépense avdulfea et d'une grande sûreté, l'avantage qu'il existe une .êpation galvanique entre les sources des signaux d'entrée digitaux et le système traitant les données. En outre, grâce au choix du nombre de spires des enroulements auxquels les signaux   d'entrée   sont appliqués, l'on peut obtenir une adaptation pratique au      courant d'entrée disponible.

   Chaque noyau magnétique d'une telle matrice comporte un enroulement de   prémagnétisation   et il ne peut subir une inversion d'aimantation que quand des courants de ligne, de colonne et d'entrée apparaissent simultanément, La variation 
 EMI2.2 
 d'induction se produisant lors de l'inversion d'aîzantatîon à*un noyau magnétique provoque une impulsion de tension qui, à   l'aide     d'un   fil de lecture auxiliaire couplé à tous les noyaux magné  
 EMI2.3 
 tiques, peut être prélevée.

   Afin qu'un noyau magnétique :;pÍJ,@:iï.'é puisse revenir à sa situation primitive après l,9.nvr;., n #S1 4  maittation et la coupure ducourant de ligne et de a3:. !9in<=  densité du champ de prémagnétisation doit être suffisamment grande par rapport à l'intensité du champ d'entrés, L± .im1te Inférieure pour l'intensité du champ d'entrée est d;#\r,:dpla ssetsel3emerwt par la force coercitive de la matière ferrgma. acae t1i @t par le temps de sommatia ériçt, Pins les ageneent8 de mairie rR" y,. 



  ¯F C :a; maSi8'i,qs à. boucle d'hystérésis rectangulaire, le*  ou  Tants de ligne et de colonne pour la sélection d'un noyau magné- tique déterminé sont commandés complètement indépendamment du courant nécessaire pour produire la prémagnètisation. Etant don- né que la tension apparaissant lors de l'exploration d'un noyau magnétique est très fortement fonction, en ce qui concerne son 

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 déroulement dans le temps et sa valeur maximum, de l'intensité du champ disponible pour l'inversion d'aimantation: 
 EMI3.1 
 
 EMI3.2 
 (Hy m intensité du champ de prémagnétisation; Hg lm Intensité du champ de colonne;

   Hz - intensité du champ de Hg)M, ME a intensité du champ d'encrée) ii est désirable, pour \4 1 
 EMI3.3 
 es d!.({'w1 en AmpQrtace b8Y He3tia! 1...;. 9YdlLN iG ¯¯ 1'M ,-.:-- .> p(J±g3iles 1101" et "0 au des t...f;tio..s qui 1 ,'L """... ,.¯--': ..:: - fil de lecture de l'agencement de :àatr1eeii e -- t; :. J.- & .j: valeur aussi faible que possible les tolé4u :, 21: HVI "SP' H- et i Lorsque l'on maintient la xeS.a6* 
 EMI3.4 
 
 EMI3.5 
 lc.8 tolérances de Hut Hep et HZ n'Interviennent 4'bJolUfnent .lui dans l'intensité H du champ d'inversion d'a1mattatln )fssM&MMt. 



  Au contraire des agencements connus, dans lftsqueL* cette condition ne peut être remplie que très diffieitejcnt h      cause de la commande totalement indépendante du courant de pré- 
 EMI3.6 
 magnétisation et des courants de ligne et de colonne, lltnven- tion résoud ce problème grâce au fait qu'une des.extrémités de tous les enroulements de ligne et de colonne sont reliées entre 
 EMI3.7 
 elles et raccordés de telle sorte à l'enroulement de préraagncti- sation que lors de l'excitation de noyaux magnétiques, les en- roulements de ligne et de colonne sélectionnes sont connectes 
 EMI3.8 
 en parallèle et en série avec l'enroulement de prémagnêtisation. 



  Grâce à cette disposition de circuit, il en restée , 'avec des nombres de spires identiques pour l'cnroulemenc de sr-: nti.   sation   et les enroulements de ligne et de colonne, que la somme des courants circulant dans les enroulements de ligne et de co-   tonne   est égale aux   courants   circulant dans l'enroulement de 
 EMI3.9 
 prémagnét1satidn et également que la somme des intensités de. cliamp produites par tels courants de ligne et de colonne est éç;a- le à l'intensité du champ de préma;

  nttls11tion" 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 
D'autres détails et particularités de l'invention ressortiront de la description ci-après, donnée à titre d'exem- ple non limitatif et en se référant aux dessins annexés, dans lesquels les Figures 1 et 2 sont des schémas illustrant la constitution et le mode de fonctionnement de l'agencement de circuit suivant l'invention. 



   L'agencement représenté à la Figure 1 est consti- 
 EMI4.1 
 tué suivant l'invention, essentiellement, par des IDJQ Ea.... tiques K1 à K16, qui peuvent être excités par   l'intermédiaire   de commutateurs S2 à S9. Ces noyaux magnétiques sont couplés!) 
 EMI4.2 
 en plus des enroulements de ligne Zl à 24 et des enOQ1 fi,t de colonne Spl à Sp4, à un enroulement de premagneeiM-' if commun à tous les noyaux magnétiques. 



  L'une des extrémités de tous les enreuients de ligne et de colonne sont reliées entre elles et conntées ut telle sorte â l'enroulement de premagnetisation V que lors , l'excitation d'un noyau magnétique, les enroulements de lighre 
 EMI4.3 
 et de colonne sélectionnés sont connectés en parallèle et '.#. série avec l'enroulement de prdmagnétisation, Aussi longtemps qu'aucun des commutateurs S2 à S9 n'est fermé, il circule un courant depuis la source de tension U par l'intermédiaire de 
 EMI4.4 
 l'enroulement de prémagnétisation V de tous les noyaux magnez ques et du commutateur SI, qui est fermé dans ces conditions. 
 EMI4.5 
 Comme il ressort de la Figure 2, représentant une boucle d'hys.

   térésis de la matière de noyau magnétique utilisée, les noyaux magnétiques se trouvent dans ces conditions de commutation au point 4 ou au point 3 de la boucle d'hystérésis, suivant qu'il existe dans les noyaux individuels une intensité de champ d'en- 
 EMI4.6 
 crée ou non. Si par exemple le noyau magnétique K4. c'est-.àis le signal se trouvant à son enroulement d'entrée E doit être exploré, les commutateurs S5 et S6 sont alors   fermés   et   SI    
 EMI4.7 
 tanemcnt le commutateur SI est ouvert.

   Dans ces conditions Itk 

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      circule un courant depuis la source de courant U par   l'inter-   médiaire de l'enroulement de   prémagnétisation   commun V et de- puis celui-ci, par moitié, par   l'intermédiaire   de la connex- ion de ligne Z1 et de la connexion de colonne Sp4.

   La some des courants circulant dans la connexion de ligne Z1 et la connexion de colonne Sp4 est alors égale Au courant qui circu- le dans l'enroulement de   prémagnétisation     V,   Si l'on part de la condition que les nombres de spires de l'enroulement de préma-   gnétisation   V. de l'enroulement de ligne Z1 et de l'enroulement de colonne Sp4   sor4t   égaux, la somme des excitations provoquées par les deux courants partiels circulant dans les connections Z1 et Sp4 est également égale et opposée à l'excitation qui eit provoquée dans le noyau magnétique K4 par le courant cir- e lant dans l'enroulement de prémagnétisation V.

   Dans ces condi- t ons, le noyau magnétique K4 se trouve exactement au point mére de la boucle d'hystérésis, lorsqu'aucun signal d'entrée n' e t appliqué à l'enroulement E du noyau K4. Un signal appliqué à l'enroulement E excite au contraire le moyau magnétique K4      d telle sorte qu'il se trouve au point 2 de la boucle d'hysté-      niais, Après ouverture des deux commutateurs S5 et S6 ainsi qu'      après fermeture du commutateur SI, le noyau magnétique K4 re- vent. en passant par le point 1,au point 3 ou 4 de 'la boucle d'hystérésis.

   La tension apparaissant lors de l'inversion a'di-   mantation   du noyau magnétique depuis le point   0   jusqu'au peint 2 peut être   prélèvera     l'aide   de l'enroulement de lecture L com- mun à tous les noyaux magnétiques de   l'agencement.   



   Dans le but   d'une   meilleure compréhension, l'on a   r présenté   l'existence d'un enroulement d'entrée E que pour le n yau magnétique K4. Bien évidemment, tous les autres noyaux m gnétiques de l'agencement portent également un tel enroule- ment d'entrée E, 
Si, lors de la commande d'une adresse déterminée, 

 <Desc/Clms Page number 6> 

 
 EMI6.1 
 l'on ne doit pas explorer uniquement un noyau #aét1qu.

   isolée mais au contraire une série de noyaux   magnétiques   sa   parallèle      c'est-à-dire   simultanément, l'on doit prévoir un    sabre   corres- 
 EMI6.2 
 pondant de matrices de noy*4mA&ndttque d'une a Mlle que tous les enroulements de ligne et de colonne correspondants soient connectés en série et soient ainsi   parcouru$   au   mente   
 EMI6.3 
 moment par un seul et même courant, pour produire les in;:;,:l." 1 tés de champ de ligne et de colonne, Chaque matrice   comporte   alors cependant un enroulement de lecture propre. L'enroulement destiné à produire la   prémagnétisation   passe au contraire pas les divers noyaux magnétiques de toutes les matrices.

   De   cete   façon l'on obtient qu'une seule source de courant doit   être   pré- vue pour l'alimentation en courant de tous les agencements de matrice. 



    REVENDICATIONS   
1. Montage pour l'exploration de signaux digitaux fournis statiquement, en utilisant des réseaux à   coïncidence   
 EMI6.4 
 disposés à le façon d'une matrice et constitués par dns 1x ## magnétiques prémagnétisés à l'aide d'un enrouletrent r.osru par un courante agencement dans lequel, pour eXc1t â comas- der un noyau magnétique déterminé (réseau à colnei<$enc@8 les nroulemt$ de ligne et de colonne 'associés de la m&t7tc4a sont Qt@1t@s par actionnement des commutateurs se trom"n s'a ér1e avce les enroulements d'une façon telle que la somme des exci- ëSËioM p?c3qeM par C$ nroulement9 dF. J0 51 rafigaoÇÀu# Q){1.té scie \jt".mplitud égale mais d S'fm't apposé h G provoquée par 1enroule.ent de prémagnétisatton, caractérisé en 

**ATTENTION** fin du champ DESC peut contenir debut de CLMS **.

Claims (1)

  1. ce que l'une des extrémités de tous les enroulements de ligne et de colonne sont reliées entre elles et connectées de telle sorte à l'enroulement de prémagnétisation que lors de l'excitation d' un noyau magnétique, les enroulements de ligne et de colonne sélectionnés sont connectés en parallèle et en série avec l'en- <Desc/Clms Page number 7> roulement: de prémagnétisation.
    2. Montage pour l'exploration de signaux digitaux fournis statiquement, constitués par n unités d'information (bits), en utilisant des matrices de noyau magnétique suivant la revendication 1, caractérisé en ce que n matrices de noyauf magnétique,sont agencées de telle sorte que tous le: en les EMI7.1 rasées .de ligna et de eolo4me lppaêtt,- lat à u:t.s c3¯!: .
    &âi'&â3& atasi qutgn enroulement de araé¯. Yy: .- ¯ïs¯- Ces en sorte, 3. Montage pour 1&ex:plor.tis de ::9= #iiçita.* fournis statiquement, tel que décrit ci-avant ou tQtots.#1* jx. dessins annexes,
BE620444D 1961-07-19 BE620444A (fr)

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