BRPI0707851A2

BRPI0707851A2 - composiÇÕes de limpeza nço-aquosas, estabilizadas para substratos microeletrânicos

Info

Publication number: BRPI0707851A2
Application number: BRPI0707851-0A
Authority: BR
Inventors: M. Kane Sean
Original assignee: Mallinckrodt Baker, Inc.
Priority date: 2006-02-15
Filing date: 2007-01-31
Publication date: 2011-05-10
Also published as: JP4902898B2; ATE440940T1; CN101384694B; IL193237A0; TW200732865A; KR20080094920A; IL193237A; DE602007002170D1; CN101384694A; DK1994134T3; JP2009527126A; EP1994134B1; PL1994134T3; ZA200804625B; ES2330805T3; PT1994134E; WO2007097897A1; US20090005283A1; EP1994134A1; NO20083560L

Abstract

COMPOSIÇÕES DE LIMPEZA NçO-AQUOSAS, ESTABILIZADAS PARA SUBSTRATOS MICROELETRâNICOS. A presente invenção refere-se a composições não-aquosas de dissolução e limpeza para limpar dispositivos microeletrônicos, a referida composição que contem pelo menos um composto polar orgânico contendo enxofre como solvente de dissolução, pelo menos uma fonte de uma base forte de hidróxido isenta de água e, pelo menos um agente estabilizador da hidroxipiridina para inibir reações secundárias prejudiciais.

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "COMPOSI-ÇÕES DE LIMPEZA NÃO-AQUOSAS, ESTABILIZADAS PARA SUBSTRA-TOS MICROELETRÔNICOS".

Campo da Invenção

A presente invenção refere-se a composições de limpeza e dis-solução estabilizadas para substratos microeletrônicos e em particular paraa limpeza de fotorresistências volumosas, resíduos poliméricos sem cinzas,e resíduos com cinzas, a partir de substratos microeletrônicos padronizadoscom uma conseqüente corrosão metálica reduzida ou essencialmente nula.

Enquanto a invenção é especialmente eficaz na limpeza de polímeros decomponentes de dispositivos microeletrônicos à base de alumínio e à basede cobre sem causar uma corrosão indevida do alumínio ou do cobre, étambém eficaz na remoção de polímeros de outras aplicações microelectró-nicas enquanto protege os metais e os substratos da corrosão. Entre osprocessos para os quais a invenção é eficaz na limpeza e proteção estãoaqueles utilizados na produção de discos rígidos (com ligas de metais de Fe,Co, Ni e Cr), processos de amortecimento de pastilha, (tais como PbSn,InSn, e outras soldas livres de Pb), extremidade frontal avançada dos pro-cessos da linha (SiGe, vários portões metálicos), e semicondutores compos-tos. A invenção diz ainda respeito a tais composições de limpeza que sãotambém capazes de limpar resíduos pós-incineração de outras vias e delinhas de metais bem como são capazes de limpar ou dissolver a fotorresis-tência sem cinzas de substratos microeletrônicos. Um aspecto adicional des-ta invenção é um processo de limpeza ou dissolução da fotorresistência eresíduos de componentes microeletrônicos, especialmente componentesmicroeletrônicos que contêm alumínio, sem causar uma corrosão indevidados metais encontrados em vários dos processos microeletrônicos.

Antecedentes da Invenção

Foram propostos muitos solventes e agentes de remoção defotorresistências para utilização em produção microelectrónica. Muitas dasfases da construção de dispositivos microeletrônicos envolvem uma películafina de fotorresistência que é depositada em um substrato material e visuali-zada para produzir o desenho do circuito. A imagem resultante é utilizadapara imprimir o material subjacente, que pode ser uma camada dieléctricaou metálica, utilizando gases de plasma para dissolução ou dissolução quí-mica à base de solventes. Posteriormente a este passo de dissolução, amáscara de resistência tem que ser removida da zona protegida do substra-to para que a próxima operação do processo possa ter lugar. A fotorresis-tência pode ser removida diretamente por agentes de dissolução químicosúmidos, ou removida na sua maior parte por incineração do material volu-moso, seguido de remoção dos resíduos. Encontrar uma composição delimpeza para a remoção do material fotorresistente volumoso e dos resíduosde incineração pode ser um desafio. O processo de dissolução pode modifi-car o polímero volumaso, aumentando as ligações cruzadas e tornandomais difícil a remoção do material fotorresistente. Podem ocorrer ligaçõescruzadas similares quando o passo de incineração é parcial ou incompleto,e os resíduos de cinzas nas paredes laterais da estrutura podem revelar-sedifíceis de remover. De um modo adicional, a solução de limpeza deve pro-videnciar uma limpeza adequada enquanto protege da corrosão ou dissolu-ção todos os metais e dielétricos expostos. Tal fato tem um interesse parti-cular nas áreas de desenvolvimento da microelectrónica que requeremcompatibilidade simultânea com diversos materiais, cada um deles com re-1 quisitos de compatibilidade únicos.

Foram propostas muitas composições alcalinas de limpeza oudissolução para microelectrónica para a remoção de ligações cruzadas efotorresistência endurecida e outros resíduos, tais como resíduos pós-dissolução, de tais substratos microeletrônicos. No entanto, um dos proble-mas com tais composições de dissolução e limpeza é a possibilidade de cor-rosão dos metais como resultado da utilização de tais composições de lim-peza. Tal corrosão resulta em filamentos, corrosão por picadas, estriagemdas linhas metálicas, e perda selectiva do metal das ligas devido a pelo me-nos em parte à reação dos metais dos substratos dos dispositivos com osagentes de dissolução alcalinos empregues. Uma tal composição alcalina dedissolução e limpeza para microelectrónica é aquela apresentada no docu-mento de patente US N5 5.308.745. Enquanto as composições de dissolu-ção e limpeza de tal patente têm sido comercialmente empregues para adissolução da fotorresistência endurecida e com ligações cruzadas de subs-tratos, foi descoberto que tais tentativas para efetuar a limpeza de substra-tos microeletrônicos que possuem várias camadas metálicas expostas coma composição de limpeza de tal patente resultaram em uma corrosão signifi-cativa dos metais ou em uma limpeza insuficiente da fotorresistência ou dosresíduos.

Existe, assim, a necessidade de composições de dissolução elimpeza para microelectrónica que consigam remover de forma eficaz resí-duos volumosos resistentes e resíduos de incineração e que o façam semuma corrosão metálica significativa ou ataque ao substrato em resultado dacomposição de dissolução e limpeza. Existe também uma necessidade paratais composições que providenciem proteção contra a corrosão para diver-sos materiais presentes na produção microelectrónica expostos à químicade limpeza no mesmo passo de limpeza.

Breve Sumário da Invenção

De acordo com esta invenção, são providenciadas composiçõesnão-aquosas de dissolução e limpeza para a limpeza de dispositivos mieroe-letrônicos, compreendendo a composição: pelo menos um composto polarorgânico que contém enxofre como agente de dissolução, pelo menos umafonte de uma base forte de hidróxido isenta de água, e pelo menos um a-gente estabilizante da hidroxipiridina para inibir reações secundárias prejudi-ciais. Outros componentes opcionais, tais como por exemplo, co-solventes,tensoativos ou agentes de ação superficial, agentes complexantes ou que-Iantes para metais, e inibidores da corrosão podem também estar presentesnas composições não-aquosas de dissolução e limpeza desta invenção.

A composição não-aquosa de dissolução e limpeza desta inven-ção para a limpeza de dispositivos microeletrônicos irá geralmente compre-ender de um modo preferencial um sulfóxido líquido tal como o dimetilsulfó-xido (DMSO), uma sulfona líquida tal como sulfolano, ou misturas dos mes-mos tais como os compostos polares orgânicos que contêm enxofre comosolventes de dissolução em quantidades de cerca de 20% do peso total atécerca de 99% em peso total com base no peso da composição, um hidróxi-do metálico alcalino, hidróxido de amônio ou hidróxido de amônio quaterná-rio como a base de hidróxido forte em uma quantidade de cerca de 0,5% dopeso total a cerca de 20% em peso total com base no peso da composição,e 2- ou 4-hidroxipiridina ou misturas dos mesmos em quantidades de cercade 0,01% em peso total a cerca de 5% em peso total com base no peso dacomposição.

O método para limpar dispositivos microeletrônicos de acordocom a presente invenção compreende um método para limpar dispositivosmicroeletrônicos sem produzir qualquer corrosão substancial de metal, oprocesso compreendendo o contato do dispositivo microeletrônico composi-ção com uma solução de limpeza não-aquosa durante um intervalo de tem-po suficiente para limpar o dispositivo, em que a composição de limpezacompreende pelo menos um composto polar orgânico contendo enxofre co-mo solvente de dissolução, pelo menos uma fonte de uma base forte de hi-dróxido isenta de água, e pelo menos um agente estabilizante da hidroxipiri-dina, e opcionalmente outros compostos adicionais, tais como por exemplo,co-solventes, tensoativos ou agentes de ação superficial, agentes comple-xantes ou quelantes de metais e inibidores da corrosão.1 Descrição Detalhada da Invenção e Formas de Realização Preferidas

As composições não-aquosas de dissolução e limpeza da pre-sente invenção para limpar dispositivos microeletrônicos compreendem, pelomenos, um composto polar orgânico contendo enxofre como solvente dedissolução, pelo menos uma fonte de uma base forte de hidróxido isenta deágua e, pelo menos, uma hidroxipiridina como agente estabilização parainibir reações colaterais prejudiciais. Outros componentes opcionais, taiscomo, por exemplo, co-solventes, tensoativos ou agentes de ação superfici-al, agentes complexantes metálicos ou agentes quelantes e inibidores dacorrosão também podem estar presentes nas composições não-aquosas dedissolução e limpeza da presente invenção.

Qualquer composto polar orgânico adequado de solvente dedissolução contendo enxofre, pode ser empregue nas composições da pre-sente invenção. Os exemplos de tais compostos polares orgânicos adequa-dos contendo enxofre incluem, mas não se limitam a, dialquilsulfóxidos lí-quidos e, sulfonas líquidas e similares, especialmente o dimetilsulfóxido e osulfolano. Tais compostos incluem, por exemplo, sulfonas com a fórmula R1-S(O)(O)-R2 em que R1 e R2 são alquila de 1 a 4 átomos de carbono, sulfóxi-dos líquidos com a fórmula R1-S(O)-R2 em que R1 e R2 são alquila de 1 a 4átomos de carbono tais como o dimetilsulfóxido (DMSO), e os sulfóxidoscíclicos e compostos de sulfona tais como o sulfolano (tetraidrotiofeno-1,1-dióxido) e similares. Tais compostos polares orgânicos contendo enxofreestarão presentes na composição em uma quantidade compreendida entrecerca de 20% em peso a cerca de 99% em peso, de preferência cerca de25% em peso a cerca de 90% em peso, e com mais preferência de cerca de50% em peso a cerca de 90% em peso, com base no peso da composição.

Qualquer base forte de hidróxido adequada, não-aquosa, podeser empregue nas composições da presente invenção. Os exemplos de taisbases fortes de hidróxido adequadas não-aquosas incluem, mas não se limi-tam a, hidróxidos de metais alcalinos, hidróxidos de amônio e hidróxidos deamônio quaternário. As bases isentas de metais e as bases de amônio qua-ternário são preferidas, especialmente os hidróxidos de tetraalquilamôniotais como o hidróxido de tetrametilamônio e similares são ainda mais prefe-ridos. As bases são preferencialmente hidróxidos de amônio quaternário,tais como hidróxidos de tetraalquilamônio (incluindo grupos alquila contendohidróxi- e alcóxi- geralmente com 1 a 4 átomos de carbono no grupo alquilaou alcóxi mas também incluindo grupos benzila). Os mais preferíveis de en-tre estes são o hidróxido de tetrametilamônio e o hidróxido de trimetil-2-hidroxietilamônio (colina). Os exemplos de outros hidróxidos de amônio qua-ternário utilizáveis incluem hidróxido de trimetil-3-hidroxipropilamônio, hidró-xido de trimetil-3-hidroxibutilamônio, hidróxido de trimetil-4-hidroxibutilamônio, hidróxido de trietil-2-hidroxietilamônio, hidróxido de tri-propil-2-hidroxietilamônio, hidróxido de tributil-2-hidroxietilamônio, hidróxidode dimetiletil-2-hidroxietilamônio, hidróxido de dimetil di-(2-hidroxietil)amônio, hidróxido de monometiltrietanolamônio, hidróxido de te-traetilamônio, hidróxido de tetrapropilamônio, hidróxido de tetrabutilamônio,hidróxido de tetraetanolamônio, hidróxido de monometiltrietilamônio, hidróxi-do de monométiltripropilamônio, hidróxido de monometiltributilamônio, hidró-xido de monoetiltrimetilamônio, hidróxido de monoetiltributilamônio, hidróxidode dimetildietilamônio, hidróxido de dimetildibutilamônio, hidróxido de benzil-trimetilamônio e similares e suas misturas. A quantidade de, pelo menos,uma base forte não-aquosa de hidróxido empregue na composição seráuma quantidade geralmente compreendida entre cerca de 0,5% em peso acerca de 20% de em peso, preferencialmente entre cerca de 0,5% em pesoa cerca de 10% em peso e, de um modo mais preferido, entre cerca de0,5% em peso a cerca de 5% em peso, com base no peso da composição.

Qualquer composto adequado de hidroxipiridina pode ser em-pregue como o componente do agente de estabilização nas composições dainvenção. Como exemplos de tais hidroxipiridenos adequados, podem sermencionados 2-, 3-, e 4-hidroxipiridinas. A hidroxipiridina é, preferencialmen-te, 2 ou 4-hidroxipiridina, de um modo mais preferido, 2-hidroxipiridina. Aquantidade do componente de hidroxipiridina nas composições desta inven-ção serão geralmente em uma quantidade compreendida entre cerca de0,01% em peso e cerca de 5% em peso, preferencialmente entre cerca de0,01% em peso e cerca de 2% em peso e, de um modo mais preferido, en-tre cerca de 0,01% em peso e cerca de 0,5% em peso, com base no pesoda composição. O componente de hidroxipiridina desta composição estápresente como um agente de estabilização e acredita-se que proporcione oefeito estabilizador da composição através do bloqueio da reação da baseforte de hidróxido com o componente de solvente orgânico contendo enxo-fre. Na ausência do agente estabilizador da hidroxipiridina, o pH da compo-sição, o qual é geralmente cerca de 12, cairá e a composição mudará de core perderá a sua eficácia na limpeza.

Pelo termo "não-aquoso" pretende-se dizer que na composiçãonão estão presentes mais de cerca de 2% em água, de um modo preferido,menos de cerca de 1% em água e, de um modo mais preferido, 0,5% a, es-sencialmente, nenhuma água.

Qualquer composto co-solvente orgânico adequado pode, op-cionalmente, ser incluído nas composições da presente invenção, geralmen-te como veículos das bases fortes de hidróxido não-aquosas ou para melho-rar as propriedades globais de solvente das composições. Estes co-solventes incluem, mas não se limitam a, álcoois e polióis alifáticos e seuséteres, tais como metanol, etilenoglicol, propilenoglicol, dietilenoglicol, mo-noalquiléteres de dietilenoglicol tais como aqueles com a fórmula HO-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-R em que R é um radical alquila com desde 1 a 4átomos de carbono, especialmente monoetiléter de dietilenoglicol e simila-res, ésteres de alquila tais como o acetato de 1-metóxi-2-propila e γ-butirolactona e similares e outros solventes apróticos. O componente de co-solvente, quando presente, pode compreender desde cerca de 0,1% empeso até cerca de 30% em peso, preferencialmente até 25% em peso e, deum modo mais preferível, até 20% em peso do peso total da composição.

As composições desta invenção também podem, opcionalmen-te, conter outros componentes adicionais. Tais componentes adicionais op-cionais incluem agentes de complexação metálica ou agentes quelantes,compostos resistentes à corrosão e tensoativos ou agentes de ação superfi-ciai.

Os agentes complexantes de metais ou quelantes, orgânicos ouinorgânicos, não são necessários mas podem ser incluídos, opcionalmente,nas composições da presente invenção e oferecer benefícios substanciais,tais como, por exemplo, uma melhoria da estabilidade do produto quandoincorporado nas composições de limpeza não-aquosas da presente inven-ção. Os exemplos de agentes quelantes ou complexantes adequados inclu-em, mas não se limitam a, ácido trans-1,2-ciclo-hexanodiaminotetra-acético(CyDTA), ácido etilenodiaminotetra-acético (EDTA), estanatos, pirofosfatos,derivados do ácido alquilideno-difosfônico (por exemplo, etano-1-hidróxi-1,1-difosfonato), fosfonatos contendo etilenodiamina, dietilenotriamina ou por-ções funcionais de trietilenotetramina (por exemplo, ácido etilenodiamina-tetra(metilenofosfônico)) (EDTMP)1 dietilenotriamina-penta(ácido metileno-fosfônico), trietilenotetramino-hexa(ácido metilenofosfônico). O agente com-plexante de metal ou quelante, se presente na composição, estará presenteem uma quantidade compreendida entre 0,1% em peso a cerca de 5% empeso, de um rriodo preferido, desde cerca de 0,1% a cerca de 2% do empeso, com base no peso da composição.

As composições de limpeza não-aquosas da presente invençãotambém podem conter, opcionalmente, outros inibidores da corrosão e com-ponentes não corrosivos similares, empregues nas composições de limpezade dispositivos microeletrônicos. Os compostos podem incluir, mas não selimitando a, resorcinol, ácido gálico, propilgalato, pirogalol, hidroquinona,benzotriazol e derivados do benzotriazol. Estes outros inibidores de corrosãopodem estar presentes em qualquer quantidade adequada, geralmente emuma quantidade compreendida entre cerca de 0,1% em peso a cerca de 5%em peso, preferencialmente entre cerca de 0,1% em peso e cerca de 3%em peso e, de um modo mais preferido, entre cerca de 0,2% em peso e cer-ca de 2% em peso, com base no peso da composição.

As composições da presente invenção podem, opcionalmente,conter qualquer agente de ação superficial ou tensoativo adequado anfotéri-co, não-iônico, catiônico ou aniônico. A adição de um tensoativo vai reduzira tensão superficial da formulação e melhorar o grau de umidade da super-1 fície a ser limpa e assim melhorar a ação de limpeza da composição. Adi-cionalmente, as propriedades tensioactivas podem auxiliar a dispersão departiculados, facilitando uma melhor limpeza. Qualquer tensoativo adequadoanfotérico, catiônico ou não-iônico pode ser empregue nas composiçõesdesta invenção. Os exemplos de tensoativos especialmente adequados in-cluem, mas não se limitam, a 3,5-dimetil-1-hexin-3-ol (Surfynol-61), 2,4,7,9-tetrametil-5-decino-4,7-diol etoxilado (Surfynol-465), poli-tetrafluoroetilenocetoxipropilbetaína (Zonyl FSK), Zonyl FSH, Triton X-100,nomeadamente octilfenoxipolietoxietanol e similares. O tensoativo, se pre-sente na composição, estará geralmente presente em uma quantidade com-preendida entre 0,1% em peso a cerca de 5% em peso, preferencialmente0,001% em peso a cerca de 3% em peso com base no peso total da com-posição.

Uma composição preferida desta invenção compreende umacomposição de cerca de 72% em peso de DMSO1 18% em peso de sulfola-no, 1,4% em peso de tetrametilamônio em hidróxido, em 8,1% de propileno-glicol e 0,5% em peso de 2-hidroxipiridina. Outra composição preferida des-ta invenção compreende uma composição de 66% DMSO, 17,4% sulfolano,14% propilenoglicol, 2,4% TMAH e 0,2% 2-hidroxipiridina.

As composições da presente invenção e a sua eficácia comocomposições de limpeza para limpar dispositivos microeletrônicos são ilus-tradas através dós seguintes exemplos.

Exemplo 1

Os testes abaixo demonstram a necessidade de um aditivo es-tabilizador de hidroxipiridina à formulação. A solução 1 continha, em peso,66% de DMSO, 22% de sulfolano, 11,2% de propilenoglicol e 0,8% deTMAH. A solução 2 continha 66% de DMSO, 22% de sulfolano, 10,2% depropilenoglicol e 1,8% de TMAH. A cada uma destas soluções foram adicio-nados 0,5% em 2-hidroxipiridina (HP) como é salientado abaixo. Cada solu-ção foi aquecida até 85 -C e monitorizada ao longo do tempo. Nos banhosnão estabilizados (não contendo hidroxipiridina) foi detectado um decrésci-mo do pH através de uma variação da cor do banho. Neste ponto ou abaixodele, o banho não apresentaria um desempenho ao nível de uma limpezaeficaz.

Tabela 1

<table>table see original document page 10</column></row><table><table>table see original document page 11</column></row><table>

Exemplo 2

Os testes seguintes suportam um aspecto novo e inesperado dapresente invenção relativamente à divulgação nos documentos US.6.599.370 e 6.585.825 de David Skee. Nestes documentos de Skee, foramdivulgados alguns compostos como sendo agentes eficazes de extensão dotempo de vida dos banhos para soluções aquosas contendo TMAH e silica-tos isentos de metais. Os compostos que prolongam o tempo de vida desbanhas naqueles documentos de Skee foram empregues como agentes detamponamento naquelas composições aquosas. No entanto, as composi-ções da presente invenção são composições não-aquosas e, assim, oscompostos estabilizadores da hidroxipiridina não são capazes de atuar comoagentes de tamponamento. Assim, é totalmente inesperado que os compos-tos de hidroxipiridina sejam capazes de atuar como estabilizadores nascomposições não-aquosas desta invenção, enquanto que os outros agentesde tamponamento das patentes de Skee não são capazes de o fazer, talcomo demonstrado pelos resultados apresentados adiante na Tabela 2. Pa-ra cada teste, a solução 2 acima (66% DMSO, 22% sulfolano, 10,2% propi-lenoglicol e 1,8% TMAH) foi combinada com vários aditivos de tal modo queo aditivo constituiu 1% do peso total da solução. As soluções foram, então,aquecidas a 85 qC durante 24 horas. O desempenho dos aditivos foi deter-minado como sendo bom se o banho não tiver mudado de cor ou tiver des-cido abaixo do pH = 11 em 24 horas, fiável se tal banho permanecer estávelentre 7-24 horas e falhando se o banho alterar em menos de 7 horas.<table>table see original document page 12</column></row><table>Exemplo 3

Uma solução de limpeza (Solução 3) foi preparada e continhacerca de 66% de DMSO, 17,4% de sulfolano, 14% de propilenoglicol, 2,4%de TMAH e 0,2% de 2-hidroxipiridina. A tecnologia de Al padronizada emamostras de pastilhas com estruturas de transposição (vias de decapagematravés de Si e TiN em uma camada de Al) foram colocadas nestas solu-ções aquecidas até às temperaturas descritas na Tabela 3 durante 10 minu-tos após o que foram removidas, lavadas com água Dl durante dois minutose secas com nitrogênio. A título de comparação, as mesmas estruturas empastilhas foram limpas em ALEG-625 (J.T. Baker), um produto semi-aquosodisponível no mercado com uma composição de algum modo similar (con-tendo DMSO, sulfolano, TMAH e água). As pastilhas limpas foram posteri-ormente avaliadas quanto à remoção de resíduos de cinza (0 - 100% deremoção) e à corrosão do alumínio (0 - 100% perda de metal Al exposto).

Tabela 3

<table>table see original document page 12</column></row><table>Exemplo 4

Uma solução de limpeza (Solução 3) foi preparada, contendocerca de: 66% de DMSO, 17,4% de sulfolano, 14% de propilenoglicol, 2,4%de TMAH, 0,2% de 2-hidroxipiridina e 66% de DMSO. As taxas de deçapa-gem para pastilhas com camadas de Al e Cu foram determinadas através daexposição das pastilhas à ação química durante intervalos preestabelecidose através da medição das variações na espessura do metal com uma sondaem quatro pontos. A título de comparação, as mesmas pastilhas foram lim-pas em ALEG-625 (J.T. Baker), um produto semi-aquoso disponível no mer-cado com uma composição de algum modo similar. Os resultados a váriastemperaturas representativas de operação estão representados abaixo.

Tabela 4

<table>table see original document page 13</column></row><table>

(A/min.)

Exemplo 5

A solução de limpeza 3 do exemplo anterior foi utilizada pararemover a fotorresistência de uma pastilha padronizada com elementos deCr expostos e de uma pastilha separada com irregularidades na solda dePbSn. A limpeza e a compatibilidade desta solução foram comparadas comas da ALEG-625, tal como no exemplo anterior. Em cada caso, as amostrasde pastilhas foram expostas à solução durante um período de tempo e tem-peratura preestabelecidos, depois lavadas durante 1 minuto em água Dl esecas sob fluxo corrente de N2. Foi utilizada a análise SEM das amostraspara determinar a eficácia de limpeza e a compatibilidade. A eficácia de lim-peza é apresentada como sendo uma percentagem da fotorresistência re-movida, enquanto que uma solução é determinada como sendo incompatí-vel se qualquer corrosão por picadas ou alteração na forma característicaforem observadas.

Tabela 5

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Enquanto a invenção é aqui descrita fazendo referência às suasformas de realização específicas, será apreciado que as alterações, modifi-cação e variações podem ser feitas sem ocorrer um desvio ao espírito eâmbito do conceito inventivo aqui divulgado. De um modo concordante, pre-tende-se englobar todas essas alterações, modificações e variações que seincluam dentro do espírito e âmbito das reivindicações seguintes.

Claims

1. Composição de dissolução e limpeza para limpar dispositivosmicroeletrônicos, a referida composição compreendendo:a) pelo menos um composto polar orgânico contendo enxofrecomo solvente para dissolução,b) pelo menos uma fonte de uma base forte de hidróxido, isentade água ec) Pelo menos um agente estabilizador da hidroxipiridina.

2. Composição de acordo com a reivindicação 1, em que o, pelomenos um, composto polar orgânico contendo enxofre como solvente paradissolução está presente na composição em uma quantidade compreendidaentre cerca de 20% em peso e cerca de 99% em peso, com base no pesoda composição, a fonte de uma base forte de hidróxido isenta de água estápresente na composição em uma quantidade compreendida entre cerca de-0,5% em peso e cerca de 20% em peso, com base no peso da composiçãoe a hidroxipiridina está presente na composição em uma quantidade com-preendida entre cerca de 0,01% em peso e cerca de 5% em peso, com baseno peso da composição.

3. Composição de acordo com a reivindicação 2 em que pelomenos um pelo menos um composto polar orgânico contendo enxofre comosolvente para dissolução é selecionado do grupo que consiste em sulfóxi-dos, sulfonas, sulfolanos e suas misturas, sendo a fonte de uma base fortede hidróxido isenta de· água selecionada de entre hidróxidos alcalinos, hidró-xido de amônio e hidróxidos de amônio quaternário e suas misturas e a, pe-lo menos uma, hidroxipiridina é selecionada de entre 2-hidroxipiridina, 4-hidroxipiridina e suas misturas.

4. Composição de acordo com a reivindicação 3, em que o pelomenos um pelo menos um composto polar orgânico contendo enxofre comosolvente de dissolução é selecionado do grupo que consiste em dimetilsul-fóxido, sulfolano e suas misturas, a fonte de base forte de hidróxido isentade água é selecionada de entre hidróxidos de tetra-alquilamônio e a, pelomenos uma, hidroxipiridina é selecionada de entre 2-hidroxipiridina.

5. Composição de acordo com a reivindicação 4, em que a refe-rida composição compreende dimetilsulfóxido, sulfolano, hidróxido de tetra-metilamônio e 2-hidroxipiridina.

6. Composição de acordo com a reivindicação 5, a composiçãotambém compreendendo propilenoglicol.

7. Composição de acordo com a reivindicação 6, em que o di-metilsulfóxido está presente em uma quantidade de cerca de 66% em peso,o sulfolano está presente em uma quantidade de cerca de 17,4% em peso,o hidróxido de tetrametilamônio está presente em uma quantidade de cercade 2,4% em peso, o propilenoglicol está presente em uma quantidade decerca de 14% em peso e a 2-hidroxipiridina está presente em uma quanti-dade de cerca de 0,2% em peso.

8. Composição de acordo com a reivindicação 1, compreenden-do adicionalmente um ou mais componentes selecionados do grupo queconsiste em agentes complexantes ou quelantes de metais, có-solventes,compostos resistentes à corrosão e agentes de ação superficial ou tensoati-vos.

9. Método para limpar substratos de dispositivos microeletrôni-cos sem produzir qualquer corrosão substancial do metal, processo compre-endendo o contato do dispositivo com a composição de limpeza durante umperíodo de tempo suficiente para limpar o dispositivo, em que a composiçãode limpeza compreende a composição da reivindicação 1.

10. Método para limpar substratos de dispositivos microeletrôni-cos sem produzir qualquer corrosão substancial do metal, processo compre-endendo o contato do dispositivo com uma composição de limpeza duranteum período de tempo suficiente para limpar o dispositivo, em que a compo-sição de limpeza compreende a composição da reivindicação 2.

11. Método para limpar substratos de dispositivos microeletròni-cos sem produzir qualquer corrosão substancial do metal, processo compre-endendo o contato do dispositivo com uma composição de limpeza duranteum período de tempo suficiente para limpar o dispositivo, em que a compo-sição de limpeza compreende a composição da reivindicação 3.

12. Método para limpar substratos de dispositivos microeletrôni-cos sem produzir qualquer corrosão substancial do metal, processo compre-endendo o contato do dispositivo com uma composição de limpeza duranteum período de tempo suficiente para limpar o dispositivo, em que a compo-sição de limpeza compreende a composição da reivindicação 4.

13. Método para limpar substratos de dispositivos microeletrôni-cos sem produzir qualquer corrosão substancial do metal, processo compre-endendo o contato do dispositivo com uma composição de limpeza duranteum periodo de tempo suficiente para limpar o dispositivo, em que a compo-sição de limpeza compreende a composição da reivindicação 5.

14. Método para limpar substratos de dispositivos microeletrôni-cos sem produzir qualquer corrosão substancial do metal, processo compre-endendo o contato do dispositivo com uma composição de limpeza duranteum período de tempo suficiente para limpar o dispositivo, em que a compo-sição de limpeza compreende a composição da reivindicação 6.

15. Método para limpar substratos de dispositivos microeletrôni-cos sem produzir qualquer corrosão substancial do metal, processo compre-endendo o contato do dispositivo com uma composição de limpeza duranteum período de tempo suficiente para limpar o dispositivo, em que a compo-sição de limpeza compreende a composição da reivindicação 7.

16. Método para limpar substratos de dispositivos microeletrôni-cos sem produzir qualquer corrosão substancial do metal, processo compre-endendo o contato do. dispositivo com uma composição de limpeza duranteum período de tempo suficiente para limpar o dispositivo, em que a compo-sição de limpeza compreende a composição da reivindicação 8.