BRPI0707127A2

BRPI0707127A2 - métodos para fazer estruturas de domìnio de fase segregadas controladas

Info

Publication number: BRPI0707127A2
Application number: BRPI0707127-2A
Authority: BR
Inventors: J. Stanbery Billy
Original assignee: Heliovolt Corporation
Priority date: 2006-01-12
Filing date: 2007-01-12
Publication date: 2011-04-19
Also published as: CA2636791A1; DE602007005092D1; KR20080112199A; CA2636790C; ES2342022T3; CA2637111A1; WO2007082080A1; BRPI0707128A2; EP1974392B1; CA2636790A1; KR101245556B1; WO2007082084A3; EP1977452A1; AU2007204812A1; EP1974392A2; KR101266548B1; AU2007204811B2; CA2637111C; BRPI0707122A2; KR101245555B1

Abstract

MéTODOS PARA FAZER ESTRUTURAS DE DOMìNIO DE FASE SEGREGADAS CONTROLADAS. A presente invenção refere-se a um método que inclui prover um primeiro precursor sobre um primeiro substrato; prover um segundo precursor sobre um segundo substrato; contactar o primeiro precursor e o segundo precursor; reagir o primeiro precursor e o segundo precursor para formar um produto de reação química; e mover o primeiro substrato e o segundo substrato um em relação ao outro para separar o produto de reação química de pelo menos um membro selecionado do grupo que consiste no primeiro substrato e no segundo substrato, caracterizado pelo fato de que, para controlar a formação de uma estrutura de domínio de fase segregada dentro do produto de reação química, um constituinte de pelo menos um membro selecionado do grupo que consiste no primeiro precursor e no segundo precursor é provido em uma quantidade que varia substancialmente regularmente periodicamente de uma quantidade média em relação a uma localização espacial basal.

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "MÉTODOSPARA FAZER ESTRUTURAS DE DOMÍNIO DE FASE SEGREGADASCONTROLADAS".

INFORMAÇÕES FUNDAMENTAISCAMPO DA INVENÇÃO

As modalidades da invenção referem-se genericamente ao campode materiais. Mais especificamente, as modalidades da invenção referem-se amétodos para controlar a formação de uma estrutura de domínio de fase segre-gada dentro de um produto de reação química, composições de matéria queincluem tal estrutura de domínio de fase segregada, e um maquinário que temum relevo de ferramenta complexo para fazer tais composições.

DISCUSSÃO DA TÉCNICA RELATIVA

Os fotovoltaicos baseados em seleneto de cobre índio da técnicaanterior, algumas vezes denominado PV baseado em CIS, são conhecidosdaqueles versados na técnica de células solares. O CuInSe é o material defilme fino mais confiável e de melhor desempenho para gerar eletricidade daluz solar. Uma preocupação com esta tecnologia é que restrições ao supri-mento de material bruto surgirão no futuro conforme a produção de CIS PVaumenta. Por exemplo, o índio não ocorre naturalmente em minérios de altaconcentração. Tipicamente, o índio é obtido de restos descartados de miné-rios de zinco. Conforme a produção de CIS PV aproxima-se da faixa degrande escala de aproximadamente 10 gigawatts/ano para 100 giga-watts/ano, as restrições de suprimento de índio se tornarão evidentes. Estasrestrições de suprimento levarão a custos aumentados. Ainda, conforme aprodução de CIS PV aumenta, outras restrições de suprimento de materialbruto também emergirão. O que é requerido é uma solução que reduza aquantidade de materiais brutos necessária por watt de capacidade de gera-ção em filmes finos de CIS PV.

Uma proposta para reduzir a quantidade de materiais brutos ne-cessária é reduzir a espessura do material de filme fino de CIS PV. O coefi-ciente de absorção inerente do CIS é muito alto (isto é, aproximadamente105 cm'1). Isto significa que a maior parte da energia luminosa incidente po-de ser absorvida com um filme muito fino de CIS. A utilização de um refletorde superfície traseira pode reduzir adicionalmente a espessura necessáriapara absorver a maior parte da energia luminosa incidente. Apesar dos pro-dutos de CIS PV da técnica anterior serem tipicamente de pelo menos apro-ximadamente 2 mícrons de espessura, é importante apreciar que 0,25 mí-crons são teoricamente suficientes para um filme fino de CIS PV localizadosobre um refletor de superfície traseira para absorver a maior parte da ener-gia luminosa incidente. O que é também requerido é uma solução que pro-duza os filmes finos de CIS PV mais finos.

Enquanto isso, a tecnologia de síntese e transferência simultâ-nea assistida de campo foi desenvolvida que é diretamente aplicável à fabri-cação de filmes de CIS PV mais finos. Vários aspectos desta tecnologia desíntese e transferência simultânea assistida de campo (cujos aspectos po-dem ser utilizadas ou não juntamente em combinação) estão descritos nasPatentes U.S. Números 6.736.986; 6.881.647; 6.787.012; 6.559.372;6.500.733; 6.797.874; 6.720.239; e 6.593.213.

Uma vantagem da tecnologia de síntese e transferência simultâ-nea assistida de campo é que esta funciona melhor conforme a pilha de pre-cursor torna-se mais fina. Por exemplo, a pressão de vapor de selênio emuma camada de produto de reação baseado em CIS é uma função da tem-peratura. A pressão necessária para conter o selênio é uma função da tem-peratura requerida para a reação de processo. É importante apreciar que avoltagem, se utilizada, para atingir uma pressão desejada diminui conformea espessura diminui. Como a voltagem requerida é reduzida, as demandasfísicas sobre o sistema (por exemplo, a tensão sobre o dielétrico) diminuem.Portanto, conforme a pilha de precursor é feita mais fina, a voltagem neces-sária para gerar uma dada pressão diminui; o que reduz a tensão sobre odielétrico (por exemplo, uma camada de liberação), por meio disto expandin-do o escopo de materiais que podem ser utilizados como um dielétrico.

Outra vantagem da tecnologia de síntese e transferência simul-tânea assistida de campo é que esta permite uma previsão térmica menor. Aprevisão térmica menor é um resultado da velocidade mais alta da tecnolo-gia de síntese e transferência simultânea assistida de campo comparadacom as propostas alternativas tais como a deposição por vapor (física ouquímica). Além das economias de tempo e de energia providas pela tecnolo-gia de síntese e transferência simultânea assistida de campo, a qualidadedos produtos resultantes pode também ser aperfeiçoada. Por exemplo, nocaso de fabricação de PV baseado em CIS, a previsão térmica menor permi-tida pela utilização da tecnologia de síntese e transferência simultânea assis-tida de campo leva à redução de reações indesejáveis, tal como entre o se-lênio e o molibdênio na interface entre o absorsor de CIS e o contato do me-tal do lado traseiro. A redução desta reação indesejável resulta em um man-chamento reduzido o que por sua vez resulta em uma refletividade de super-fície traseira mais alta.

Recentemente, foi demonstrado que os filmes finos de CIS feitospor técnicas convencionais contém domínios que resultam de flutuações emcomposição química (1"2'5). Uma recombinação indesejável de condutores decarga acontece nos limites entre os nanodomínios dentro de tal absorsor dePV baseado em CIS. Portanto, o que é também requerido é uma soluçãopara controlar, e idealmente otimizar, os limites entre estes nanodomínioscom composições químicas variáveis.

Até o momento, as necessidades de especificações de materiaisbrutos reduzidas, espessura reduzida e limites controlados entre os nanodomí-nios acima referidos não foram totalmente atendidas. O que é, portanto, neces-sário é uma solução que resolva simultaneamente todos estes problemas.SUMÁRIO DA INVENÇÃO

Existe uma necessidade para as modalidades seguintes da in-venção. É claro, a invenção não está limitada a estas modalidades.

De acordo com uma modalidade da invenção, um processocompreende: prover um primeiro precursor sobre um primeiro substrato; pro-ver um segundo precursor sobre um segundo substrato; contactar o primeiroprecursor e o segundo precursor; reagir o primeiro precursor e o segundoprecursor para formar um produto de reação química; e mover o primeirosubstrato e o segundo substrato um em relação ao outro para separar o pro-duto de reação química de pelo menos um membro selecionado do grupoque consiste no primeiro substrato e no segundo substrato, caracterizadopelo fato de que, para controlar a formação de uma estrutura de domínio defase segregada dentro do produto de reação química, um constituinte depelo menos um membro selecionado do grupo que consiste no primeiro pre-cursor e no segundo precursor é provido em uma quantidade que varia subs-tancialmente regularmente periodicamente de uma quantidade média emrelação a uma localização espacial basal.

De acordo com outra modalidade da presente invenção, umamáquina compreende: um primeiro substrato; e um segundo substrato aco-plado no primeiro substrato, caracterizada pelo fato de que, para controlar aformação de uma estrutura de domínio de fase segregada dentro de um pro-duto de reação química pelo controle de uma quantidade de um constituintede um precursor que está presente por área de superfície unitária, pelo me·nos um membro selecionado do grupo que consiste no primeiro substrato eno segundo substrato define um relevo substancialmente regularmente peri-odicamente variável em relação a uma localização espacial basal.

De acordo com outra modalidade da invenção, uma composiçãode matéria compreende: um produto de reação química que define uma pri-meira superfície e uma segunda superfície, caracterizada pelo fato de que oproduto de reação química inclui uma estrutura de domínio de fase segrega-da que inclui uma pluralidade de estruturas de domínio, em que pelo menosuma da pluralidade de estruturas de domínio inclui pelo menos um domínioque estende-se de uma primeira superfície do produto de reação químicapara uma segunda superfície do produto de reação química.

Estas e outras modalidades da invenção serão melhor aprecia-das e compreendidas quando consideradas em conjunto com a descriçãoseguinte e os desenhos acompanhantes. Deve ser compreendido, no entan-to, que a seguinte descrição, apesar de indicar várias modalidades da inven-ção e seus numerosos detalhes específicos, é dada por meio de ilustração enão de limitação. Muitas substituições, modificações, adições e/ou redisposi-ções podem ser feitas dentro do escopo de uma modalidade da invençãosem afastar-se do seu espírito, e as modalidades da invenção incluem todastais substituições, modificações, adições e/ou redisposições.

BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS

Os desenhos que acompanham e formam parte desta especifi-cação estão incluídos para apresentar certas modalidades da invenção. Umaconcepção mais clara de modalidades da invenção, e dos componentescombináveis com, e operação de sistemas providos com, as modalidades dainvenção, ficarão mais prontamente aparentes referindo às modalidades e-xemplares, e portanto não limitantes, ilustradas nos desenhos, em que osnúmeros de referência idênticos (se estes ocorrerem em mais do que umavista) designam os mesmos elementos. As modalidades da invenção podemser melhor compreendidas por referência a um ou mais destes desenhos emcombinação com a descrição aqui apresentada. Deve ser notado que as ca-racterísticas ilustradas nos desenhos não estão necessariamente desenha-das em escala.

Figuras 1A-1C são vistas em elevação de pares de substratosonde pelo menos um de cada par define um relevo substancialmente regu-larmente periodicamente variável em relação a uma localização espacial ba-sal, que representa uma modalidade da invenção.

Figuras 2A-2C são vistas em elevação de pares de substratosonde pelo menos um de cada par carrega um constituinte de um precursorem uma quantidade que substancialmente regularmente periodicamente va-ria de uma quantidade média em relação à localização espacial basal.

Figuras 3A-3D são vistas planas de estruturas de domínio defase segregada que incluem uma rede hexagonal de domínio de fase segre-gada, que representa uma modalidade da invenção.

Figuras 3E-3H são vistas planas de estruturas de domínio defase segregada que incluem uma rede ortogonal de domínio de fase segre-gada, que representa uma modalidade da invenção.

Figuras 4A-4C são vistas em elevação esquemática de um pro-cesso para controlar a formação de uma estrutura de domínio de fase se-gregada que utiliza um contato de superfície traseira que define um relevo (eintensidade de campo elétrico) substancialmente regularmente periodica-mente variável em relação à localização espacial basal, que representa umamodalidade da invenção.

Figuras 5A-5C são vistas em elevação esquemática de um pro-cesso para controlar a formação de uma estrutura de domínio de fase se-gregada que utiliza uma ferramenta que define uma intensidade de campoelétrico substancialmente regularmente periodicamente variável em relaçãoà localização espacial basal, que representa uma modalidade da invenção.

Figuras 6A-6C são vistas em elevação esquemática de um pro-cesso para controlar a formação de uma estrutura de domínio de fase se-gregada que utiliza uma ferramenta e um contato de superfície traseira am-bos os quais definem um relevo substancialmente regularmente periodica-mente variável em relação à localização espacial basal, que representa umamodalidade da invenção.

Figuras 6D-6F são vistas em elevação esquemática de um pro-cesso para controlar a formação de uma estrutura de domínio de fase se-gregada que utiliza um contato de superfície traseira a qual define um relevosubstancialmente regularmente periodicamente variável em relação à locali-zação espacial basal, que representa uma modalidade da invenção.

Figuras 7A-7C são vistas esquemáticas de uma estrutura dedomínio hexagonal, que representa uma modalidade da invenção.

DESCRIÇÃO DAS MODALIDADES PREFERIDAS

As modalidades da invenção e suas várias características e de-talhes vantajosos estão explicadas mais completamente com referência àsmodalidades não Iimitantes que estão ilustradas nos desenhos acompanhan-tes e detalhadas na descrição seguinte. As descrições de materiais de parti-da, técnicas de processamento, componentes e equipamentos bem conhe-cidos são omitidas de modo a não obscurecer desnecessariamente as mo-dalidades da invenção em detalhes. Deve ser compreendido, no entanto,que a descrição detalhada e os exemplos específicos, apesar de indicaremas modalidades preferidas da invenção, são dados como ilustração somentee não como limitação. Várias substituições, modificações, adições e/ou re-disposições dentro do espírito e/ou escopo do conceito inventivo subjacenteficarão aparentes para aqueles versados na técnica desta descrição.

Dentro deste pedido diversas publicações estão referenciadaspor números Arábicos, ou o nome do autor principal seguido pelo ano depublicação, dentro de parênteses ou colchetes. Citações completas destas,e outras, publicações podem ser encontradas no final da especificação ime-diatamente precedente às reivindicações após o cabeçalho de seção Refe-rências. As descrições de todas estas publicações em suas totalidades estãopor meio disto aqui expressamente incorporadas por referência para o pro-pósito de indicar os fundamentos de modalidades da invenção e ilustrar amelhor técnica moderna.

O presente pedido contém uma descrição que está também con-tida na Patente copendente U.S. Número de Série 11/331.431 (protocolo deprocuração número HELE1180-1) depositado em 12 de Janeiro de 2006; eU.S. Número de Série 11/330.905 (protocolo de procuração número HE-LE1180-2) depositado em 12 de Janeiro de 2006, o conteúdo inteiro ambasas quais está por meio disto aqui expressamente incorporado por referênciapara todos os propósitos. As Patentes U.S. abaixo referenciadas descrevemmodalidades que são úteis para os propósitos para os quais estas estãodestinadas. O conteúdo inteiro das Patentes U.S. Números 6.736.986;6.881.647; 6.787.012; 6.559.372; 6.500.733; 6.797.874; 6.720.239;6.593.213; e 6.313.479 está por meio disto aqui expressamente incorporadopor referência para todos os propósitos.

O contexto da invenção pode incluir controlar a formação deuma estrutura de domínio de fase segregada dentro de um produto de rea-ção química. O contexto da invenção pode incluir um maquinário para con-trolar a formação de uma estrutura de domínio de fase segregada pelo con-trole de uma quantidade de um constituinte de um precursor que está pre-sente por área de superfície unitária. O contexto da invenção pode incluir umproduto de reação química que inclui uma estrutura de domínio de fase se-gregada que inclui uma pluralidade de estruturas de domínio.

A estrutura de domínio de fase segregada inclui uma pluralidadede estruturas de domínio. A invenção pode incluir estruturas de domínio quedefinem redes dé percolação. A invenção pode incluir estruturas de domínioque minimizam o comprimento de percurso requerido para o coletamento decondutor de carga (por exemplo, domínios colunares). Pelo menos uma dapluralidade de estruturas de domínio pode incluir pelo menos um domínioque estende-se de uma primeira superfície do produto de reação químicapara uma segunda superfície do produto de reação química. A invenção po-de incluir estruturas de domínio que minimizam a área de superfície de limite(por exemplo, domínios colunares circulares) e/ou minimizam a superfície delimite ao longo de direções de percurso preferidas (por exemplo, domínioscolunares circulares estriados). A invenção pode incluir a utilização de sódiopara tornar os limites entre as estruturas de domínio menos dispersas (istoé, mais discretas).

A invenção pode incluir uma escala de comprimento característi-co para o tamanho (intradomínio) dos domínios (por exemplo, "r" para raiointerno). A invenção pode incluir uma escala de comprimento característicopara o tamanho (intradomínio) da(s) separação(ões) entre os domínios (porexemplo, "d" para distância centro a centro). Pela variação da razão do ta-manho de domínio característico para a separação de domínio característi-ca, a invenção permite um controle de um volume relativo de dois (ou mais)/ domínios. Pela variação dos valores característicos absolutos, a invençãopermite o controle da razão de volume de junção para o volume livre decampo bruto em dois (ou mais) domínios de fase. A invenção pode incluircontrolar o espaçamento dos domínios para controlar uma razão de domí-nios e/ou fases em relação ao volume ou outro parâmetro.

A invenção pode incluir uma distribuição de tamanho caracterís-tico dos domínios. As modalidades da invenção podem ser caracterizadaspor uma distribuição de tamanho estreito de "r" (isto é, monomodal). Por e-xemplo, as modalidades da invenção podem ser caracterizadas por uma dis-tribuição de tamanho na qual 80% das instâncias de um domínio são carac-terizadas por um tamanho que está dentro de 20% (mais ou menos) de umvalor escalar r. Pode ser vantajoso se 90% das instâncias de um domínioforem caracterizadas por um tamanho que está dentro de 10% (mais ou me-nos) de um valor escalar "r". Alternativamente, as modalidades da invençãopodem ser caracterizadas por uma pluralidade de distribuições de tamanhoestreito de "r" (isto é, multimodal). As modalidades preferidas da invençãoevitam as distribuições de tamanho randômico (por exemplo, de "r").

A invenção pode incluir estruturas de domínio de um tamanhoque é de aproximadamente 1 nm a aproximadamente 1 μιτι, de preferênciade aproximadamente 5 nm a aproximadamente 100 nm. A invenção podeincluir estruturas de domínio que repetem sobre múltiplos de um parâmetrode treliça de célula unitária cristalográfica de aproximadamente 1 nm a apro-ximadamente 200 nm, de preferência de aproximadamente 5 nm a aproxi-madamente 50 nm. Apesar de tudo, é importante apreciar que o tamanhoexato (magnitude) dos domínios não é importante.

A invenção pode incluir uma distribuição de tamanho caracterís-tico das separações de domínio. As modalidades da invenção podem sercaracterizadas por uma distribuição de tamanho estreito de "d" (isto é, mo-nomodal). Por exemplo, ás modalidades da invenção podem ser caracteri-zadas por uma distribuição de separação na qual 80% das instâncias de umdomínio são caracterizadas por uma separação que está dentro de 20%(mais ou menos) de um múltiplo inteiro de um valor escalar d. Pode ser van-tajoso se 90% das instâncias de um domínio forem caracterizadas por umaseparação que está dentro de 10% (mais ou menos) de um múltiplo inteirode um valor escalar "d". Alternativamente, as modalidades da invenção po-dem ser caracterizadas por uma pluralidade de distribuições de separaçãoestreita de "d" (isto é, multimodal). As modalidades preferidas da invençãoevitam as distribuições de separação randômica (por exemplo, de "d").

A invenção pode incluir estruturas de domínio que repetem (es-tão espaçadas) sobre um período de aproximadamente 1 nm a aproxima-damente 1 μηι, de preferência de aproximadamente 5 nm a aproximadamen-te 100 nm. A invenção pode incluir estruturas de domínio que repetem sobremúltiplos de um período de aproximadamente 1 nm a aproximadamente 200nm, de preferência de aproximadamente 5 nm a aproximadamente 50 nm.Apesar de tudo, é importante apreciar que o tamanho exato (magnitude)da(s) separação(ões) de domínio não é importante.

A invenção pode incluir estruturas de domínio que definem 6 ve-zes, 4 vezes ou outra simetria, em duas ou três dimensões. No entanto, é irri-portante apreciar que a simetria exata não é importante. A invenção pode incluirestruturas de domínio que definem uma ordem de curto alcance. A invençãopode incluir estruturas de domínio que definem uma ordem de longo alcance.

Referindo às Figuras 7A-7C, a otimização de uma estrutura dedomínio hexagonal com referência à minimização de recombinação total Rnão será descrita. As Figuras 7A-7B referem-se a uma aproximação de pri-meira ordem para minimizar a recombinação total R para uma rede de estru-tura de domínio hexagonal que tem colunas circulares, assumindo que a re-gião de junção interabsorsor é estreita comparada com as dimensões esca-Iares r e d. Referindo às Figuras 7A-7B, um produto de reação química 710que define uma primeira superfície 712 e uma segunda superfície 714 estáacoplado a um contato traseiro 720. O produto de reação química 710 incluiuma estrutura de domínio de fase segregada que inclui uma estrutura dedomínio cilíndrica 701 e uma estrutura de domínio de matriz 702. Neste ca-so, a estrutura de domínio de matriz estende-se da primeira superfície 712do produto de reação química 710 para a segunda superfície 714 do produtode reação química 710.

O volume total de cada célula hexagonal de altura το é dado por((3)1/2d2T0)/2

onde d é o espaçamento de célula para célula hexagonal. A recombinaçãototal R (por célula) é igual à recombinação na região de domínio cilíndricaum Ri mais a recombinação em região de domínio de matriz hexagonal doisR2 mais a recombinação na interface da região um e região dois Ri.

<formula>formula see original document page 11</formula>

A recombinação na região de domínio cilíndrica um é dada por

<formula>formula see original document page 11</formula>

onde pi é a taxa de recombinação bruta na região de domínio cilíndrica um.

A recombinação na região de domínio de matriz hexagonal doisé dada por

<formula>formula see original document page 12</formula>

onde p2 é a taxa de recombinação bruta na região de domínio de matriz he-xagonal dois.

A recombinação na interface entre a região cilíndrica um e a re-gião de domínio de matriz dois é dada por

<formula>formula see original document page 12</formula>

onde σ, é a velocidade de recombinação de superfície de interface (junção).

As taxas de recombinação pi e p2 e a velocidade de recombinação σ, sãopropriedades de materiais que dependem das composições e dos históricosde processamento.

A figura 7C refere-se a uma aproximação de segunda ordempara minimizar a recombinação total R para uma rede de estrutura de domí-nio hexagonal que tem colunas circulares, onde a largura de junção não épequena comparada com r e/ou d. Referindo à figura 7C, a largura de junçãototal é igual à largura de junção de domínio cilíndrica mais a largura de jun-ção de domínio de matriz

<formula>formula see original document page 12</formula>

A recombinação total R (por célula) é igual à recombinação R(por célula) é igual à recombinação na região de domínio livre de campo ci-líndrica um R-i mais a recombinação na região de domínio livre de campo dematriz hexagonal dois R2 mais a recombinação na região de recombinaçãode carga de espaço anular um Rij mais a recombinação na região de re-combinação de carga de espaço anular dois R2j.

<formula>formula see original document page 12</formula>

As seguintes quatro equações para os termos Ri, R2, Rij e R2jsão válidas quando τι > dj. Se τι < dj, então determinar τι = 0. A recombina-ção na região de domínio livre de campo cilíndrica um é dada por

<formula>formula see original document page 12</formula>

onde pi é a taxa de recombinação bruta na região de domínio livre de campocilíndrica um.

A recombinação na região de domínio livre de campo de matrizhexagonal dois é dada por

R2 = p2(((3)1/2d2x0)/2 - (τ0 - T1 + dj)7c(r + d,)2)onde p2 é a taxa de recombinação bruta na região de domínio livre de matrizhexagonal dois.

A recombinação na região de recombinação de carga de espaçoanular é dada por

Rij = pij((tò - Χι) πΓ2 - (το - τι - η)π(Γ - η)2)

onde pij é a taxa de recombinação bruta na região de recombinação de car-ga de espaço anular um. A recombinação na região de recombinação decarga de espaço anular dois é dada por

R2J = p2j((x0 - τι + dj)jc(r + dj)2 - (τ0 - τ^πι-2)

onde p2j é a taxa de recombinação bruta na região de recombinação de car-ga de espaço anular dois. As taxas de recombinação pi, p2, ρ-ij e p2jSão pro-priedades de materiais que dependem das composições e dos históricos deprocessamento.

Referindo às figuras 1A-1C, a invenção pode incluir aumentarsubstancialmente regularmente periodicamente uma quantidade de um pre-cursor por revestimento plano de uma superfície substancialmente regular-mente periodicamente em relevo. Referindo à figura 1A, um primeiro substrato102 inclui uma superfície substancialmente regularmente periodicamente emrelevo 104. Um primeiro precursor 106 está acoplado na superfície substanci-almente regularmente periodicamente em relevo 104. Pode ser apreciado queexiste relativamente mais do primeiro precursor 106 que corresponde a umalocalização espacial basal centrada em uma posição central de célula de rele-vo 108 comparado com uma posição de borda de célula de relevo 110. Umsegundo precursor 114 está acoplado a um segundo substrato 112. O primei-ro substrato 102 e o segundo substrato 112 são móveis um em relação aooutro. Quando o primeiro precursor 106 e o segundo precursor 114 são con-tactados e aquecidos (opcionalmente sob a influência de um campo elétrico) oproduto de reação resultante pode ser composicionalmente rico nos constitu-intes do primeiro precursor em uma localização que corresponde à posiçãocentral de célula de relevo 108, especialmente se a taxa de difusão basal formuito mais baixa do que a taxa de difusão perpendicular.

Referindo à figura 1B, um primeiro precursor 126 está acopladoa um primeiro substrato 122. um segundo substrato 132 inclui uma superfíciesubstancialmente regularmente periodicamente em relevo 124. Um segundoprecursor 134 está acoplado na superfície substancialmente regularmenteperiodicamente em relevo 124. Pode ser apreciado que existe relativamentemais do segundo precursor 134 em uma posição central de célula de relevo138 comparado com uma posição de borda de célula de relevo 130. O pri-meiro substrato 122 e o segundo substrato 132 são móveis um em relaçãoao outro. Quando o primeiro precursor 126 e o segundo precursor 113 sãocontactados e aquecidos (opcionalmente sob a influência de um campo elé-trico) o produto de reação resultante será composicionalmente rico nos cons-tituintes do segundo precursor em uma localização que corresponde à posi-ção central de célula de relevo 138.

Referindo à figura 1C, um primeiro substrato 142 inclui uma super-fície substancialmente regularmente periodicamente em relevo 144. Um primei-ro precursor 146 está acoplado na superfície substancialmente regularmenteperiodicamente em relevo 144. Pode ser apreciado que existe relativamentemais do primeiro precursor 146 em uma posição central de célula de relevo 158comparado com uma posição de borda de célula de relevo 150. Um segundosubstrato 152 inclui uma superfície substancialmente regularmente periodica-mente em relevo 145. Um segundo precursor 154 está acoplado na superfíciesubstancialmente regularmente periodicamente em relevo 145. Pode ser apre-ciado que existe relativamente mais do segundo precursor 154 em uma posiçãocentral de célula de relevo 159 comparado com uma posição de borda de célu-la de relevo 151. O primeiro substrato 142 e o segundo substrato 152 são mó-veis um em relação ao outro. Quando o primeiro precursor 146 e o segundoprecursor 154 são contactados e aquecidos (opcionalmente sob a influência deum campo elétrico) o produto de reação resultante será composicionalmenterico nos constituintes do primeiro precursor em uma localização que correspon-de à posição central de célula de relevo 158 e será composicionalmente riconos constituintes do segundo precursor em uma localização que corresponde àposição central de célula de relevo 159.

Referindo às figuras 2A-2C, a invenção pode incluir aumentarsubstancialmente regularmente periodicamente uma quantidade um precur-sor previamente depositando uma pluralidade de fontes de constituintes queincluem um excesso do constituinte em relação a uma quantidade média.Referindo à figura 2A, um primeiro substrato 202 inclui uma pluralidade defontes de constituintes substancialmente regularmente periodicamente loca-lizadas 204. Um primeiro precursor 208 está acoplado nas fontes 204. Podeser apreciado que existe relativamente mais do primeiro precursor 206 nasposições 208 sem as fontes 204 comparado com as posições 210 com asfontes 204. Um segundo precursor 214 está acoplado a um segundo subs-trato 212. O primeiro substrato 202 e o segundo substrato 212 são móveisem um relação ao outro. Quanto o primeiro precursor 206 e o segundo pre-cursor 214 são contactados e aquecidos (opcionalmente sob a influência deum campo elétrico) o produto de reação resultante será composicionalmenterico nos constituintes do primeiro precursor em localizações que correspon-dem à posição central de célula de relevo 208.

Referindo à figura 2B, um primeiro precursor 226 está acopladoa um primeiro substrato 222. Um segundo substrato 232 inclui uma plurali-dade de fontes de constituintes substancialmente regularmente periodica-mente localizadas 224. Um segundo precursor 234 está acoplado nas fontes224. Pode ser apreciado que existe relativamente mais do segundo precur-sor 234 em uma posição central 238 comparado com as posições de borda230. O primeiro substrato 222 e o segundo substrato 232 são móveis em umrelação ao outro. Quanto o primeiro precursor 226 e o segundo precursor234 são contactados e aquecidos (opcionalmente sob a influência de umcampo elétrico) o produto de reação resultante será composicionalmente riconos constituintes do segundo precursor em uma localização que correspon-de à posição central de célula de relevo 238.

Referindo à figura 2C, um primeiro substrato 242 inclui uma plurali-dade de fontes de constituintes substancialmente regularmente periodicamentelocalizadas 244. Um primeiro precursor 246 está acoplado na pluralidade defontes substancialmente regularmente periodicamente localizadas 244. Podeser apreciado que uma posição de borda 250. O segundo substrato 252 incluiuma pluralidade de fontes substancialmente regularmente periodicamente loca-lizadas 245. Um segundo precursor 254 está acoplado na pluralidade de fontessubstancialmente regularmente periodicamente localizadas 245. Pode ser a -preciado que existe relativamente mais do segundo precursor 254 na posiçãocentral 259 comparado com uma posição de borda 251. O primeiro substrato242 e o segundo substrato 252 são móveis em um relação ao outro. Quanto oprimeiro precursor 246 e o segundo precursor 254 são contactados e aqueci-dos (opcionalmente sob a influência de um campo elétrico) o produto de reaçãoresultante será composicionalmente rico nos constituintes do primeiro precursorem uma localização que corresponde à posição central 258 e será composicio-nalmente rico nos constituintes do segundo precursor em uma localização quecorresponde à posição central 259.

Referindo às figuras 3A-3H, a superfície em relevo e/ou as fon-tes constituintes podem ser localizadas através de uma superfície para defi-nir uma simetria hexagonâl, uma simetria ortogonal, ou outra simetria e/ougrupo de espaço. Referindo à figura 3A, o relevo de superfície ou as fontespodem definir uma grade hexagonal 310. Referindo à figura 3B, os produtosde reação 320 cuja localização corresponde à grade 310 podem ser coluna-res (para facilitar o transporte de condutor de carga) com uma circunferênciacircular. Referindo à figura 3C, a razão de área de domínio de matriz paraárea de domínio colunar pode ser controlada localizando as colunas de pro-duto de reação 330 mais próximas umas das outras (por exemplo, de modoque as colunas fiquem apenas tocando). Referindo à figura 3D, a razão dedomínio de matriz para domínio colunar pode ser ainda adicionalmente dimi-nuída localizando as colunas de produto de reação 340 de modo que estassobreponham. Referindo à figura 3E, o relevo de superfície ou as fontes po-dem definir uma grade ortogonal 350. Referindo à figura 3F, os produtos dereação 360 cuja localização corresponde à grade 350 podem ser colunares(para facilitar o transporte de condutor de carga) com uma circunferênciacircular. Referindo à figura 3G, a razão de domínio de matriz para domíniocolunar pode ser controlada localizando as colunas de produto de reação370 mais próximas umas das outras (por exemplo, de modo que as colunasfiquem apenas tocando). Referindo à figura 3H, a razão de domínio de ma-triz para domínio colunar pode ser ainda adicionalmente diminuída Iocalizan-do as colunas de produto de reação 380 de modo que estas sobreponham.

EXEMPLOS

As modalidades específicas da invenção serão agora adicional-mente descritas pelos exemplos seguintes, não Iimitantes os quais servempara ilustrar em alguns detalhes várias características. Os exemplos seguin-tes estão incluídos para facilitar uma compreensão dos modos nos quaisuma modalidade da invenção pode ser praticada. Deve ser apreciado que osexemplos os quais seguem representam as modalidades descobertas fun-cionarem bem na prática da invenção, e assim podem ser consideradosconstituírem o(s) modo(s) para a prática das modalidades da invenção. Noentanto, deve ser apreciado que muitas mudanças podem ser feitas nas mo-dalidades exemplares as quais estão descritas enquanto ainda obtendo re-sultados iguais ou similares sem afastar-se do espírito e do escopo de umamodalidade da invenção. Conseqüentemente, os exemplos não devem serconsiderados como limitando o escopo da invenção.

EXEMPLO 1

Referindo às figuras 4A-4C, este exemplo refere-se a uma mo-dalidade da invenção que inclui um revestimento plano de um primeiro pre-cursor 410 sobre uma superfície de uma ferramenta 416 onde um constituin-te de primeiro precursor é substancialmente regularmente periodicamenteaumentado depositando previamente uma pluralidade de fontes de constitu-inte 412 que incluem um excesso do constituinte em relação a uma quanti-dade média. Esta modalidade também inclui a utilização de um campo elétri-co comutável (por exemplo liga - desliga), modulável (por exemplo, intensi-dade de campo), reversível (por exemplo, polaridade).

Referindo à figura 4A, um primeiro precursor 410 inclui as fontes412. Um segundo precursor 420 está provido sobre um contato traseiro 422.Referindo à figura 4B, o primeiro precursor 410 e o segundo precursor 420são contactados e aquecidos, e um campo elétrico é aplicado. Com a polari-dade do campo aplicado como apresentado na figura 4B, o campo elétricotende a acionar pelo menos alguns dos íons de cobre afastando da ferra-menta. O campo como apresentado exerce uma força sobre o cobre que éoposta à direção de acionamento químico sobre o cobre, e pode ser deno-minada polarização inversa (em aposição à polarização direta). É claro, adireção do campo pode ser selecionada, a magnitude do campo pode sercontrolada e o campo pode ser ligado e/ou desligado. Enquanto isso, as fon-tes 412 formam domínios beta ricos em índio - gálio. Referindo à figura 4C,após o campo elétrico ser removido, a ferramenta é separada e os domíniospermanecem intactos.

EXEMPLO 2

Referindo às figuras 5A-5C, este exemplo refere-se a uma mo-dalidade da invenção que inclui um revestimento plano de um primeiro pre-cursor sobre uma superfície de uma ferramenta onde um constituinte de pri-meiro precursor é substancialmente regularmente periodicamente aumenta-do depositando previamente uma pluralidade de fontes de constituinte queincluem um excesso do constituinte em relação a uma quantidade média.Esta modalidade da invenção também inclui um contato de superfície trasei-ra que está revestido plano com um segundo precursor. Esta modalidadeinclui a utilização de uma intensidade de campo elétrico substancialmenteregularmente periodicamente variável comutável (por exemplo liga - desliga),modulável (por exemplo, intensidade de campo), reversível (por exemplo,polaridade), em relação a uma localização espacial basal.

Referindo à figura 5A, um primeiro precursor 510 inclui fontes de(ln/Ga)y(Se)i-y e In/Ga 512. O primeiro precursor 510 está acoplado a umacamada de liberação planificada 514 que está acoplada a uma superfíciesubstancialmente regularmente periodicamente em relevo de uma ferramen-ta 516. As fontes 512 podem ser automontadas em localizações que corres-pondem à superfície em relevo pela foto-ionização de partículas de In/Ga eaplicando uma polaridade negativa na ferramenta, ou ionizando por acelera-dor de elétrons as partículas de In/Ga e aplicando uma polarização positivana ferramenta. A utilização de foto-ionização e/ou ionização por aceleradorde elétrons para permitir o posicionamento de pontos de quantum está des-crita pela Patente U.S. Número 6.313.476. É claro, outros métodos de auto-montagem e/ou deposição podem ser utilizados para localizar as fontes 512,tal como a epitaxia auto-organizada (por exemplo, sobre GaAs) e/ou técni-cas moleculares de captar e colocar. Um segundo precursor 520 inclui oCuxSei-x. Referindo à figura 5B, o primeiro precursor 510 e o segundo pre-cursor 520 são contactados e aquecidos, e um campo elétrico é aplicado. Ocampo elétrico apresentado tende a acionar alguns dos íons de cobre afas-tando das projeções da ferramenta em relevo, por meio disto formando do-mínios alfa ricos em cobre. O acionamento do cobre afastando da ferramen-ta ajuda a evitar a soldagem do produto de reação na ferramenta. Enquantoisso, as fontes 512 formam domínios beta ricos em índio - gálio. Referindo àfigura 5C, após o campo elétrico ser removido, a ferramenta é separada e osdomínios permanecem intactos.

EXEMPLO 3

Referindo às figuras 6A-6C, este exemplo refere-se a uma mo-dalidade da invenção que inclui uma ferramenta 610 onde a quantidade deum primeiro precursor 612 é substancialmente regularmente periodicamenteaumentada por revestimento plano de uma superfície substancialmente re-; gularmente periodicamente em relevo. Esta modalidade da invenção tam-bém inclui um contato de superfície traseira 614 onde um segundo precursor616 está substancialmente planificado.

Referindo à figura 6A, as localizações de um primeiro precursoradicional podem ser vistas. Referindo à figura 6B, os domínios resultantessão colunares e estendem-se de uma primeira superfície 620 do produto dereação para uma segunda superfície 622. Referindo à figura 6C, um emissor649 está acoplado no produto de reação.

EXEMPLO 4

Referindo às figuras 6D-6F, este exemplo refere-se a uma mo-dalidade da invenção que inclui uma ferramenta 600 que está revestida pla-na com um primeiro precursor 662. Esta modalidade da invenção tambéminclui um contato de superfície traseira 664 onde a quantidade de um segun-do precursor 668 é substancialmente regularmente periodicamente aumen-tada por revestimento plano de uma superfície substancialmente regular-mente periodicamente em relevo.

Referindo à figura 6D, as localizações do segundo precursor a-dicional correspondem às localizações onde os domínios ricos em segundoprecursor estarão localizados adjacentes ao segundo substrato. Referindo àfigura 6E, somente um dos domínios resultantes estende-se de uma primeirasuperfície 670 do produto de reação para uma segunda superfície 672. Refe-rindo à figura 6F, um emissor 699 está acoplado ao produto de reação.

EXEMPLO 5

Referindo às figuras 8A-8C, este exemplo refere-se a uma mo-dalidade da invenção que inclui um revestimento plano de um primeiro pre-cursor sobre uma superfície de uma ferramenta onde um constituinte de pri-meiro precursor é substancialmente regularmente periodicamente aumenta-do com referência a um plano basal pela utilização de um substrato em rele-vo. O resultado é um excesso do constituinte em relação a uma quantidademédia em localizações que correspondem aos rebaixos individuais da super-fície em relevo da ferramenta. Esta modalidade também inclui a utilização deuma intensidade de campo elétrico substancialmente regularmente periodi-camente variável comutável (por exemplo liga - desliga), modulável (por e-xemplo, intensidade de campo), reversível (por exemplo, polaridade), emrelação a uma localização espacial basal.

Referindo à figura 8A, um primeiro precursor 810 está providosobre uma superfície de ferramenta 815. Um segundo precursor 820 estáprovido sobre um contato traseiro 822. Referindo à figura 8B, o primeiro pre-cursor 810 e o segundo precursor 820 são contactados e aquecidos, e umcampo elétrico é aplicado. Com a polarização do campo aplicado como a-presentado na figura 8B, o campo elétrico tende a acionar pelo menos al-guns dos íons de cobre afastando da ferramenta. É importante apreciar quea intensidade do campo é mais alta naquelas localizações da superfície deferramenta que não são em relevo. Assim, a força de acionamento eletrostá-tica é também substancialmente regularmente periodicamente aumentadacom referência a um plano basal. O campo como apresentado exerce umaforça sobre o cobre que é oposta à direção de acionamento químico sobre ocobre, e pode ser denominada uma polarização inversa (em oposição à po-larização direta). É claro, a direção do campo pode ser selecionada, a mag-nitude do campo pode ser controlada e o campo pode ser ligado e/ou desli-gado. Enquanto isso, domínios beta ricos em índio - gálio tendem a formar-se em localizações que correspondem aos rebaixos individuais da superfícieem relevo da ferramenta. Referindo à figura 8C, após o campo elétrico serremovido, a ferramenta é separada e os domínios permanecem intactos

EXEMPLO 6

Referindo às figuras 9A-9C, este exemplo refere-se a uma mo-dalidade da invenção que inclui um primeiro precursor sobre uma superfíciede uma ferramenta onde um constituinte de primeiro precursor é substanci-almente regularmente periodicamente aumentado com referência a um planobasal pela utilização de um substrato em relevo em combinação com umrevestimento líquido que contém o constituinte de primeiro precursor. O re-vestimento líquido é seco e então o restante do primeiro precursor é deposi-tado. O resultado é um excesso do constituinte em relação a uma quantida-de média em localizações que correspondem aos rebaixos individuais dasuperfície em relevo da ferramenta. Esta modalidade novamente inclui a uti-lização de uma intensidade de campo elétrico substancialmente regularmen-te periodicamente variável comutável (por exemplo liga - desliga), modulável(por exemplo, intensidade de campo), reversível (por exemplo, polaridade),em relação a uma localização espacial basal.

Referindo à figura 9A, o revestimento líquido 905 que contém oconstituinte de primeiro precursor é aplicado na superfície de ferramenta915. Referindo à figura 9B, o revestimento líquido 905 é seco e as forçascapilares fazem com que o constituinte de primeiro precursor acumule nasporções mais profundas dos rebaixos individuais. Referindo à figura 9C, orestante 910 do primeiro precursor é depositado plano. Um segundo precur-sor 920 está provido sobre um contato traseiro 922. Referindo à figura 9D, oprimeiro precursor 910 e o segundo precursor 920 são contactados e aque-cidos, e um campo elétrico é aplicado. Com a polarização do campo aplica-do como apresentado na figura 9D, o campo elétrico tende a acionar pelomenos alguns dos íons de cobre afastando do substrato em relevo. É impor-tante apreciar que a intensidade do campo é mais alta naquelas localizaçõesda superfície de ferramenta que não são rebaixadas. Deste modo, a força deacionamento eletrostática é também substancialmente regularmente periodi-camente aumentada com referência a um plano basal. Novamente, a direçãodo campo pode ser selecionada, a magnitude do campo pode ser controladae o campo pode ser ligado e/ou desligado. Referindo à figura 9E, domíniosbeta ricos em índio - gálio tendem a formar-se em localizações que corres-pondem aos rebaixos individuais da superfície em relevo da ferramenta. A-pós o campo elétrico ser removido, a ferramenta é separada e os domíniospermanecem intactos

EXEMPLO 7

Referindo às figuras 10A-10C, este exemplo refere-se a umamodalidade da invenção que inclui um segundo precursor 1000 sobre umasuperfície de um contato traseiro 1020 onde um constituinte de segundoprecursor é substancialmente regularmente periodicamente aumentado de-positando previamente uma pluralidade de fontes de constituinte 1010 queinclui um excesso do constituinte em relação a uma quantidade média. No-vamente, esta modalidade inclui a utilização de um campo elétrico comutável(por exemplo liga - desliga), modulável (por exemplo, intensidade de campo),reversível (por exemplo, polaridade).

Referindo à figura 10A, as fontes 1010 são formadas sobre ocontato traseiro por epitaxia. Referindo à figura 10B, um primeiro precursor1030 está provido sobre a superfície de ferramenta. O primeiro precursor1030 e o segundo precursor 1000 são contactados e aquecidos, e o campoelétrico é aplicado. Com a polarização do campo aplicado como apresentadona figura 10C, o campo elétrico tende a acionar pelo menos alguns dos íonsde cobre afastando da superfície da ferramenta. O campo como apresentadoexerce uma força sobre o cobre que é oposta à direção de acionamentoquímico sobre o cobre, e pode ser denominada uma polarização inversa.Como nos exemplos anteriores, a direção do campo pode ser selecionada, amagnitude do campo pode ser controlada e o campo pode ser ligado e/oudesligado. Enquanto isso, as fontes 1010 formam domínios alfa ricos emcobre. Referindo à figura 10D, após o campo elétrico ser removido, a ferra-menta é separada e os domínios permanecem intactos.

APLICAÇÕES PRÁTICAS

Uma aplicação prática da invenção que tem valor dentro da áreatecnológica é a fabricação de dispositivos fotovoltaicos tal como os filmesabsorsores ou os fósforos eletroluminescentes. Ainda, a invenção é útil emconjunção com a fabricação de semicondutores (tais como são utilizadospara o propósito de transistores), ou em conjunção com a fabricação de su-percondutores (tais como são utilizados para o propósito de ímãs ou detecto-res), ou similares. Existem utilizações virtualmente inumeráveis para umamodalidade da invenção, todas as quais não precisam ser aqui detalhadas.

VANTAGENS

As modalidades da invenção podem ser econômicas e vantajo-sas para pelo menos as seguintes razões. As modalidades da invenção po-dem aperfeiçoar o controle de formação de uma estrutura de domínio de fa-se segregada dentro de um produto de reação química. As modalidades dainvenção podem aperfeiçoar as propriedades de limite de uma pluralidade deestruturas de domínio dentro da estrutura de domínio de fase segregada. Asmodalidades da invenção podem aperfeiçoar o desempenho de produtos dereação química que incluem uma estrutura de domínio de fase segregada.

As modalidades da invenção aperfeiçoam a qualidade e/ou reduzem os cus-tos comparadas com as propostas anteriores.

DEFINIÇÕES

O termo camada pretende genericamente significar filmes reves-timentos e estruturas mais espessas. O termo revestimento pretende subge-nericamente significar filmes finos, filmes espessos e estruturas mais espes-sas. O termo composição pretende genericamente significar as substânciasinorgânicas e orgânicas tais como, mas não limitadas a, produtos de reaçãoquímica e/ou produtos de reação física. O termo seleneto pretende significarum material que inclui o elemento selênio e não inclui oxigênio suficientepara precipitar uma base de selenato separada; o oxigênio pode estar pre-sente no seleneto. O termo ferramenta pretende significar um substrato des-tinado para reutilização ou múltiplas utilizações.

O termo programa e/ou a frase programa de computador preten-dem significar uma seqüência de instruções projetadas par execução em umsistema de computador (por exemplo, um programa e/ou um programa decomputador, pode incluir uma sub-rotina, uma função, um procedimento, ummétodo de objeto, uma implementação de objeto, um aplicativo executável, umutilitário, um servlet, um código de fonte, um código de objeto, uma bibliotecacompartilhada/biblioteca de carga dinâmica e/ou outras seqüências de instru-ções projetadas para execução em um computador ou sistema de computado-res). A frase freqüência de rádio pretende significar as freqüências menores doque ou iguais a aproximadamente 300 GHz assim como o espectro infraverme-lho. Os números de grupo que correspondem a colunas dentro da tabela perió-dica dos elementos utilizam a convenção de "Nova Notação" como visto noCRC Handbook of Chemistry and Physics, 81â Edição (2000).

O termo substancialmente pretende significar grandemente masnão necessariamente totalmente do que é especificado. O termo aproxima-damente pretende significar pelo menos próximo de um dado valor (por e-xemplo, dentro de 10% de). O termo geralmente pretende significar pelomenos aproximando de um dado estado. O termo acoplado pretende signifi-car conectado, apesar de não necessariamente diretamente, e não necessa-riamente mecanicamente. O termo aproximado, como aqui utilizado, preten-de significar próximo, quase adjacente e/ou coincidente; e inclui as situaçõesespaciais onde as funções e/ou os resultados especificados (se existirem)podem ser executados e/ou conseguidos. O termo desenvolver pretendesignificar projetar, construir, transportar, instalar e/ou operar.

Os termos primeiro ou um, e as frases pelo menos um primeiroou pelo menos um pretendem significar o singular ou o plural a menos quefique claro do texto intrínseco deste documento que significa outra coisa. Ostermos segundo ou outro, e as frases pelo menos um segundo e pelo menosoutro, pretendem significar o singular ou o plural a menos que fique claro dotexto intrínseco deste documento que significa outra coisa. A menos que ex-pressamente declarado ao contrário no texto intrínseco deste documento, otermo ou pretende significar um ou inclusivo ou não um ou exclusivo. Especi-ficamente, uma condição A ou B é satisfeita por qualquer um dos seguintes:A é verdadeiro (ou presente) e B é falso (ou não presente), A é falso (ou nãopresente) e B é verdadeiro (ou presente), e tanto A quanto B são verdadei-ros (ou presentes). O termo um é empregado para estilo gramatical e mera-mente por conveniência.

O termo pluralidade pretende significar dois ou mais do que dois.O termo qualquer pretende significar todos os membros aplicáveis de umconjunto ou pelo menos um subconjunto de todos os membros aplicáveis doconjunto. A frase qualquer inteiro aqui derivável pretende significar um inteiroentre os números correspondentes recitados na especificação. A frase qual-quer faixa aqui derivável pretende significar qualquer faixa dentro de taisnúmeros correspondentes. O termo meio, quando seguido pelo termo "para"pretende significar um hardware, um firmware e/ou um software para conse-guir um resultado. O termo etapa, quando seguido pelo termo "para" preten-de significar um (sub)método, um (sub)processo e/ou uma (sub)rotina paraconseguir o resultado recitado.

Os termos "compreende", "compreendendo", "inclui", "incluindo","tem", "tendo" ou qualquer outra sua variação, pretendem cobrir uma inclu-são não exclusiva. Por exemplo, um processo, um método, um artigo, ou umaparelho que compreende uma lista de elementos não está necessariamentelimitado a somente estes elementos mas pode incluir outros elementos nãoexpressamente listados ou inerentes a tal processo, método, artigo, ou apa-relho. Os termos "consistindo" (consiste, consistido) e/ou "compondo" (com-põe, composto) pretendem significar uma linguagem fechada que não deixao método, aparelho ou composição recitado à inclusão de procedimentos,estrutura(s) e/ou ingrediente(s) outros que aqueles recitados exceto paraauxiliares, adjuntos e/ou impurezas comumente associados com os mes-mos. A recitação do termo "essencialmente" juntamente com o termo "con-sistindo" (consiste, consistido) e/ou "compondo" (compõe, composto), pre-tende significar uma linguagem fechada modificada que deixa o método, a -parelho e/ou composição recitado aberto somente para a inclusão de proce-dimento(s), estrutura(s) e/ou ingrediente(s) não especificados os quais nãoafetam materialmente as novas características básicas do método, aparelhoe/ou composição recitados.

A menos que de outro modo definido, todos os termos técnicos ecientíficos aqui utilizados tem o mesmo significado que comumente compre-endido por alguém versado na técnica à qual esta invenção pertence. Em ca-so de conflito, a presente especificação, incluindo as definições, controlará.

CONCLUSÕES

As modalidades e os exemplos descritos são ilustrativos somente enão pretendem ser limitantes. Apesar das modalidades da invenção poderemser separadamente implementadas, as modalidades da invenção podem serintegradas no(s) sistema(s) com o(s) qual(is) estas estão associadas. Todas asmodalidades da invenção âqui descritas podem ser feitas e utilizadas sem umaexperimentação devida à luz da descrição. Apesar do melhor modo da inven-ção contemplado pelo(s) inventor(es) ser descrito, as modalidades da invençãonão estão limitadas a este. As modalidades da invenção não estão limitadaspor declarações teóricas (se existirem) aqui recitadas. As etapas individuais demodalidades da invenção não precisam ser executadas no modo descrito, oucombinadas nas seqüências descritas, mas podem ser executadas em qual-quer e todos os modos e/ou combinadas em qualquer e todas as seqüências.

Os componentes individuais de modalidades da invenção não precisam serformados nas formas descritas ou combinados nas configurações descritas,mas poderiam ser providos em qualquer e todas as formas, e/ou combinados equalquer e todas as configurações. Os componentes individuais não precisamser fabricados dos materiais descritos, mas poderiam ser fabricados de qual-quer e todos os materiais adequados. Substituições homólogas podem sersubstituídas pelas substâncias aqui descritas.

Pode ser apreciado por aqueles versados na técnica à qual asmodalidades da invenção pertencem que várias substituições, modificações,adições e/ou redisposições das características de modalidades da invençãopodem ser feitas sem desviar do espírito e/ou escopo do conceito inventivosubjacente. Todos os elementos e características descritos de cada modali-dade descrita podem ser combinados com, ou substituídos pelos elementose características descritos de todas as outras modalidades descritas excetoonde tais elementos ou características são mutuamente exclusivos. O espíri-to e/ou escopo do conceito inventivo subjacente como definido pelas reivin-dicações anexas e seus equivalentes cobrem todas tais substituições, modi-ficações, adições e/ou redisposições.

As reivindicações anexas não devem ser interpretadas comoincluindo limitações de meio mais função, a menos que tal limitação seja ex-plicitamente recitada em uma dada reivindicação que utiliza a(s) frase(s)"meio para" e/ou "etapa para". As modalidades subgenéricas da invençãoestão delineadas pelas reivindicações independentes anexas e seus equiva-lentes. Tais modalidades da invenção são diferenciadas pelas reivindicaçõesdependentes anexas e seus equivalentes.

REFERÊNCIAS

(1) B.J. Stanbery, "The intra-absorber junction (IAJ) model for thedevice physics of copper indium selenide-based photovoltaics," 0-7803-

8707-4/05 IEEE, apresentado em 05 de Janeiro de 2005, páginas 355-358.

(2) Y. Yan, R. Noufi, K.M. Jones, K. Ramanathan, M.M. Al-Jassim e B.J. Stanbery, "Chemical fluctuation-induced nanodomains inCu(In1Ga)Se2 films," Applied Physics Letters 87, 121904 American Institute ofPhysics, 12 de Setembro de 2005.

(3) Billy J. Stanbery, "Copper indium selenides and related materiaisfor photovoltaic devices," 1040-8436/02 CRC Press, Inc., 2002, páginas 73-117.

(4) B.J. Stanbery, S. Kincal, L. Kim, T.J. Anderson, O.D. Crisalle,S.P. Ahrenkiel e G. Lippold "Role of Sodium in the Control of Defect Structu-res in CIS," 0-7803-5772-8/00 IEEE, 2000, páginas 440-445.

(5) 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 6-10de Junho de 2005, Barcelona, Espanha, páginas 1744-1747.

Claims

1. Método, que compreende:prover um primeiro precursor sobre um primeiro substrato;prover um segundo precursor sobre um segundo substrato;contactar o primeiro precursor e o segundo precursor;reagir o primeiro precursor e o segundo precursor para formarum produto de reação química; emover o primeiro substrato e o segundo substrato um em rela-ção ao outro para separar o produto de reação química de pelo menos ummembro selecionado do grupo que consiste no primeiro substrato e no se-gundo substrato,caracterizado pelo fato de que, para controlar a formação deuma estrutura de domínio de fase segregada dentro do produto de reaçãoquímica, um constituinte de pelo menos um membro selecionado do grupoque consiste no primeiro precursor e no segundo precursor é provido emuma quantidade que varia substancialmente regularmente periodicamentede uma quantidade média em relação a uma localização espacial basal.

2. Método de acordo com a reivindicação 1, em que a estrutura dedomínio de fase segregada inclui uma rede de domínio de fase segregada.

3. Método de acordo com a reivindicação 1, em que a quantida-de do constituinte é substancialmente regularmente periodicamente aumen-tada por revestimento plano de uma superfície substancialmente regular-mente periodicamente em relevo com um material que inclui um excesso doconstituinte em relação à quantidade média.

4. Método de acordo com a reivindicação 1, em que a quantida-de do constituinte é substancialmente regularmente periodicamente aumen-tada depositando uma pluralidade de fontes de constituinte que inclui umexcesso do constituinte em relação à quantidade média.

5. Método de acordo com a reivindicação 1, em que a quantida-de na qual o constituinte é provido varia periodicamente da quantidade mé-dia em relação à localização espacial basal em uma escala de sub-mícron.

6. Método de acordo com a reivindicação 1, em que a quantidade na qual o constituinte é provido varia periodicamente da quantidade mé-dia em relação à localização espacial basal em uma escala que é substanci-almente um múltiplo de aproximadamente cinco nanômetros.

7. Método de acordo com a reivindicação 1, ainda compreendendogerar um campo elétrico entre o primeiro substrato e o segundo substrato.

8. Método, que compreende:prover um primeiro precursor sobre um primeiro substrato;prover um segundo precursor sobre um segundo substrato;contactar o primeiro precursor e o segundo precursor;reagir o primeiro precursor e o segundo precursor para formarum produto de reação química; emover o primeiro substrato e o segundo substrato um em rela-ção ao outro para separar o produto de reação química de pelo menos ummembro selecionado do grupo que consiste no primeiro substrato e no se-gundo substrato,caracterizado pelo fato de que, para controlar a formação deuma estrutura de domínio de fase segregada dentro do produto de reaçãoquímica, um constituinte de pelo menos um membro selecionado do grupoque consiste no primeiro precursor e no segundo precursor é provido emuma quantidade que varia substancialmente regularmente periodicamentede uma quantidade média em relação a uma localização espacial basal,em que a estrutura de domínio de fase segregada inclui umarede de domínio de fase segregada,em que a quantidade do constituinte é substancialmente regu-larmente periodicamente aumentada por revestimento plano de uma superfí-cie substancialmente regularmente periodicamente em relevo com um mate-rial que inclui um excesso do constituinte em relação à quantidade média, eem que a quantidade na qual o constituinte é provido varia peri-odicamente da quantidade média em relação à localização espacial basalem uma escala de sub-mícron.

9. Método de acordo com a reivindicação 8, em que a quantida-de na qual o constituinte é provido varia periodicamente da quantidade mé-dia em relação à localização espacial basal em uma escala que é substanci-almente um múltiplo de aproximadamente cinco nanômetros.

10. Método de acordo com a reivindicação 8, ainda compreenden-do gerar um campo elétrico entre o primeiro substrato e o segundo substrato.

11. Método, que compreende:prover um primeiro precursor sobre um primeiro substrato;prover um segundo precursor sobre um segundo substrato;contactar o primeiro precursor e o segundo precursor;reagir o primeiro precursor e o segundo precursor para formarum produto de reação química; emover o primeiro substrato e o segundo substrato um em rela-ção ao outro para separar o produto de reação química de pelo menos ummembro selecionado do grupo que consiste no primeiro substrato e no se-gundo substrato,caracterizado pelo fato de que, para controlar a formação deuma estrutura de domínio de fase segregada dentro do produto de reaçãoquímica, um constituinte de pelo menos um membro selecionado do grupoque consiste no primeiro precursor e no segundo precursor é provido emuma quantidade que varia substancialmente regularmente periodicamentede uma quantidade média em relação a uma localização espacial basal,em que a estrutura de domínio de fase segregada inclui umarede de domínio de fase segregada,em que a quantidade do constituinte é substancialmente regu-larmente periodicamente aumentada depositando uma pluralidade de fontesde constituinte que inclui um excesso do constituinte em relação à quantida-de média, eem que a quantidade na qual o constituinte é provido varia peri-odicamente da quantidade média em relação à localização espacial basalem uma escala de sub-mícron.

12. Método de acordo com a reivindicação 11, em que a quanti-dade na qual o constituinte é provido varia periodicamente da quantidademédia em relação à localização espacial basal em uma escala que é subs-tancialmente um múltiplo de aproximadamente cinco nanômetros.

13. Método de acordo com a reivindicação 11, ainda compreen-dendo gerar um campo elétrico entre o primeiro substrato e o segundo subs-trato.