<EMI ID=1.1>
procédé non-électrique.
<EMI ID=2.1>
<EMI ID=3.1> <EMI ID=4.1>
<EMI ID=5.1> <EMI ID=6.1> .,avec un stabilisateur suivi par un traitement avec une solution ! s <EMI ID=7.1>
<EMI ID=8.1>
est admis que l'activité élevée du catalyseur de métaux nobles provoque une contamination du bain employé pour le dépôt non-
<EMI ID=9.1>
Des procédés conçus.- en. employant des systèmes de métaux
<EMI ID=10.1>
<EMI ID=11.1>
.que est revêtu au moyen d'une solution contenant des ions de métal' <EMI ID=12.1>
quantités mineures d'un agent réducteur sensible à la lumière et \
<EMI ID=13.1>
<EMI ID=14.1> .pour produire des images réelles.
<EMI ID=15.1>
<EMI ID=16.1>
<EMI ID=17.1>
le placage non-électrique des substrats, spécialement des substrats diélectriques ou non-métalliques qui est, compatible avec.;
<EMI ID=18.1>
<EMI ID=19.1>
<EMI ID=20.1>
solutions qui montrent une forte adhésion et qui peuvent être rincées sans -la nécessité d'une étape de séchage, tout en main-
(tenant une couche adsorbée qui constitue la base pour la couche de catalyseur. La présente invention concerne un procédé pour le placage non-électrique sur des substrats diélectriques ou non- conducteurs et en particulier concerne un procédé pour rendre
ce substrat susceptible d'être pourvu d'un revêtement après immersion dans des bains pour le dépôt non-électrique du revêtement.
La présente invention concerne en outre une solution et des systèmes utilisables pour réaliser des revêtements sur les substrats.
La présente invention concerne un procédé pour préparer des substrats non-conducteurs ou diélectriques et/ou des substrats
<EMI ID=21.1>
Il est un autre objet de la présente invention de réaliser
<EMI ID=22.1>
ques ou non-conducteurs.
Il est encore un autre objet de la présente invention de créer des solutions susceptibles d'être employées dans la prépa- ration des substrats diélectriques ou non-conducteurs pour les
<EMI ID=23.1>
<EMI ID=24.1>
D'autres objets de la présente invention, bien qu'ils
ne sont pas mentionnés spécifiquement, apparaîtront aux spécialistes en la matière à la lecture de la description suivante.
Le terme "initier" ainsi qu'il est employé ici se réfère
à l'étape de traiter un substrat diélectrique ou non-conducteur avec des ions stanneux et de cuivre que ce soit en une seule
étape ou par étapes séparées, pour former un revêtement contenant des ions stanneux et cuivreux à la surface des substrats. Le
terme "développer" ainsi qu'il est employé ici se réfère au traitement d'un substrat après l'initiation avec un agent réducteur capable de réduire l�s ions cuivreux présents à la surface du substrat..
En général, le procédé de l'invention comprend les étapes suivantes : A) Initier un substrat diélectrique, qui a de préférence d'abord été nettoyé et décapé selon les procédés conventionnels, en revêtant la surface du substrat d'une solution aqueuse conte- nant des ions stanneux et cuivreux; et B) Développer le substrat initié selon l'étape A) en , réduisant la valence des ions cuivreux présents à la surface, de préférence en traitant le substrat initié au moyen d'une solution aqueuse contenant l'agent réducteur capable de réduire la valen- ce des ions cuivreux.
Dans l'alternative, l'étape A) peut être divisée en deux étapes, c'est-à-dire que le substrat peut être traité avec une solution aqueuse d'ions stanneux suivi par une mise en contact de la surface avec une solution aqueuse contenant des ions de cuivre.
Après l'initiation et le développement du substrat selon
le procédé précédent, celui-ci peut être plaqué au moyen d'un
métal choisi tel que le cuivre, le nickel, l'or ou le cobalt et d'alliages par immersion du substrat développé dans un bain pour réaliser le dépôt non-électrique du métal choisi. ;
Un système pour réaliser ce procédé comprend les solu- tiens suivantes : A) Une solution aqueuse contenant des ions stanneux et cuivreux; et B) une solution aqueuse d'un agent réducteur capable de réduire la valence des ions de cuivre.
Bien que la demanderesse ne désire pas être liée par une
<EMI ID=25.1> théorie quelconque, elle admet que les ions stanneux et; cuivreux lorsqu'ils sont combinés, soit à la surface du substrat ou dans la solution aqueuse avant le traitement du substrat forme un complexe stanno-cuivreux qui montre une forte affinité pour la surface du substrat. Après le traitement ultérieur du complexe avec l'eau et un agent réducteur approprié, le complexe est '
<EMI ID=26.1>
à son tour l'agent réducteur réduit l'ion cuivre en cuivre métallique sur le substrat. Donc, il est souhaitable de s'assurer que des ions stanneux en suffisance soient présents pour former un complexe avec les ions cuivreux.
<EMI ID=27.1>
mencer avec des ions cuivriques qui sont réduits en leur état cuivreux par des ions stanneux, les ions stanneux à leur tour étant oxydés en ions stanniques. Donc, lorsque on emploie des ions cuivriques comme source d'ions cuivreux, une quantité supplémentaire suffisante d'ions stanneux doit être présente pour réaliser la réduction des ions cuivriques en ions cuivreux
<EMI ID=28.1>
telle réduction pour former le complexe stanno-cuivreux.
En prenant en considération les facteurs précédents, il !est souhaitable que le rapport des ions stanneux à cuivre soient au moins 1:1 dans la solution pour garantir une formation suffisanté de complexe. Lorsqu'on emploie initialement des ions c"ivri:- ques comme source de matière, un rapport de au moins 1,5:1 d'ions stanneux à ions cuivriques est de préférence employé dans le but de réaliser la réduction souhaitée des ions cuivriques en ions cuivreux; et posséder encore un rapport 1:1 d'ions stanneux à ions cuivreux après cette réduction. Etant donné qu'il y a une tendan-,. ce des ions cuivreux et des ions stanneux de subir une oxydation ' vers leur état cuivrique et stannique en présence d'air, il est
<EMI ID=29.1>
<EMI ID=30.1>
<EMI ID=31.1>
préféré davantage d'employer un rapport minimum d'ions stanneux ions cuivreux d'au moins 3:1, et dans le cas des ions cuivriques '
<EMI ID=32.1>
Il est admis que l'initiation de la surface.comporte la
<EMI ID=33.1>
<EMI ID=34.1>
<EMI ID=35.1> <EMI ID=36.1>
est réduit par l'agent réducteur pour former le cuivre métalli- ;
que à la surface. Il doit être compris que cette explication est une hypothèse et que l'invention n'est pas limitée par celle-ci.
Dans chacun des exemples suivants, à moins qu'il ne soit
<EMI ID=37.1>
avec un bain de cuivre non-électrique de la composition suivante:?
<EMI ID=38.1>
Dans la plupart des cas, le placage était réalisé à 4000. ABS est le nom actuellement employé pour une matière plastique qui
<EMI ID=39.1>
Bien que des substrats de ABS étaient employés dans cette descrip;tion, il sera évident pour les spécialistes en la matière que d'autres matières plastiques, d'autres revêtements adhésifs ou d'autres surfaces non-métalliques peuvent aisément remplacer le substrat de ABS et essentiellement tous les substrats non-métal- liques tombent dans les limites de la présente invention. De ma- nière similaire, le procédé n'est pas limité à un placage non- électrique du cuivre et peut être employé pour plaquer, par exemple Ni, Au et Co en employant des bains de placage non-électrique compatibles.
<EMI ID=40.1>
que dans le but de permettre au procédé de placage non-électrique'. de se réaliser sur les surfaces de catalyseurs prétraitées, cer-
<EMI ID=41.1>
<EMI ID=42.1>
réducteurs présents dans le bain de placage non-électrique. De ce point de vue, il est bien connu dans la technique que des dépôts du type Ni-P (obtenus à partir de bains contenant de l'hypophosphite) ne se réalisent pas sur les surfaces de cuivre.
<EMI ID=43.1> <EMI ID=44.1> faces de cuivre. La différence rencontrée est due au choix de <EMI ID=45.1>
l'agent rédacteur présent. Il est en outre possible que l'ini- tiation du procédé de placage se produise d'abord par l'intermédiaire d'une réaction du type remplacement galvanique des ions métalliques en solution avec la surface de catalyseur. Un exemple typique est l'immersion du substrat de cuivre dans une
' composition de placage non-électrique d'or.
En choisissant une composition spécifique pour le placage non-électrique, il est essentiel de vérifier qu'aucun des consti-;
<EMI ID=46.1>
teur etc.) dans la formulation non-électrique n'est capable de désactiver la surface de catalyseur soit par dissolution ou autre, mécanisme. Il est donc un impératif absolu de connaître et "tailler sur mesure" les constituants du bain non-électrique pour� les catalyseurs présents à la surface.
En tenant compte de ces considérations, qui sont évidem- ;
<EMI ID=47.1>
trouver qu'en employant la même surface de catalyseur, des compo-,
<EMI ID=48.1>
différemment. Cette observation est vraie dans la technique antérieure aussi bien que dans les nouveaux procédés décrits
dans la présente invention.
<EMI ID=49.1>
étaient préparés selon les procédés bien connus dans la technique. Par exemple, une solution décapante composée de
CrO�-400 g/1 et H2S04 (concentré) 350 g/1 était employée. Les substrats étaient décapés dans cette solution durant environ 5
<EMI ID=50.1>
L'application d'un revêtement selon le procédé non-électri-
<EMI ID=51.1>
substrats y compris l'étape de nettoyage dans une solution décap- ; ante peuvent généralement être trouvés en se référant aux publi-;
cations suivantes et à ces autres publications citées dans les
<EMI ID=52.1>
pp.611 à 616, et les brevets des Etats-Unis d'Amérique Nos.
<EMI ID=53.1>
références sont également utilisables pour les électrolytes, les ;
<EMI ID=54.1>
dans les procédés de placage non-électrique. �EXEMPLE 1 <EMI ID=55.1>
<EMI ID=56.1>
<EMI ID=57.1>
<EMI ID=58.1>
<EMI ID=59.1>
<EMI ID=60.1>
étaient utilisées dans les solutions d'initiation et de développe,-
<EMI ID=61.1>
toutes les solutions de rinçage.
La solution de rinçage employée dans cet exemple comprenait
<EMI ID=62.1>
La même que l'exemple 3 à l'exception que la solution d'ini-
<EMI ID=63.1>
<EMI ID=64.1>
EXEMPLE
<EMI ID=65.1>
<EMI ID=66.1>
<EMI ID=67.1>
<EMI ID=68.1>
<EMI ID=69.1>
<EMI ID=70.1>
<EMI ID=71.1>
<EMI ID=72.1>
<EMI ID=73.1>
<EMI ID=74.1>
<EMI ID=75.1>
<EMI ID=76.1>
<EMI ID=77.1>
<EMI ID=78.1>
<EMI ID=79.1>
et était employé à température ambiante avec une durée
<EMI ID=80.1>
<EMI ID=81.1>
Le mené procédé général ainsi qu'il est décrit dans
<EMI ID=82.1> .solution d'initiation composition
<EMI ID=83.1>
De l'eau distillée pour ajuster le bain de développement !,
<EMI ID=84.1>
<EMI ID=85.1>
<EMI ID=86.1>
<EMI ID=87.1>
<EMI ID=88.1>
<EMI ID=89.1>
<EMI ID=90.1>
<EMI ID=91.1>
<EMI ID=92.1>
<EMI ID=93.1>
<EMI ID=94.1>
<EMI ID=95.1>
molaire durant environ 5 minutés. Cette solutions? chlorure stannique était préparée par dilution d'une réserve de chlorure stannique 0,5 molaire qui avait été pré-vieillie durant environ 1 semaine à partir de la préparation. Le substrat, qui était du ABS vitreux de pauvre mouillabilité, était alors traité avec une solution d'initiation sans être d'abord décapé, étant donné que le traitement ci-dessus agit pour améliorer le
<EMI ID=96.1>
Le même procédé et les mêmes solutions que dans l'exemple 9 sont utilisés à l'exception que la composition 'de la solution '
<EMI ID=97.1>
<EMI ID=98.1>
: De l'eau distillée était ajoutée pour ajuster à 1 litre.
<EMI ID=99.1>
<EMI ID=100.1>
<EMI ID=101.1>
<EMI ID=102.1>
<EMI ID=103.1>
<EMI ID=104.1>
<EMI ID=105.1> 'comprenait :
<EMI ID=106.1>
Eau distillée pour ajuster à 1 litre.
<EMI ID=107.1>
<EMI ID=108.1>
exemple un sel cuivrique était employé comme source d'ions de cuivre. Selon un article T.L. Nunes, Inorganic Chemistry; 2, (6),,
1325 (1970), il se produit une réduction des ions cuivriques en ions cuivreux en présence d'ions stanneux. Il est également intéressant de noter que l'absorbance de la solution dans l'in- tervalle de 800 à 400 nm est virtuellement nulle.
<EMI ID=109.1>
tion utilisables pour la réalisation du nouveau procédé de placage sont : EXEMPLE 16
<EMI ID=110.1>
EXEMPLE 17
<EMI ID=111.1>
<EMI ID=112.1>
<EMI ID=113.1>
<EMI ID=114.1>
<EMI ID=115.1>
EXEMPLE 20
<EMI ID=116.1>
Eau distillée jusqu'à l'obtention d'un volume de 500 ml. ! Cette solution était divisée en 2 portions. L'une était
<EMI ID=117.1>
quel. Après refroidissement, les deux solutions étaient diluées avec de l'eau distillée en un rapport 1:1 et évaluas après 5 jours. Aucune différence perceptible n'était rencontrée dans l'uniformité du revêtement par les deux solutions sensibilisatri-'. ces.
Il doit également être noté que dans la préparation de
<EMI ID=118.1>
<EMI ID=119.1>
pour identifier la source du sel de cuivre employé), il y a de nombreuses manières selon lesquelles les compositions finales peuvent être obtenues. De telles pratiques peuvent se situer depuis le mixage initial de tous les constituants, jusqu'à des procédés d'une dissolution partielle suivie par l'addition d'un excès de sel stanneux et de l'acide. Chacun de ces procédés peut être réalisé à température ambiante ou à température élevée et ils tombent dans les limites de la présente invention.
En outre, à partir des exemples ci-dessus, il sera évident
<EMI ID=120.1>
ment peut varier depuis la température ambiante jusqu'aux températures supérieures. Le choix de la température d'opération est généralement conditionné par l'activité de la solution de ,développement qui était une fonction complexe du pH, de la nature! de l'agent réducteur, de la concentration de l'agent rédu.cteur <EMI ID=121.1>
Il a égiement été découvert, ainsi qu'il est mentionné précédemment, que, quelque soit l'affinité qui existe entre les ions étain et cuivre, cette affinité existe toujours même si le ) substrat est traité avec ces ions dans des réservoirs séparés.. ! En outre, le sel de cuivre ne doit pas nécessairement être du chlorure de cuivre et peut être tout autre sel de cuivre qui se dissocie en solutions tel que le sulfate de cuivre, le bromure de cuivre, l'acétate de cuivre et le citrate de cuivre. Le ni-
<EMI ID=122.1>
l'oxydation potentielle de l'ion nitrate. En général, une précaution doit être prise de ne pas employer les sels possédant des anions qui pourraient provoquer une précipitation de soit
le cuivre soit l'étain en solution. Il est important de remarquer que la solution d'initiation peut, si on le souhaite, contenir des ions de métal noble en plus du cuivre et de l'étain sans résultat néfaste. Par exemple, la solution d'initiations peut comporter un ou plusieurs ions Pt, Pd, Rh, Os, Ir, Au, ou Ag.
Ainsi qu'il est mentionné précédemment, en se référant
à l'exemple 15, le sel de cuivre employé dans la préparation ne doit pas être sous forme d'ions cuivreux à condition qu'il y
ait suffisamment de sel stanneux pour réduire l'ion cuivrique
en ion cuivreux et en outre il doit rester une concentration
<EMI ID=123.1>
plusieurs des variations mentionnés précédemment suivent :
EXEMPLE 21 (Initiation en deux étapes)
(1) Un substrat ABS décapé est d'abord immergé dans une solution
d'initiation habituelle composée de :
<EMI ID=124.1>
(2) Rinçage dans l'eau
(3) Immersion durant 1 minute dans une solution ammoniacale contenant des sels de cuivre, par exemple
<EMI ID=125.1>
(4) Rinçage
<EMI ID=126.1>
<EMI ID=127.1>
(6) Rinçage
(7) Placage non-électrique <EMI ID=128.1>
Le même procède et les mêmes solutions que dans
<EMI ID=129.1>
cuivre dans l'étape 3 se compose de :
<EMI ID=130.1>
<EMI ID=131.1>
ml/1 n'influencent pas les résultats du placage.
EXEMPLE 23 Le même que dans l'exemple 21 néanmoins une solution de
<EMI ID=132.1>
était employée dans l'étape 3.
EXEMPLE 24
Le même que dans l'exemple 21 néanmoins une solution de
<EMI ID=133.1>
était employée. Les résultats de cet exemple, néanmoins n'étaient pas aussi bons que ceux obtenus dans l'exemple 23.
Dans un procédé similaire à l'exemple 21, en remplaçant néanmoins la solution décrite dans Il étape 3 par une solution comprenant :
<EMI ID=134.1>
<EMI ID=135.1>
cycle. Ceci semble être dû au fait que l'EDTA forme un complexe fort avec les ions cuivre empêchant ainsi la formation de l'association étain-cuivre que l'on suppose qu'il se forme durant l'initiation. Dans les exemples 21 à 24, l'étape d'initiation est réalisée en un procédé à deux étapes, la première étape utilisant une solution sensibilisatrice habituelle qui est d'abord-composée de sels stanneux (p.ex. chlorure stanneux) en un milieu acide (p. ex. acide chlorhydrique). Cette composition de base peut être modifiée pour réaliser une stabilité et un
<EMI ID=136.1>
tions sont connues dans la .technique et il a été trouvé qu'elles pouvaient être incorporées avec le nouveau procédé de la présente
<EMI ID=137.1>
(1973).
Des expériences ont également montré que l'augmentation de la concentration de chlorure dans la solution simple d'initiation a généralement causé une détérioration de la qualité de <EMI ID=138.1>
admis que le procédé d'initiation agit par l'intermédiaire d'une
<EMI ID=139.1>
des quantités excessives d'ions tels que Cl- sont présents qui entrent en compétition soit pour les ions Se+ soit pour les ions Ou+ avec les produits associés. Ceci était observé par
<EMI ID=140.1>
<EMI ID=141.1>
<EMI ID=142.1>
, Par opposition, l'addition d'ions sulfate sous forme d'acide sulfurique ne donne aucun résultat néfaste et, en fait une certaine amélioration pouvait être notée dans le revêtement à la fois avec l'addition d'acide sulfurique et de sulfate de sodium..
L'effet des additions de chlorure et de sulfate peut être le mieux illustré dans la table suivante :
Dans la Table 1, l'effet du chlorure de sodium ajouté à une solution d'initiation standard est illustré. Toutes les solutions et conditions étaient les mêmes et les résultats sont représentés en pourcents de la surface couverte résultant d'une immersion contrôlée brève dans un bain de cuivre non-électrique après l'initiation et le développement.
Table 1 : Effet de l'addition du chlorure de sodium
<EMI ID=143.1>
Dans le but de démontrer l'effet des ions sulfate, à la fois des additions d'acide sulfurique et de sulfate de sodium étaient réalisées. La solution d'initiation était composée de :
<EMI ID=144.1>
à laquelle du H2S04 concentré était ajouté jusqu'à 250 ml/1 de solrtion.
Dans tous les cas, le recouvrement du revêtement était indépendant de l'acide sulfurique ajouté dans l'intervalle mentionné. Egalement, à la même solution d'initiation, l'addition de jusqu'à 319 g/1 de sulfate de sodium ne montrait aucune détérioration dans l'uniformité du revêtement et en fait il peut être argumenté que certaines améliorations peuvent en résulter.
<EMI ID=145.1>
<EMI ID=146.1>
<EMI ID=147.1>
- Généralement, tout agent réducteur qui réduit lestions cuivre en \ <EMI ID=148.1>
est évident aux spécialistes en la : matière que -la du- :
<EMI ID=149.1>
ration de nombreux stabilisateurs. De tels stabilisateurs gêné-
<EMI ID=150.1>
propyl-alcool glycêrol, le méthanol et 1 ' acétone, et les composés
<EMI ID=151.1>
nol, le pyrogallol et le phloroglucinol sont appropriés.
Il est également préféré,généralement d'incorporer des agents mouillants dans les solutions. Ceci est spécialement vrai lorsque le placage non-électrique est réalisé dans des cavités ou autres surfaces renfoncées. Des agents mouillants sont connus dans la technique et tout agent mouillant utilisable
<EMI ID=152.1>
être utilisé avec les nouvelles solutions de la présente invention. Des exemples de tels agents mouillants sont les hydrocarbures fluorinés par exemple ceux qu'on use sous la dénomina-
<EMI ID=153.1>
<EMI ID=154.1>
anioniques, cationiques ou non-ioniques sont également utilisa-
<EMI ID=155.1>
d'initiation acides sans provoquer de précipitation des constituants actifs. D'autres exemples de stabilisateurs et d'agents maillants peuvent être trouvés dans les brevets de la technique antérieure précédemment citée.
Les exemples suivants sont indiqués pour illustrer l'incorporation des nombreux stabilisateurs aux solutions
<EMI ID=156.1>
<EMI ID=157.1>
<EMI ID=158.1>
<EMI ID=159.1>
<EMI ID=160.1>
�:����5�en�oid��ej��
<EMI ID=161.1>
<EMI ID=162.1>
EXEMPLE 30 .
<EMI ID=163.1>
Bien que, ainsi qu'on peut le voir, la concentration de la constitution de la solution d'initiation peut varier de manière appréciable sur un grand domaine de concentration" dans ?
<EMI ID=164.1>
tration molaire plus grande d'ions stanneux par rapport aux ions _ cuivre. Des intervalles de concentrations typiques pour le cuivrer
<EMI ID=165.1>
<EMI ID=166.1>
Dans tous les cas une quantité suffisante d'acide est ajoutée pour garantir une dissolution complète. Le rapport préfère de concentration d'ions stanneux à ions cuivre dans l'initiateur unique est généralement supérieur à environ. 4:1 lorsque le cuivre
<EMI ID=167.1>
<EMI ID=168.1>
<EMI ID=169.1>
<EMI ID=170.1>
<EMI ID=171.1>
<EMI ID=172.1>
<EMI ID=173.1>
ter de l'action de l'aminé décapant la surface de cuivre.
<EMI ID=174.1>
<EMI ID=175.1>
tel ajustement dépendra de-la nature de l'agent réducteur par-
<EMI ID=176.1>
<EMI ID=177.1>
de développement n'est pas nécessaire, sont montrés dans les .. ";
<EMI ID=178.1>
<EMI ID=179.1>
<EMI ID=180.1>
<EMI ID=181.1>
<EMI ID=182.1>
<EMI ID=183.1>
<EMI ID=184.1>
<EMI ID=185.1>
<EMI ID=186.1>
<EMI ID=187.1>
:.uniforme avec un excellent revêtement était obtenu sur tous les substrats. Les performances du système étaient indépendantes du
<EMI ID=188.1>
ci-dessus.
D'un autre côté, des substrats ABS décapés étaient immergés dans la solution de pré-mouillage ci-dessus durant 3 minutes, rincés, disposés dans le sensibilisateur ci-dessus
<EMI ID=189.1>
<EMI ID=190.1>
valeur du pH entre 4,5 et 7,5. Les substrats étaient alors dis-
<EMI ID=191.1>
minutes avant le rinçage final et l'immersion dans une solution
<EMI ID=192.1>
forme avec un recouvrement complet était obtenu sur tous les substrats:
Bien que le pH n'est donc pas un facteur critique, il sera apparent que des valeurs de pH extrêment élevées ou extrêment faibles ne seront normalement pas employées à cause de la tendance de la surface initiée d'être décapée sous des telles conditions.
Les exemples suivants montrent encore un autre aspect de la présente invention ou une solution d'initiateur comprend une combinaison d'ions cuivre et de métal précieux.
Bien que les exemples montrés utilisent des ions de
<EMI ID=193.1>
<EMI ID=194.1>
de métal noble de la combinaison montrée ici, est dans les limites de la présente invention.
En préparant une solution d'initiateur combinée utilisée:
dans les exemples suivants, la solution combinée sous forme ! concentrée était chauffée durant plusieurs heures, on lui per-
<EMI ID=195.1>
composition finale. L'alternative, bien entendu est un vieillissement prolongé à température ambiante.
EXEMPLE 32
Une solution typique d'initiateur de ce type comprend dans les proportions molaires suivantes :
<EMI ID=196.1>
Après l'initiation, le substrat est traité avec un bain de développement suivi par un picage non-électrique. La solution de développement était une solution alcaline comprenant du diméthylamine-borane. Un placage efficace avec un bain de cuivre non-électrique était réalisé à température ambiante.
EXEMPLE 33
<EMI ID=197.1>
était réalisé avec un bain non-électrique à température ambiante ayant la composition suivante :
<EMI ID=198.1>
EXEMPLE 34
Similaire à l'exemple 33 à l'exception que un bain de cuivre non-électrique était utilisé avec le DMAB de environ 5/gl à 50[deg.]C.
Dans les exemples suivants, d'autres sels stanneux étaient utilisés plutôt que le chlorure stanneux. Bien que dans .les deux exemples, une dissolution incomplète se produisait, les substrats étaient complètement revêtus à la fin du cycle. EXEMPLE 35
Une solution d'initiateur utilisée à température ambiante comprenait :
<EMI ID=199.1>
Le bain de développement était utilisé à température ambiante durant 1 minute. Le substrat était finalement immergé dans un.. bain non-électrique de cuivre.
. EXEMPLE 36 La solution d'initiateur comprenait :
<EMI ID=200.1>
; Les solutions restantes et les conditions sont les mêmes que dans l'exemple précédent. Il est à remarquer que la quatité molaire de SnBr2 est basée sur le nombre de g ajoutés plutôt
que la quantité dissoute. Le sulfate stanneux était également utilisable comme substitut du bromure stanneux.
Ainsi qu'on le remarquait précédemment, le pacage non-électrique de nickel ou de cobalt au lieu de cuivre peut également être réalisé en employant la présente invention ainsi
<EMI ID=201.1>
EXEMPLE 37
Dans cet exemple un substrat de ABS décapé était traité dans une solution d'initiateur composé de :
<EMI ID=202.1>
suivi par immersion dans un bain de développement (KBH�-3 g/1 à pH 10 à 2500). 2-5 minutes. Après la préparation catalytique,
<EMI ID=203.1>
ment étaient entrepris en employant les bains suivants :
<EMI ID=204.1>
<EMI ID=205.1>
<EMI ID=206.1>
La présente invention concerne également un procédé ; pour le placage non-électrolyte de formes métalliques sur des substrats diélectriques ou non-conducteurs par l'introduction d'une étape supplémentaire dans le procès précédent.
Spécifiquement, les formes métalliques peuvent être . réalisées sur les substrats diélectriques selon la présente invention/appliquant le procédé suivant : A) Mettre en contact le substrat diélectrique qui a d'abord, de préférence, été nettoyé et décapé selon des procédés conventionnels, avec une solution aqueuse contenant des ions stanneux, par exemple une solution aqueuse de chlorure stanneux. B) Oxyder les surfaces choisies contenant les ions stanneux sur <EMI ID=207.1>
0) Mettre en contact la surface du substrat avec les solutions aqueuses contenant les ions cuivre pour former des ions stanneux et cuivreux sur les surfaces non-oxydés du substrat; D) Réduire l'état de valence des ions cuivreux..
Les substrats traités par le procédé précédent par une immersion ultérieure dans un bain de placage non-élecbrique sont plaqués sélectivement selon la configuration du masque photographique. De préférence, l'étape B) du procédé précédent est fait réaliser par une irradiation de la surface du substrat à travers un masque en employant une source appropriée de la lumière à rayons ultra-violets. Une étape de ce type est décrite
<EMI ID=208.1>
suivant est illustratif de ce procédé.
EXEMPLE 38 <EMI ID=209.1> une solution de sensibilisateur possédant la composition suivante,
<EMI ID=210.1>
<EMI ID=211.1>
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ultra-violette durant 0,5 à 5 minutes au moyen d'un Oriel Optics J
<EMI ID=213.1>
substrat sensibilisé. Cette irradiation est réalisée à travers un masque qui permet une transmission sélective de la lumière ultra-violette et ainsi fournit une réaction photo-chimique sélective avec les constituants du sensibilisateur absorbé ou du produit absorbé, dérivé de la solution sensibilisée. (D'autres sources de lumière U-V sont également appropriées).
C) Les substrats irradiés étaient alors immergés dans une solu- <EMI ID=214.1>
<EMI ID=215.1> D) Immersion du substrat initié dans une solution de développement durant 3-5 minutes à 40[deg.] C suivait. Une solution typique fraîchement préparée comprend :
<EMI ID=216.1>
E) Immersion dans un bain de cuivre non-électrique pour réaliser le modèle métallique souhaité. Des périodes de placage sont généralement spécifiées par l'épaisseur souhaitée. Une composition typique est :
<EMI ID=217.1>
F) Un revêtement par galvanoplastie peut être réalisé (facultatif) EXEMPLE 39
Dans cet exemple de nombreux substrats étaient employés pour démontrer la diversification de la présente invention. Les substrats employés étaient : Hylar, (désignation commerciale) Kapton, (désignation commerciale), Teflon (désignation commer- ; ciale), panneau en fibres de verre, ABS vitreux, Cycolac, (désignation commerciale (type ABS), résine phénoliquerevêtue. Dans tous les cas après le cycle de placage, un recouvrement métallique complet était noté. Le cycle employé était comme suit:
Immersion avant l'initiation
<1><1><1> Une minute dans 50 ce/1 d'une réserve vieillie d'une solution de
<EMI ID=218.1>
Initiateur La solution comprenait :
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<EMI ID=222.1>
<EMI ID=223.1>
<EMI ID=224.1> <EMI ID=225.1>
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