ES2342022T3 - Procedimientos de fabricacion de estructuras de dominios de fases separadas de forma controlada. - Google Patents
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Abstract
Un procedimiento que comprende: proporcionar un primer precursor (106; 126; 146; 206; 226; 246) sobre un primer sustrato (102; 122; 142; 202; 222; 242); proporcionar un segundo precursor (114; 134; 154; 214; 234; 254) sobre un segundo sustrato (112; 132; 152; 212; 232; 252); poner en contacto el primer precursor y el segundo precursor; hacer reaccionar el primer precursor y el segundo precursor para formar un producto de reacción química; y mover el primer sustrato y el segundo sustrato entre sí para separar el producto de la reacción química de al menos un miembro seleccionado del grupo constituido por el primer sustrato (102; 122; 142; 202; 222; 242) y el segundo sustrato (112; 132; 152; 212; 232; 252), caracterizado porque, para controlar la formación de una estructura de dominio de fase separada dentro del producto de la reacción química, se proporciona un constituyente de al menos un miembro seleccionado del grupo constituido por el primer precursor (106; 126; 146; 206; 226; 246) y el segundo precursor (102; 122; 142; 202; 222; 242) en una cantidad que varía periódicamente de una forma sustancialmente regular con respecto a una cantidad media con respecto a la situación espacial de la base, en el que la estructura de dominio de fase separada incluye una red de dominio de fase separada, en la que la cantidad del constituyente se aumenta periódicamente de manera sustancialmente regular mediante el revestimiento plano de una superficie dotada de relieve periódicamente de manera sustancialmente regular con un material que incluye un exceso del constituyente con respecto a la cantidad media, en la que la cantidad en que se proporciona el constituyente periódicamente varía de la cantidad media con respecto a la situación espacial de la base en una escala submicrométrica y en la que la cantidad en que se proporciona el constituyente periódicamente varía de la cantidad media con respecto a la situación espacial de la base en una escala que es sustancialmente un múltiplo de aproximadamente cinco nanómetros.
Description
Procedimientos de fabricación de estructuras de
dominios de fases separadas de forma controlada.
Las realizaciones de la presente invención
versan en general sobre el campo de los materiales. Más en
particular, las realizaciones de la presente invención versan sobre
procedimientos de control de la formación de una estructura de
dominio de fase separada dentro de un producto de una reacción
química, de composiciones de materia que incluyen tal estructura de
dominio de fase separada, y de maquinaria que tiene un relieve
instrumental complejo para fabricar tales composiciones.
Los productos fotovoltaicos de la técnica
anterior, basados en seleniuro de cobre e indio, denominados a veces
PV basado en CIS, son conocidos para las personas versadas en la
técnica de las células solares. El CulnSe es el material en
película delgada más fiable y de mejor rendimiento para la
generación de electricidad a partir de la luz solar. Una inquietud
con esta tecnología es que en el futuro van a surgir restricciones
en el suministro de la materia prima, a medida que aumente la
producción de PV basado en CIS. Por ejemplo, el indio no se da de
forma natural en minerales de concentración elevada. Típicamente, se
obtiene indio a partir de ganga desechada de minerales de cinc. A
medida que la producción de CIS PV se aproxime al intervalo de gran
escala entre aproximadamente 10 gigavatios/año y aproximadamente 100
gigavatios/año, las restricciones en el suministro de indio se
harán manifiestas. Estas restricciones de suministro llevarán a un
aumento de costes. Además, a medida que aumente la producción de
CIS PV, también surgirán restricciones de suministro de otras
materias primas. Se requiere una solución que reduzca la cantidad de
materias primas necesarias por vatio de capacidad de generadora en
las películas delgadas de CIS
PV.
PV.
Un enfoque para reducir la cantidad de materias
primas necesarias es reducir el espesor del material en película
delgada de CIS PV. El coeficiente inherente de absorción del CIS es
muy elevado (es decir, de aproximadamente 10^{5} cm^{-1}). Esto
significa que la mayor parte de la energía lumínica incidente puede
ser absorbida con una película muy delgada de CIS. El uso de un
reflector en la superficie posterior puede reducir adicionalmente
el espesor necesario para absorber la mayor parte de la energía
lumínica incidente. Aunque los productos de CIS PV de la técnica
anterior son típicamente de al menos aproximadamente 2 micrómetros
de espesor, es importante darse cuenta de que 0,25 micrómetros es
teóricamente suficiente para que una película delgada de CIS PV
situada en un reflector de la superficie posterior absorba la mayor
parte de la energía lumínica incidente. También se requiere una
solución que produzca películas delgadas de CIS PV más delgadas.
Entretanto, se ha desarrollado tecnología de
síntesis y transferencia simultáneas asistidas por campos que es
directamente aplicable a la fabricación de películas de CIS PV más
delgadas. En las patentes estadounidenses n^{os} 6.736.986,
6.881.647, 6.787.012, 6.559.372, 6.500.733, 6.797.874, 6.720.239 y
6.593.213 se describen diversos aspectos de esta tecnología de
síntesis y transferencia simultáneas asistidas por campos (aspectos
que pueden usarse o no conjuntamente en combinación).
Por ejemplo, el documento US 6500733 B1 describe
un procedimiento para la síntesis de películas, revestimientos o
capas usando contención de la presión ejercida por los precursores.
El procedimiento incluye ejercer una presión entre una primera capa
de precursores que está acoplada a un primer sustrato y una segunda
capa de precursores que está acoplada a un segundo sustrato; formar
una capa de composición; y mover el primer sustrato con respecto al
segundo sustrato, en el que la capa de composición sigue acoplada al
segundo sustrato.
Una ventaja de la tecnología de síntesis y
transferencia simultáneas asistidas por campos es que funciona
mejor a medida que se hace más delgada la pila de precursores. Por
ejemplo, la presión de vapor de selenio en una capa de producto de
reacción basado en CIS es función de la temperatura. La presión
necesaria para contener el selenio es función de la temperatura
requerida para el proceso de reacción. Es importante darse cuenta
de que el voltaje, si se utiliza, para lograr una presión deseada
desciende a medida que desciende el espesor. Al reducirse el
voltaje requerido, disminuyen las demandas físicas para el sistema
(por ejemplo, el esfuerzo dieléctrico). Por lo tanto, al hacerse
más delgada la pila de precursores, disminuye el voltaje necesario
para generar una presión dada, lo que reduce el esfuerzo dieléctrico
(por ejemplo, una capa de liberación), expandiendo con ello la gama
de materiales que pueden utilizarse como dieléctrico.
Otra ventaja de la tecnología de síntesis y
transferencia simultáneas asistidas por campos es que permite una
provisión térmica inferior. La provisión térmica inferior es
consecuencia de la mayor velocidad de la tecnología de síntesis y
transferencia simultáneas asistidas por campos en comparación con
enfoques alternativos, como la deposición (física o química) de
vapores. Además de los ahorros en tiempo y energía proporcionados
por la tecnología de síntesis y transferencia simultáneas asistidas
por campos, también puede aumentarse la calidad de los productos
resultantes. Por ejemplo, en el caso de fabricar PV basado en CIS,
la menor provisión térmica permitida por el uso de la tecnología de
síntesis y transferencia simultáneas asistidas por campos lleva a
la reducción de reacciones indeseables, como la que se da entre el
selenio y el molibdeno en la superficie de contacto entre el
captador de CIS y el contacto metálico de la cara posterior. La
reducción de esta reacción indeseable da como resultado una
reducción en la pérdida de brillo, lo que, a su vez, da como
resultado una mayor reflectividad de la superficie posterior.
Recientemente se ha demostrado que las películas
delgadas de CIS fabricadas mediante técnicas convencionales
contienen dominios que son resultado de fluctuaciones en la
composición química^{(1, 2, 5)}. La recombinación indeseable de
los portadores de carga tiene lugar en los límites entre los
nanodominios dentro de tal captador PV basado en CIS. Por lo tanto,
lo que se requiere también es una solución para controlar e,
idealmente, para optimizar los límites entre estos nanodominios con
composiciones químicas cambiantes.
Hasta la fecha, los requisitos de requerimientos
reducidos de materias primas, de espesor reducido y de límites
controlados entre nanodominios referidos a lo anterior no se han
satisfecho plenamente. Por lo tanto, se necesita una solución que
resuelva simultáneamente todos estos problemas.
Existe la necesidad de las siguientes
realizaciones de la invención.
Conforme a una realización de la invención, se
proporciona un procedimiento que comprende: proporcionar un primer
precursor sobre un primer sustrato; proporcionar un segundo
precursor sobre un segundo sustrato; poner en contacto el primer
precursor y el segundo precursor; hacer reaccionar el primer
precursor y el segundo precursor para formar un producto de
reacción química; y mover el primer sustrato y el segundo sustrato
entre sí para separar el producto de la reacción química de al
menos un miembro seleccionado del grupo constituido por el primer
sustrato y el segundo sustrato, caracterizado porque, para controlar
la formación de una estructura de dominio de fase separada dentro
del producto de la reacción química, se proporciona un constituyente
de al menos un miembro seleccionado del grupo constituido por el
primer precursor y el segundo precursor en una cantidad que varía
periódicamente de una forma sustancialmente regular con respecto a
una cantidad media con respecto a la situación espacial de la base,
en el que la estructura de dominio de fase separada incluye una red
de dominio de fase separada, en la que la cantidad del constituyente
se aumenta periódicamente de manera sustancialmente regular
mediante el revestimiento plano de una superficie dotada de relieve
periódicamente de manera sustancialmente regular con un material
que incluye un exceso del constituyente con respecto a la cantidad
media, en la que la cantidad en que se proporciona el constituyente
periódicamente varía de la cantidad media con respecto a la
situación espacial de la base en una escala submicrométrica y en la
que la cantidad en que se proporciona el constituyente
periódicamente varía de la cantidad media con respecto a la
situación espacial de la base en una escala que es sustancialmente
un múltiplo de aproximadamente cinco nanómetros.
Estas y otras realizaciones de la invención se
apreciarán y se entenderán mejor cuando se consideren en conjunto
con la siguiente descripción y los dibujos adjuntos. Sin embargo,
debiera entenderse que, aunque la siguiente descripción indica
diversas realizaciones de la invención y numerosos detalles
específicos de la misma, se da a título de ilustración y no de
limitación.
Los dibujos adjuntos, y que forman parte de la
presente memoria, están incluidos para representar ciertas
realizaciones de la presente invención. Una concepción más clara de
las realizaciones de la invención, y de los componentes combinables
con las realizaciones de la invención, y del funcionamiento de los
sistemas proporcionados con las mismas, serán más inmediatamente
evidentes con referencia a las realizaciones ejemplares -y, por lo
tanto, no limitantes- ilustradas en los dibujos, en los que
idénticos números de referencia (si aparecen en más de una vista)
designan los mismos elementos. Las realizaciones de la invención
pueden entenderse mejor con referencia a uno o más de estos dibujos
en combinación con la descripción presentada en este documento.
Debiera hacerse notar que las características ilustradas en los
dibujos no están necesariamente dibujadas a escala.
Las Figuras 1A-1C son alzados de
pares de sustratos en los que al menos uno de cada par define un
relieve cambiante periódicamente de forma sustancialmente regular
con respecto a la situación espacial de la base, que representan
una realización de la invención.
Las Figuras 2A-2C son alzados de
pares de sustratos en los que al menos uno de cada par porta un
constituyente de un precursor en una cantidad que varía
periódicamente de forma sustancialmente regular de una cantidad
media con respecto a la situación espacial de la base.
Las Figuras 3A-3D son vistas en
planta de estructuras de dominios de fases separadas que incluyen
una red hexagonal de dominios de fases separadas, que representan
una realización de la invención.
Las Figuras 3E-3H son vistas en
planta de estructuras de dominios de fases separadas que incluyen
una red ortogonal de dominios de fases separadas, que representan
una realización de la invención.
Las Figuras 4A-4C son alzados
esquemáticos de un procedimiento de control de la formación de una
estructura de dominios de fases separadas que usa un contacto de la
superficie posterior que define un relieve cambiante periódicamente
(y una intensidad del campo eléctrico) de forma sustancialmente
regular con respecto a la situación espacial de la base, que
representan una realización de la invención.
\global\parskip0.900000\baselineskip
Las Figuras 5A-5C son alzados
esquemáticos de un procedimiento de control de la formación de una
estructura de dominios de fases separadas que usa un instrumento
que define una intensidad de campo eléctrico cambiante
periódicamente de forma sustancialmente regular con respecto a la
situación espacial de la base, que representan una realización de
la invención.
Las Figuras 6A-6C son alzados
esquemáticos de un procedimiento de control de la formación de una
estructura de dominios de fases separadas que usa un instrumento y
un contacto de la superficie posterior, definiendo ambos un relieve
cambiante periódicamente de forma sustancialmente regular con
respecto a la situación espacial de la base, que representan una
realización de la invención.
Las Figuras 6D-6F son alzados
esquemáticos de un procedimiento de control de la formación de una
estructura de dominios de fases separadas que usa un contacto de la
superficie posterior que define un relieve cambiante periódicamente
de forma sustancialmente regular con respecto a la situación
espacial de la base, que representan una realización de la
invención.
Las Figuras 7A-7C son vistas
esquemáticas de una estructura de dominios hexagonales, que
representan una realización de la invención.
Las realizaciones de la invención y las diversas
características y detalles ventajosos de la misma se explican más
plenamente con referencia a las realizaciones no limitantes que se
ilustran en los dibujos adjuntos y que se detallan en la siguiente
descripción. Se omiten las descripciones de materiales de inicio,
técnicas de procesamiento, componentes y equipos bien conocidos
para no oscurecer innecesariamente las realizaciones de la
invención en detalle. Sin embargo, debería entender que, aunque
indican realizaciones preferidas de la invención, la descripción
detallada y los ejemplos específicos se dan a título de ilustración
únicamente y no en forma de limitación. A partir de esta
revelación, serán evidentes diversas sustituciones, modificaciones,
adiciones y/o reordenaciones dentro del concepto subyacente de la
invención para las personas versadas en la técnica.
Dentro de la presente solicitud se alude a
varias publicaciones mediante números arábigos o el nombre del
autor principal seguido por el año de publicación, entre paréntesis
o corchetes. Las citas completas de estas y otras publicaciones
pueden encontrarse al final de la memoria inmediatamente antes de
las reivindicaciones, tras el encabezado de sección Referencias.
Las revelaciones de todas estas publicaciones en su totalidad son,
por la presente, objeto de referencia expresa en el presente
documento con el fin de indicar los antecedentes de las
realizaciones y de ilustrar el estado de la técnica.
Las patentes estadounidenses a las que se alude
a continuación dan a conocer realizaciones que son útiles para los
fines para los que están concebidas. Por la presente, es objeto de
referencia expresa en el presente documento para todos los fines el
contenido total de las patentes estadounidenses n^{os} 6.736.986,
6.881.647, 6.787.012, 6.559.372, 6.500.733, 6.797.874, 6.720.239,
6.593.213 y 6.313.479.
El contexto de la invención puede incluir
controlar la formación de una estructura de dominios de fases
separadas dentro del producto de una reacción química. El contexto
de la invención puede incluir maquinaria para controlar la
formación de una estructura de dominios de fases separadas
controlando una cantidad de un constituyente de un precursor que
está presente por unidad de área de superficie. El contexto de la
invención puede incluir un producto de una reacción química que
incluye una estructura de dominios de fases separadas que incluye
una pluralidad de estructuras de dominios.
La estructura de dominios de fases separadas
incluye una pluralidad de estructuras de dominios. La invención
puede incluir estructuras de dominios que definen redes de
percolación. La invención puede incluir estructuras de dominios que
minimizan la longitud de la ruta requerida para la acumulación de
portadores de carga (por ejemplo, dominios columnares). Al menos
una de entre la pluralidad de estructuras de dominios puede incluir
al menos un dominio que se extiende desde una primera superficie del
producto de la reacción química hasta una segunda superficie del
producto de la reacción química. La invención puede incluir
estructuras de dominios que minimizan el área de la superficie
límite (por ejemplo, dominios columnares circulares) y/o minimizan
la superficie límite a lo largo de direcciones de ruta preferidas
(por ejemplo, dominios columnares circulares acanalados). La
invención puede incluir el uso de sodio para hacer menos difusos (es
decir, más diferenciados) los límites entre las estructuras de
dominios.
La invención puede incluir una escala de
longitud característica para el tamaño (intradominio) de los
dominios (por ejemplo, "r" para el radio interno). La
invención puede incluir de longitud característica para el tamaño
(interdominio) de la separación o las separaciones entre dominios
(por ejemplo, "d" para la distancia entre centros). Variando
la proporción del tamaño característico de dominio con respecto a la
separación característica de dominio, la invención permite el
control de un volumen relativo de dos (o más) dominios. Variando los
valores característicos absolutos, la invención permite el control
de la proporción del volumen de unión con respecto al volumen libre
de campo volumétrico en dos (o más) dominios de fases. La invención
puede incluir controlar la separación de los dominios para
controlar una proporción de dominios y/o de fases con respecto al
volumen o a otro parámetro.
La invención puede incluir una distribución del
tamaño característico de los dominios. Las realizaciones de la
invención pueden caracterizarse por una distribución estrecha del
tamaño de "r" (es decir, monomodal). Por ejemplo, las
realizaciones de la invención pueden caracterizarse por una
distribución de tamaños en la que el 80% de los casos de un dominio
esté caracterizado por un tamaño que esté dentro del 20% (en más o
en menos) de un valor escalar r. Puede ser ventajoso si el 90% de
los casos de un dominio están caracterizados por un tamaño que esté
dentro del 10% (en más o en menos) de un valor escalar "r".
Alternativamente, las realizaciones de la invención pueden estar
caracterizadas por una pluralidad de distribuciones estrechas de
tamaño "r" (es decir, multimodales). Las realizaciones
preferidas de la invención evitan distribuciones de tamaño aleatorio
(por ejemplo, de "r").
La invención puede incluir estructuras de
dominios de un tamaño que está entre aproximadamente 1 nm y
aproximadamente 1 \mum, preferentemente entre aproximadamente 5
nm y aproximadamente 100 nm. La invención puede incluir estructuras
de dominio que se repiten en múltiplos de un parámetro de red de
célula unitaria cristalográfica entre aproximadamente 1 nm y
aproximadamente 200 nm, preferentemente entre aproximadamente 5 nm y
aproximadamente 50 nm. No obstante, es importante apreciar que el
tamaño exacto (la magnitud) de los dominios no es importante.
La invención puede incluir una distribución
característica de tamaños de las separaciones de dominios. Las
realizaciones de la invención pueden caracterizarse por una
distribución estrecha de tamaños de "d" (es decir, monomodal).
Por ejemplo, las realizaciones de la invención pueden caracterizarse
por una distribución de separaciones en la que el 80% de los casos
de un dominio esté caracterizado por una separación que esté dentro
del 20% (en más o en menos) de un valor escalar d. Puede ser
ventajoso si el 90% de los casos de un dominio están caracterizados
por una separación que esté dentro del 10% (en más o en menos) de un
valor escalar "d". Alternativamente, las realizaciones de la
invención pueden estar caracterizadas por una pluralidad de
distribuciones estrechas de la separación "d" (es decir,
multimodales). Las realizaciones preferidas de la invención evitan
distribuciones de separación aleatoria (por ejemplo, de
"d").
La invención puede incluir estructuras de
dominios que se repiten (están separadas) sobre un periodo a
aproximadamente 1 um, preferentemente entre aproximadamente 5 nm y
aproximadamente 100 nm. La invención puede incluir estructuras de
dominios que se repiten en múltiplos de un periodo de hasta
aproximadamente 200 nm, preferentemente entre aproximadamente 5 nm
y aproximadamente 50 nm.
La invención puede incluir estructuras de
dominios que definen una simetría séxtuple, cuádruple o de otro
tipo, en dos o tres dimensiones. Sin embargo, es importante apreciar
que la simetría exacta no es importante. La invención puede incluir
estructuras de dominios que definen un orden de corto alcance. La
invención puede incluir estructuras de dominios que definen un
orden de largo alcance.
Con referencia a las Figuras
7A-7C, no se describirá la optimización de la
estructura de dominios hexagonales con respecto a la minimización
de la recombinación total R. Las Figuras 7A-7B se
relacionan con una aproximación de primer orden para minimizar la
recombinación total R para una red de estructura hexagonal de
dominio que tiene columnas circulares, suponiendo que la unión de
interabsorción es estrecha en comparación con las dimensiones
escalares r y d. Con referencia a las Figuras 7A-7B,
un producto 710 de una reacción química que define una primera
superficie 712 y una segunda superficie 714 está acoplado a un
contacto posterior 720. El producto 710 de la reacción química
incluye una estructura de dominios de fases separadas que incluyen
una estructura 701 de dominios cilíndricos y una estructura 702 de
dominios matriciales. En este caso, la estructura de dominios
matriciales se extiende desde la primera superficie 712 del producto
710 de la reacción química hasta la segunda superficie 714 del
producto 710 de la reacción química.
\global\parskip1.000000\baselineskip
El volumen total de cada célula hexagonal de
altura \tau_{0} está dado por
en la que d es la separación entre
células hexagonales. La recombinación total R (por célula) es igual
a la recombinación de la región uno R_{1} de dominios cilíndricos
más la recombinación de la región dos R_{2} de dominios
matriciales hexagonales más la recombinación en el contacto R_{i}
entre las regiones uno y la región
dos.
La recombinación en la región uno de dominios
cilíndricos está dada por
en la que \rho_{1} es la tasa
de recombinación volumétrica en la región uno de dominios
cilíndricos.
La recombinación en la región dos de dominios de
matriz hexagonal está dada por
en la que \rho_{2} es la tasa
de recombinación volumétrica en la región dos de dominios de matriz
hexagonal.
La recombinación en el contacto entre la región
cilíndrica uno y la región dos de dominios matriciales está dada
por
en la que \sigma_{i} es la
velocidad de recombinación de la superficie de contacto (unión). Las
tasas de recombinación \rho_{1} y \rho_{2}, y la velocidad
de recombinación \sigma_{i} son propiedades materiales que
dependen de las composiciones y de los historiales de
tratamiento.
La Fig. 7C se relaciona con una aproximación de
segundo orden para minimizar la recombinación total R para una red
de estructura de dominios hexagonales que tiene columnas circulares,
en la que la anchura de la unión no es pequeña en comparación con r
y/o d. Con referencia a la Fig. 7C, la anchura total de la unión es
igual a la anchura de la unión del dominio cilíndrico más la
anchura de la unión del dominio matricial
La recombinación total R (por célula) es igual a
la recombinación en la región uno R_{1} de dominios cilíndricos
de campo nulo más la recombinación en la región dos R_{2} de
dominios matriciales hexagonales de campo nulo más la recombinación
en la región de espacio anular uno R_{1j} de recombinación de
cargas más la recombinación en la región de espacio anular dos
R_{2j} de recombinación de cargas.
Las cuatro ecuaciones siguientes para los
términos R_{1}, R_{2}, R_{1j} y R_{2j} son válidas cuando
\tau_{1} \geq d_{j}. Si \tau_{1}, < d_{j}, entonces
se hace \tau_{1} = 0. La recombinación en la región uno de
dominios cilíndricos de campo nulo está dada por
en la que \rho_{1} es la tasa
de recombinación volumétrica en la región uno de dominios
cilíndricos de campo
nulo.
La recombinación en la región dos de dominios
matriciales hexagonales de campo nulo está dada por
en la que \rho_{2} es la tasa
de recombinación volumétrica en la región dos de dominios de matriz
hexagonal de campo
nulo.
La recombinación en la región de espacio anular
uno de recombinación de cargas está dada por
la que \rho_{1j} es la tasa de
recombinación volumétrica en la región de espacio anular uno de
recombinación de
cargas.
\newpage
La recombinación en la región de espacio anular
dos de recombinación de cargas está dada por
en la que \rho_{2j} es la tasa
de recombinación volumétrica en la región de espacio anular dos de
recombinación de cargas. Las tasas de recombinación \rho_{1},
\rho_{2}, \rho_{1j} y \rho_{2j} son propiedades
materiales que dependen de las composiciones y de los historiales de
tratamiento.
\vskip1.000000\baselineskip
Con referencia a las Figuras
1A-1C, la invención puede incluir una cantidad
periódicamente creciente de forma sustancialmente regular de un
precursor revistiendo de forma plana una superficie dotada de
relieve periódicamente de manera sustancialmente regular. Con
referencia a la Fig. 1A, un primer sustrato 102 incluye una
superficie 104 dotada de relieve periódicamente de manera
sustancialmente regular. Un primer precursor 106 está acoplado a la
superficie 104 dotada de relieve periódicamente de manera
sustancialmente regular. Puede apreciarse que hay relativamente más
del primer precursor 106 correspondiente a una situación espacial de
base centrada en la posición 108 central de una célula dotada de
relieve que en la posición 110 del borde de una célula dotada de
relieve. Un segundo precursor 114 está acoplado a un segundo
sustrato 112. El primer sustrato 102 y el segundo sustrato 112 son
amovibles entre sí. Cuando el primer precursor 106 y el segundo
precursor 114 entran en contacto y se calientan (opcionalmente,
bajo la influencia de un campo eléctrico), el producto de la
reacción resultante puede ser rico en cuanto a composición en los
constituyentes del primer precursor en una situación
correspondiente a la posición 108 central de la célula dotada de
relieve, especialmente si la tasa de difusión basal es mucho menor
que la tasa de difusión perpendicular.
Con referencia a la Fig. 1B, un primer precursor
126 está acoplado a un primer sustrato 122. Un segundo sustrato 132
incluye una superficie 124 dotada de relieve periódicamente de forma
sustancialmente regular. Un segundo precursor 134 está acoplado a
la superficie 124 dotada de relieve periódicamente de forma
sustancialmente regular. Puede apreciarse que hay relativamente más
del segundo precursor 134 en la posición 138 central de una célula
dotada de relieve que en la posición 130 del borde de una célula
dotada de relieve. El primer sustrato 122 y el segundo sustrato 132
son amovibles entre sí. Cuando el primer precursor 126 y el segundo
precursor 134 entran en contacto y se calientan (opcionalmente,
bajo la influencia de un campo eléctrico), el producto de la
reacción resultante será rico en cuanto a composición en los
constituyentes del segundo precursor en una situación
correspondiente a la posición 138 central de la célula dotada de
relieve.
Con referencia a la Fig. 1C, un primer sustrato
142 incluye una superficie 144 dotada de relieve periódicamente de
manera sustancialmente regular. Un primer precursor 146 está
acoplado a la superficie 144 dotada de relieve periódicamente de
manera sustancialmente regular. Puede apreciarse que hay
relativamente más del primer precursor 146 en la posición 158
central de una célula dotada de relieve que en la posición 150 del
borde de una célula dotada de relieve. Un segundo sustrato 152
incluye una superficie 145 dotada de relieve periódicamente de
forma sustancialmente regular. Un segundo precursor 154 está
acoplado a la superficie 145 dotada de relieve periódicamente de
forma sustancialmente regular. Puede apreciarse que hay
relativamente más del segundo precursor 154 en la posición 159
central de una célula dotada de relieve que en la posición 151 del
borde de una célula dotada de relieve. El primer sustrato 142 y el
segundo sustrato 152 son amovibles entre sí. Cuando el primer
precursor 146 y el segundo precursor 154 entran en contacto y se
calientan (opcionalmente, bajo la influencia de un campo
eléctrico), el producto de la reacción resultante será rico en
cuanto a composición en los constituyentes del primer precursor en
una situación correspondiente a la posición 158 central de la célula
dotada de relieve, y será rico en cuanto a composición en los
constituyentes del segundo precursor en una situación
correspondiente a la posición 159 central de la célula dotada de
relieve.
Con referencia a las Figuras
2A-2C, la invención puede incluir una cantidad
periódicamente creciente de forma sustancialmente regular de un
precursor depositando previamente una pluralidad de fuentes
constituyentes que incluyen un exceso del constituyente con
respecto a una cantidad media. Con referencia a la Fig. 2A, un
primer sustrato 202 incluye una pluralidad de fuentes
constituyentes 204 situadas periódicamente de manera sustancialmente
regular. Un primer precursor 206 está acoplado a las fuentes 204.
Puede apreciarse que hay relativamente más del primer precursor 206
en las posiciones 208 sin las fuentes 204 que en las posiciones 210
con las fuentes 204. Un segundo precursor 214 está acoplado a un
segundo sustrato 212. El primer sustrato 202 y el segundo sustrato
212 son amovibles entre sí. Cuando el primer precursor 206 y el
segundo precursor 214 entran en contacto y se calientan
(opcionalmente, bajo la influencia de un campo eléctrico), el
producto de la reacción resultante puede ser rico en cuanto a
composición en los constituyentes del primer precursor en las
situaciones correspondientes a la posición 208 central de la célula
dotada de relieve.
Con referencia a la Fig. 2B, un primer precursor
226 está acoplado a un primer sustrato 222. Un segundo sustrato 232
incluye una pluralidad de fuentes constituyentes 224 situadas
periódicamente de forma sustancialmente regular. Un segundo
precursor 234 está acoplado a las fuentes 224. Puede apreciarse que
hay relativamente más del segundo precursor 234 en la posición 238
central que en las posiciones 230 del borde. El primer sustrato 222
y el segundo sustrato 232 son amovibles entre sí. Cuando el primer
precursor 226 y el segundo precursor 234 entran en contacto y se
calientan (opcionalmente, bajo la influencia de un campo eléctrico),
el producto de la reacción resultante será rico en cuanto a
composición en los constituyentes del segundo precursor en una
situación correspondiente a la posición 238 central de la célula
dotada de relieve.
Con referencia a la Fig. 2C, un primer sustrato
242 incluye una pluralidad de fuentes constituyentes 244 situadas
periódicamente de forma sustancialmente regular. Un primer precursor
246 está acoplado a la pluralidad de fuentes constituyentes 244
situadas periódicamente de forma sustancialmente regular. Puede
apreciarse que hay relativamente más del primer precursor 246 en la
posición 258 central que en la posición 250 del borde. Un segundo
sustrato 252 incluye una pluralidad de fuentes 245 situadas
periódicamente de forma sustancialmente regular. Un segundo
precursor 254 está acoplado a la pluralidad de fuentes 245 situadas
periódicamente de forma sustancialmente regular. Puede apreciarse
que hay relativamente más del segundo precursor 254 en la posición
259 central que en la posición 251 del borde. El primer sustrato 242
y el segundo sustrato 252 son amovibles entre sí. Cuando el primer
precursor 246 y el segundo precursor 254 entran en contacto y se
calientan (opcionalmente, bajo la influencia de un campo
eléctrico), el producto de la reacción resultante será rico en
cuanto a composición en los constituyentes del primer precursor en
una situación correspondiente a la posición 258 central, y será
rico en cuanto a composición en los constituyentes del segundo
precursor en una situación correspondiente a la posición 259
central.
Con referencia a las Figuras
3A-3H, la superficie dotada de relieve y/o las
fuentes constituyentes pueden situarse de un lado a otro de una
superficie para definir una simetría hexagonal, o una simetría
ortogonal u otra simetría y/o grupo espacial. Con referencia a la
Fig. 3A, el relieve o las fuentes de la superficie pueden definir
una trama hexagonal 310. Con referencia a la Fig. 3B, los productos
320 de reacción cuya situación se corresponde a la trama 310 pueden
ser columnares (para facilitar el transporte de portador de carga)
con una circunferencia circular. Con referencia a la Fig. 3C, la
proporción entre el área del dominio matricial y el área del
dominio columnar puede controlarse situando las columnas 330 del
producto de la reacción más cerca entre sí (por ejemplo, de modo
que las columnas apenas se toquen). Con referencia a la Fig. 3D, la
proporción entre el área del dominio matricial y el área del
dominio columnar puede disminuir aún más situando las columnas 340
del producto de la reacción de forma que se solapen. Con referencia
a la Fig. 3E, el relieve o las fuentes de la superficie pueden
definir una trama ortogonal 350. Con referencia a la Fig. 3F, los
productos 360 de reacción cuya situación se corresponde a la trama
350 pueden ser columnares (para facilitar el transporte de portador
de carga) con una circunferencia circular. Con referencia a la Fig.
3G, la proporción entre el área del dominio matricial y el área del
dominio columnar puede controlarse situando las columnas 370 del
producto de la reacción más cerca entre sí (por ejemplo, de modo que
las columnas apenas se toquen). Con referencia a la Fig. 3H, la
proporción entre el área del dominio matricial y el área del dominio
columnar puede disminuir aún más situando las columnas 380 del
producto de la reacción de forma que se solapen.
En lo que sigue, se describirán realizaciones
específicas de la invención adicionalmente mediante los siguientes
ejemplos no limitantes que servirán para ilustrar con algún detalle
diversas características. Los siguientes ejemplos se incluyen para
facilitar una comprensión de las formas en que puede ponerse en
práctica una realización de la invención. Debiera observarse que
los ejemplos que siguen representan realizaciones que se ha
descubierto que funcionan bien en la práctica de la invención y,
por ello, puede considerarse que constituyen un modo o modos
preferidos para la práctica de las realizaciones de la invención.
Sin embargo, debiera apreciarse que pueden realizarse muchos
cambios en las realizaciones ejemplares que se dan a conocer a la
vez que se sigue obteniendo un resultado parecido o similar sin
apartarse de una realización de la invención. En consecuencia, no
debe interpretarse que los ejemplos limiten el alcance de la
invención.
Con referencia a las Figuras
4A-4C, este ejemplo se relaciona con una realización
de la invención que incluye un revestimiento plano de un primer
precursor 410 sobre una superficie de un instrumento 416 en la que
un primer precursor constituyente se aumenta periódicamente de
forma sustancialmente regular depositando previamente una
pluralidad de fuentes constituyentes 412 que incluyen un exceso del
constituyente con respecto a una cantidad media. Esta realización
también incluye el uso de un campo eléctrico conmutable (por
ejemplo, encendido-apagado), modulable (por
ejemplo, en la intensidad del campo), reversible (por ejemplo, en
polaridad).
Con referencia a la Fig. 4A, un primer precursor
410 incluye fuentes 412. Se proporciona un segundo precursor 420 en
un contacto posterior 422. Con referencia a la Fig. 4B, el primer
precursor 410 y el segundo precursor 420 entran en contacto y se
calientan, y se aplica un campo eléctrico. Con la polarización del
campo aplicado tal como se representa en la Fig. 4B, el campo
eléctrico tiende a alejar al menos algunos de los iones de cobre
del instrumento. Tal como se representa, el campo ejerce fuerza
sobre el cobre que es contraria a la dirección del empuje químico
sobre el cobre, y puede denominarse polarización inversa (inadecuado
para la polarización directa). Naturalmente, la dirección del campo
puede ser seleccionada, la magnitud del campo puede ser controlada
y el campo puede ser conectado y/o desconectado. Entretanto, las
fuentes 412 forman dominios beta ricos en
indio-galio. Con referencia a la Fig. 4C, una vez
que se elimina el campo eléctrico, se separa el instrumento y los
dominios permanecen intactos.
Con referencia a las Figuras
5A-5C, este ejemplo se relaciona con una realización
de la invención que incluye un revestimiento plano de un primer
precursor sobre una superficie de un instrumento en la que un primer
precursor constituyente se aumenta periódicamente de forma
sustancialmente regular depositando previamente una pluralidad de
fuentes constituyentes que incluyen un exceso del constituyente con
respecto a una cantidad media. Esta realización de la invención
también incluye un contacto de la superficie posterior que está
recubierto de forma plana con un segundo precursor. Esta
realización incluye el uso de un campo eléctrico conmutable (por
ejemplo, encendido-apagado), modulable (por ejemplo,
en la intensidad del campo), reversible (por ejemplo, en polaridad)
cuya intensidad varía periódicamente de forma sustancialmente
regular con respecto a la situación espacial de la base.
Con referencia a la Fig. 5A, un primer precursor
510 incluye fuentes 512 de
(In/Ga)_{y}(Se)_{1-y} e
In/Ga. El primer precursor 510 está acoplado a una capa aplanada
514 de liberación que está acoplada a una superficie dotada de
relieve periódicamente de forma sustancialmente regular de un
instrumento 516. Las fuentes 512 pueden ensamblarse por sí mismas
en emplazamientos correspondientes a la superficie dotada de relieve
mediante la fotoionización de partículas de In/Ga y la aplicación
de una polarización negativa al instrumento, o cañón de electrones,
que ioniza las partículas de In/Ga y aplica una polarización
positiva al instrumento. El uso de la fotoionización y/o la
ionización por cañón de electrones para permitir la colocación de
puntos cuánticos se describe en la patente estadounidense nº
6.313.476. Naturalmente, pueden usarse otros procedimientos de
autoensamblado y/o deposición para colocar las fuentes 512, como la
epitaxia autoorganizada (por ejemplo, sobre GaAs) y/o técnicas
moleculares robotizadas. Un segundo precursor 520 incluye
Cu_{x}Se_{1-x}. Con referencia a la Fig. 5B, el
primer precursor 510 y el segundo precursor 520 entran en contacto y
se calientan, y se aplica un campo eléctrico. El campo eléctrico
representado tiende a alejar algunos de los iones de cobre de las
proyecciones del instrumento dotado de relieve, formando con ello
dominios alfa ricos en cobre. Alejar a los iones de cobre del
instrumento contribuye a evitar que el producto de la reacción se
suelde al instrumento. Entretanto, las fuentes 512 forman dominios
beta ricos en indio-galio. Con referencia a la Fig.
5C, una vez que se elimina el campo eléctrico, se separa el
instrumento y los dominios permanecen
intactos.
intactos.
Con referencia a las Figuras
6A-6C, este ejemplo se relaciona con una realización
de la invención que incluye un instrumento 610 en el que la
cantidad de un primer precursor 612 se aumenta periódicamente de
forma sustancialmente regular revistiendo de forma plana
periódicamente de manera sustancial regular una superficie dotada de
relieve. Esta realización de la invención también incluye un
contacto 614 de la superficie posterior, en la que un segundo
precursor 616 está sustancialmente aplanado.
Con referencia a la Fig. 6A, pueden verse
emplazamientos del primer precursor adicional. Con referencia a la
Fig. 6B, los dominios resultantes son columnares y se extienden
desde una primera superficie 620 del producto de reacción a una
segunda superficie 622. Con referencia a la Fig. 6C, un emisor 649
está acoplado al producto de reacción.
Con referencia a las Figuras
6D-6F, este ejemplo se relaciona con una realización
de la invención que incluye un instrumento 660 que está recubierto
de forma plana con un primer precursor 662. Esta realización de la
invención también incluye un contacto 664 de la superficie posterior
en el que la cantidad de un segundo precursor 668 se aumenta
periódicamente de manera sustancialmente regular revistiendo de
forma plana una superficie dotada de relieve periódicamente de
manera sustancialmente regular.
Con referencia a la Fig. 6D, los emplazamientos
del segundo precursor adicional corresponden a situaciones en los
que se situarán los dominios ricos en el segundo precursor
adyacentes al segundo sustrato. Con referencia a la Fig. 6E, solo
uno de los dominios resultantes se extiende desde una primera
superficie 670 del producto de reacción hasta una segunda
superficie 672. Con referencia a la Fig. 6F, un emisor 699 está
acoplado al producto de reacción.
Con referencia a las Figuras
8A-8C, este ejemplo se relaciona con una realización
de la invención que incluye un revestimiento plano de un primer
precursor sobre una superficie de un instrumento en la que un primer
precursor constituyente se aumenta periódicamente de manera
sustancialmente regular con respecto a un plano base utilizando un
sustrato dotado de relieve. El resultado es un exceso del
constituyente con respecto a una cantidad media en emplazamientos
que se corresponden a las muescas individuales de la superficie
dotada de relieve del instrumento. Esta realización también incluye
el uso de un campo eléctrico conmutable (por ejemplo,
encendido-apagado), modulable (por ejemplo, en la
intensidad del campo), reversible (por ejemplo, en polaridad) cuya
intensidad varía periódicamente de forma sustancialmente regular
con respecto a la situación espacial de la base.
Con referencia a la Fig. 8A, se proporciona un
primer precursor 810 en una superficie instrumental 815. Se
proporciona un segundo precursor 820 en un contacto posterior 822.
Con referencia a la Fig. 5B, el primer precursor 810 y el segundo
precursor 820 entran en contacto y se calientan, y se aplica un
campo eléctrico. Con la polarización del campo aplicado tal como se
representa en la Fig. 8B, el campo eléctrico tiende a alejar al
menos algunos de los iones de cobre del instrumento. Es importante
apreciar que la intensidad del campo es mayor en los emplazamientos
de la superficie del instrumento que no están dotados de relieve.
Así, la fuerza electrostática motriz también aumenta periódicamente
de manera sustancialmente regular con respecto a un plano de base.
Tal como se representa, el campo ejerce fuerza sobre el cobre que es
contraria a la dirección del empuje químico sobre el cobre, y puede
denominarse polarización inversa (inadecuado para la polarización
directa). Naturalmente, la dirección del campo puede ser
seleccionada, la magnitud del campo puede ser controlada y el campo
puede ser conectado y/o desconectado. Entretanto, tienden a formarse
dominios beta ricos en indio-galio en
emplazamientos que se corresponden a las muescas individuales de la
superficie dotada de relieve del instrumento. Con referencia a la
Fig. 8C, una vez que se elimina el campo eléctrico, se separa el
instrumento y los dominios permanecen intactos.
Con referencia a las Figuras
9A-9C, este ejemplo se relaciona con una realización
de la invención que incluye un primer precursor sobre una
superficie de un instrumento en la que un primer precursor
constituyente se aumenta periódicamente de manera sustancialmente
regular con respecto a un plano base utilizando un sustrato dotado
de relieve en combinación con un revestimiento líquido que contiene
el primer precursor constituyente. El revestimiento líquido se seca
y, a continuación, se deposita el resto del primer precursor. El
resultado es un exceso del constituyente con respecto a una
cantidad media en emplazamientos que se corresponden a las muescas
individuales de la superficie dotada de relieve del instrumento.
Esta realización vuelve a incluir el uso de un campo eléctrico
conmutable (por ejemplo, encendido-apagado),
modulable (por ejemplo, en la intensidad del campo), reversible
(por ejemplo, en polaridad) cuya intensidad varía periódicamente de
forma sustancialmente regular con respecto a la situación espacial
de la base.
Con referencia a la Fig. 9A, el revestimiento
líquido 905 que contiene el primer precursor constituyente se
aplica a una superficie instrumental 515. Con referencia a la Fig.
9B, el revestimiento líquido 905 se seca y las fuerzas capilares
hacen que el primer precursor constituyente se acumule en las
porciones más profundas de las muescas individuales. Con referencia
a la Fig. 9C, el resto 910 del primer precursor se deposita de
forma plana. Se proporciona un segundo precursor 920 en un contacto
posterior 522. Con referencia a la Fig. 9D, el primer precursor 910
y el segundo precursor 920 entran en contacto y se calientan, y se
aplica un campo eléctrico. Con la polarización del campo aplicado
tal como se representa en la Fig. 9D, el campo eléctrico tiende a
alejar al menos algunos de los iones de cobre del sustrato dotado de
relieve. Es importante apreciar que la intensidad del campo es
mayor en los emplazamientos de la superficie del instrumento que no
tienen muescas. Así, la fuerza electrostática motriz también
aumenta periódicamente de manera sustancialmente regular con
respecto a un plano de base. Nuevamente, la dirección del campo
puede ser seleccionada, la magnitud del campo puede ser controlada
y el campo puede ser conectado y/o desconectado. Con referencia a la
Fig. 9E, tienden a formarse dominios beta ricos en
indio-galio en emplazamientos que se corresponden a
las muescas individuales de la superficie dotada de relieve del
instrumento. Una vez que se elimina el campo eléctrico, se separa el
instrumento y los dominios permanecen intactos.
Con referencia a las Figuras
10A-10D, este ejemplo se relaciona con una
realización de la invención que incluye un segundo precursor 1000
sobre una superficie de un contacto posterior 1020 en la que un
segundo precursor constituyente se aumenta periódicamente de manera
sustancialmente regular depositando previamente una pluralidad de
fuentes constituyentes 1010 que incluyen un exceso del constituyente
con respecto a una cantidad media. Nuevamente, esta realización
incluye el uso de un campo eléctrico conmutable (por ejemplo,
encendido-apagado), modulable (por ejemplo, en la
intensidad del campo), reversible (por ejemplo, en polaridad).
Con referencia a la Fig. 10A, se forman fuentes
1010 en el contacto posterior 1020 mediante epitaxia. Con
referencia a la Fig. 10B, se proporciona un primer precursor 1030 en
la superficie de un instrumento. El primer precursor 1030 y el
segundo precursor 1000 entran en contacto y se calientan, y se
aplica el campo eléctrico. Con la polarización del campo aplicado
tal como se representa en la Fig. 10C, el campo eléctrico tiende a
alejar al menos algunos de los iones de cobre de la superficie del
instrumento. Tal como se representa, el campo ejerce fuerza sobre
el cobre que es contraria a la dirección del empuje químico sobre el
cobre, y puede denominarse polarización inversa. Como en ejemplos
anteriores, la dirección del campo puede ser seleccionada, la
magnitud del campo puede ser controlada y el campo puede ser
conectado y/o desconectado. Entretanto, las fuentes 1010 forman
dominios alfa ricos en cobre. Con referencia a la Fig. 10D, una vez
que se elimina el campo eléctrico, se separa el instrumento y los
dominios permanecen intactos.
Una aplicación práctica de la invención que
tiene valor dentro de las técnicas tecnológicas es la fabricación
de dispositivos fotovoltaicos como películas captadoras o sustancias
electroluminiscentes. Además, la invención es útil en conjunción
con la fabricación de semiconductores (como los usados para hacer
transistores), o en conjunción con la fabricación de
superconductores (como los usados para hacer imanes o detectores) o
similares. Hay usos casi innumerables para una realización de la
invención, y no es preciso detallarlos todos en el presente
documento.
Las realizaciones de la invención pueden ser
rentables y ventajosas por al menos las siguientes razones. Las
realizaciones de la invención pueden mejorar el control de la
formación de una estructura de dominios de fases separadas dentro
de un producto de una reacción química. Las realizaciones de la
invención pueden mejorar las propiedades de límite de una
pluralidad de estructuras de dominios dentro de la estructura de
dominios de fases separadas. Las realizaciones de la invención
pueden mejorar el rendimiento de los productos de una reacción
química que incluyen una estructura de dominios de fases separadas.
Las realizaciones de la invención mejoran la calidad y/o reducen
los costes en comparación con enfoques previos.
El término capa se pretende que signifique en
general películas, revestimientos y estructuras más gruesas. El
término revestimiento se pretender de forma subgenérica que
signifique películas delgadas, películas gruesas y estructuras más
gruesas. El término composición se pretende que signifique en
general sustancias inorgánicas u orgánicas como, sin limitación,
productos de una reacción química y/o productos de una reacción
física. El término seleniuro se pretende que signifique un material
que incluye el elemento selenio y que no incluye suficiente oxígeno
para precipitar una base de selenato separada; puede haber presente
oxígeno en el seleniuro. El término instrumento se pretende que
signifique un sustrato concebido para la reutilización o un uso
múltiple.
El término programa y/o la expresión programa
informático se pretende que signifique una secuencia de
instrucciones concebida para su ejecución en un sistema de
ordenadores (por ejemplo, un programa y/o un programa informático
pueden incluir una subrutina, una función, un procedimiento, un
método de objeto, un código objeto, una biblioteca
compartida/biblioteca de enlace dinámico y/u otra secuencia de
instrucciones concebida para su ejecución en un ordenador o en un
sistema de ordenadores). La expresión radiofrecuencia se pretende
que signifique frecuencias iguales o menores de aproximadamente 300
GHz, al igual que el espectro infrarrojo. Los números de grupos
correspondientes a las columnas dentro de la tabla periódica de
elementos usan la convención de la "Nueva notación", tal como
aparece en el CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81ª edición
(2000).
El término sustancialmente se pretende que
signifique en gran medida, pero no necesariamente por completo
aquello que se especifica. El término aproximadamente pretende que
signifique al menos cerca de un valor dado (por ejemplo, dentro del
10% del mismo). El término generalmente se pretende que signifique
al menos aproximándose a un estado dado. El término acoplado se
pretende que signifique conectado, aunque no necesariamente
directamente, y no necesariamente mecánicamente. El término
próximo, tal como se usa en el presente documento, se pretende que
signifique cercano, casi adyacente y/o coincidente, e incluye
situaciones espaciales en las que puede llevarse a cabo y/o
lograrse funciones y/o resultados especificados (si es que hay
alguno). El término desplegar se pretende que signifique diseñar,
construir, transportar, instalar y/o hacer funcionar.
Los términos primero o uno, y las expresiones al
menos un primero o al menos uno, se pretende que signifiquen lo
singular o lo plural, a no ser que esté claro por el texto
intrínseco del presente documento que se entiende lo contrario. Los
términos segundo u otro, y las expresiones al menos un segundo o al
menos otro, se pretende que signifiquen lo singular o lo plural, a
no ser que esté claro por el texto intrínseco del presente documento
que se entiende lo contrario. A no ser que se afirme expresamente
lo contrario en el texto intrínseco del presente documento, el
término o se pretende que signifique un o incluyente y no un o
excluyente. Específicamente, una condición A o B se satisface por
una cualquiera de los siguientes: A es verdad (o está presente) y B
es falso (o no está presente), A es falso (o no está presente) y B
es verdad (o está presente), y tanto A como B son verdad (o están
presentes). Los términos un o una se emplean por cuestiones de
estilo gramatical y meramente por conveniencia.
El término pluralidad se pretende que signifique
dos o más de dos. El término cualquiera se pretende que signifique
todos los miembros aplicables de un conjunto o, al menos, un
subconjunto de todos los miembros aplicables del conjunto. La
expresión cualquier entero derivable en el mismo se pretende que
signifique un entero entre los números correspondientes enumerados
en la memoria. La expresión cualquier intervalo derivable en el
mismo se pretende que signifique cualquier intervalo dentro de
tales números correspondientes. El término medio, cuando va seguido
por el término "para", se pretende que signifique maquinaria
informática, lógica física y/o soporte lógico para lograr un
resultado. El término etapa, cuando va seguido por el término
"para" se pretende que signifique un
(sub)procedimiento, (sub)proceso y/o
(sub)rutina para lograr el resultado enumerado.
Los términos "comprende",
"comprendiendo", "incluye", "incluyendo",
"tiene", "teniendo" o cualquier otra variación de los
mismos, se pretende que cubran una inclusión no excluyente. Por
ejemplo, un proceso, un procedimiento, un artículo o un aparato que
comprende una lista de elementos no están necesariamente limitados
únicamente a esos elementos, sino que pueden incluir otros
elementos no expresamente enumerados o inherentes a tal proceso,
procedimiento, artículo o aparato. Los términos "consistiendo"
(consiste, consistido) y/o "componiendo" (compone, compuesto)
se pretende que signifiquen lenguaje cerrado que no deja el
procedimiento, el aparato o la composición enumerados para la
inclusión de procedimientos, estructura(s) y/o
ingrediente(s) distintos de los enumerados salvo en lo
referente a complementos, aditamentos y/o impurezas normalmente
asociados a los mismos. La enumeración del término
"esencialmente" junto con el término "consistiendo"
(consiste, consistido) y/o "componiendo" (compone, compuesto)
se pretende que signifique lenguaje aproximado modificado que deja
que el procedimiento, el aparato o la composición enumerados
abiertos únicamente para la inclusión de procedimientos,
estructura(s) y/o ingrediente(s) no especificados que
no afectan materialmente las características novedosas básicas del
procedimiento, del aparato y/o de la composición enumerados.
A no ser que se defina lo contrario, todos los
términos técnicos y científicos usados en el presente documento
tienen el mismo significado que entiende comúnmente una persona de
dominio normal de la técnica a la que pertenece la presente
invención. En caso de conflicto, regirá la presente memoria,
incluidas sus definiciones.
Las realizaciones y los ejemplos descritos son
únicamente ilustrativos y no se pretende que sean limitantes.
Aunque las realizaciones de la invención pueden implementarse por
separado, las realizaciones de la invención pueden ser integradas
en el o los sistemas con los que están asociadas. Todas las
realizaciones de la invención dada a conocer en el presente
documento pueden fabricarse y usarse sin experimentación indebida en
vista de la revelación. Aunque se da a conocer el mejor modo de la
invención contemplado por el o los inventores, las realizaciones de
la invención no están limitadas al mismo. Las realizaciones de la
invención no están limitadas por declaraciones teóricas (si es que
las hay) enumeradas en el presente documento. No es preciso que las
etapas individuales de las realizaciones de la invención se lleven a
cabo de la manera dada a conocer, ni que se combinen en las
secuencias dadas a conocer, sino que pueden llevarse a cabo de
cualquier manera y en todas ellas y/o combinarse en cualquier
secuencia y en todas ellas. No es preciso que los componentes
individuales de las realizaciones de la invención se formen con las
formas dadas a conocer, ni que se combinen en las configuraciones
dadas a conocer, sino que podrían proporcionarse con cualquier forma
y en todas ellas y/o combinarse en cualquier configuración y en
todas ellas. No es preciso que los componentes individuales estén
fabricados de los materiales dados a conocer, sino que podrían
fabricarse de cualquier material adecuado o de todos ellos. Las
sustancias descritas en el presente documento pueden ser
reemplazadas con sustitutos homólogos.
Todos los elementos y las características dados
a conocer de cada una de las realizaciones dadas a conocer pueden
combinarse con los elementos y las características dados a conocer
de todas las demás realizaciones dadas a conocer, o sustituirlos,
salvo cuando tales elementos o características sean mutuamente
excluyentes. El concepto subyacente de la invención, tal como se
define mediante las reivindicaciones adjuntas, y sus equivalentes
abarcan todas las sustituciones, modificaciones, adiciones y/o
reorganizaciones de ese tipo.
(1) B. J. Stanbery, "The
intra-absorber junction (IAJ) model for the device
physics of copper indium selenide-based
photovoltaics",
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(2) Y. Yan, R. Noufi, K. M.
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2005.
(3) Billy J. Stanbery, "Copper
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1040-8436/02 CRC Press, Inc., 2002,
páginas 73-117.
(4) B.J. Stanbery, S. Kincal, L.
Kim, T. J. Anderson, O. D. Crisalle, S. P.
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Control of Defect Structures in CIS",
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IEEE, 2000, páginas 440-445.
(5) Vigésimo Congreso Europeo sobre la Energía
Solar Fotovoltaica, 6-10 de junio de 2005,
Barcelona, España, páginas 1744-1747.
Claims (2)
1. Un procedimiento que comprende: proporcionar
un primer precursor (106; 126; 146; 206; 226; 246) sobre un primer
sustrato (102; 122; 142; 202; 222; 242); proporcionar un segundo
precursor (114; 134; 154; 214; 234; 254) sobre un segundo sustrato
(112; 132; 152; 212; 232; 252); poner en contacto el primer
precursor y el segundo precursor; hacer reaccionar el primer
precursor y el segundo precursor para formar un producto de reacción
química; y mover el primer sustrato y el segundo sustrato entre sí
para separar el producto de la reacción química de al menos un
miembro seleccionado del grupo constituido por el primer sustrato
(102; 122; 142; 202; 222; 242) y el segundo sustrato (112; 132;
152; 212; 232; 252), caracterizado porque, para controlar la
formación de una estructura de dominio de fase separada dentro del
producto de la reacción química, se proporciona un constituyente de
al menos un miembro seleccionado del grupo constituido por el primer
precursor (106; 126; 146; 206; 226; 246) y el segundo precursor
(102; 122; 142; 202; 222; 242) en una cantidad que varía
periódicamente de una forma sustancialmente regular con respecto a
una cantidad media con respecto a la situación espacial de la base,
en el que la estructura de dominio de fase separada incluye una red
de dominio de fase separada, en la que la cantidad del
constituyente se aumenta periódicamente de manera sustancialmente
regular mediante el revestimiento plano de una superficie dotada de
relieve periódicamente de manera sustancialmente regular con un
material que incluye un exceso del constituyente con respecto a la
cantidad media, en la que la cantidad en que se proporciona el
constituyente periódicamente varía de la cantidad media con respecto
a la situación espacial de la base en una escala submicrométrica y
en la que la cantidad en que se proporciona el constituyente
periódicamente varía de la cantidad media con respecto a la
situación espacial de la base en una escala que es sustancialmente
un múltiplo de aproximadamente cinco nanómetros.
2. El procedimiento de la reivindicación 1 que
además comprende generar un campo eléctrico entre el primer sustrato
(102; 122; 142; 202; 222; 242) y el segundo sustrato (112; 132;
152; 212; 232; 252).
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