BRPI0516563B1 - Pó de tântalo para a produção de capacitadores eletrolíticos sólidos, anodo de capacitor eletrolítico sólido e capacitor eletrolítico sólido - Google Patents

Pó de tântalo para a produção de capacitadores eletrolíticos sólidos, anodo de capacitor eletrolítico sólido e capacitor eletrolítico sólido Download PDF

Info

Publication number
BRPI0516563B1
BRPI0516563B1 BRPI0516563-6A BRPI0516563A BRPI0516563B1 BR PI0516563 B1 BRPI0516563 B1 BR PI0516563B1 BR PI0516563 A BRPI0516563 A BR PI0516563A BR PI0516563 B1 BRPI0516563 B1 BR PI0516563B1
Authority
BR
Brazil
Prior art keywords
ppm
solid electrolytic
tantalum powder
electrolytic capacitor
value
Prior art date
Application number
BRPI0516563-6A
Other languages
English (en)
Inventor
Haas Helmut
Bartmann Ulrich
Original Assignee
H. C. Starck Gmbh & Co. Kg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by H. C. Starck Gmbh & Co. Kg filed Critical H. C. Starck Gmbh & Co. Kg
Publication of BRPI0516563A publication Critical patent/BRPI0516563A/pt
Publication of BRPI0516563B1 publication Critical patent/BRPI0516563B1/pt

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/052Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B34/00Obtaining refractory metals
    • C22B34/20Obtaining niobium, tantalum or vanadium
    • C22B34/24Obtaining niobium or tantalum
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "PÓ DE TÂN- TALO PARA A PRODUÇÃO DE CAPACITORES ELETROLÍTICOS SÓLI- DOS, ANODO DE CAPACITOR ELETROLÍTICO SÓLIDO E CAPACITOR ELETROLÍTICO SÓLIDO". A presente invenção refere-se à produção de capacitores βίβλο- ι íticos sólidos com base em tântalo, especialmente aqueles com alta capaci- dade específica acima de 70.000 pFV/g.
Como capacitores eletrolíticos sólidos com superfície de capaci- tor ativa muito grande e, portanto, pequena estrutura, apropriada para a ele- trônica móvel de comunicação, são empregados majoritariamente aqueles com uma camada isolante de pentóxido de tântalo aplicada sobre um cor- respondente suporte metálico condutível de tântalo, mediante o aproveita- mento de sua estabilidade ("metal de válvula"), da constante dielétrica relati- vamente alta e da camada isolante de pentóxido que pode ser produzida, por geração eletroquímica, com uma espessura de camada bastante unifor- me. O suporte metálico, que, ao mesmo tempo, representa um dos eletrodos de capacitor (anodo), é constituído por uma estrutura esponjosa altamente porosa, a qual é produzida por prensagem e sinterização de estruturas pri- márias de partículas finíssimas, respectivamente de estruturas secundárias já esponjosas. Nesse caso, a estabilidade dos corpos prensados é essencial para o processamento ulterior para a transformação em corpo sinterizado, da própria estrutura de suporte, respectivamente do anodo do capacitor. A superfície da estrutura de suporte é oxidada ("moldada") eletroliticamente para a transformação em pentóxido, sendo que a espessura da camada de pentóxido é determinada pela tensão máxima da oxidação eletrolítica ("ten- são de moldagem"). O contra-eletrodo é produzido por meio de embeber a estrutura esponjosa com nitrato de manganês, o qual é convertido termica- mente em dióxido de manganês, ou com um precursor líquido de um eletróli- to polimérico e polimerização. Os contatos elétricos com os eletrodos são representados, por um lado, por um fio de tântalo ou de nióbio inserido no molde de prensagem antes da sinterização e, por outro lado, pelo invólucro metálico do capacitor isolado em relação ao fio. A resistência com a qual o fio é sinterizado com a estrutura de anodo é uma outra propriedade essen- cial para o processamento ulterior para se chegar ao capacitor. A capacidade C de um capacitor é calculada pela seguinte fór- mula: C = (F e) / d sendo que F representa a superfície do capacitor, e representa a constante dielétrica, d representa a espessura da camada isolante. A qualidade dos capacitores eletrolíticos sólidos desse tipo de- pende essencial mente da formação da estrutura esponjosa do anodo, espe- cialmente da ramificação das estruturas de poros abertos de poros maiores para até os poros finíssimos. A estrutura esponjosa, depois da formação da camada isolante, que cresce em um terço para a estrutura de anodo original e para dois terços dessa, tem que representar, por um lado, ainda uma es- trutura condutível eletricamente fechada e, por outro lado, tem que deixar restando uma estrutura porosa aberta contínua, para que o catodo aí forma- do possa entrar em contato totalmente com a superfície de camada isolante. O desenvolvimento dos últimos anos levou ao emprego de pós primários com partículas cada vez mais finas, especialmente porque a ele- trônica moderna de comunicação trabalha com tensão mais baixa. A espes- sura de camada isolante que é menor devido a isso possibilita, no caso de uma dimensão mais fina de estrutura primária, ainda uma estrutura de anodo fechada e, depois da anodização, ainda uma estrutura porosa contínua.
Nesse caso, a estrutura esponjosa de anodo é gerada por estru- turas primárias e secundárias de partículas finas, a partir de uma geração, geralmente de várias etapas, de aglomerados de pó, bem como da prensa- gem e sinterização dos aglomerados, sendo que é evitada uma sinterização muito forte devido ao emprego de dopagens de proteção de sinterização com nitrogênio e/ou fósforo, anteriormente também boro, silício, enxofre e arsênico. À atividade de sinterização assim parcialmente bastante reduzida para fins da aglomeração contrapôs-se a reação de uma redução simultânea ("aglomeração de desoxidação"), na medida em que foi gerada uma maior mobilidade atômica superficial devido à reação de desoxidação que ocorreu simultaneamente. A produção econômica de capacitores de tântalo requer uma série de compromissos para se obter tanto estágios intermediários com pro- priedade propícias de processamento ulterior, como também as proprieda- des desejadas do capacitor. A invenção tem o objetivo de ampliar as possibilidades dos com- promissos a serem assumidos, isto é, disponibilizar um pó para a produção de capacitores que permita produzir capacitores com uma maior amplitude de propriedades, respectivamente capacitores com determinadas proprieda- des com limitações processuais menos restritivas.
Outros objetivos da invenção podem ser deduzidos da descrição da invenção que se segue.
Descobriu-se que isso é alcançado quando se prescinde total- mente de dopagens de proteção de sinterização.
Nesse sentido, constitui objeto da invenção um pó de tântalo que seja constituído por partículas primárias aglomeradas com uma dimensão mínima de 0,2 a 0,8 am, uma superfície específica de 0,9 a 2,5 m2/g, e uma distribuição de dimensão de partícula determinada segundo a ASTM B 822 correspondendo a um valor D10 de 5 a 40 am e a um valor D90 de 40 a 250 am, sendo que o pó fica livre de um teor ativo de agentes de sinterização. Pós de tântalo preferenciais de acordo com a invenção apresen- tam um teor de substâncias conhecidas para sua ação de proteção de sinte- rização de: P < 40 ppm N < 400 ppm B < 10 ppm Si < 20 ppm S < 10 ppm As < 10 ppm.
Particularmente de preferência, o teor de fósforo deve se situar abaixo de 10 ppm, o teor de nitrogênio abaixo de 200 ppm. Especialmente preferíveis são os pós de tântalo com um teor de nitrogênio abaixo de 100 PPm.
Se um teor de substâncias estranhas nos pós de tântalo encon- tra-se ativo como agente de proteção de sinterização, depende tanto da sua quantidade, como do tipo em que esses pós se acham presentes. Nesse sentido, um teor superficial de nitrogênio de 400 ppm pode ainda estar ativo como agente de proteção de sinterização, enquanto que uma dopagem uni- forme pelo volume das partículas de pó geralmente fica inativa.
Particularmente de preferência, os pós de acordo com a inven- ção se distinguem pela ausência de elementos de dopagem ativos como agentes de proteção de sinterização, exceto em quantidades inevitáveis de impurezas.
Surpreendentemente observa-se que os pós de tântalo de acor- do com a invenção podem ser trabalhados para gerar capacitores com cor- rente residual bastante reduzida, pois a dopagem de proteção de sinteriza- ção, segundo o estado da técnica, geralmente também foi empregada para reduções da corrente residual.
Os pós de tântalo de acordo com a invenção, depois da prensa- gem para uma forma cilíndrica com 5,1 mm de diâmetro e 5,1 mm de com- primento, com uma densidade de prensagem de 5,0 g/cm3, apresentam uma resistência à compressão segundo Chatillon acima de 4 kg, de preferência acima de 5 kg.
Também são objeto da invenção anodos de capacitor eletrolítico sólido de tântalo com uma superfície específica de 0,5 a 1 m2/g, os quais, no essencial, estão livres de agentes de proteção de sinterização.
Também são objeto da invenção os capacitores eletrolíticos sóli- dos com um anodo de acordo com a invenção, que apresentam uma capaci- dade específica de 40.000 a 150.000 ocFV/g, de preferência de 70.000 a 150.000 ocFV/g.
Uma apresentação do efeito que serve de base para invenção é mostrada esquematicamente com base nas figuras 1 e 2: nas figuras, A cor- responde ao perfil de seção transversal (linha tracejada) de duas partículas primárias sinterizadas com a ponte de sinterização D. No caso da aglomera- ção com a presença de dopagens de proteção de sinterização com fósforo ou nitrogênio (figura 1), a ponte de sinterização apresenta uma fenda relati- vamente acentuada, enquanto que no caso da aglomeração (de acordo com a invenção) sem dopagem de proteção de sinterização (figura 2) a fenda de ponte de sinterização já foi "vencida". Na exposição esquemática das figu- ras, a superfície de contato das partículas primárias, formada pela ponte de sinterização e representada pela seta dupla D, na figura 2 é aproximada- mente 3 vezes maior do que na figura 1. A zona mostrada em cinza indica a camada de pentóxido depois da anodização, que cresceu aproximadamente em 1/3 de sua espessura perpendicularmente à superfície (linha tracejada) para dentro da estrutura metálica original e cerca de 2/3 para fora desta.
Os anodos produzidos a partir dos pós de acordo com a inven- ção apresentam correntes residuais específicas extraordinariamente peque- nas e uma resistência dielétrica de tensão excelente. A razão disso também pode ser eventualmente explicada a partir das figuras 1 e 2. Enquanto que nos anodos (figura 1) sinterizados com dopagem de proteção de sinteriza- ção, durante o crescimento da camada de pentóxido na linha de fenda da ponte de sinterização entre as duas partículas primárias se forma uma "cos- tura", na qual os limites de crescimento das duas partículas se desenvolvem conjuntamente, já no caso do pó de acordo com a invenção (figura 2) isso não ocorre. No entanto, uma "costura de crescimento" desse tipo é um local de acúmulo de impurezas e falhas de acumulação na faixa atômica e, con- sequentemente, é a base para correntes de fuga, respectivamente correntes residuais, respectivamente descargas de sobretensão.
Exemplos Emprega-se um pentóxido de tântalo básico de partículas finas parcialmente sinterizado, com uma dimensão média de partículas primárias de cerca de 2,5 ocm (definida visualmente por meio de imagem por micros- copia de escaneamento de elétrons), uma distribuição de dimensão de partí- culas segundo a ASTM B 822 (equipamento Malvern MasterSizer Soc) cor- respondente a um valor D10 de 5,7 ocm, a um valor D50 de 28,3 ocm e a um valor D90 de 72,1 ocm, e uma superfície específica (BET) definida segundo a ASTM D 3663 de 0,54 m2/g. O pentóxido de tântalo básico foi produzido, de modo em si co- nhecido, por meio de redução de um ácido fluorídrico de tântalo com solução de amoníaco, separação, lavagem e secagem do hidróxido de tântalo depo- sitado, incandescência do hidróxido no ar e peneiramento do produto para menos do que 600 ocm e uma incandescência de estabilização subsequente sob argônio a 1700°C por 4 horas, bem como trituração e peneiramento. O pentóxido de tântalo básico é transferido, sobre uma rede de fios de tântalo, para dentro de um forno revestido com chapa de tântalo, a- cima de um cadinho, que contém a quantidade estequiométrica de 1,1 vezes de magnésio (em relação ao teor de oxigênio do pentóxido. O forno apresen- ta um aquecimento e, abaixo do cadinho contendo magnésio, uma abertura de entrada de gás, bem como, acima da carga de pentóxido de tântalo, uma abertura de saída de gás. Antes do início do aquecimento para a temperatu- ra de redução, o forno é lavado com argônio. Durante a redução, o argônio corre lentamente sob pressão normal através do forno. Depois de terminada a reação e o resfriamento do forno, introduz-se gradualmente oxigênio no forno para passivar o pó metálico conta combustão. O óxido de magnésio formado é removido por meio de lavagem com ácido sulfúrico e, em seguida, com água desmineralizada até a neutralidade.
Depois da redução, o pó apresenta uma dimensão média de par- tícula primária de cerca de 0,2 ocm, definida por imagens obtidas por micros- copia de escaneamento de elétrons, uma superfície específica, segundo o processo BET, de 2,3 m2/g e uma distribuição de dimensão de partículas definida segundo a ASTM B 822 correspondendo a um valor D10 de 16,3 ocm, a um valor D50 de 31,7 ocm e um valor D90 de 93,2 ocm.
Uma parte do pó é dopada com 150 ppm de fósforo por meio de embebimento em solução de ácido fosfórico e secagem.
Depois disso, amostras do pó de tântalo, tanto dopadas com fós- foro, como não dopadas, são inicialmente desoxidadas por meio de adição da quantidade estequiométrica de 1,5 vezes de aparas de magnésio e aque- cimento por duas horas para a temperatura de desoxidação indicada na ta- bela 1, e depois do resfriamento elas são raladas através de uma peneira com amplitude de malha de 300 ocm.
Na tabela 1 são indicadas as seguintes propriedades do pó, res- pectivamente os seguintes parâmetros: Desox.-T refere-se à temperatura na qual foi executada a deso- xidação. A "densidade de carga a granel" foi determinada por meio de um medidor de volume de Scott segundo a ASTM B 329. "FSSS" refere-se ao diâmetro médio de grão determinado por meio do equipamento Fisher Sub Sieve Sizer segundo a ASTM B 330. A resistência à prensagem foi determinada em uma peça pren- sada de pó com 5,1 mm de comprimento e 5,1 mm de diâmetro, com uma densidade de prensagem de 5,0 g/cm3, por meio de um medidor de forças de Chatillon. "BET" refere-se à superfície específica determinada pelo conhe- cido processo de Brunauer, Emmet e Teller. A "fluidez" ("Hall-flow") indica o tempo de fluxo em segundos de 25 g de pó através de um funil de 1/10" segundo a ASTM B 213. "Mastersizer D10, D50 e D90" referem-se aos 10, 50 e 90 por cento de massa da distribuição de dimensão de grão do pó, determinadas segundo a ASTM B 822 por meio do equipamento MasterSizer Soe da firma Malvern por meio de difração de laser, uma vez sem e uma vez com o tra- tamento de ultra-som. A partir dos pós são produzidos corpos prensados com a dimen- são de 3 mm de diâmetro e 3,96 mm de comprimento, com uma densidade de prensagem de 5,0 g/cm3, sendo que um fio de tântalo com 0,2 mm de diâmetro foi inserido axialmente como fio de contato na matriz de prensagem antes da introdução do pó. Os corpos prensados são sinterizados para ano- dos por 10 minutos no alto vácuo na temperatura de sinterização indicada na tabela. A "resistência à tração do fio" foi determinada do modo que se segue. O fio de anodo é enfiado através da abertura com 0,25 mm de diâme- tro de uma chapa de retenção e a extremidade livre é sujeitada no grampo de retenção de um medidor de força de Chatillon. Então, é feito um esforço de carga até a soltura do fio para fora da estrutura do anodo.
Os corpos de anodo são imersos em ácido fosfórico de 0,1% e são moldados a uma intensidade de corrente limitada a 150 mA até uma tensão de moldagem de 30 V. Depois da queda da intensidade de corrente, a tensão ainda é mantida por uma hora. Para a medição das propriedades do capacitor emprega-se um catodo de ácido sulfúrico de 18%. A medição foi feita com uma tensão alternada de 120 Hz. A capacidade específica e a corrente residual estão indicadas na tabela 1.
Além disso, a "resistência à descarga" é determinada do seguin- te modo: os corpos de anodo são imersos em ácido fosfórico de 0,1% e são moldados a uma intensidade constante de corrente, até que ocorra uma queda de tensão abrupta.

Claims (6)

1. Pó de tântalo para a produção de capacitores eletrolíticos só- lidos, constituído por partículas primárias aglomeradas com uma dimensão média de partícula primária de 0,2 a 0,8 ocm, uma superfície específica de 0,9 a 2,5 m2/g e uma distribuição de dimensão de partícula determinada se- gundo a ASTM B 822 correspondendo a um valor D10 de 5 a 25 ocm, um va- lor D50 de 20 a 140 ocm e um valor D90 de 40 a 250 ocm, caracterizado pelo fato de que o pó de tântalo apresenta os se- guintes teores: P < 30 ppm N < 400 ppm B < 10 ppm Si < 20 ppm S < 10 ppm As < 10 ppm.
2. Pó de tântalo de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que o pó de tântalo apresenta os seguintes teores: P < 10 ppm N < 300 ppm.
3. Pó de tântalo de acordo com a reivindicação 2, caracterizado pelo fato de que o pó de tântalo apresenta os seguintes teores: N < 100 ppm.
4. Anodo de capacitor eletrolítico sólido, obtido de pó de tântalo como definido em uma das reivindicações 1 a 3, caracterizado pelo fato de que o anodo de capacitor eletrolítico sólido apresenta uma resistência à tra- ção do fio de mais que 30 kg.
5. Anodo de capacitor eletrolítico sólido, caracterizado pelo fato de que contém um pó de tântalo constituído por partículas primárias aglome- radas com uma dimensão média de partícula primária de 0,2 a 0,8 ocm, uma superfície específica de 0,9 a 2,5 m2/g e uma distribuição de dimensão de partícula determinada segundo a ASTM B 822 correspondendo a um valor D10 de 5 a 25 ocm, um valor D50 de 20 a 140 ocm e um valor D90 de 40 a 250 ocm, com os seguintes teores: P < 30 ppm N < 400 ppm B < 10 ppm Si < 20 ppm S < 10 ppm As < 10 ppm.
6. Capacitor eletrolítico sólido, caracterizado pelo fato de que o capacitor eletrolítico sólido apresenta um anodo de acordo com a reivindica- ção 4 ou 5, com uma capacidade específica de 70.000 a 150.000 ocFV/g e uma corrente residual específica de menos que 1 nA/ocFV.
BRPI0516563-6A 2004-10-08 2005-09-24 Pó de tântalo para a produção de capacitadores eletrolíticos sólidos, anodo de capacitor eletrolítico sólido e capacitor eletrolítico sólido BRPI0516563B1 (pt)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004049040.6 2004-10-08
DE102004049040A DE102004049040B4 (de) 2004-10-08 2004-10-08 Verfahren zur Herstellung von Festelektrolytkondensatoren
PCT/EP2005/010361 WO2006037497A1 (de) 2004-10-08 2005-09-24 Tantalpulver zur herstellung von festelektrolytkondensatoren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BRPI0516563A BRPI0516563A (pt) 2008-09-09
BRPI0516563B1 true BRPI0516563B1 (pt) 2014-03-11

Family

ID=35645881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BRPI0516563-6A BRPI0516563B1 (pt) 2004-10-08 2005-09-24 Pó de tântalo para a produção de capacitadores eletrolíticos sólidos, anodo de capacitor eletrolítico sólido e capacitor eletrolítico sólido

Country Status (17)

Country Link
US (1) US7898794B2 (pt)
EP (1) EP1843868B1 (pt)
JP (2) JP5150256B2 (pt)
KR (1) KR101285491B1 (pt)
CN (1) CN101035640B (pt)
AT (1) ATE517707T1 (pt)
AU (1) AU2005291557B2 (pt)
BR (1) BRPI0516563B1 (pt)
DE (1) DE102004049040B4 (pt)
IL (2) IL203658A (pt)
MX (1) MX2007003962A (pt)
PT (1) PT1843868E (pt)
RU (1) RU2414990C2 (pt)
SV (1) SV2006002260A (pt)
TW (1) TWI386263B (pt)
WO (1) WO2006037497A1 (pt)
ZA (1) ZA200702885B (pt)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2450669B (en) * 2006-05-05 2012-03-21 Cabot Corp Tantalam powder and methods of manufacturing same
DE102008026304A1 (de) * 2008-06-02 2009-12-03 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom
US9548163B2 (en) 2012-07-19 2017-01-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages
DE102013213728A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Nichtionisches Tensid zur Verwendung in einem festen Elektrolyten eines Elektrolytkondensators
DE102013213723A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität
DE102013213720A1 (de) 2012-07-19 2014-01-23 Avx Corporation Temperaturstabiler Festelektrolytkondensator
GB2512480B (en) 2013-03-13 2018-05-30 Avx Corp Solid electrolytic capacitor for use in extreme conditions
DE102013206603A1 (de) * 2013-04-12 2014-10-16 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von sauerstoffarmen Ventilmetallsinterkörpern mit hoher Oberfläche
WO2015081508A1 (zh) * 2013-12-04 2015-06-11 宁夏东方钽业股份有限公司 一种超高比容钽粉末的团化方法及由该方法制备的钽粉
AT14301U1 (de) * 2014-07-09 2015-07-15 Plansee Se Verfahren zur Herstellung eines Bauteils
CN104209512B (zh) * 2014-09-05 2018-01-16 宁夏东方钽业股份有限公司 一种中压钽粉及其制备方法
US10290430B2 (en) 2014-11-24 2019-05-14 Avx Corporation Wet Electrolytic Capacitor for an Implantable Medical Device
RU2740582C1 (ru) * 2020-07-21 2021-01-15 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет" Способ изготовления анодов танталового конденсатора
CN116148296B (zh) * 2023-04-19 2023-08-25 中国科学院过程工程研究所 含金属固体物料自动化xrf检测集成装置的检测方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3825802A (en) * 1973-03-12 1974-07-23 Western Electric Co Solid capacitor
US4009007A (en) * 1975-07-14 1977-02-22 Fansteel Inc. Tantalum powder and method of making the same
US5217526A (en) * 1991-05-31 1993-06-08 Cabot Corporation Fibrous tantalum and capacitors made therefrom
US5448447A (en) * 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
US5954856A (en) * 1996-04-25 1999-09-21 Cabot Corporation Method of making tantalum metal powder with controlled size distribution and products made therefrom
EP0964936B1 (de) * 1997-02-19 2001-10-04 H.C. Starck GmbH & Co. KG Tantal-pulver, verfahren zu seiner herstellung, sowie daraus erhältliche sinteranoden
WO1998037249A1 (de) * 1997-02-19 1998-08-27 H.C. Starck Gmbh & Co. Kg Tantalpulver, verfahren zu seiner herstellung, sowie daraus erhältliche sinteranoden
US6171363B1 (en) * 1998-05-06 2001-01-09 H. C. Starck, Inc. Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium
CN1069564C (zh) * 1998-07-07 2001-08-15 宁夏有色金属冶炼厂 钽粉末的制造方法
DE19847012A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2001148326A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd タンタル固体電解コンデンサの製造方法および製造装置
JP3806567B2 (ja) * 2000-01-17 2006-08-09 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサの製造方法及び製造装置
JP2002060803A (ja) * 2000-08-10 2002-02-28 Showa Kyabotto Super Metal Kk 電解コンデンサ用タンタル焼結体の製造方法
US6611421B2 (en) * 2000-09-08 2003-08-26 Avx Corporation Non-polarized tantalum capacitor and capacitor array
CN1169643C (zh) * 2001-09-29 2004-10-06 宁夏东方钽业股份有限公司 高比表面积钽粉和/或铌粉的制备方法
US6791821B1 (en) * 2001-10-16 2004-09-14 Yosemite Investment, Inc. Tantalum-carbon hybrid capacitor with activated carbon
DE10307716B4 (de) * 2002-03-12 2021-11-18 Taniobis Gmbh Ventilmetall-Pulver und Verfahren zu deren Herstellung
JP2007511667A (ja) * 2003-06-10 2007-05-10 キャボット コーポレイション タンタル粉末およびその製造方法
RU2236930C1 (ru) * 2003-06-24 2004-09-27 Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра РАН Способ получения легированного порошка вентильного металла
US7116548B2 (en) * 2004-04-23 2006-10-03 Kemet Electronics Corporation Fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same
US6952339B1 (en) * 2004-05-13 2005-10-04 Todd Knowles Tantalum capacitor case with increased volumetric efficiency

Also Published As

Publication number Publication date
CN101035640B (zh) 2011-05-25
TW200626260A (en) 2006-08-01
EP1843868A1 (de) 2007-10-17
KR101285491B1 (ko) 2013-07-12
DE102004049040A1 (de) 2006-04-13
JP5193341B2 (ja) 2013-05-08
PT1843868E (pt) 2011-09-19
CN101035640A (zh) 2007-09-12
EP1843868B1 (de) 2011-07-27
RU2414990C2 (ru) 2011-03-27
WO2006037497A1 (de) 2006-04-13
BRPI0516563A (pt) 2008-09-09
IL182216A0 (en) 2007-09-20
ATE517707T1 (de) 2011-08-15
TWI386263B (zh) 2013-02-21
IL203658A (en) 2012-12-31
MX2007003962A (es) 2008-03-13
SV2006002260A (es) 2006-06-26
RU2007116851A (ru) 2008-11-20
DE102004049040B4 (de) 2008-11-27
KR20070053369A (ko) 2007-05-23
ZA200702885B (en) 2008-08-27
AU2005291557A1 (en) 2006-04-13
JP5150256B2 (ja) 2013-02-20
JP2008516432A (ja) 2008-05-15
US20080094779A1 (en) 2008-04-24
US7898794B2 (en) 2011-03-01
AU2005291557B2 (en) 2010-07-29
JP2012019223A (ja) 2012-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2405659C2 (ru) Способ получения порошков клапанных металлов
US6689187B2 (en) Tantalum powder for capacitors
JP7432927B2 (ja) 球状粉末含有陽極及びコンデンサ
JP5193341B2 (ja) 固体電解質コンデンサを製造するためのタンタル粉末
TWI463510B (zh) 閥金屬或閥金屬氧化物黏聚物粉末及其製造方法、電容器陽極體、電容器陽極、電容器及其用途
JP5233001B2 (ja) ニオブ粉末及びタンタル粉末の製造方法
KR102317632B1 (ko) 큰 표면적을 갖는 저 산소 밸브 금속 소결체 제조 방법
US9607770B2 (en) Method for producing capacitor
JP4527332B2 (ja) ニオブ粉、その焼結体およびそれを使用したコンデンサ
WO2002013998A1 (en) Method for manufacturing tantalum sintered object for electrolytic capacitor
PT1505611E (pt) Método para a produção de condensadores
US10329644B2 (en) Ta—Nb alloy powder and anode element for solid electrolytic capacitor
JP4986272B2 (ja) ニオブ粉、その焼結体及びコンデンサ
HK1218434B (zh) 制造具有大表面积的低氧阀金属烧结体的方法

Legal Events

Date Code Title Description
B07A Application suspended after technical examination (opinion) [chapter 7.1 patent gazette]
B06A Patent application procedure suspended [chapter 6.1 patent gazette]
B09A Decision: intention to grant [chapter 9.1 patent gazette]
B16A Patent or certificate of addition of invention granted [chapter 16.1 patent gazette]

Free format text: PRAZO DE VALIDADE: 20 (VINTE) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 24/09/2005, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS.

B25A Requested transfer of rights approved
B25A Requested transfer of rights approved
B25D Requested change of name of applicant approved
B25G Requested change of headquarter approved
B21A Patent or certificate of addition expired [chapter 21.1 patent gazette]

Free format text: PATENTE EXTINTA EM 24/09/2025.