BRPI0417807A - material se alimentação de silìcio para produzir lingotes de silìcio multicristalinos ou zona flutuante, solidificados direcionalmente por czochralski, láminas ou fitas de silìcio para a produção de pastilhas de silìcio para células solares pv e método para a produção do mesmo, e, lingote de silìcio multicristalino ou zona flutuante, direcionalmente solidificado por czochralski, ou lámina ou fita de silìcio para produzir pastilhas para células solares - Google Patents

material se alimentação de silìcio para produzir lingotes de silìcio multicristalinos ou zona flutuante, solidificados direcionalmente por czochralski, láminas ou fitas de silìcio para a produção de pastilhas de silìcio para células solares pv e método para a produção do mesmo, e, lingote de silìcio multicristalino ou zona flutuante, direcionalmente solidificado por czochralski, ou lámina ou fita de silìcio para produzir pastilhas para células solares

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Abstract

"MATERIAL DE ALIMENTAçãO DE SILìCIO PARA PRODUZIR LINGOTES DE SILìCIO MULTICRISTALINOS OU ZONA FLUTUANTE, SOLIDIFICADOS DIRECIONALMENTE POR CZOCHRALSKI LáMINAS OU FITAS DE SILìCIO PARA A PRODUçãO DE PASTILHAS DE SILìCIO PARA CéLULAS SOLARES PV E MéTODO PARA A PRODUçãO DO MESMO, E, LINGOTE DE SILìCIO MULTICRISTALINO OU ZONA FLUTUANTE DIRECIONALMENTE SOLIDIFICADO POR CZOCHRALSKI, OU LáMINA OU FITA DE SILìCIO PARA PRODUZIR PASTILHAS PARA CéLULAS SOLARES". A presente invenção está relacionada a material de alimentação de silício para produzir lingotes de silício multicristalinos ou zona flutuante, lâminas ou fitas de silício, para produção de pastilhas de silício para células solares PV onde o material de alimentação de silício contém entre 0,2 e 10 ppma de boro e entre 0,1 e 10 ppma de fósforo distribuídos no material de alimentação. A invenção está relacionada também o lingote de silício direcionalmente solidificado, ou lâmina ou fita, para produzir pastilhas para células solares contendo entre 0,2 e 10 ppma de boro e entre 0,1 e 1O ppma de fósforo distribuídos no lingote, o dito lingote de silício possuindo uma mudança de tipo de tipo-p para tipo-n, ou de tipo-n para tipo-p, em uma posição entre 40 e 99 % da altura do lingote ou da espessura da folha ou da fita, e possuindo um perfil de resistividade descrito por uma curva exponencial que possui um valor de partida entre 0,4 e 10 ohm cm, e onde o valor da resistividade aumenta no sentido do ponto de mudança de tipo. Para finalizar, a invenção está relacionada a um método para produzir material de alimentação de silício para produção de lingotes solidificados direcionalmente de silício, lâminas e fitas, para produção de pastilhas de silício para células solares PV.
BRPI0417807-6A 2003-12-29 2004-01-12 Método para a produção de material de alimentação de silício para produzir lingotes de silício multicristalinos ou zona flutuante, solidificados direcionalmente por Czochralski, material de alimentação de silício,e, lingote de silício, ou lâmina ou fita de silício para produzir pastilhas para células solares BRPI0417807B1 (pt)

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