BRPI0609103A2

BRPI0609103A2 - revestimento de baixa emissividade com baixo coeficiente de aquecimento solar e propriedades quìmicas e mecánicas otimizadas, e processo de produção do mesmo

Info

Publication number: BRPI0609103A2
Application number: BRPI0609103-2A
Authority: BR
Inventors: Dominique Coster; Peter Alan Maschwitz; Daniel Decroupet
Original assignee: Agc Flat Glass Na Inc
Priority date: 2005-05-12
Filing date: 2006-05-11
Publication date: 2010-02-17
Also published as: JP2008540320A; KR101335169B1; KR101386806B1; EP1881893B1; CN101237990B; CA2608172C; MY150131A; AU2006247708A1; KR20130080870A; CN101237990A; NZ564166A; US20070281171A1; CA2608172A1; MX2007014164A; US7659002B2; KR20080015002A; WO2006124503A2; JP5405106B2; WO2006124503A3; EP1881893A4

Abstract

REVESTIMENTO DE BAIXA EMISSIVIDADE COM BAIXO COEFICIENTE DE AQUECIMENTO SOLAR E PROPRIEDADES QUìMICAS E MECáNICAS OTIMIZADAS, E PROCESSO DE PRODUçãO DO MESMO. A presente invenção refere-se a pilhas de baixa emissividade, compreendendo pelo menos uma camada absorvente, as ditas pilhas sendo caracterizadas por um baixo coeficiente de ganho térmico solar (SHGC), uma estética otimizada, durabilidades mecânica e química e uma tolerância para recozimento ou reforço térmico. Além do mais, a invenção proporciona revestimentos de baixa emissividade compreendendo, na ordem, externamente ao substrato: uma primeira camada dielétrica; uma primeira camada de Ag; uma primeira camada de barreira; uma primeira camada absorvente; uma segunda camada dielétrica; uma segunda camada de Ag; uma segunda camada absorvente; uma terceira camada dielétrica; e opcionaímente, uma camada de revestimento de topo, e processos para depositar tais revestimentos em substratos.

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "REVESTI-MENTO DE BAIXA EMISSIVIDADE COM BAIXO COEFICIENTE DE A-QUECIMENTO SOLAR E PROPRIEDADES QUÍMICAS E MECÂNICASOTIMIZADAS, E PROCESSO DE PRODUÇÃO DO MESMO".

Este pedido de patente reivindica o benefício do pedido de pa-

tente provisório U.S. 60/680.008, depositado em 12 de maio de 2005, pedidode patente provisório U.S. 60/736.876, depositado em 16 de novembro de2005 e pedido de-patente-provisório U;Sr 60/750.782, depositado em 16 dedezembro de 2005, todos sendo aqui incorporados por referência nas suas

totalidades no presente pedido de patente.Campo da Invenção

A presente invenção refere-se, de uma maneira geral, a revesti-mentos de baixa emissividade ("baixa-e") e, mais particularmente, a revesti-mentos com baixo coeficiente de ganho térmico solar (SHGC)("baixo-g") e

durabilidade mecânica e química mantida ou otimizada.Antecedentes da Invenção

Todas as patentes dos Estados Unidos aqui citadas são assimincorporadas por referência nas suas totalidades. No caso de conflito, o pre-sente relatório descritivo, incluindo as definições, vai servir de controle.

Os revestimentos de controle solar em painéis ou substratos

transparentes são projetados para permitir a passagem de luz visível, en-quanto bloqueando a radiação infravermelha (IR). Revestimentos de baixaemissividade, alta transmitância visível em, por exemplo, vidro arquitetônicoe janelas de automóveis podem acarretar economias substanciais nos cus-

tos associados com o controle ambiental, tais como os custos de aqueci-mento e resfriamento.

De uma maneira geral, os revestimentos que proporcionam altatransmitância visível e baixa emissividade são constituídos de uma pilha, queinclui, tipicamente, um substrato transparente e um revestimento óptico. A pi- lha inclui uma ou mais camadas metálicas finas, com alta refletância a IR ebaixa transmissividade, dispostas entre as camadas dielétricas anti-reflexivas.Esses sistemas refletem calor radiante e proporcionam isolamento de frio,bem como de radiação solar. A maior parte das pilhas de baixa-e em usoatualmente é baseada em dielétricos transparentes. Em geral, a espessuradas camadas dieletricas são ajustadas para reduzir as refletância interna eexterna, de modo que a transmitância de luz é alta (> 60%). As camadas metálicas reflexivas a IR podem ser virtualmente qualquer metal reflexivo, talcomo prata, cobre ou ouro. A prata (Ag) é mais freqüentemente usada paraessa aplicação, devido à sua cor relativamente neutra. As camadas dieletri-cas anti-reflexivas são geralmente de material transparente selecionado paraotimizar a transmitância visível.

Os revestimentos de baixa emissividade convencionais geral-

mente procuram manter a reflexão relativamente constante pelo espectrovisível, de modo que o revestimento tenha uma "cor neutra", isto é, seja es-sencialmente incolor. No entanto, os revestimentos de baixa emissividadeconvencionais falham em proporcionar os extremos de cor refletida necessá-

rios por razões estéticas e outras para certas aplicações.

Para obter as propriedades desejadas em um substrato revesti-do, a composição e a espessura de cada uma das camadas de um revesti-mento multicamada devem ser selecionadas cuidadosamente. Por exemplo,a espessura de uma camada reflexiva a IR, tal como de Ag, deve ser sele-

cionada cuidadosamente. É bem-conhecido que a emissividade de uma ca-. mada de Ag tende a diminuir com a diminuição da resistência da Ag em fo-lha. Desse modo, para obter uma camada de prata de baixa emissividade, aresistência da prata em folha deve ser a mais baixa possível. No entanto,aumentando-se a espessura da camada de prata, vai-se também provocar a

diminuição da transmissão visível e pode provocar o aparecimento de cores,que são geralmente indesejáveis. Seria desejável que fosse possível aumen-tar a transmissão visível por diminuição da espessura da camada de prata,sem aumentar a resistência da folha e a emissividade.

Camadas metálicas transparentes, finas de prata são suscetíveis

a corrosão, quando são colocadas em contato, sob condições de umidadeou a úmido, com vários agentes corrosivos, tais como cloretos, sulfetos, dió-xido de enxofre e similares transportados na atmosfera. Para proteger ascamadas de prata, várias camadas de barreira podem ser depositadas naprata. No entanto, a proteção proporcionada pelas camadas de barreira con-vencionais é freqüentemente inadequada.

Vidro revestido é usado em várias aplicações, nas quais o reves- timento é exposto a temperaturas elevadas. Por exemplo, os revestimentosem janelas de vidro em fornos de cozinha autolimpantes são repetidamenteexpostos a temperaturas de cozimento de 120 - 230°C, com freqüentes ex-cursões-a,- por exemplo, 480°C, durante os ciclos de limpeza. Além disso,quando vidro revestido é temperador ou encurvado, o revestimento é aque- cido juntamente com o vidro a temperaturas da ordem de 600°C e acima, porperíodos de tempo de até vários minutos. Esses tratamentos térmicos po-dem provocar deterioração irreversível das propriedades ópticas dos reves-timentos de prata. Essa deterioração pode resultar da oxidação da Ag pelooxigênio que se difunde pelas camadas acima e abaixo da prata. A deterio- ração por também resultar da reação da prata com íons de metais alcalinos,tal como sódio (Na+), migrando do vidro. A difusão do oxigênio ou dos íonsde metais alcalinos pode ser facilitada e amplificada pela deterioração oumodificação estrutural das camadas dielétricas acima e abaixo da prata. Osrevestimentos devem ser capazes de suportar essas temperaturas elevadas.

No entanto, os revestimentos multicamada conhecidos previamente, empre-gando prata com um filme reflexivo a radiação infravermelha, não podemfreqüentemente suportar essas temperaturas sem alguma deterioração dofilme de prata.

Os revestimentos de baixa emissividade são descritos nas pa- tentes U.S. 4.749.397 e 4.995.895. Os revestimentos de baixa emissividadedepositados a vácuo, contendo prata, são atualmente vendidos no mercadode fenestragem.

A patente U.S. 4.995.895 descreve o uso de metais oxidáveis,como revestimentos de topo de redução de nebulosidade, para proteger os revestimentos de baixa-e temperáveis. Essa patente é dirigida a métodos deredução de nebulosidade resultantes da exposição a temperaturas acima de600°C.Revestimentos de metais, ligas metálicas e óxidos metálicos têmsido aplicados a revestimentos de prata de baixa emissividade, para aperfei-çoar as propriedades do objeto revestido. A patente U.S. 4.995.895 descreveuma camada de metal ou liga metálica, que é depositada como a camada mais externa das camadas totais aplicadas a uma base de vidro. A camadade metal ou liga metálica é oxidada e age como um revestimento anti-reflexivo. A patente U.S. 4.749.397 descreve um método no qual uma cama-da~de~oxido metálico é"~depositada comova camada~anti-reflexiva. O ensan-duichamento da camada de prata entre as camadas anti-reflexivas otimiza a transmissão de luz.

Infelizmente, os revestimentos ópticos são freqüentemente dani-ficados durante transporte e manuseio, incluindo por risco ou por exposiçãoa meios corrosivos. Os revestimentos de baixa emissividade à base de pratasão particularmente suscetíveis a problemas de corrosão. A maior parte das pilhas de baixa emissividade atuais fazem uso de camadas de barreira emalgum lugar na ou sobre a pilha de camadas de baixa emissividade, parareduzir esses problemas. As barreiras finas funcionam para reduzir a corro-. são de camadas de prata de vapor d'água, oxigênio ou outros fluidos. Algu-mas reduzem o dano de risco físico da pilha de baixa emissividade, em vir- tude das suas dureza ou por abaixamento do atrito se elas formam a cama-. da externa.

Para áreas subdesérticas, bem como para as regiões com umaintensa incidência solar, os atuais produtos de baixa emissividade, altatransmitância já provocam vantagens, mas as cargas térmica e de luz são25 ainda altas para maximizar o conforto térmico e visual dentro de casas eprédios, nos quais esses produtos de baixa emissividade são usados.

Umas poucas pilhas de baixa emissividade, com transmitânciade luz mais baixa, são disponíveis, mas esses produtos apresentam usual-mente pelo menos das seguintes deficiências: alta refletância, que os tornam de menor apelo estético, ou um alto coeficiente de sombra, que os tornaminadequados para controle de carga térmica.

Muito poucos produtos de baixa emissividade comercialmentedisponíveis combinam as propriedades ópticas e o coeficiente de sombradesejados. Esses ainda requerem modificações adicionais para torná-losideais para processamento e produção. Além disso, esses revestimentos debaixa emissividade são revestimentos macios, que requerem uma atenção extra durante armazenamento e processamento em uma unidade de vidroisolante. É desejável aperfeiçoar as atuais durabilidades mecânica e químicadesses revestimentos.

----------- A produção de diferentes projetos-de pilhas no mesmo aparelho

revestidor pode apresentar, freqüentemente, um problema, porque os requi-

sitos de ajuste não são sempre compatíveis entre os diferentes projetos. Se-ria desejável proporcionar diferentes revestimentos, que possam ser produ-zidos simultaneamente em um aparelho revestidor, sem requerer tempo deparada e modificação da disposição do aparelho revestidor.

Além do mais, por razões de segurança, mais vidro está sendo

atualmente tratado termicamente, para aumentar a sua resistência mecânicae evitar a laceração em caso de quebra. Isso é especialmente verdade paraprodutos de baixo SHGC. O aumento em absorção de energia do revesti-mento aumenta a tensão térmica potencial na luz, quando parte dele é ex-posta à radiação solar e parte fica na sombra. Os revestimentos de baixa

emissividade típicos não são projetados para suportar reforço ou temperatérmico. Essas condições podem danificar completamente o revestimento,destruindo o seu apelo estético, tornando-se, desse modo, inútil.

A PPG produziu um produto de baixo SHGC disponível no mer-cado, mas que é caracterizado por uma refletância a luz significativamente

alta (consultar base de dados LBL Windows5). Além do mais, é de entendi-mento por parte do requerente que esse produto pode ser difícil de manuse-ar, por causa da sua tendência a risco. O pedido de patente da PPG, o pedi-do de patente internacional WO 03/020656/A1, descreve a produção de re-vestimentos caracterizados por um SHGC abaixo de 0,38 (isto é, 38%), mas

tendo uma reflexão a luz excedendo 20%, resultando em uma aparência deespelho, que é inadequada para muitas aplicações.

O pedido de patente da Cardinal, CA 2 248 860, descreve umrevestimento com um baixo SHGC e com características de apelo estético.Não há qualquer referência às suas durabilidades química e mecânica, mas,significativamente, o pedido de patente não se refere a uma camada duplado tipo NiCrOx/NiCr, cuja camada é benéfica para a durabilidade do revesti- mento. Além do mais, o uso de oxido de zinco, como um material dielétricoprimário, dificulta ou impossibilita a tempera do revestimento.

O pedido da Guardian, o pedido de patente internacional WO2003/042-1227-se refere-à-süblimação catódica de produtos temperáveis deprata duplos com barreiras múltiplas. No entanto, apenas os revestimentos

com alta transmitância de luz são descritos.

O pedido da Guardian, o pedido de patente internacional WO02/062717, se refere a revestimentos de baixa transmitância de luz, que sãocaracterizados pela capacidade de tempera. No entanto, apenas revestimen-tos de prata únicos com SHGC superior a 0,40 são exemplificados.

O pedido da St. Gobain, o pedido de patente internacional WO

03/0100105, se refere a pilhas incluindo a seguinte seqüência: dielétri-co/camada absorvente (metálica, eventualmente nitrificada)/Ag/dielétrico. A. presença de uma camada metálica sob a de prata tende a diminuir a nuclea-ção da prata. Também diminui a durabilidade mecânica da pilha.

O pedido da St. Gobain, o pedido de patente internacional WO

. 02/48065, descreve o uso de materiais absorventes em uma pilha de baixaemissividade, para controlar a transmitância de luz. O pedido de patente fo-caliza a blindagem da camada absorvente entre dois dielétricos. Isso é in-tencionado para aperfeiçoar a estabilidade térmica da pilha durante o trata-

mento térmico. Não obstante se ou não o local da camada absorvente, cir-cundada por material dielétrico, proporciona algumas vantagens na garantiada estabilidade térmica, essa configuração é inconveniente e resulta emprodução ineficiente. A sublimação catódica da camada absorvente vai serafetada pela "interferência do gás" dentro do aparelho revestidor. Isso torna

a natureza da camada absorvente menos controlável e estabilidade de longoprazo questionável. Por exemplo, se uma camada de TiN absorvente for su-blimada catodicamente depois em uma zona de revestimento de dielétrico, oTiN vai ser contaminado por oxigênio. A camada de TiN vai ser então menosabsorvente. Esses problemas podem ser abordados por aperfeiçoamento doisolamento de gás de cada zona de revestimento, mas esse processo é dis-pendioso e indesejável para a produção de outros revestimentos de baixa emissividade no mesmo aparelho revestidor.

A patente da CPFilms, patente U.S. 6.007.901, se refere a sis-temas de camadas à base de barreiras metálicas duplas.

-Persiste, desse-modo,-uma-necessidade para pilhas de revesti-mento de baixa emissividade (e processos para produzi-las), que superem

os vários problemas observados na técnica anterior. Em particular, há umanecessidade para pilhas de baixa emissividade tendo um baixo coeficientede ganho térmico solar, cujas pilhas apresentam um apelo estético mantidoou maior, e durabilidade mecânica e/ou química, e que pode ser temperadorou reforçado termicamente, se desejado. Além do mais, há uma necessida-

de para pilhas que possam ser aplicadas sem necessidade para um apare-lho revestidos incomum, específico.Sumário da Invenção

Para superar os problemas associados com os revestimentos debaixa emissividade da técnica anterior, a presente invenção proporciona re-

vestimentos aperfeiçoados que têm um baixo coeficiente de ganho térmicosolar (isto é, pilhas de baixo g), são de apelo estético, e apresentam durabi-lidades química e mecânica iguais ou melhores do que as pilhas de baixaemissividade típicas. Além do mais, a invenção proporciona produtos quesão compatíveis com os processos produtivos usuais. Em particular, por e-

xemplo, a mudança de um aparelho revestidor usual para um aparelho re-vestidor de baixo G não vai requerer ventilação ou outra variação na disposi-ção dele. Além do mais, os substratos de vidro revestidos de acordo com ainvenção podem ser surpreendentemente temperados ou reforçados termi-camente, sem que essa tempera ou reforço térmico provoque degradação

nas camadas da pilha, ou nas qualidades ópticas do substrato revestido, ouprovoque outras dificuldades tipicamente observadas quando esses proces-sos são usados em conjunto com os revestimentos de baixa emissividade.A presente invenção supera as desvantagens observadas natécnica por meio da introdução de pelo menos uma camada absorvente finaem uma pilha de baixa emissividade. A introdução de material absorventediminui a transmitância de luz global, sem aumentar a refletância de luz. Es- sa maior refletância de luz é freqüentemente um problema, particularmentequando ocorre em uma vidraça voltada para a parte interna de um prédio.

A seleção adequada de material absorvente também permite~~que~se controle a-cor de transmitância do vidro revestido. A camada absor-vente é, preferivelmente, inserida entre a barreira protegendo a camada de prata e os dielétricos. Conseqüentemente, em um aspecto, a invenção pro-porciona um revestimento de baixa emissividade em um substrato, o reves-timento compreendendo, em ordem a partir do substrato: uma primeira ca-mada dielétrica; uma primeira camada de Ag; uma primeira camada de bar-reira; uma primeira camada absorvente; uma segunda camada dielétrica; uma segunda camada de Ag;

uma segunda camada absorvente; uma terceira camada dielétrica; e op-cionalmente, uma camada de revestimento de topo,

em que a primeira camada absorvente ou a segunda camadaabsorvente é opcional, isto é, as camadas absorventes não são necessárias. A invenção também proporciona revestimentos como descritos acima, mas. que têm uma única camada de Ag, em vez de duas ou mais camadas de Ag.Os revestimentos da presente invenção são formados por deposição porsublimação catódica por magnétron.Breve Descrição dos Desenhos A figura 1 ilustra uma concretização de uma pilha de baixa emis-

sividade de apelo estético, apresentando baixo SHGC e durabilidades me-cânica e/ou química otimizadas, de acordo com a presente invenção.

A figura 2 ilustra uma concretização alternativa de uma pilha debaixa emissividade de apelo estético, apresentando baixo SHGC e durabili- dades mecânica e/ou química otimizada, que inclui camadas de nucleaçãopara aperfeiçoar as propriedades das camadas de Ag, de acordo com a pre-sente invenção.A figura 3 ilustra uma outra concretização de uma pilha de baixaemissividade de apelo estético, apresentando baixo SHGC e durabilidadesmecânica e/ou química otimizadas, de acordo com a presente invenção.

A figura 4 ilustra mais uma outra concretização de uma pilha de baixa emissividade de apelo estético, apresentando baixo SHGC e durabili-dades mecânica e/ou química otimizadas, de acordo com a presente inven-ção.

~A figura 5ilustra uma concretizaçãode uma pilha de baixa emis-sividade, para uso em um veículo automotivo ou outro, incluindo dois subs- tratos de vidro, uma camada de PVB, e um revestimento de acordo com apresente invenção.

As figuras 6A e 6B ilustram dados de constante óptica para osmateriais típicos adequados para uso como materiais absorventes de baixog, de acordo com a invenção. A figura 6A proporciona dados relativos ao índice de retração (n), e a figura 6B proporciona dados relativos ao coeficien-te de extinção (k).

A figura 7 proporciona dados gráficos ilustrando o índice de re-tração e os coeficientes de extinção para duas estequiometrias de SiAIOxNy.

A figura 8 proporciona dados gráficos ilustrando os valores de n e k preferidos para SiAIOxNy em pilhas de baixa emissividade, de acordocom a invenção.

A figura 9 ilustra uma concretização alternativa de uma pilha debaixa emissividade de apelo estético, apresentando baixo SHGC e durabili-dades mecânica e/ou química otimizadas, de acordo com a presente inven- ção.

A figura 10 ilustra uma outra concretização de uma pilha de bai-xa emissividade de apelo estético, apresentando baixo SHGC e durabilida-des mecânica e/ou química otimizadas, de acordo com a presente invenção.Descrição Detalhada da Invenção Na descrição detalhada apresentada a seguir, faz-se referência

a várias concretizações específicas, nas quais a invenção pode ser pratica-da. Essas concretizações são descritas com detalhes suficientes para permi-tir que aqueles versados na técnica pratiquem a invenção, e deve-se enten-der que outras concretizações podem ser empregadas, e que variações lógi-cas e estruturais podem ser feitas sem que se afaste do espírito ou âmbitoda presente invenção. A presente invenção proporciona revestimentos aperfeiçoados

que produzem pilhas de baixa emissividade, que têm um baixo coeficientede ganho térmico solar (SHGC), são de apelo estético e apresentam durabi-lidades química e mecânicas iguais ou melhores do que as pilhas de baixaemissividade. Além do mais, a invenção proporciona produtos que são com-

patíveis com os processos produtivos padrão. Em particular, por exemplo, amudança de um aparelho revestidor padrão para um aparelho revestidor debaixo g não vai requerer ventilação ou outra mudança na disposição do apa-relho revestidor. Além do mais, substratos de vidro revestidos de acordo comas concretizações da invenção podem ser, surpreendentemente, tempera-

dos ou reforçados termicamente, sem as deficiências notadas tipicamente,quando esses processos são usados em conjunto com revestimentos debaixa emissividade.

A presente invenção atinge as propriedades desejadas pela in-trodução de pelo menos uma camada absorvente fina na pilha de baixa e-

missividade. A introdução do material absorvente diminuiu a transmitância, de luz global, sem aumentar a refletância de luz. A maior refletância é pro-blemática, particularmente quando ocorre em uma vidraça voltada para aparte interna de um prédio. A tolerância para a tempera pode ser otimizadapor ajuste da espessura do dielétrico, ou das camadas absorventes, ou da

natureza das camadas absorventes.

Em um aspecto, a invenção proporciona uma pilha de baixa e-missividade, incluindo um revestimento em um substrato, o revestimentocompreendendo pelo menos uma camada absorvente. A pilha de baixa e-missividade é caracterizada por um coeficiente dé ganho térmico solar

(SHGC) que é inferior a cerca de 0,34, de preferência, inferior a cerca de0,30. Em várias concretizações, a pilha tem uma transmitância de luz decerca de 42% a cerca de 46%. Durante a tempera, a transmitância aumentapor cerca de 1%. Em concretizações adicionais, a pilha tem uma cor detransmitância com um a* negativo e um b* negativo.

Em outro aspecto, a presente invenção proporciona um revesti-mento de baixa emissividade em um substrato, o revestimento compreen- dendo, em ordem para fora a partir do substrato: uma primeira camada dielé-trica; uma primeira camada de Ag; uma primeira camada de barreira; umaprimeira camada absorvente; uma segunda camada dielétrica; uma segundacamada de Ag; uma segunda camada absorvente; uma terceira camada die-létrica; e opcionalmente, uma camada de revestimento de topo. A primei-

ra camada absorvente ou a segunda camada absorvente é opcional, isto é,duas dessas camadas absorventes não são necessárias. Uma segunda ca-mada de barreira, entre a segunda camada de Ag e a segunda camada ab-sorvente, pode estar presente. O substrato é de preferência vidro. Nas con-cretizações preferidas, as duas camadas de Ag são bem equilibradas, com

uma razão de Ag1/Ag2 igual ou superior a cerca de 80%. No entanto, emconcretizações alternativas, a razão pode ser tão baixa quanto 50%. Com ascamadas de Ag equilibradas, são proporcionadas várias vantagens, em par-ticular, de um ponto de vista de processo. Em virtude dos dois alvos se des-gastarem a aproximadamente a mesma razão, a duração de uma campanha

pode ser maximizada. Quando a segunda Ag é muito mais espessa do que aprimeira, por exemplo, o aparelho revestidor deve ser ventilado cedo nacampanha, o que tem um forte impacto negativo no custo de produção. Ainvenção também proporciona revestimentos como descrito acima, mas ten-do uma única camada de Ag, em vez de duas ou mais camadas de Ag.

A camada absorvente é preferivelmente inserida entre a barreira

protegendo a camada de Ag e o dielétrico. O material absorvente pode inclu-ir um metal, uma liga, um siliceto, um oxido absorvente, um metal cinzentoabsorvente, um nitreto, ou qualquer outro material adequado que atinge oefeito desejado. Os materiais preferidos incluem, sem limitação, Ti, TiN, Si,

NiCr, NiCrOx, Cr, Zr, Mo, W e ZrSi, ligas de níquel ou cromo, e metais detransição, nitretos, subnitretos e seus subóxidos, bem como silicetos e alu-minídeos. Nas concretizações temperáveis e não temperadas, o materialabsorvente compreende NiCr. Nas concretizações que não são temperadas,o Ti funciona bem como um material absorvente.

A seleção adequada de material absorvente também permiteque uma pessoa versada na técnica controle a cor de transmitância do vidro revestido. Uma cor neutra (a* e b* negativos e bem equilibrados são preferi-dos - o requisito mínimo sendo um valor de a* negativo e um valor de b*que é inferior a +2, para transmitância e refletância lateral do vidro) tem mais—apelo do que uma-matiz esverdeada ou amarelada mais forte. Uma transmi-tância neutra é altamente desejável, porque maximiza a cor correta, transmi- tida da unidade de vidro isolada (IGU) alojando o vidro. A presente invençãotambém possibilita a obtenção de uma matiz azulada, se desejável.

Desse modo, verificou-se que certos materiais em projetos debaixo g são capazes de baixar a transmissão de revestimentos de baixa e-missividade e permitir que a cor da pilha seja ajustada nas cores preferidas. No caso de revestimentos temperáveis, os materiais preferidos também sãotermicamente estáveis dentro da pilha de filme fino. Muitos outros materiaispodem ser usados como alternativas para os materiais absorventes indica-, dos acima. Esses materiais são aqueles que podem ser definidos por umafaixa de índices de retração (n) e coeficientes de extinção (k), que são ade- quados para a condução dessa função de abaixamento de transmissão. Em. um projeto de baixo g temperável, a camada absorvente vai ter as proprie-dades ópticas adequadas, bem como propriedades de estabilidade térmicaadicionais.

A patente U.S. 6.416.872, incorporada nesse pedido de patente por referência na sua totalidade, se refere ao uso de um projeto de controlesolar, que contém uma pilha de filme fino do tipo Fabry-Perot (me-tal/dielétrico/metal). Um dos metais é um material refletor de radiação infra-vermelha (prata) e o outro é um material opticamente absorvente. O materialopticamente absorvente é descrito em termos de uma gama de constantes ópticas adequadas. As concretizações preferidas da presente invenção inclu-em, similarmente, as pilhas Fabry-Perot, mas compreendem uma estrutura decamada geral de metal/metal/dielétrico/metal/metal, ou, mais especificamente,metal/absorvente de subóxido fino (barreira)/metal/dielétrico/metal/absorvente de subóxido fino (barreira)/metal. Em cada um desses casos, um metal do par metal/metal é de preferência um metal de reflexão de radiação infravermelha e o outro é de preferência um material absorvente metálico. O materi-5 al absorvente metálico de baixo g pode ser descrito por faixas de constantes ópticas similares àquelas apresentadas na patente U.S. 6.416.872. As constantes ópticas para os materiais típicos, opticamente adequados como ab--sorventes de baixo g, são representados-graficamente nas figuras 6A e 6B. Com base nos dados apresentados na figura 6A, a faixa de índices de refra-

ção preferida, a um comprimento de onda de 550 nm, é de cerca de 1 a cerca de 5,5, para os absorventes metálicos apresentados. Com base nos dados apresentados na figura 6B, a faixa de coeficientes de extinção, a um comprimento de onda de 550 nm, é de cerca de 1,75 a cerca de 4,5, para os absorventes metálicos apresentados. Um parâmetro adicional, que pode ser

usado para ajudar a definir a gama de materiais adequados, é aquele de uma representação gráfica delhdice, que tem uma inclinação positiva a 550 nm. Essa característica vai distinguir os materiais metálicos dos subóxidos e nitretos, que, quando representados graficamente de modo similar, têm uma inclinação negativa a 550 nm.

Em uma concretização preferida da invenção, a camada absor-

vente é introduzida em um local muito específico na pilha. Isso é para otimizar as outras propriedades que são importantes para a produção e o processamento do vidro revestido, particularmente, a durabilidade global e a facilidade de produção.

Cada uma das camadas absorventes tem, de preferência, uma

espessura de cerca de 0,1 nm a cerca de 8 nm. Se duas camadas absorventes são incluídas, a primeira camada absorvente é, de preferência, mais espessa do que a segunda camada absorvente. A primeira camada absorvente tem uma espessura de cerca de 1 nm a cerca de 6 nm, particularmente, 1,5

nm a cerca de 4 nm. A segunda camada absorvente tem, de preferência, uma espessura de cerca de 0,1 nm a cerca de 5 nm, particularmente, cerca de 0,1 nm a cerca de 4 nm. Em uma concretização alternativa, a primeiracamada absorvente tem uma espessura de cerca de 3 nm. Em outra concretização alternativa, a segunda camada absorvente tem uma espessura de cerca de 0,5 nm. Em outra concretização alternativa, a primeira camada absorvente tem uma espessura de cerca de 3,6 nm. Em outra concretização 5 alternativa, a segunda camada absorvente tem uma espessura de cerca de 0,1 nm.

Nas concretizações preferidas, cada uma das camadas dielétri-cas compreende independentemente um oxido, um nitreto ou um oxinitreto. Quando uma camada dielétrica compreende um oxido, o oxido é preferivel-

mente sublimado catodicamente de um alvo de Ti, Zn, Sn, liga ZnSn ou Bi. O oxido pode compreender Nb205. O oxido pode compreender até cerca de 20% em peso, de preferência, até cerca de 10% em peso de um elemento, tal como Al ou B, ou um elemento similar a esses. Esses dopantes são co-mumente usados para produzir alvos do aparelho revestidor de silício condu-

tores. Quando uma camada dielétrica compreende um nitreto ou um oxinitreto, o nitreto ou um oxinitreto pode ser um nitreto ou oxinitreto de Si, SiAI, SiB, SiZr, ou outro nitreto ou oxinitreto adequado, que atinge o efeito desejado. Similarmente, o nitreto ou oxinitreto pode compreender até cerca de 20% em peso, de preferência, até cerca de 10% em peso de um elemento, tal

como Al ou B, ou um elemento similar a esses, para a produção do alvo do . aparelho revestidor condutor.

Nas concretizações preferidas que empregam três dielétricos primários, como ilustrado nas, por exemplo, figuras 1 e 3, pelo menos uma das camadas dielétricas está em um estado subestequiométrico. Particular-

mente, todos os três desses dielétricos (por exemplo, SiAIOxNy), estão em um estado subestequiométrico. Várias vantagens podem ser obtidas usando essas camadas subestequiométricas. Por exemplo:

1. A taxa de deposição de alvos de sublimação catódica de SiAI é mais alta se a química superficial do alvo for subestequiométrica. O rendi-

mento da sublimação catódica para uma superfície rica em silício é mais alto do que para uma superfície compreendida de mais silício nitretado. A maior taxa de deposição é vantajosa para a operação de um aparelho revestidor avelocidades mais altas, o que é mais econômico.

2. O índice mais alto dos nitretos subestequiométricos permitem que as camadas dielétricas que têm uma espessura física menor para a mesma espessura óptica. Menos material alvo é consumido quando cama-

das subestequiométricas são depositadas, e novamente isso permite que o aparelho revestidor seja operado mais eficientemente.

3. O índice mais alto propicia uma maior flexibilidade nas características ópticas no projeto de pilha-de baixa e. As cores desejáveis para transmissão e reflexão podem ser mais facilmente obtidas por uso de dielé-

tricôs de índices mais altos, que podem ser obtidos por uso de materiais es-tequiométricos de índices mais baixos.

4. As camadas subestequiométricas tendem a ter melhores propriedades de barreira química do que os dielétricos estequiométricos. Isso propicia uma pilha de baixa e resistente a corrosão e mais quimicamente

estável. As substâncias químicas corrosivas são menos prováveis de atingir as camadas de prata vulneráveis.

5. A absorção óptica dos dielétricos subestequiométricos ajuda a reduzir a transmissão e aumentar o coeficiente de ganho térmico solar da pilha de baixo g. Os dielétricos subestequiométricos tendem a ser optica-

mente absorventes na região visível e mais transparentes na região infravermelha. Desse modo, esses materiais reduzem a transmissão visível, mas não tendem a interferir com as propriedades reflexivas à radiação infravermelha das camadas de prata.

As camadas absorventes metálicas são opticamente absorven-

tes em ambas as regiões visível e infravermelha. Quando materiais metálicos são usados para reduzir a transmissão em um produto de baixo g, ambas a transmissão na região visível e a reflexão infravermelha são reduzidas. É desejável que os produtos de baixa e tenham uma reflexão infravermelha mais alta possível.

Essas vantagens tendem a ocorrer para óxidos, oxinitretos e ni-

tretos subestequiométricos, que podem ser usados em uma pilha de baixa e.

A razão de silício para alumínio usada nos dielétricos preferidosnessas pilhas de baixo g é 10% em peso de Al. Outras razões de Si:AI podem ser usadas. Em algumas concretizações, a razão atômica de Si, O e N é aproximadamente SÍ40o,4N5. O dielétrico de oxinitreto de silício de topo tem uma função básica como uma camada de interferência óptica, que contribui 5 para a anti-reflexão da prata. O material é selecionado, no entanto, em parte pelas suas propriedades de barreira e dureza. Contribui para a proteção da prata, tanto mecânica quanto quimicamente.

A figura 7 ilustra os índices e os coeficientes de extinção para oxinitreto de silício. Os índices e os coeficientes de extinção representados

graficamente mostram duas estequiometrias de SiAIOxNy. Essas representam os limites inferior e superior da estequiometria de SiAIOxNy aproximados, que vão ser usados para revestimentos de baixo g. A estequiometria para as concretizações preferidas vão tipicamente cair entre esses dois extremos. A figura 8 ilustra os valores n & k preferidos aproximados para SiA-

lOxNy em pilhas de baixo g.

Nas concretizações preferidas, os dielétricos têm índices de retração de 550 nm, que são entre cerca de 2,05 e cerca de 2,4, particularmente, entre cerca de 2,1 e cerca de 2,3. Nas concretizações preferidas, os dielétricos têm coeficientes de extinção a 550 nm, que são entre cerca de 0

e cerca de 0,05, particularmente, entre cerca de 0,01 e cerca de 0,02.

Em uma concretização preferida, o revestimento compreende ainda uma camada de nucleação entre a primeira camada dielétrica e a primeira camada de Ag. Em uma concretização alternativa, o revestimento compreende ainda uma segunda camada de nucleação, entre a segunda

camada dielétrica e a segunda camada de Ag. As camadas de nucleação aperfeiçoam as propriedades da camada de Ag, e são, tipicamente, à base de oxido de Zn, com até cerca de 15% em peso de outros elementos, tais como, sem limitação, Al, Sn ou uma combinação deles. Nas concretizações preferidas, os alvos de sublimação catódica, usados para depositar ZnO,

contêm, aproximadamente, 1,5% de Al, produzindo camadas que são ZnA-lOx.

A camada de barreira protege a camada de Ag contra o ataquedo plasma, quando da sublimação catódica do dielétrico na parte de topo dela. Também aperfeiçoa a durabilidade química por controle da difusão de espécies agressivas como 02, O, H20 e Na+. Em uma concretização preferida, a barreira é transparente. A barreira pode compreender, sem limitação, 5 NiCr, NiCrOx, TiOx, NiCrNxOy, NiCrNx, Ti ou outro metal ou metais, ou seus subnitretos e subóxidos. Uma barreira preferida é NiCrOx. Nessas camadas, particularmente, na primeira camada de NiCrOx (isto é, de fundo), pode compreender aproximadamente 15 a 60 por cento atômico de oxigênio. De preferência, o percentual atômico de oxigênio é de 20 a 55%. A durabilidade 10 térmica para as versões temperáveis desta invenção foi aperfeiçoada, quando a primeira camada de NiCrOx continha cerca de 20 por cento atômico de oxigênio.

O revestimento de topo opcional, se incluído, pode ter um impacto positivo na estabilidade química e/ou mecânica. Pode compreender, sem

limitação, C, SiSn, ZrSi, SiSn02 ou silicetos. Deve-se notar que essa nomenclatura não é intencionada para referir-se à estequiometria ou razão a-tômica dos diferentes elementos. Por exemplo, ZrSi é um material sublimado catodicamente, no qual o %Zr varia de 0 a 100%, e a camada pode ser graduada. Essa camada pode oxidar por aquecimento. O revestimento de topo

tem, tipicamente, uma natureza contrastante comparada com o dielétrico^ subjacente. Se o dielétrico for um oxido, o revestimento de topo é preferi-velmente um dos materiais mencionados acima, ou um nitreto ou um oxini-treto, tal como SiN ou SixAlyNzOc. Alternativamente, quando o dielétrico é um nitreto ou um oxinitreto, o revestimento de topo é selecionado da lista

acima, ou pode ser um oxido (por exemplo, Zr02, ZrSi02, Sn02 ou ZrOxNy, Ti02, ou outra substância similar, mas não limitada às razões estequiométri-cas precisas aqui indicadas). Um revestimento de topo preferido é carbono, e é usado de preferência em um produto temperável durante a produção. Esse revestimento, que vai ser tipicamente sublimado catodicamente, é de

preferência de uma espessura de 4 - 8 nm e queima no processo de tempera.

Em uma concretização alternativa, a invenção proporciona umrevestimento de baixa emissividade em um substrato, o revestimento compreendendo, em ordem para fora a partir do substrato: uma primeira camada dielétrica tendo uma espessura de até cerca de 25 nm, de preferência, até cerca de 23 nm; uma primeira camada de Ag tendo uma espessura de cerca 5 de 8 nm a cerca de 15 nm; uma primeira camada de barreira tendo uma espessura de cerca de 0,1 nm a cerca de 4 nm; uma primeira camada absorvente tendo uma espessura de cerca de 0,2 nm a cerca de 8 nm; uma segunda camada dielétrica tendo uma espessura de cerca de 40 nm a cerca de 75 nm; uma segunda camada de Ag tendo uma espessura de cerca de 8

nm a cerca de 15 nm; opcionalmente, uma segunda camada de barreira tendo uma espessura de cerca de 0,1 nm a cerca de 4 nm; uma segunda camada absorvente tendo uma espessura de cerca de 0,1 nm a cerca de 8 nm; uma terceira camada dielétrica tendo uma espessura de cerca de 10 nm a cerca de 40 nm; e, opcionalmente, uma camada de revestimento de topo.

Em uma outra concretização, o revestimento compreende uma camada de nucleação entre a primeira camada dielétrica e a primeira camada de Ag, a camada de nucleação tendo uma espessura de cerca de 2 nm a cerca de 11 . . nm. Em mais uma outra concretização, o revestimento compreende uma segunda camada de nucleação, entre a segunda camada dielétrica e a se-

gunda camada de Ag, a segunda camada de nucleação tendo uma espessu-. ra de cerca de 2 nm a cerca de 11 nm. Uma pilha tendo uma primeira camada dielétrica, com uma espessura de cerca de 23 nm, é particularmente a-dequada para tempera.

Em mais uma outra concretização, a presente invenção propor-

ciona um revestimento de baixa emissividade em um substrato, o revestimento compreendendo, em ordem para fora do substrato: uma primeira camada dielétrica compreendendo SiAlxNyOw e tendo uma espessura de cerca de 3 nm a cerca de 25 nm; uma primeira camada de nucleação compreendendo ZnAlyOx e tendo uma espessura de cerca de 3 nm a cerca de 11 nm;

uma primeira camada de Ag tendo uma espessura de cerca de 8 nm a cerca de 12 nm; uma primeira camada de barreira compreendendo NiCrOx e tendo uma espessura de cerca de 1 nm a cerca de 4 nm; uma primeira camadaabsorvente compreendendo NiCr e tendo uma espessura de cerca de 1,5 nm a cerca de 4 nm; uma segunda camada dielétrica compreendendo Si-AlxNyOw e tendo uma espessura de cerca de 55 nm a cerca de 75 nm; uma segunda camada de nucleação compreendendo ZnAlyOx e tendo uma es-5 pessura de cerca de 3 nm a cerca de 10 nm; uma segunda camada de Ag tendo uma espessura de cerca de 10 nm a cerca de 15 nm; uma segunda camada de barreira compreendendo NiCrOx e tendo uma espessura de cer-ca-de 2 nm a cerca de 4 nm; uma segunda camada absorvente compreendendo NiCr e tendo uma espessura de cerca de 0,7 nm a cerca de 2,2 nm;

uma terceira camada dielétrica compreendendo SiAlxNyOw e tendo uma espessura de cerca de 24 nm a cerca de 40 nm; e, opcionalmente, uma camada de revestimento de topo. Nas concretizações preferidas, a segunda camada de barreira compreendendo NiCrOx está ausente, de modo que a segunda camada absorvente é depositada diretamente na segunda camada de

Ag. Como uma alternativa ao metal NiCr na segunda camada absorvente, NiCr e Cromo co-sublimados catodicamente, uma bicamada de NiCr/Cr, ou qualquer metal ou liga cinzento absorvente podem ser usados. Outras alternativas incluem, sem limitação, uma liga nicromo compreendendo qualquer razão Ni:Cr, uma camada de NiCr na qual a razão Ni:Cr é graduada, uma

camada de NiCr reagida com nitrogênio para formar NiCrNx, e uma absorvente óptico de camada dupla compreendendo NiCr/NiCr, em que qualquer um dos metais pode estar em qualquer razão de Ni e Cr.

Em uma outra concretização, a presente invenção proporciona, como ilustrado na figura 9, por exemplo, um revestimento de baixa emissivida-

de em um substrato, o revestimento compreendendo, em ordem para fora a partir do substrato: uma primeira camada dielétrica; uma primeira camada de nucleação; uma primeira camada de Ag; uma primeira camada de barreira; uma primeira camada absorvente óptica; uma segunda camada dielétrica; uma segunda camada de nucleação; uma segunda camada de Ag; uma segunda

camada absorvente óptica, uma terceira camada dielétrica; e, opcionalmente, uma camada de revestimento de topo, de preferência, resistente a risco. As espessuras das camadas são como aqui descrito, Em uma concretização pre-ferida, como ilustrado na figura 10, por exemplo, o revestimento compreende, em ordem para fora a partir do substrato: SiAIOxNy/ZnO/Ag/NiCrOx/NiCr metá-Hco/SiAIOxNy/ZnO/Ag/NiCr metálico/SiAIOxNy/revestimento de topo opcional. Portanto, nessa concretização, uma segunda camada absorvente de NiCr 5 metálico é depositada diretamente na segunda camada de Ag. Essa concretização pode ser temperada ou reforçada termicamente, sem que essa tempera ou reforço térmico provoque degradação nas camadas da pilha ou nas -qualidades ópticas do substrato revestido, ou que provoque as outras dificuldades tipicamente notadas quando esses processos são usados em conjun-10 to com revestimentos de baixa emissividade. Além de uma temperabilidade | aperfeiçoada, essa configuração (na qual a segunda camada absorvente é

i depositada diretamente na segunda camada de Ag) apresenta uma durabili-

i

! dade mecânica aperfeiçoada. Notou-se que essa cor aparece ser mais fácil

de ajustar nos pontos de ajuste preferidos com essa concretização. Como 15 uma alternativa para o NiCr metálico na segunda camada absorvente, NiCr e Cromo co-sublimados catodicamente, uma bicamada de NiCr/Cr, ou qualquer metal, ou liga, cinzento absorvente, pode ser usado. Outras alternativas . . incluem, sem limitação, uma liga nicromo compreendendo qualquer razão de Ni:Cr, uma camada de NiCr na qual a razão de Ni:Cr é graduada, uma ca-20 mada de NiCr reagida com nitrogênio para formar NiCrNx, e um absorvente ■ óptico de camada dupla compreendendo NiCr/NiCr, em que qualquer um dos metais pode estar em qualquer razão de Ni e Cr.

A invenção proporciona ainda uma pilha de baixa emissividade compreendendo pelo menos uma camada absorvente, a pilha de baixa e-25 missividade sendo caracterizada por um coeficiente de ganho térmico solar (SHGC) que é inferior a cerca de 0,34, de preferência, inferior a cerca de 0,30. Em concretizações alternativas, a pilha inclui um substrato de vidro tendo uma espessura de cerca de 0,32 cm (1/8 de polegada) e apresentando uma transmitância de luz de cerca de 42% a cerca de 46%. Em concreti-30 zações alternativas, a pilha tem uma cor de transmitância com um a* negativo e um b* negativo.

A invenção proporciona ainda processos de produção de pilhasde baixa emissividade, tendo um baixo SHGC como descrito, os processos incluindo a deposição em um substrato dos revestimentos descritos aqui. As camadas nos revestimentos multicamada da presente invenção podem ser depositados por técnicas de deposição de vapor físico e químico convencio-5 nais. Os detalhes dessas técnicas são bem-conhecidos no ramo e não vão ser aqui repetidos. As técnicas de deposição adequadas incluem processos de sublimação catódica. Os processos de sublimação catódica adequados incluem sublimação catódica em corrente contínua (DC) usando alvos metálicos, e sublimação catódica AC (corrente alternada) e RF (radiofreqüência)

usando alvos metálicos e não metálicos. Todos podem utilizar sublimação catódica por magnétron. A sublimação catódica pode ser em um gás inerte, ou pode ser conduzida, respectivamente, em gás reativo. A pressão de gás total pode ser mantida em uma faixa de 5 x 10"2 a 8 Pa (5 x 10"4 a 8 x 10"2 mbar), de preferência, de 0,1 a 1 Pa (1 x 10"3 a 1 x 10~2 mbar). As voltagens

de sublimação catódica podem ser em uma faixa de 200 a 1.200 V, de preferência, 250 a 1.000 V. As taxas de deposição dinâmica podem ser em uma faixa de 25 a 4.000 mm-mm2/W.s, de preferência, 30 a 700 mm-mm2/W.s. Os aparelhos revestidores produzidos pela Leybold Systems GmbH com os números de modelos Typ A 2540 Z 5 H/13-22 e Typ A 2540 Z 5 H/20-29 são

adequados para deposição por sublimação catódica dos revestimentos multicamada da presente invenção.

Como indicado, as camadas múltiplas de prata no revestimento de baixa emissividade da presente invenção proporcionam uma maior eficiência na reflexão de radiação IR, e um corte mais pronunciado entre os

comprimentos de onda transmitido e refletido do que é possível com uma única camada de prata.

O revestimento multicamada da presente invenção é depositado no e é suportado mecanicamente pelo substrato. A superfície do substrato serve como um modelo para o revestimento e influencia a topografia superfi-

ciai do revestimento. Para maximizar a transmissão de luz visível, de preferência, a superfície do substrato tem uma rugosidade inferior àquela do comprimento de onda de luz. Essa superfície lisa pode ser formada, por e-xemplo, por solidificação de um banho líquido do substrato. O substrato pode ser qualquer material tendo uma emissividade, que pode ser diminuída pelo revestimento multicamada da presente invenção. Para aplicações arquitetônicas e automotivas, o substrato é, de preferência, um material que tem 5 propriedades estruturais superiores e uma absorção mínima nas regiões dos espectros nas regiões do visível e próxima do infravermelho, nas quais a energia solar é concentrada. Quartzo cristalino, sílica fundida, vidro de silica-to de soda - cal e plásticos, por exemplo, policarbonatos e acrilatos, são todos os materiais de substrato preferidos.

Como usada no presente relatório descritivo, a linguagem "de-

positada em" ou "depositado sobre" significa que a substância é, direta ou indiretamente, aplicada acima da camada de referência. Se aplicada indiretamente, uma ou mais camadas podem intervir. Além do mais, a menos que indicado de outro modo, na descrição dos revestimentos da presente inven-

ção, por uso do formato "[substância 1 ]/[substância 2]/[substância 3]/..." ou o formato "uma primeira [substância 1]; uma primeira [substância 2]; uma segunda [substância 1]; uma segunda [substância 2];...", ou similares, quer mencionar que cada substância sucessiva é, direta ou indiretamente, depositada na substância precedente.

Os artigos revestidos de acordo com as diferentes concretiza-

. ções desta invenção podem ser usados no contexto de janelas arquitetônicas (por exemplo, unidades IG), janelas automotivas, ou qualquer outra aplicação adequada. Os artigos revestidos aqui podem ser ou não tratados ter-micamente nas diferentes concretizações desta invenção. A figura 5 ilustra

uma concretização da invenção adequada para uso em uma aplicação de veículo automotivo ou outro tipo de veículo (tal como um pára-brisa ou laminado similar). Na concretização ilustrada, um revestimento de acordo com a presente invenção é incluído em uma pilha, que também compreende dois substratos de vidro e uma camada de poli (vinil butiral) (PVB). O revestimen-

to pode ficar na primeira folha ou na segunda folha, desde que voltado para o PVB.

Certos termos são predominantemente usados na técnica derevestimento de vidro, particularmente quando da definição das propriedades e das características de controle solar de vidro revestido. Esses termos são usados aqui de acordo com os seus significados bem-conhecidos. Por exemplo, como aqui usado: 5 Intensidade de luz de comprimento de onda visível refletida, isto

é, "refletância" é definida por seu percentual e é registrada como Rx Y ou Rx (isto é, o valor RY se refere à refletância fotópica, ou, no caso de TY, trans-mitância fotópica), em que "X" é "G" para o lado do vidro ou "F" para o lado do filme. "Lado do vidro" (por exemplo, "G") significa, como observado do

lado do substrato de vidro oposto, aquele no qual fica o revestimento, enquanto que "lado do filme" (isto é, "F") significa, como observado do lado do substrato, aquele no qual o revestimento reside.

As características de cor são medidas e registradas aqui usando as coordenadas a*, b* CIE LAB 1976 e a escala CIE LAB 1976 (isto é, o dia-

grama a* b* CIE LAB 1976, observador a 10 graus D65), em que: L* é unidades de claridade (CIE 1976); a* é unidades vermelhas-esverdeadas (CIE 1976); e b* é unidades amarelo-azuladas (CIE 1976).

Outras coordenadas similares podem ser usadas equivalente-

mente, tal como pelo subscrito "h", para significar o uso convencional do método (ou unidades) Hunter III.C, observador 10°, ou as coordenadas u*v* CIE LUV. Essas escalas são definidas aqui de acordo com a norma ASTM D-2244-93 ["Standard Test Method for Calculation of Color Differences From Instrumentally Measured Color Coordinates"], 15 de setembro de 1993, co-

mo aumentado pela norma ASTM E-308-95, ["Annual Book of ASTM Stan-dards"], vol. 06.01 ["Standard Method for Computing the Colors of Objects by Using the CIE System"] e/ou como registrado no volume de referência IES LIGHTING HANDBOOK.

Os termos "emissividade" (ou emitância" e "transmitância" são

bem entendidos na técnica e são aqui usados de acordo com os seus significados bem-conhecidos. Desse modo, por exemplo, o termo "transmitância" aqui significa transmitância solar, que é constituída de transmitância de luzvisível (TY de Tvis), transmitância de energia infravermelha (T|R) e transmi-tância de luz ultravioleta (Tuv). A transmitância de energia solar total (TS ou Tsoiar) pode ser caracterizada como uma média ponderada desses outros valores. Com relação a essas transmitâncias, a transmitância visível pode 5 ser caracterizada, para fins arquitetônicos, pelo padrão III. técnica de 10 graus D65; enquanto que a transmitância visível pode ser caracterizada, para fins automotivos, pelo padrão III.A técnica de 2 graus (para essas técnicas, consultar, por exemplo, a norma ASTM E-308-95, aqui incorporada por referência). Para fins de emissividade, uma faixa de radiação infravermelha

particular (isto é, 2.500 - 40.000 nm) é empregada.

"Emissividade" (ou emitância) ("E" ou "e") é uma medida, ou característica, de ambas a absorção e refletância de luz a determinados comprimentos de onda. É usualmente representada pela fórmula: E = 1 - Refletância (nm). Para fins arquitetônicos, os valores de emissividade ficam muito

importantes na denominada "faixa intermediária", algumas vezes também chamada a "faixa distante" do espectro infravermelho, isto é, cerca de 2.500 - 40.000 nm, por exemplo, como especificado pelo programa WINDOW 4.1, , LBL-35298 (1994) por Lawrence Berkeley Laboratories, como referido abaixo. O termo "emissividade", como aqui usado, é assim para referir-se aos

valores de emissividade medidos na faixa infravermelha, como especificado . pelo padrão ASTM E 1585-93, intitulado ["Standard Test Method for Measu-ring and Calculing Emittance of Architectural Fiat Glass Products Using Ra-diometric Measurements"]. Esse padrão, e as suas condições, é aqui incorporado por referência. Nesse padrão, a emissividade é registrada como e-

missividade hemisférica (Eh) e emissividade normal (En).

O acúmulo de dados eficaz para medida desses valores de e-missividade é convencional e pode ser feito por uso, por exemplo, de um espectrofotômetro Beckham modelo 4260 com acessório "VW" (Beckham Scientific Inst. Corp.). Esse espectrofotômetro mede a refletância versus

comprimento de onda, e disso, a emissividade é calculada por uso do padrão ASTM 1585-93 mencionado acima.

O termo RSOiar se refere à refletância de energia solar (aqui ladodo vidro) e é uma média ponderada da refletância IR, refletância visível e refletância UV. Esse termo pode ser calculado de acordo com os bem-conhecidos DIN 410 e ISO 13837 (dezembro de 1998) Tabela 1, pág. 22, para aplicações automotivas, e o padrão ASHRAE 142 conhecido para apli-5 cações arquitetônicas, ambos sendo aqui incorporados por referência.

"Nebulosidade" é definida como se segue. A luz difundida em muitas direções provoca uma perda em contraste. O termo "nebulosidade" é -aqui definido de acordo com o padrão ASTM D 1003, que define a nebulosidade como aquele percentual de luz que ao passar se desvia do feixe inci-

dente maior do que 2,5 graus na média. A "nebulosidade" pode ser aqui medida por um medidor de nebulosidade Byk Gardner (todos os valores de nebulosidade aqui são medidos por esse medidor de nebulosidade e são apresentados como um percentual de luz dispersa).

Outro termo aqui empregado é a "resistência em folha". A resis-

tência em folha (Rs) é um termo bem-conhecido na técnica e é aqui usado de acordo com o seu significado bem-conhecido. É aqui registrado em ohms por unidades quadradas. De um modo geral, esse termo se refere à resistência em ohms para qualquer quadrado de um sistema em camadas em um substrato de vidro para uma corrente elétrica passada pelo sistema de ca-

madas. A resistência em folha é uma indicação de quão bem a camada ou sistema de camadas está refletindo a energia infravermelha, e é, desse modo, freqüentemente usada, juntamente com a emissividade, como uma medida dessa característica. A "resistência em folha" pode ser, por exemplo, medida convenientemente por uso de um ohmímetro de sonda de 4 pontos,

tal como uma sonda de resistividade de 4 pontos distribuível com uma cabeça da Magnetron Instruments Corp., modelo M-800, produzida pela Signato-ne Corp. de Santa Clara, Califórnia.

"Durabilidade química" ou "quimicamente durável" é aqui usada do mesmo modo com o termo da técnica "quimicamente resistente" ou "es-

tabilidade química". A durabilidade química é determinada por um teste de imersão, no qual uma amostra de 5,08 x 12,7 cm (2" x 5") ou 5,08 x 5,08 cm (2" x 2") de um substrato de vidro revestido é imersa em cerca de 500 ml_ deuma solução contendo 4,05% de NaCI e 1,5% de H202, por 20 minutos a cerca de 36°C. A durabilidade química pode ser também determinada pelo teste de Cleveland ou o teste de câmara climática, como apresentado a seguir. Ajuste da Câmara de Cleveland

As amostras são cortadas a 10,16 x 30,48 cm ("4" x 12") ou 15,24 x 30,48 cm (6" x 12") para esse teste. A água é aquecida a 50°C ± 2°C e a temperatura ambiente mantida a 23°C ± 3°C (73°F ± 5°F). As amostras são colocadas no lado do filme abaixo do banho d'água aquecido. Dentro de 10 uns poucos minutos de exposição, as amostras são cobertas com uma camada espessa de água condensada. Na medida em que o tempo passa, as gotas de água alcançam a face da amostra e forma-se, então, uma outra condensação na amostra. A água condensada está presente nas amostras por toda a duração do teste. 15 Ajuste da Câmara Climática

As amostras são cortadas a 10,16 x 15,24 cm (4" x 6") para esse teste. Para o teste de umidade estático, a umidade é mantida a uma umidade relativa (RH) de 98%, enquanto que a temperatura varia entre 45 e 55°C em uma hora. 20 Medidas Conduzidas

As amostras são removidas após 1, 3 e 7 dias de exposição para as medidas. As nebulosidade, emissividade, e reflexão no lado do filme são medidas.

Para calcular o delta de nebulosidade: 25 Delta de nebulosidade = Nebulosidade pós-teste - nebulosidade pré-teste

Para calcular delta E: Delta E = (delta L*A2 + delta a*A2 -r delta b*A2)1/2, em que delta L, a* e b* são medidas pré-teste menos pós-teste.

Para calcular a variação percentual em emissividade, usar essa

fórmula:

Variação em emissividade = (E pós-teste - E pré-teste)/(Evidro - Epré-teste).

A "durabilidade mecânica", como aqui usada é definida pelo se-guinte teste. O teste usa um aparelho de teste de escova Erichsen modelo 494 e um abrasivo Scotch Brite 7448 (produzido de grãos de SiC aderidos a fibras de uma almofada retangular), em que uma escova de peso padrão ou um retentor de escova modificado é usado para reter o abrasivo contra a 5 amostra. 100 - 500 golpes a seco ou a úmido são feitos usando a escova ou o retentor de escova. O dano provocado por risco pode ser medido de três modos: variação em emissividade, nebulosidade e E para refletância do lado do filme. Bons resultados podem ser produzidos usando 200 golpes secos com uma carga de 135 g na amostra. O número de golpes pode ser diminuí-

do ou um abrasivo menos agressivo pode ser usado, se necessário. Essa é uma das vantagens desse teste, dependendo do nível de discriminação necessário entre as amostras, a carga e/ou o número de golpes pode ser ajustado. Um teste mais agressivo pode ser conduzido para melhor classificação. A repetibilidade do teste pode ser checada por condução de amostras

múltiplas no mesmo filme, por um período específico.

Os termos "tratamento térmico", "tratado termicamente" e "tratar termicamente", como aqui usado, significam aquecer o artigo a uma temperatura suficiente para permitir tempera térmica, encurvamento ou reforço térmico do artigo incluindo vidro. Essa definição inclui, por exemplo, aqueci-

mento de um artigo revestido a uma temperatura de pelo menos 593,3°C (1.100°F) (por exemplo, a uma temperatura de cerca de 550°C a 700°C), por um período suficiente para permitir tempera, reforço térmico, ou encurvamento.

O termo "coeficiente de ganho térmico solar" (SHGC)("g") é 25 bem-conhecido na técnica e se refere a uma medida do ganho térmico solar total por um sistema de janela relativo à radiação solar incidente.

A menos que indicado de outro modo, os termos adicionais listados abaixo são intencionados para ter os seguintes significados nesse relatório descritivo. 30 Ag - prata.

Ti02 - dióxido de titânio.

NiCrOx - uma liga ou mistura contendo oxido dé níquel e oxidode cromo; os estados de oxidação podem variar de estequiométrico ou sub-estequiométrico.

NiCr - uma liga ou mistura contendo níquel e cromo.

SiAINx - nitreto de silício e alumínio difundido reativamente; o alvo de sublimação catódica contém tipicamente 2 - 20% em peso de Al; o gás de sublimação catódica é uma mistura de Ar e N2; dependendo da mistura gasosa e do poder de sublimação catódica, o material é mais ou menos absorvente. —

SiAINxOy - Si(N); nitreto de silício e alumínio difundido reativamente; o alvo de sublimação catódica contém tipicamente 2 - 20% em peso de Al; o gás de sublimação catódica é uma mistura de Ar, N2 e 02; dependendo da mistura gasosa e do poder de sublimação catódica, o material é mais ou menos absorvente.

ZnAlyOx - oxido de Zn e alumínio difundido reativamente; o alvo de sublima- ção catódica contém tipicamente 2 - 20% em peso de Al; o gás de sublimação catódica é uma mistura de Ar e 02.

ZnxSnyAlzOw - oxido de zinco, estanho (alumínio difundido) reativamente; o . alvo de sublimação catódica contém tipicamente 2 - 20% em peso de Al; o gás de sublimação catódica é tipicamente uma liga de zinco e estanho com 20 dopagem de Al opcional; a liga de zinco e estanho cobre uma ampla gama ■ de ligas ricas em zinco a ricas em estanho; o gás de difusão é uma mistura de Ar e 02. Zr-zircônio.

revestimento óptico - um ou mais revestimentos aplicados a um substrato, que afetam conjuntamente as propriedades ópticas do substrato.

pilha de baixa e - substrato transparente com um revestimento óptico de baixa emissividade térmica consistindo em uma ou mais camadas, barreira - camada depositada para proteger outra camada durante o processamento; pode proporcionar melhor adesão de camadas superiores; pode ou não estar presente após processamento.

camada - uma espessura de material tendo uma função e composição química ligadas em cada lado por uma interface com outra espessura de mate-rial tendo uma diferente função e/ou composição química; as camadas depositadas podem estar ou não presentes após processamento, devido às reações durante o processamento.

co-sublimação catódica - sublimação catódica simultânea em um substrato 5 de dois ou mais alvos de sublimação catódica separados de dois ou mais diferentes materiais; o revestimento depositado resultante pode consistir em um produto de reação dos diferentes materiais, uma mistura não reagida dos dois materiais-alvo ou ambos.

composto intermetálico - uma determinada fase em um sistema de liga com-

posto de proporções estequiométricas específicas de dois ou mais elementos metálicos; os elementos metálicos são ligados por elétrons ou interstícios, em vez de existirem em uma solução sólida, típica das ligas usuais; os intermetálicos têm, freqüentemente, propriedades significativamente diferentes daquelas dos constituintes elementares, particularmente maior dureza ou

fragilidade; a maior dureza contribui para a resistência a risco superior deles em relação à grande parte dos metais e ligas metálicas usuais, escova - esse termo, como usado no exemplo aqui proporcionado, se refere (a menos que indicado de outro modo) a um teste de durabilidade de esco-vação a úmido, conduzido em um aparelho de teste de escova Erichsen

(modelo 494), usando uma escova de náilon (número de artigo 0068.02.32); a escova pesa 450 gramas; o diâmetro das cerdas individuais é de 0,3 mm; as cerdas são dispostas em grupos com um diâmetro de 4 mm; o teste é conduzido para 1.000 golpes (em que um golpe é igual a um ciclo completo de um movimento para frente e para trás da escova); as amostras são esco-

vadas no lado revestido e submersas em água deionizada durante o procedimento de escovação.

Em várias concretizações, as pilhas de baixa emissividade da presente invenção apresentam as seguintes características independentes: Y transmitida de cerca de 30 a cerca de 60, de preferência, cerca de 35 a

cerca de 55, e, particularmente, cerca de 40 a cerca de 50; um valor de a* transmitido que é negativo, particularmente, cerca de -1 a cerca de -6; de preferência, um valor b* que é negativo, particularmente, cerca de 0 a cercade -6; RgY de cerca de 8 a cerca de 20, particularmente, cerca de 10 a cerca de 18, especialmente, cerca de 11 a cerca de 17; Rga* que é negativo, particularmente, cerca de -1 a cerca de -7; de preferência, um valor de Rgb* que é negativo, particularmente, -1 a cerca de -7; RfY entre cerca de 2 e cerca 5 de 12, particularmente, cerca de 2 a cerca de 10, e, especialmente, cerca de 2 a cerca de 8; Rfa* que é negativo, particularmente, cerca de -2 a cerca de -20; de preferência, um Rfb* de cerca de -10 a cerca de +10, particularmente, cerca de -6 a cerca de +6; e um SHGC de cerca de 0,10 a 0,30, até cerca de 0,34, particularmente, cerca de 0,15 a cerca de 0,28, especialmente, cerca 10 de 0,20 a cerca de 0,25.

Para ilustrar ainda mais a invenção, os seguintes exemplos não limitantes são também proporcionados. Exemplo 1

No presente exemplo, ilustrado na figura 4, um revestimento de 15 baixa emissividade é depositado em um substrato de vidro, para formar uma pilha tendo a seguinte configuração: vidro/óxido de 12 nm/Ag de 10 nm/NiCrOx de 2 nm/NiCr de 4 nm/óxido de 72 nm/Ag de 13 nm/NiCrOx de 2 . nm/óxido de 23 nm/SiN de 7 nm. O oxido pode ser sublimado catodicamente de um alvo de Ti, Zn, Sn, liga de ZnSn, ou Bi. O oxido pode compreender 20 Nb205. O oxido pode compreender até cerca de 20% em peso, de preferên-. cia, até cerca de 10% em peso de um elemento, tal como Al ou B, ou um elemento similar a eles, para tornar condutivo o alvo do aparelho revestidor. O revestimento de topo de SiN é opcional. Esse revestimento exemplificado tem uma cor de transmitância de apelo com a* e b* negativos. O SHGC é 25 abaixo de 0,30. O revestimento tem durabilidades química e mecânica aceitáveis. Exemplo 2

No presente exemplo, um revestimento de baixa emissividade é depositado em um substrato de vidro, para formar uma pilha tendo a seguin-30 te configuração: vidro a cerca de 0,32 cm (1/8 de polegada)/dielétrico de 0 -15 nm/camada de nucleação de 2 - 10 nm/Ag de 8 - 15 nm/barreira de 0,1 -4 nm/camada absorvente de 0,2 - 8 nm/dielétrico de 40 - 75 nm/camada denucleação de 2 - 10 nm/Ag de 8 - 18 nm/barreira de 0,1 - 4 nm/camada absorvente de 0,2 - 8 nm/dielétrico de 10 - 40 nm/revestimento de topo. O die-létrico pode ser um oxido (como no Exemplo 1) ou um nitreto ou oxinitreto de Si, SiAI, SiB, SiZr e pode conter até cerca de 20% em peso, de preferência, 5 até cerca de 10% em peso de um elemento, tal como Al e B, para tornar condutor o alvo do aparelho revestidor. A camada de nucleação aperfeiçoa as propriedades da camada de Ag, e é tipicamente baseada em oxido de Zn com até 15% em peso de outros elementos, tal como Al, Sn ou uma combinação deles. A barreira protege a Ag contra a pilha do plasma, quando da su-

blimação catódica da cobertura de dielétrico. Também aperfeiçoa a durabilidade química por controle da difusão de espécies agressivas, tais como 02l O, H20 e Na+. As barreiras adequadas incluem, sem limitação, NiCr, Ni-CrOx, NiCrNxOy, TiOx, Ti e outros metais.

Como indicado, o revestimento de topo é opcional. Quando in-

cluído, pode ter um impacto positivo nas estabilidades mecânica e químicar Um revestimento de topo adequado inclui, mas não é limitado a, G, ZrSi ou silicetos. Tipicamente, o revestimento de topo tem uma natureza contrastante, comparado com o dielétrico subjacente. Se o dielétrico for um oxido, o

revestimento de topo vai ser um dos materiais descritos acima ou um nitreto ou oxinitreto (por exemplo, SiN ou SixAlyNzOc). Alternativamente, quando o dielétrico é um nitreto ou oxinitreto, o revestimento de topo pode ser vantajosamente um oxido, tal como, sem limitação, Zr02) ZrSi02, Sn02, ZrOxNy ou Ti02.

Exemplo

No presente exemplo, um revestimento de baixa emissividade é depositado em um substrato de vidro, para formar uma pilha tendo a seguinte configuração: vidro a cerca de 0,32 cm (1/8 de polegada)/SiAlxNyOw de 3 - 15 nm/ZnAlyOx de 3 - 10 nm/Ag de 8 - 12 nm/NiCrOx de 1 - 4 nm/NiCr de 30 1,5 - 3,0 nm/SiAIxNyOw de 55 - 65 nm/ZnAlyOx de 3 - 10 nm/NiCrOx de 1 -4 nm/NiCr de 0,7 - 2,2 nm/SiAIxNyOw de 24 - 32 nm/revestimento de topo opcional. O revestimento de topo, se incluído, pode ser selecionado de, masnão é limitado a C de 1 - 5 nm, 1 -10 nm de Zr02, ou ZrSi02. O revestimento no presente exemplo apresenta uma transmitância de luz de cerca de 42 a 46%, medida em uma IGU, um SHGC abaixo de cerca de 0,30, e a cor de transmitância é cinza e pode ser ajustada para uma matiz verde e uma azul. 5 A IGU inclui vidro revestido de 0,32 cm (1/8 de polegada), com o revestimento na posição 2, o vidro claro de 0,32 cm (1/8 de polegada), com um vão de 1,27 cm (1/2 de polegada). O revestimento tem durabilidades mecânica e química aperfeiçoadas. A camada dupla de NiCrOx/NiCr tem um impacto positivo na obtenção das propriedades desejadas. Em virtude da localização 10 específica do NiCr, o revestimento pode ser produzido em um aparelho re-vestidor existente, que é basicamente dedicado a revestimento de baixo e-missividade. Não requer o isolamento específico do alvo de sublimação ca-tódica de NiCr. Um resumo das propriedades observadas nas pilhas exemplificadas acima é proporcionado na tabela abaixo.<table>table see original document page 33</column></row><table> O presente exemplo representa um revestimento não temperado preferido, com dados de espessura, de acordo com a invenção. As espessuras foram medidas com um medidor de perfil DekTak. Na medida das espessuras, uma medida de espessura inicial foi feita em toda a pilha. Subse-20 qüentemente, a camada de topo foi suprimida no aparelho revestidor, e a espessura da pilha menos a camada de topo de SiAIOyNx foi medida. Isso foi repetido com as camadas suprimidas em um momento, até que por fim, apenas o SiAIOyNx de fundo fosse medido. A precisão das medidas é de aproximadamente ± 0,5 nm.CAMADA Espessura da camada individual (nm)<table>table see original document page 34</column></row><table>O presente exemplo representa um revestimento temperável

preferido, que inclui um revestimento de topo de carbono, de acordo com ainvenção. As espessuras foram medidas com um medidor de perfil DekTak,como no Exemplo 4. Nessas medidas, as espessuras do SiAIOxNy de topo edo revestimento de topo de carbono não foram separadas. O carbono é es-timado por ser aproximadamente de uma espessura de 5 nm, tornando, des-se modo, a camada de SiAIOxNy de topo com aproximadamente 33 nm.<table>table see original document page 34</column></row><table>Exemplo 6

A tabela abaixo representa as medidas elétricas e ópticas tiradasdos revestimentos de acordo com a invenção. O produto "baixo g A" é umproduzido recozido, no qual nenhum tratamento térmico foi conduzido. O pro-duto de "baixo g T" é um produto temperável, que inclui uma revestimento detopo de acordo com a invenção. "BB" representa as medidas tiradas antes datempera, e "AB" representa as medidas tiradas após a tempera. "N/A" indicaque nenhuma medida foi obtida durante a geração desse exemplo particular.

<table>table see original document page 35</column></row><table>Exemplo 7 O presente exemplo representa um resumo das especificaçõesdos revestimentos da presente invenção. As propriedades elétricas e ópticasde revestimentos temperaveis e não temperados preferidas, de acordo com a Especificações de cor de incidência normal para revestimentos de baixo g <table>table see original document page 36</column></row><table>As páginas apresentadas a seguir incluem ainda outros exem-plos de pilhas de baixa e, de acordo com a presente invenção. O Exemploconjunto 1 inclui uma variedade de configurações de pilhas, cobrindo umaampla gama de camadas absorventes, bem como diferentes dielétricos, de acordo com a invenção. As espessuras das camadas são apresentadas emnm. O Exemplo conjunto 2 proporciona configurações de pilhas preferidas deacordo com a invenção. O Exemplo conjunto 3 proporciona configurações depilhas preferidas adicionais de acordo com a presente invenção, que sãoparticularmente adequadas para tempera. Os dados incluem as qualidades ópticas medidas antes da tempera (BB -- "antes de cozimento") e após atempera (AB - "após o cozimento"). Como usado nos exemplos conjuntos, a designação "CPA" serefere a um tamanho alvo de sublimação catódica particular. Todas as ca-madas nos projetos experimentais são sublimados catodicamente de alvos de 1 mm de comprimento, a menos que especificado como CPA. Esse alvode sublimação catódica CPA é de um comprimento de 37 cm. "em" se referea emissividade. "Rs" se refere a resistência superficial (isto é, resistência emfolha), medida em ohms por quadrado. Ainda que a presente invenção tenha sido descrita com relação às concretizações específicas, não é limitada aos detalhes específicos apre-sentados, mas inclui várias mudanças e modificações, elas próprias podendoser sugeridas por aqueles versados na técnica, todas caindo dentro do esco-po da invenção, como definido pelas reivindicações apresentadas a seguir.<table>table see original document page 37</column></row><table>Conjunto de exemplo 1 (2ã parte)

<table>table see original document page 38</column></row><table>Conjunto de exemplo 2 (1S parte)

SiN1 ZnAIOx <table>table see original document page 39</column></row><table>5 para um IGU 0,32 cm (1,8") -1/2 - 0,32cm (1/8") - Revestimento na posição 2.Conjunto de exemplo 3 (18 parte)

<table>table see original document page 40</column></row><table><table>table see original document page 41</column></row><table><table>table see original document page 42</column></row><table><table>table see original document page 43</column></row><table>

Claims

REIVINDICAÇÕES

1. Revestimento de baixa emissividade em um substrato, o re-vestimento compreendendo, na ordem, externamente ao substrato:uma primeira camada dielétrica; uma primeira camada de Ag;uma primeira camada de barreira;uma primeira camada absorvente;uma segunda camada dielétrica;uma segunda camada de Ag; uma segunda camada absorvente;uma terceira camada dielétrica; eopcionalmente, uma camada de revestimento de topo,em que a primeira camada absorvente ou a segunda camada absorvente éopcional.

2. Revestimento de acordo com a reivindicação 1, compreen-dendo ainda uma segunda camada de barreira, entre a segunda camada deAg e a segunda camada absorvente.

3. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual pelo menos uma da dita primeira camada dielétrica, dita segunda camada dielétrica ou dita terceira camada dielétrica está no estado. subestequiométrico.

4. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 3, no qual todas da dita primeira camada dielétrica, dita segundacamada dielétrica e dita terceira camada dielétrica estão no estado subeste- quiométrico.

5. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, compreendendo ainda uma primeira camada de nucleação, entrea primeira camada dielétrica e a primeira camada de Ag.

6. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin- dicação 1, compreendendo ainda uma segunda camada de nucleação, entrea segunda camada dielétrica e a segunda camada de Ag.

7. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual a primeira camada absorvente e a segunda camada ab-sorvente compreendem, separadamente, um material selecionado do grupoconsistindo em um metal, uma liga, um siliceto, um oxido absorvente e umnitreto.

8. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual a primeira camada absorvente e a segunda camada ab-sorvente compreendem, separadamente, um material selecionado do grupoconsistindo em Ti, TiN, Si, NiCr, NiCrOx, Cr, Zr, Mo, W e ZrSi.

9. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin- dicação 8, no qual pelo menos uma da primeira camada absorvente e dasegunda camada absorvente compreende NiCr.

10. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 8, no qual pelo menos uma da primeira camada absorvente e dasegunda camada absorvente compreende Cr.

11. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 8, no qual pelo menos uma da primeira camada absorvente e dasegunda camada absorvente compreende NiCr.

12. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual pelo menos uma das primeira e segunda camadas absor- ventes é capaz de baixar a transmissão do revestimento.

13. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 12, no qual pelo menos uma camada absorvente compreende ummaterial que tem um índice de retração, a um comprimento de onda de 550nm, de cerca de 1 a cerca de 5,5.

14. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 12, no qual pelo menos uma camada absorvente compreende ummaterial que tem um coeficiente de extinção, a um comprimento de onda de550 nm, de cerca de 1,75 a cerca de 4,5.

15. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin- dicação 12, no qual pelo menos uma camada absorvente compreende ummaterial que tem uma representação gráfica com uma inclinação positiva a（500 nm, quando o índice de retração é representado contra o comprimento

16. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 12, no qual pelo menos uma camada absorvente compreende ummaterial que tem uma representação gráfica com uma inclinação positiva a500 nm, quando o coeficiente de extinção é representado contra o compri-mento de onda.

17. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual a primeira camada absorvente é mais espessa do que asegunda camada absorvente.

18. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual a primeira camada absorvente tem uma espessura decerca de 0,2 nm a cerca de 8 nm.

19. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 18, no qual a primeira camada absorvente tem uma espessura de cerca de 1 nm a cerca de 6 nm.

20. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 19, no qual a primeira camada absorvente tem uma espessura decerca de 1,5 nm a cerca de 4 nm.

21. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual a.segunda camada absorvente tem uma espessura de cerca de 0,1 nm a cerca de 8 nm.

22. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 21, no qual a segunda camada absorvente tem uma espessura decerca de 0,1 nm a cerca de 5 nm.

23. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 22, no qual a segunda camada absorvente tem uma espessura decerca de 0,1 nm a cerca de 1 nm.

24. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual a primeira camada absorvente tem uma espessura de cerca de 3 nm.

25. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 24, no qual a segunda camada absorvente tem uma espessura decerca de 0,5 nm.

26. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual a primeira camada absorvente tem uma espessura decerca de 3,6 nm.

27. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 26, no qual a segunda camada absorvente tem uma espessura decerca de 0,1 nm.

28. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual todas da primeira camada dieletrica, segunda camada dieletrica e terceira camada dieletrica compreendem, independentemente,um material selecionado de um oxido, nitreto e oxinitreto, ou uma combina-ção deles.

29. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 28, no qual pelo menos uma da primeira camada dieletrica, segunda camada dieletrica e terceira camada dieletrica compreende um oxido.

30. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 29, no qual o oxido é proveniente de sublimação catódica de umalvo de Ti, Zn, Sn, liga Zn-Sn ou Bi.

31. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin- dicação 29, no qual o oxido compreende Nb205.

32. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 30, no qual o oxido compreende até cerca de 20% em peso de umelemento selecionado do grupo consistindo em Al e B.

33. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin- dicação 31, no qual o oxido compreende até cerca de 10% em peso de umelemento selecionado do grupo consistindo em Al e B.

34. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 28, no qual pelo menos uma da primeira camada dieletrica, segundacamada dieletrica e terceira camada dieletrica compreende um nitreto ou oxinitreto.

35. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 34, no qual o nitreto ou oxinitreto é um nitreto ou oxinitreto de Si,SiAI, SiB ou SiZr.

36. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 35, no qual o nitreto ou oxinitreto compreende até cerca de 20% empeso de um elemento selecionado do grupo consistindo em Al e B.

37. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 36, no qual o nitreto ou oxinitreto compreende até cerca de 10% empeso de um elemento selecionado do grupo consistindo em Al e B.

38. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual pelo menos uma da primeira camada dieletrica, segunda camada dieletrica ou terceira camada dieletrica tem um índice de retração,que é entre cerca de 2,05 e cerca de 2,4, a um comprimento de onda de 550nm.

39. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 38, no qual pelo menos uma da primeira camada dieletrica, segunda camada dieletrica ou terceira camada dieletrica tem um índice de retração,que é entre cerca de 2,1 e cerca de 2,3, a um comprimento de onda de 550nm.

40. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual pelo menos uma da primeira camada dieletrica, segunda camada dieletrica ou terceira camada dieletrica tem um coeficiente de extin-. ção, que é entre cerca de 0 e cerca de 0,05, a um comprimento de onda de550 nm.

41. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 40, no qual pelo menos uma da primeira camada dieletrica, segundacamada dieletrica ou terceira camada dieletrica tem um coeficiente de extin-ção, que é entre cerca de 0,01 e cerca de 0,02, a um comprimento de ondade 550 nm.

42. Revestimento de baixa emissividade em um substrato, o re-vestimento compreendendo, na ordem, externamente ao substrato: uma primeira camada dieletrica tendo uma espessura de atécerca de 25 nm;uma primeira camada de Ag tendo uma espessura de cerca de 8nm a cerca de 15 nm;uma primeira camada de barreira tendo uma espessura de cercade 0,1 nm a cerca de 4 nm;uma primeira camada absorvente tendo uma espessura de cerca de 0,2 nm a cerca de 8 nm;uma segunda camada dielétrica tendo uma espessura de cercade 40 nm a cerca de 75 nm;uma segunda camada de Ag tendo uma espessura de cerca de·8 nm a cerca de 15 nm;uma segunda camada absorvente tendo uma espessura de cer-ca de 0,1 nm a cerca de 15 nm;uma terceira camada dielétrica tendo uma espessura de cercade 10 nm a cerca de 40 nm; e opcionalmente, uma camada de revestimento de topo.

43. Revestimento de acordo com a reivindicação 42, compreen-dendo ainda uma segunda camada de barreira, tendo uma espessura decerca de 0,1 nm a cerca de 4 nm, localizada entre a segunda camada de Age a segunda camada absorvente.

44. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 42, compreendendo ainda uma primeira camada de nucleação, en-tre a primeira camada dielétrica e a primeira camada de Ag, a dita primeiracamada de nucleação tendo uma espessura de cerca de 2 nm a cerca de 11nm.

45. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin- dicação 1, compreendendo ainda uma segunda camada de nucleação, entrea segunda camada dielétrica e a segunda camada de Ag, a dita segundacamada de nucleação tendo uma espessura de cerca de 2 nm a cerca de 11nm.

46. Revestimento de baixa emissividade em um substrato, o re-vestimento compreendendo, na ordem, externamente ao substrato:uma primeira camada dielétrica compreendendo SiAlxNyOw etendo uma espessura de cerca de 3 nm a cerca de 30 nm;uma primeira camada de nucleação compreendendo ZnAlyOx etendo uma espessura de cerca de 3 nm a cerca de 11 nm;uma primeira camada de Ag tendo uma espessura de cerca de 8nm a cerca de 12 nm; uma primeira camada de barreira compreendendo NiCrOx e ten-do uma espessura de cerca de 0,8 nm a cerca de 2 nm;uma primeira camada absorvente compreendendo NiCr e tendouma espessura de cerca de 1,5 nm a cerca de 4 nm;uma segunda camada dielétrica compreendendo SiAlxNyOw e tendo uma espessura de cerca de 55 nm a cerca de 75 nm;uma segunda camada de nucleação compreendendo ZnAlyOx etendo uma espessura de cerca de 3 nm a cerca de 10 nm;uma segunda camada de Ag tendo uma espessura de cerca de nm a cerca de 15 nm; uma segunda camada absorvente compreendendo NiCr e tendouma espessura de cerca de 0,1 nm a cerca de 2,2 nm;uma terceira camada dielétrica compreendendo SiAlxNyOw e ten-do uma espessura de cerca de 24 nm a cerca de 40 nm; eopcionalmente, uma camada de revestimento de topo.

47. Revestimento de acordo com a reivindicação 46, compreen-, dendo ainda uma segunda camada de barreira, compreendendo NiCrOx etendo uma espessura de cerca de 2 nm a cerca de 4 nm, localizada entre asegunda camada de Ag e a segunda camada absorvente.

48. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin- dicação 42, no qual a razão de espessuras da primeira camada de Ag/se-gunda camada de Ag é pelo menos cerca de 80%.

49. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 42, no qual a razão de espessuras da primeira camada de Ag/se-gunda camada de Ag é pelo menos cerca de 50%.

50. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 1, no qual o substrato é um vidro.

51. Pilha de baixa emissividade compreendendo pelo menosuma camada absorvente, a dita pilha de baixa emissividade caracterizadapor um baixo coeficiente de ganho térmico solar (SHGC), que é inferior acerca de 0,30.

52. Pilha de baixa emissividade de acordo com a reivindicação 51, em que a dita pilha compreende um substrato de vidro.

53. Pilha de baixa emissividade de acordo com a reivindicação（52, na qual o substrato de vidro tem uma espessura de cerca de 0,32 centí-metro (1/8 de polegada).

54. Pilha de baixa emissividade de acordo com a reivindicação 53, em que a pilha tem uma transmitancia de luz de cerca de 42% a cercade 46%, medida em um IGU.

55. Pilha de baixa emissividade de acordo com a reivindicação（51, em que a dita pilha tem uma cor de transmitancia com um a* negativo eum b* negativo.

56. Pilha de baixa emissividade de acordo com a reivindicação（51, caracterizada por estabilidade mecânica ou química aperfeiçoada.

57. Processo de produção de uma pilha de baixa emissividadetendo um baixo coeficiente de ganho térmico solar (SHGC), o dito processocompreendendo a deposição em um substrato do revestimento como defini- do na reivindicação 1.

58. Processo de acordo com a reivindicação 57, no qual a depo-sição compreende sublimação catòdica por magnétron.

59. Pilha de baixa emissividade compreendendo pelo menosuma camada absorvente, a dita pilha de baixa emissividade tendo as seguin- tes características:um valor Y transmitido de cerca de 30 a cerca de 60;um valor a* transmitido negativo;um RgY de cerca de 8 a cerca de 20;um valor a* Rg negativo; um RfY de cerca de 2 a cerca de 12;um valor a* Rf negativo; eum SHGC de cerca de 0,10 a cerca de 0,30.

60. Pilha de baixa emissividade de acordo com a reivindicação51, caracterizada por uma tolerância para recozimento ou reforço térmico.

61. Pilha de baixa emissividade de acordo com a reivindicação60, na qual as qualidades ópticas da pilha não são deterioradas, seguinte ao recozimento ou reforço térmico.

62. Revestimento de baixa emissividade em um substrato, o re-vestimento compreendendo, na ordem, externamente ao substrato:uma primeira camada dielétrica compreendendo SiAIOxNy;uma primeira camada de nucleação compreendendo ZnAIOx; uma primeira camada de Ag;uma primeira camada de barreira compreendendo NiCrOx;uma primeira camada absorvente compreendendo metal NiCr;uma segunda camada dielétrica compreendendo SiAIOxNy;uma segunda camada de nucleação compreendendo ZnAIOx; uma segunda camada de Ag;uma segunda camada absorvente compreendendo metal NiCr;uma terceira camada dielétrica compreendendo SiAIOxNy; eopcionalmente, uma camada de revestimento de topo.

63. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin- dicação 1, no qual a primeira camada de barreira compreende NiCrOx.

64. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 63, no qual o NiCrOx compreende cerca de 15 a cerca de 60 porcento atômico de oxigênio.

65. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin- dicação 64, no qual o NiCrOx compreende cerca de 20 a cerca de 50 porcento atômico de oxigênio.

66. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 65, no qual o NiCrOx compreende cerca de 20 por cento atômico deoxigênio.

67. Revestimento de baixa emissividade de acordo com a reivin-dicação 2, no qual a segunda camada de barreira compreende NiCrOx.