BE642938A - - Google Patents

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BE642938A
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • General Induction Heating (AREA)

Description


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  Dispositif permettant de précipiter un corps semi-conductour provenant d'un courant   gazeux   constitué par un mélange renfermant un composa du semi-conductour, 
On connaît déjà un procéda et un dispositif de   préci-   pitation d'un oorpu semi-oonduoteur, qui consiste à déposer le corps   semi-oonduoteur   provenant d'un courant gazeux, cons-   titué   par un mélange renfermant un composé du semi-conducteur, de préférence un   halogénure   du corps semi-condueteur, et un réactif sous forme   gazeuse,   qui produit uns réaction, de pré-   férenoe   une réduction, sur un élément chauffa du mime corps   aemi-oonduoteur.     On   peut par   exemple,

     suivant le brevet belge n    570   421 fixer, par une de leurs extrémités, deux ou plusieurs supports en forme de barreau dans une cuve à réaction, de   telle   manière que les extrémités libres de ces barreaux en   silicium   soient   réunies   antre elles par un cir- cuit conducteur, et que les extrémités maintenues de chaque barreau, soient raccordées à un pôle d'une source de courant 

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 41lotriquI. Les barrtaux-aupporta sont ohautt4. par la pas- mage direct du courant et on fait passer dans la ouv4 à réaction un courant gazeux$ qui ont par exemple constitué par un mélange d'hydro8bno et de titrachorure de ailioium ou de alliooohloroforma.

   La composé h base de silicium est réduit aur le barreau chauffé et précipite sur ce dernier sous forme de ailloium. 



  L'invention part dé ce procédé déjà connu, et me rapports à un prt8otionnGment du dispositif. Elle concerne donc 
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 un dispositif pour la précipitation d'un corps semi-conducteur provenant d'un courant gazeux constitué par un mélange ren- 
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 fermant un composé du aemi-oonduoteur, de préférence un halo-   génure,   et un   réactif   sous forme gazeuse, de préférence de l'hydrogène,qui par réaction, en particulier par réduction, 
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 précipite le eemi-oonduoteur sur un support en forme de bar- reau auto-porteur, qui est chauffé par un courant électrique* Suivant l'invention, on prévoit autour du barreau une bobine de chauffage par induction, qui possède des spires,

   dont des segments sont déformés dans le sens de la longueur et dis- posés parallèlement ou à   peu-  près parallèlement l'un à 
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 l'autre, le barreau étant disposé a. l'intérieur de la bobine de chauffage par   induction,   de telle   manière,   que l'axe du barreau est parallèle ou à peu près parallèle à   cou   segments de spires. Un important avantage du dispositif suivant l'invention, eut que le barreau semi-conducteur est chauffé par induction, ce qui permet de supprimer les   raccordements,   qui autrement sont   nécessaires,   pour amener le courant.

   Il est ainsi possible de construire une cuve à réaction, qui est intérieurement parfaitement exempte de métal*
On va expliquer en détail un exemple de réalisation, qui montrera d'autres détails et   avantages   de l'invention. 



   Les figures 1 à 3, représentent   différentes coup**     d'un   dispositif suivant l'invention. 



   Un élément support 2 est monté isolément à l'intérieur d'une cuve 2, qui peut par exemple avoir la forme d'une 

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 clocha et est de préférence en quartz. L'él6m'D1-.uppor est de préférence dispos' verticalement et son extrémité in  férieure est enfoncée dans une piece-eupport 4 qui peut également 4tre en quartz. Bien entendu, l1 élément-support 2 peut également être disposé horizontalement ou dans une autre position* Dans oe cas, il est avantageux, de maintenir le barreau aux deux extrémités, de préférence au moyen de piè- ces d'appui en quartz. 
 EMI3.2 
 



  La bobine d'induction 5, qui est conttîtude de préfé- rence au moyen d'une bande de tôle, possède une forme allon- 
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 gée composa de deux se8monts de .pire. diepoeeo parallèlement l'un à l'autre. De préférenco, cette bobine ne comporte qu'une seule. spire* La forme de la bobine 5 est   choisie   de telle manière,qu'elle épouse la forme extérieure de la cuve de 
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 réaction 3 en forme de clocha. A sa partie inférieure, la bobine d'induction 5 est fermée par une   pièce     6   en forme 
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 d'anneau. De cette manière, lori lignée du ohamp à l'intérieur de la bobine, sont aussi peu déformées que   possible*   On peut facilement introduire la cloche en quarts 3 dans la pièce 6 en forme d'anneau.

   La bobine d'induction 5 sera avantageuse. ment refroidie, au moyen d'un tube soudé 7, auquel on amène un fluide réfrigérant, de préférence de l'eau, les   fléchas   8 indiquent l'arrivée et la sortie du fluide réfrigérant. A la partie inférieure, la ouve à réaction 3 est fermée par une 
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 pièce de base 9, l'ensemble étant rendu étancho à 3L'iirt au moyen d'un rodage 10. De préférence, le support 4 pour le barreau-support 2   est   fixé sur la pièce de base 9, le barreau eut de cet ce manière parfaitement   isolé,   la cuve à réaction 
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 étant ensuite fermée en plaçant la cloche 3. X la partie tinté- rieure 9 se trouve une tuyère 11, qui permet d'introduire le mélange gazeux n&o8ssaire pour la réaction. les gaz à éliminer peuvent sortir par un conduit d'évacuation 12.

   La pièce de base est de préférence entièrement en quarts* On raccorde les   canalisations   nécessaires pour l'amenée du mélange gazeux et 

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 pour l'évacuation des gaz résiduels, à des rodages   corres-     pondants   de la tuyère 11 ou du tube d'évacuation 12. 



   Le   barreau-support   2 possède au début une section assez faible. Il s'épaissit par la suite dans la zone où se trouve la bobine d'induction 5, au fur et à mesure que le corps   semi-conducteur   se dépose.   Il   est donc nécessaire de régler le courant qui passe dans la bobine de chauffage   5'   
Comme l'ont montré les recherches effectuées, le dis- positif suivant l'invention présente en particulier l'avan- tage de demander pour le chauffage du barreau-support 2, une puissance beaucoup plus faible que les autres méthodes de chauffage par induction. Pour des raisons bien connues, la distance entre les parois de la   cuve/réaction   et le barreau- support doit dépasser une valeur minimum déterminée. 



  Si l'on dispose par exemple une bobine cylindrique autour de toute la hauteur de la cuve cylindrique   à   réaction, il faudra une intensité relativement plus importante de courant, ce qui ne permet de chauffer qu'un barreau 2 relativement plus mince. On voit, qu'aveo la disposition suivant l'inven- tion, dans laquelle le barreau-support est pour ainsi dire placé transversalement par rapport au champ de la bobine   d'induction,   on   obtient   un couplage beaucoup plus serré, ce qui permet avec une faible puissance, de chauffer déjà des barreaux minces.

   Au moyen d'un générateur dont la haute fréquence est d'environ 4 MHs et d'une puissance d'environ 5 KW, on peut au moyen du dispositif représenté, porter à la température   nécessaire   pour la précipitation, des barreaux d'un diamètre de 6 à   7   mm., sur une longueur d'environ 20 cm. 



  Le diamètre de la oloohe en   quarts   utilisés est d'environ 8 cm., la distance entre les deux   segments    parallèles l'un à   l'autre,   de la bobine 5 est   d'environ   10 on* 
Le barreau-support 2   est   beaucoup plue fortement couple à, la bobine   d'induction   5, dans les parties de sa surface qui se trouvent:

   plus près de cette bobine, et   ce@   

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   parti*$   sont donc à uno   température   plus   414-vite   Il en résulte une inégalité dans la précipitation du corps semi- 
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 conducteur à la surcace du barreau-supporte Si l'on désir* obtenir une précipitation unitorme, on peut facilement y ar- river en faisant, pendant l'opération, tourner le barreau- support 2 autour de son axe# par IXlmpll k uns vit".1 ds 1 à 500 touTM/minuLtt. 



  On peut utiliser la précipitation Inégale ducorps limi-oonducteur pour la fabrication de oorp.,.m1-oon4uot.url en forme de plaques, qui sont ensuite utilités pour la réa- lisation de dispositif s à aazoi-oonduotaurt On peut par axam- support p,e, introduire dans le champ de la bobine 9, un birrsau- 
 EMI5.2 
 ayant la tome d'un. lame, et operer la précipitation du oorps 
 EMI5.3 
 eemi-oonduoteur Mur cette lama. Un mélangeant d'une manière convenable au. gai qui provoque la réaction et rente )*man't, par exemple, un halogdn=**# des substances de dopage, telles que du chlorure de bore ou du triohiorure de phosphorop on peut donner au oorpa aetni-oonduoteur déposé une oonduotibili- té d'un type   donn   et le doper à la valeur voulue.

   Comme   bar-   
 EMI5.4 
 reatuc-aupporta 2 on peut avantageusement ut11:1..r un aonooria- tale En conduisant la réaction d'une manière adéquate, la précipitation peut se faire également pour donner un mono- cristal. 



   Pour que le barreau-support 2, qui le plus souvent   est   composé d'un corps   eemi-oonduoteur   très pur, puisse être chauffé   inductivement,   il doit être   préchauffe.   Pour cela, on peut par exemple remplir la ouve à réaction au moyen d'hydrogène, qui peut être chauffé de l'extérieur, par exem- ple au moyen d'une flamme. On peut également échauffer le barreau-support au moyen de'.chaleur rayonnante, à travers le quartz, par exemple à l'aide de miroirs creux.

   La cuve à réaction peut en outre être remplie d'un gaz sous faible pression, par exemple 15 mm de Hg., et à l'aide de la bobine d'induction 5, on peut provoquer dans ce gaz, une décharge 

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 qui échauffe le barreau-support 2 d'une   manier*   suffisante pour qu'il puisse absorber le courant induit. 



    REVENDICATIONS   
1. Dispositif permettant de précipiter un corps semi-conducteur, provenant d'un oourant    aïeux   constitué par un mélange renfermant un   composa   du semi-conducteur, de pré- férence un halogénure, et un   réactif   également gaseux, de préférence de l'hydrogène qui, au moyen d'une réaction, de préférence un   réduction,   sur un élément ayant la forme d'un barreau auto-portour du mime   corps   semi-conducteur,   chauffé   par un   ouvrant   électrique, caractérisé en ce qu'on prévoit une bobine de chauffage par induction disposée autour du   barreau..support,   et qui est formée de spires dont des seg- monte sont déformés dans le mens de la longueur,

   et disposée parallèlement ou à peu près parallèlement   l'un à   l'autre, et en oe que le barreau-support est disposé, à l'intérieur de la bobine de   ohaufiage,   par induction de telle   manière   que l'axe du barreau de trouve placé parallèlement ou à peu près parallèlement à ces segments de ,pire..

Claims (1)

  1. 2. Dispositif suivant la revendication 1, caractéri- sé en ce que la bobine de chauffage par induction n'a qu'une seule 'pire.
    3. Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en oe que le support en forme de barreau peut tourner autour de son axe.
    4. Dispositif suivant la revendication 1, caractérisé en oe que le support en forme de barreau est un monocristal! 5. Dispositif suivant la revendication 1, caractérise ence que le barreau-support a la forme d'une lame.
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