BRPI0710033A2 - cabeçote óptico de campo próximo, dispositivo de cabeçote óptico de campo próximo, dispositivo de informação óptica de campo próximo e sistema de informação óptica de campo próximo - Google Patents

Abstract

CABEçOTE óPTICO DE CAMPO PRóXIMO, DISPOSITIVO DE CABEçOTE óPTICO DE CAMPO PRóXIMO, DISPOSITIVO DE INFORMAçãO óPTICA DE CAMPO PRóXIMO E SISTEMA DE INFORMAçãO óPTICA DE CAMPO PROXIMO Um cabeçote óptico de campo próximo convencional não pode ser miniaturizado pois um corpo de difusão que gera um campo próximo e um cabeçote óptico existem individualmente. Um cabeçote óptico de campo próximo capaz de ser miniaturizado de modo significativo é constituído por um controle deslizante de sonda óptica de campo próximo formado para segurar, em um controle deslizante, um laser semicondutor, um elemento de dissipação de calor, um prisma para guiar a luz do laser semicondutor para um corpo de difusão e um elemento fotodetector.

Description

CABEÇOTE OPTICO DE CAMPO PRÓXIMO, DISPOSITIVO DE CABEÇOTEÓPTICO DE CAMPO PRÓXIMO, DISPOSITIVO DE INFORMAÇÃO ÓPTICADE CAMPO PRÓXIMO E SISTEMA DE INFORMAÇÃO ÓPTICA DE CAMPO

PRÓXIMO

CAMPO TÉCNICO

A presente invenção relaciona-se a um cabeçote ópticode campo próximo, e a um dispositivo de cabeçote óptico decampo próximo, um dispositivo de informação óptica de campopróximo e um sistema de informação óptica de campo próximofornecido com o mesmo e relaciona-se a um dispositivo capazde gravar ou reproduzir informação a uma densidade maiselevada em ou de um meio.

HISTÓRICO DA TECNOLOGIA

No campo da gravação de informação óptica, grandeatenção foi atualmente tomada da gravação óptica utilizandouma luz de campo próximo. Uma técnica anterior descrita noDocumento de Patente 1 apresenta um método para fazer umagravação de densidade mais alta com uma luz de campopróximo. As Figuras 13 a 15 mostram a configuração e parteprincipal de um dispositivo de cabeçote óptico de campopróximo de acordo com a tecnologia anterior.

Nas Figuras 13 e 14, um controle deslizante de sondaóptica de campo próximo 702 que defronta um disco 701 comoum meio de gravação é fornecido com elementos condensadoresde feixe nele integrados e recebe um feixe paralelo de umcabeçote óptico 703. Um atuador de carro 704 desloca ocabeçote óptico 703 em direções radiais do disco 701. Umfeixe emitido de um laser semicondutor 708 como uma fontede luz passa através de uma lente de colimação 709 e umprisma formador de feixe 710 para tornar-se um feixeparalelo circular no cabeçote óptico 703 e é incidentesobre o controle deslizante da sonda óptica de campopróximo 702 através de um subdivisor de feixe 712 e de umespelho 714. O controle deslizante de sonda óptica de campopróximo 702 é submetida a um ajuste da posição da mesma nasdireções de acompanhamento por um elemento piezo-elétrico711 e pressionada sobre o disco 701 pela força de umasuspensão 705 a ele afixada.

A Figura 15 é uma visão lateral esquemática docontrole deslizante de sonda óptica de campo próximo 702dotada de um corpo de difusão 21 que defronta um disco 27como um meio de gravação e um substrato 24 que suportaisto. 0 corpo de difusão 21 e o substrato 24 estãodispostos no controle deslizante de sonda óptica de campopróximo 702 de modo tal que a distância entre o corpo dedifusão 21 e o disco 27 é mantida abaixo de dezenas denanômetros. A luz irradiada de uma fonte de luz 19 éincidente sobre o corpo de difusão 21 através de uma lentede colimação 18 e um elemento condensador de feixe 17 paraassim gerar luz de campo próximo intensa na parte do corpode difusão 21 próxima do disco 27. Se o disco 27 é dotadode um material de mudança de fase, a luz de campo próximogerada do corpo de difusão 21 muda a fase cristal em umafase amorfa para assim formar uma marca de gravação.

Por outro lado, a reprodução é conduzida, como émostrado nas Figuras 13 e 14, ao detectar uma variação naintensidade da luz que retorna do disco 701, maisespecificamente, como a porcentagem da luz de campo próximoespalhada pelo disco 701 varia de acordo com a presença damarca de gravação, ao detectar uma variação na intensidadeda luz espalhada. Na prática, a luz (luz de sinal) do disco701 é subdividida da luz incidente pelo subdivisor de feixe712 e detectada por um detector 717 após passar através deuma lente de condensação 715. Na tecnologia anterior, adireção de polarização da luz de sinal do disco 701 difereda direção de polarização da luz incidente, assimmelhorando o contraste ao fixar a direção de polarização deum polarizador 716 na via óptica perpendicular à direção depolarização da luz incidente.

No entanto, no dispositivo de cabeçote óptico de campopróximo de acordo com a tecnologia anterior, o controledeslizante de sonda óptica de campo próximo 7 02 dotado docorpo de difusão 21 que gera um campo próximo e o cabeçoteóptico 7 03 dotado de uma fonte de luz existemindividualmente, assim prejudicando a miniaturização docabeçote óptico de campo próximo.

Especificamente, para manter a distância entre o corpode difusão 21 e o disco 27 mais curta do que vários décimosde nanômetros, o controle deslizante de sonda óptica decampo próximo 702 precisa ser menor e ser fornecido apenascom o corpo de difusão 21 e o substrato 24 nele, assimquerendo dizer que o controle deslizante de sonda óptica decampo próximo 702 e o cabeçote óptico 703 precisam serformados separadamente por um elemento individual. Alémdisso, para enviar um feixe emitido do laser semicondutor708 como uma fonte de luz para irradiar a superfícieprincipal inteira do corpo de difusão 21 paralelo ao disco701, o feixe emitido do laser semicondutor 708 precisa serincidente por trás do corpo de difusão 21, com issoexigindo muitos dispositivos ópticos como a lente decolimação 712 e o espelho 714. Isto torna o cabeçote óptico703 maior e todo o cabeçote óptico de campo próximo.

Documento de Patente 1: Patente Japonesa PublicaçãoAberta número 3004-151046.

REVELAÇÃO DA INVENÇÃO

É um objeto da presente invenção fornecer um cabeçoteóptico de campo próximo capaz de gravar ou de reproduzirinformação a uma densidade mais elevada em ou de um meio eser significativamente miniaturizado, e um dispositivo decabeçote óptico de campo próximo, um dispositivo deinformação óptica de campo próximo e um sistema deinformação óptica de campo próximo de tamanho pequenofornecido com o cabeçote óptico de campo pequeno.

Um cabeçote óptico de campo próximo de acordo com umaspecto da presente invenção inclui: uma fonte de luz; umelemento de difusão tendo um formato substancialmente planoachatado; e um controle deslizante que segura a fonte deluz e o elemento de difusão, em que: o controle deslizantesegura o elemento de difusão de maneira tal que uma

extremidade do elemento de difusão está próxima de um meio;o elemento de difusão tem um primeiro plano localizado nolado da fonte de luz e substancialmente perpendicular aomeio; a luz emitida da fonte de luz irradia o primeiroplano substancialmente perpendicularmente; e a extremidadedo elemento de difusão gera luz de campo próximo e aplica aluz de campo próximo ao meio.

O cabeçote óptico de campo próximo pode aplicar a luzemitida da fonte de luz substancialmente de modoperpendicular ao primeiro plano do elemento de difusãosubstancialmente perpendicular ao meio para assim gerar luzde campo próximo da extremidade do elemento de difusão eaplicá-la ao meio. Isto torna possível simplificar aconfiguração do sistema óptico de gravação e miniaturizarsignificativamente o cabeçote óptico de campo próximo capazde gravar ou de reproduzir informação a uma densidade maiselevada em ou de um meio.

Um dispositivo de cabeçote óptico de campo próximo deacordo com outro aspecto da presente invenção inclui: ocabeçote óptico de campo próximo; e uma estrutura desuspensão que suporta o controle deslizante para manterconstante a distância entre a extremidade do elemento dedifusão e o meio quando da gravação de informação no meioutilizando a luz de campo próximo pelo elemento de difusão.

O dispositivo de cabeçote óptico de campo próximoinclui a estrutura de suspensão que suporta o controledeslizante para manter constante a distância entre aextremidade do elemento de difusão e o meio quando dagravação de informação no meio utilizando a luz de campopróximo pelo elemento de difusão. Isto torna possívelminiaturizar o dispositivo de cabeçote óptico de campopróximo capaz de gravar estavelmente ou de reproduzirinformação a uma densidade mais elevada em ou de um meioutilizando o pequeno cabeçote óptico de campo próximo.

Um dispositivo de informação óptica de campo próximode acordo com ainda outro aspecto da presente invençãoinclui: o dispositivo de cabeçote óptico de campo próximo;e um circuito elétrico que recebe um sinal obtido dodispositivo de cabeçote óptico de campo próximo e e quecontrola e aciona a fonte de luz com base no sinal.

O dispositivo de informação óptica de campo próximopode receber um sinal obtido do dispositivo de cabeçoteóptico de campo próximo e controlar e acionar a fonte deluz com base no sinal, assim miniaturizando o dispositivode informação óptica de campo próximo capaz de gravar demaneira estável ou reproduzir informação a uma densidademais alta em ou de um meio utilizando o pequeno dispositivode cabeçote óptico de campo próximo.

Um sistema de informação óptica de campo próximo deacordo com ainda outro aspecto da presente invenção inclui:o dispositivo de informação óptica de campo próximo; e umaunidade aritmética que faz um cálculo predeterminado combase em informação gravada ou reproduzida do meio pelodispositivo de informação óptica de campo próximo.

O sistema de informação óptica de campo próximo podefazer um cálculo predeterminado com base em informaçãogravada ou reproduzida do meio pelo dispositivo deinformação óptica de campo próximo, assim miniaturizando osistema de informação óptica de campo próximo capaz defazer diversos cálculos utilizando informação maisdensamente e estavelmente gravada ou reproduzida em ou deum meio.

DESCRIÇÃO SUCINTA DOS DESENHOS

A Figura 1 é uma visão lateral esquemática de umsistema de informação óptica de campo próximo de acordo comuma primeira modalidade da presente invenção.

A Figura 2 é uma visão explodida em perspectiva quemostra a configuração de uma suspensão mostrada na Figura1.

As Figuras 3A e 3B são visões superior e lateral,respectivamente, que mostram a configuração de um cabeçoteóptico de campo próximo mostrado na Figura 1.

A Figura 4 é uma visão observada de uma seta B daFigura 3B.

As Figuras 5A e 5B são visões superior e lateral,respectivamente, que mostram a configuração da parteprincipal do cabeçote óptico de campo próximo de acordo comuma segunda modalidade da presente invenção.

A Figura 6 é uma visão observada de uma seta B daFigura 5B.

A Figura 7 é uma visão lateral que mostra aconfiguração da parte principal do cabeçote óptico de campopróximo de acordo com uma terceira modalidade da presenteinvenção.

A Figura 8 é uma visão lateral que mostra aconfiguração da parte principal de um cabeçote óptico decampo próximo de acordo com uma quarta modalidade dapresente invenção.

A Figura 9 é uma visão observada de uma seta B daFigura 8.

A Figura 10 é uma visão lateral que mostra aconfiguração da parte principal de um cabeçote óptico decampo próximo de acordo com uma quinta modalidade dapresente invenção.

A Figura 11 é uma visão observada de uma seta B daFigura 10.

As Figuras 12A e 12B são visões frontal e lateral,respectivamente, que mostram outra configuração de umelemento de difusão de acordo com a presente invenção.

A Figura 13 é uma visão em perspectiva que mostra aconfiguração de um dispositivo de cabeçote óptico de campopróximo de acordo com a tecnologia anterior.

A Figura 14 é uma visão em perspectiva que mostra aconfiguração do dispositivo de cabeçote óptico de campopróximo de acordo com a tecnologia anterior.

A Figura 15 é uma visão lateral que mostra a parteprincipal do dispositivo de cabeçote óptico de campopróximo de acordo com a tecnologia anterior.

MELHOR MODO PARA IMPLEMENTAR A INVENÇÃO

Cada modalidade da presente invenção será descrita abaixo com referência aos desenhos.

(Primeira modalidade)

Primeiro, a configuração e a operação de acordo comuma primeira modalidade da presente invenção serãodescritas com referência às Figuras 1 a 4. A Figura 1 é uma visão lateral esquemática de um sistema de informaçãoóptico de campo próximo de acordo com a primeiramodalidade.

Na Figura 1, o número de referência 1 denota um discoóptico como o meio (meio de gravação) formado com um material de mudança de fase para gravar ou reproduzirinformação; 2, um motor de fuso que segura e gira o discoóptico 1 a uma velocidade predeterminada; e 3, um cabeçoteóptico de campo próximo para gravar ou reproduzirinformação em ou do disco óptico 1 que corresponde ao controle deslizante de sonda óptica de campo próximo ecabeçote óptico de acordo com a tecnologia anterior.

O número de referência 4 designa uma suspensão quesuporta o cabeçote óptico de campo próximo 3 para manter adistância entre o cabeçote óptico de campo próximo 3 e o disco óptico 1 constante nas direções de F (foco)perpendicular ao disco óptico; 5, um motor que segura asuspensão 4 e que revolve para assim mover o cabeçoteóptico de campo próximo 3 nas direções de T (verificação)rente e paralela ao disco óptico 1; 6, um circuito elétricoque controla e aciona um elemento laser semicondutor 31(descrito posteriormente: ver as Figuras 3A e 3B) como afonte de luz, o motor de fuso 2, o motor 5 ou assemelhadoscom base em um sinal obtido do cabeçote óptico de campopróximo 3; e 7, uma unidade aritmética que faz um cálculopredeterminado com base em informação gravada no oureproduzida do disco óptico 1 através do circuito elétrico6 .

A unidade aritmética 7 processa informação nos dados,visuais, áudio e assemelhados. Os elementos componentesacima constituem o sistema de informação óptica de campopróximo de acordo com esta modalidade; os elementoscomponentes que não a unidade aritmética 7, o dispositivode informação óptica de campo próximo; e os elementoscomponentes ainda excluindo o circuito elétrico 6, odispositivo de cabeçote óptico de campo próximo.

A Figura 2 é uma visão explodida em perspectiva quemostra a configuração da suspensão 4 da Figura 1. Como émostrado na Figura 2, o dispositivo de cabeçote óptico decampo próximo inclui o cabeçote óptico de campo próximo 3,uma suspensão Cardan 4a, a suspensão 4 e uma placa defixação 5a. A suspensão 4 é fixada de modo a girarlivremente em uma extremidade para o motor 5 (ver a Figura1) através da placa de fixação 5a e fixada na outraextremidade para o cabeçote óptico de campo próximo 3através da suspensão Cardan 4a. Esta configuração permiteque a suspensão 4 suporte o cabeçote óptico de campopróximo 3 enquanto mantém a distância do disco óptico 1constante, por exemplo, utilizando uma tecnologia similarao cabeçote voador empregado para o acionador de discorígido no mecanismo de cabeçote magnético revelado pelaPublicação de Patente Não Examinada do Japão número 7-1616.

As Figuras 3A e 3B são visões superior e lateral,respectivamente, que mostram a configuração do cabeçoteóptico de campo próximo da Figura 1. Nas Figuras 3A e 3B, onúmero de referência 1 denota um disco óptico como o meiopara gravar ou para reproduzir informação; 31, um elementolaser semicondutor como a fonte de luz emitindo, porexemplo, nesta modalidade, um feixe radiante LB tendo ocomprimento de onda de 8 00 nm e uma energia de 50 mW epolarizado nas direções F; 32, um prisma como o elementoguia da luz que transmite o feixe radiante LB do elementolaser semicondutor 31; e 33, um elemento de difusão tendoum formato substancialmente plano chato e dois primeiro esegundo planos Pl e P2 substancialmente perpendiculares aodisco óptico 1. O elemento de difusão 33 é substancialmenteirradiado perpendicularmente com o feixe radiante LBpassando através do prisma 32 para assim gerar a luz decampo próximo NL em uma parte PA próxima do disco óptico 1e aplicá-la ao disco óptico 1.

O número de referência 34 designa um material dedissipação de calor, de cobre, fixado ao elemento lasersemicondutor 31 e que conduz e dissipa o calor gerado; 35,um elemento fotodetector que detecta a luz reproduzida dodisco óptico 1; e 36, um controle deslizante que segura oelemento laser semicondutor 31, o prisma 32, o elemento dedifusão 33, o material de dissipação de calor 34 e oelemento fotodetector 35. Esses elementos componentesconstituem um chamado controle deslizante de sonda ópticade campo próximo como o cabeçote óptico de campo óptico 3.

O número de referência 3 7 denota uma resina demoldagem e o elemento laser semicondutor 31, o prisma 32, oelemento de difusão 33, o material de dissipação de calor34 e o elemento fotodetector 35 são unidos e fixados aocontrole deslizante 36. A resina de moldagem 37 é moldadadentro de um hiato entre o controle deslizante 3 6 e oelemento laser semicondutor 31, o prisma 32, o elemento dedifusão 33, o material de dissipação de calor 34 e oelemento fotodetector 35.

A Figura 4 é uma visão observada de uma seta B daFigura 3B. O elemento de difusão condutor 3 3 é formado,como está mostrado na Figura 4, por um corpo de difusão 33atendo um formato substancialmente plano e chato fornecidocom o segundo plano P2 e o primeiro plano Pl inverso aosegundo plano P2, e um elemento detentor 33b tendo umformato substancialmente plano e chato. O corpo de difusão33a é fixado e mantido no elemento de segurar 33b e fixadoao controle deslizante 3 6 através do elemento de segurar33b. O corpo de difusão 33a é feito de um material geradorde luz plasmon com facilidade, por exemplo, ouro, titânio,crômio, prata, cobre, alumínio ou assemelhado, e o discoóptico 1 é feito, por exemplo, de um material de disco demudança de fase formado de uma liga de TbFeCo (térbio,ferro, cobalto) ou assemelhado, ou outro material.

0 controle deslizante 3 6 é suportado pela suspensão 4de modo tal que a distância entre a ponta PA do corpo dedifusão 33a seguro no controle deslizante 36 e o discoóptico 1 vera dentro de uma profundidade de efusão da luz decampo próximo NL. Neste estado, o corpo de difusão 3 3a geraa luz de campo próximo NL da ponta PA. A distância entre aponta PA do corpo de difusão 3 3a e o disco óptico 1 épreferivelmente abaixo de dezenas de nanômetros, maisdesejavelmente abaixo de vários nanômetros e, por exemplo,é de 10 nm nesta modalidade.

Nesta modalidade, para aumentar a quantidade de efusãoda luz de campo próximo NL, o centro Z do feixe radiante LBé trazido para substancialmente o centro de gravidade docorpo de difusão 33a gerando a luz de campo próximo NP noelemento de difusão 33. A luz de campo próximo NO muda afase cristal do disco óptico 1 fornecido com o material demudança de fase em uma fase amorfa para assim formar umamarca de gravação. Por outro lado, a informação éreproduzida ao permitir que o elemento fotodetector 3 5detecte uma variação na intensidade da luz refletida queretorna do disco óptico 1, em maior detalhe, pois aporcentagem da luz de campo próximo NL espalhada do discoóptico 1 varia de acordo com a presença da marca degravação, detecta uma variação na intensidade da luzespalhada como a luz refletida do disco óptico 1.

Especificamente, o corpo de difusão 33a é um planosubstancialmente triangular chato e tem o primeiro plano Plperpendicular à superfície de gravação ou à superfície dereprodução do meio 1 no lado do elemento laser semicondutor31 e o segundo plano P2 paralelo ao primeiro plano PI. Ocontrole deslizante 36 segura o elemento de difusão 33 demaneira tal que a ponta PA do primeiro plano Pi é próximado meio 1. Neste estado, o feixe radiante LB do elementolaser semicondutor 31 irradia todo o primeiro plano Plperpendicularmente através do prisma 32, e o elemento dedifusão 3 3 tem um formato pontudo e aplica a luz de campopróximo NL ao meio 1 da ponta PA do formato pontudo.

Nesta ocasião, o elemento laser semicondutor 31 estádisposto no lado inferior do controle deslizante 36 paraassim trazer o centro Z do feixe radiante LB do elementolaser semicondutor 31 tão exatamente quanto possível para ocentro de gravidade do corpo de difusão 33a. Isto tornapossível irradiar o corpo de difusão 33a com tanta energiaóptica quanto possível e, assim, para o corpo de difusão33a gerar suficientemente a luz plasmon. O formato do corpode difusão 33a não é limitado especialmente ao exemploacima, desde que ele gere a luz de campo próximo NL demaneira eficiente.

Nesta modalidade, portanto, a configuração do sistemaóptico de gravação fica mais simples ao aplicar o feixeradiante LB do elemento laser semicondutor 31perpendicularmente ao primeiro plano Pl perpendicular aomeio 1, e a configuração do sistema óptico de reproduçãofica mais simples ao detectar a luz reproduzida do discoóptico 1 diretamente pois o elemento fotodetector 3 5defronta o segundo plano P2 oposto ao primeiro plano Pl docorpo de difusão 33a irradiado com o feixe radiante LB doelemento laser semicondutor 31. Isto torna possívelminiaturizar o cabeçote óptico de campo próximo 3 osuficiente, assim controlando a distância entre o corpo dedifusão 33a e o disco óptico 1 com uma alta precisãoutilizando uma tecnologia similar a do cabeçote voadorempregado para o acionador de disco rígido, e gravar oureproduzir a informação a uma alta densidade em ou do discoóptico 1 ao utilizar a luz plasmon.

Por exemplo, se o corpo de difusão 33a é um metalcondutor tendo uma base (lado longo da superfície de junçãopara o elemento retentor 33b) de 300 nm, uma altura(comprimento nas direções F) de 4 00 nm e um raio decurvatura de 25 nm na ponta e se o elemento lasersemicondutor 31 for um chip de laser tendo as medições de200 pm (largura) x250 μπι (profundidade) x90 μτη (altura), aparte do cabeçote exceto o controle deslizante 3 6 torna-sede aproximadamente 2mm χ 5mm, assim miniaturizando ocontrole deslizante 3 6 ou o cabeçote óptico de campopróximo 3 até um tamanho de cerca de 5mm χ 5 mm.

Adicionalmente, nesta modalidade, o elemento lasersemicondutor 31 é o pequeno chip de laser e o material dedissipação de calor 34 tem uma área superficial paradissipar suficientemente o calor gerado pelo chip de laser,assim permitindo que o elemento laser semicondutor 31 operecontinuamente e de maneira estável e manter a distânciaentre o corpo de difusão 33a e o disco óptico 1precisamente constante ao impedir que cada elementocomponente seja expandido termicamente e deformadoinesperadamente enquanto o elemento laser semicondutor 31estiver em operação contínua. Alternativamente, poderá serapreciado que o material de dissipação de calor 34 étermicamente conectado à suspensão 4, com isso permitindoque o material de dissipação de calor 34 dissipe o calorcom maior eficácia.

Na primeira modalidade, portanto, o controledeslizante 36 segura o elemento laser semicondutor 31 e omaterial de dissipação de calor 34, o prisma 32, o elementode difusão 33 e o elemento fotodetector 3 5 para formar ochamado controle deslizante de sonda óptica de campopróximo, assim realizando o dispositivo de cabeçote ópticode campo próximo significativamente miniaturizado capaz degravar ou de reproduzir informação a alta densidadeutilizando a luz de campo próximo NL para o disco óptico 1.Além disso, a primeira modalidade é fornecida com omaterial de dissipação de calor 34, assim resolvendo tambémo problema de geração de calor do elemento lasersemicondutor 31.

A primeira modalidade é fornecida entre os elementoscomponentes com o material de dissipação de calor 34 e oelemento fotodetector 35. No entanto, a finalidade dapresente invenção não é viciada mesmo sem eles.

Adicionalmente, na primeira modalidade, a suspensão 4suporta o controle deslizante 36 (o cabeçote óptico decampo próximo 3) e o motor 5 segura e gira a suspensão 4para assim fazer uma gravação ou uma reprodução sobre aárea inteira do disco óptico 1. No entanto, a presenteinvenção não é limitada a esta configuração, desde que ocontrole deslizante 3 6 seja suportado para manter adistância entre o corpo de difusão 33a e o disco óptico 1abaixo de dezenas de nanômetros bem como desloca-se portoda a área inteira do disco óptico 1.

Além disso, na primeira modalidade, o disco óptico 1 égirado pelo motor de fuso 2 para assim gravar ou reproduzira informação. Alternativamente, poderá ser apreciado que umcartão óptico substituído pelo disco óptico 1 é fixado semgirar e o controle deslizante 35 desloca-se sobre toda aárea do cartão óptico como um meio, assim gravando oureproduzindo a informação. A configuração de taldispositivo de cartão óptico vicia a finalidade da presenteinvenção.

Adicionalmente, na primeira modalidade, o prisma 32guia o feixe radiante LB do elemento laser semicondutor 31ao corpo de difusão 33a. No entanto, o prisma 32 poderá seromitido para aplicar o feixe radiante LB do elemento lasersemicondutor 31 diretamente no corpo de difusão 33a.

(Segunda modalidade)

A seguir, será dada uma descrição de um sistema deinformação óptica de campo próximo de acordo com a segundamodalidade da presente invenção. Esta modalidade édiferente em um cabeçote óptico de campo próximo daprimeira modalidade, mas no entanto é afora isso o mesmo, eassim a configuração e a operação serão descritas apenas arespeito do cabeçote óptico de campo próximo. As Figuras 5Ae 5B são visões superior e lateral, respectivamente, quemostram a configuração da parte principal do cabeçoteóptico de campo próximo de acordo com a segunda modalidade.

Nas Figuras 5A e 5B, todos os elementos componentes efunções e operações delas são quase as mesmas que as daprimeira modalidade. No entanto, o elemento lasersemicondutor 31 é fixado a um ângulo ao prisma 32a, assimaplicando o feixe radiante LB mais facilmente ao PA deponta do corpo de difusão 33a.

0 prisma 32a tem um plano de emissão EP paralelo aoprimeiro plano Pl do corpo de difusão 33a e um plano deincidência IP inclinado com relação ao plano de emissão EPque fixa o elemento laser semicondutor 31. O prisma 32aleva o feixe radiante LB do elemento laser semicondutor 31obliquamente para b aixo, assim irradiando com facilidadetodo o primeiro plano Pl do corpo de difusão 33a.

A Figura 6 é uma visão observada de uma seta B daFigura 5B. Para trazer o centro Z do feixe radiante LB doelemento laser semicondutor 31 para exatamente o centro degravidade do corpo de difusão 33a, como é mostrado naFigura 6, o feixe radiante LB é guiado obliquamente parabaixo pelo prisma 3 2a e irradia todo o primeiro plano Pl demodo substancialmente perpendicular, assim irradiando ocorpo de difusão 33a com maior energia óptica e assimpermitindo que o corpo de difusão 33a gere luz plasmon maissuficientemente.

Na segunda modalidade, portanto, o centro Z do feixeradiante LB coincide substancialmente com mais facilidadecom o corpo de difusão 33a gerando a luz de campo próximoNL no elemento de difusão 33, com isso ainda maisaumentando a quantidade de efusão da luz de campo próximoNL. Além disso, o material de dissipação de calor 34 estámais distante acima do controle deslizante 36, assimpermitindo que o material de dissipação de calor 34 paradissipar o calor com mais eficácia.

(Terceira modalidade)

A seguir, será dada uma descrição de um sistema deinformação óptica de campo próximo de acordo com umaterceira modalidade da presente invenção. Esta modalidade édiferente no cabeçote óptico de campo próximo da primeiramodalidade, contudo afora isso é o mesmo, e assim, aconfiguração e a operação serão descritas apenas a respeitodo cabeçote óptico de campo próximo. A Figura 7 é uma visãolateral que mostra a configuração da parte principal docabeçote óptico de campo próximo de acordo com a terceiramodalidade.

Na Figura 7, a configuração básica é a mesma que a daprimeira modalidade, e o número de referência 31 denota umelemento laser semicondutor; o número de referência ecaractere 32b, um prisma que transmite o feixe radiante LMdo elemento laser semicondutor 31; e 34a, um material dedissipação de calor de cobre. 0 prisma 32b tem um plano dereflexão óptica RP que reflete o feixe radiante LB doelemento laser semicondutor 31 e o leva ao elemento dedifusão 33. Em outras palavras, o feixe radiante LB doelemento laser semicondutor 31 é incidente de cima sobre oprisma 32b, refletido pelo plano de reflexão óptico RP eguiado obliquamente para baixo.

A visão observada de uma seta B da Figura 7 é similarà da Figura 6. Para trazer o centro Z do feixe radiante LBexatamente para o centro de gravidade do corpo de difusão33a, o feixe radiante LB do elemento laser semicondutor 31é guiado obliquamente para baixo pelo plano de reflexãoóptica RP e irradia todo o primeiro plano Pl de maneirasubstancialmente perpendicular, com isso irradiando o corpode difusão 33a com maior energia óptica e assim permitindoque o corpo de difusão 33a gere luz plasmon suficientementea mais.

Na terceira modalidade, portanto, o plano de reflexãoóptica RP torna mais fácil trazer o centro Z do feixeradiante LB substancialmente para o corpo de difusão 3 3agerando a luz de campo próximo NL no elemento de difusão33, com isso aumentando ainda a quantidade de efusão da Izde campo próximo NL. Além disso, na terceira modalidade, omaterial de dissipação de calor 34a está disposto acima doprisma 32b. Isto torna possível aumentar arbitrariamente omaterial de dissipação de calor 34a comparado com aprimeira modalidade, assim resolvendo o problema de geraçãode calor do elemento laser semicondutor 31 com maiorfacilidade.

(Quarta modalidade)

A seguir, será dada uma descrição de um sistema deinformação óptica de campo próximo de acordo com uma quartamodalidade da presente invenção. Esta modalidade édiferente no cabeçote óptico de campo próximo da primeiramodalidade, no entanto, afora isso, é igual e, assim, aconfiguração e a operação serão descritas apenas sobre ocabeçote óptico de campo próximo. A Figura 8 é uma visãolateral que mostra a configuração da parte principal docabeçote óptico de campo próximo de acordo com a quartamodalidade.

Na Figura 8, a configuração básica é a mesma que a daprimeira modalidade, e o número de referência 31 designa oelemento laser semicondutor; o número de referência e ocaractere 32c, um prisma que transmite o feixe radiante LBdo elemento laser semicondutor 31; 32d, um guia de ondaóptico; e 34a, um material de dissipação de calor de cobre.0 guia de onda óptico 32d unido ao fundo do prisma 32recebe o feixe radiante LB do elemento laser semicondutor31 e o leva ao interior do corpo de difusão 3 3a. Em outraspalavras, o feixe radiante LB do elemento lasersemicondutor 31 é incidente de cima sobre o prisma 32c eguiado ao longo do fundo do prisma 32 pelo guia de ondaóptica 32d.

A Figura 9 é uma visão observada de uma seta B daFigura 8. Como é mostrado na Figura 9, o feixe radiante LBé convertido em um feixe chato e guiado ao longo do fundodo prisma 32 pelo guia de onda óptico 32d e irradia todo oprimeiro plano P1 de modo substancialmente perpendicular demodo tal que o centro Z coincide com o centro de gravidadedo corpo de difusão 33a, assim irradiando o corpo dedifusão 33a com bem mais energia óptica e assim permitindoque o corpo de difusão 33a gere luz plasmon ainda maissuficientemente.

Portanto, na quarta modalidade, o guia de onda óptica32d torna mais fácil trazer o centro Z do feixe radiante LBsubstancialmente ao corpo de difusão 3 3a gerando a luz decampo próximo NL no elemento de difusão 33, assim aindaaumentando a quantidade de efusão da luz de campo próximoNL. Ainda, na quarta modalidade, o guia de onda óptica 32dconverte o feixe radiante LB em m feixe chato e o aplica aocorpo de difusão 33a, com isso elevando a energia deirradiação por área de irradiação em uma posição deirradiação do corpo de difusão 33a. Mais ainda, na quartamodalidade, o material de dissipação de calor 34a estádisposto acima do prisma 32b. Isto torna possível aumentararbitrariamente o material de dissipação de calor 34acomparado com a primeira modalidade, assim resolvendo oproblema de geração de calor do elemento laser semicondutor31 mais facilmente.

(Quinta modalidade)

A seguir, será dada uma descrição de um sistema deinformação óptica de campo próximo de acordo com a quintamodalidade da presente invenção. Esta modalidade édiferente no cabeçote óptico de campo próximo da primeiramodalidade, no entanto, afora isso, é a mesma e, portanto,a configuração e a operação serão descritas apenas sobre ocabeçote óptico de campo próximo. A Figura 10 é uma visãolateral que mostra a configuração da parte principal docabeçote óptico de campo próximo de acordo com a quintamodalidade.

Na Figura 10, a configuração básica é a mesma que a daprimeira modalidade, e o número de referência 31 denota umelemento laser semicondutor; o número de referência ecaractere 3 2e, um prisma que transmite o feixe radiante LBdo elemento laser semicondutor 31; e 34a, um material dedissipação de calor de cobre. O prisma 32e tem um plano dereflexão óptica RP e uma superfície de lente LP. O feixeradiante LB do elemento laser semicondutor 31 é refletidopelo plano de reflexão óptica RP, guiado no sentido eincidente sobre a superfície da lente LP, convertido peloefeito da lente da superfície da lente LP e levado aoelemento de difusão 33. Em resumo, o feixe radiante LB doelemento laser semicondutor 31 é incidente de cima sobre oprisma 32e, refletido pelo plano de reflexão óptica RP,convergido pela superfície da lente LP e levado ao elementode difusão 33 . A superfície da lente LP é formada ao fazero prisma 32e de dois materiais tendo um índice de refraçãomutuamente diferente ou ao fornecer um plano de difração,no entanto, a formação dela não é limitada a estes.

A Figura 11 é uma visão observada de uma seta B daFigura 10. Como é mostrado na Figura 11, o feixe radianteLB é guiado obliquamente para baixo pelo plano de reflexãoóptica RP, convergido pela superfície de lente LP eaplicado de maneira substancialmente perpendicular aoprimeiro plano Pl inteiro de modo tal que o centro 2coincide com o centro de gravidade do corpo de difusão 33a,assim irradiando o corpo de difusão 33a com ainda maiorenergia óptica e assim permitindo que o corpo de difusão33a gere luz plasmon ainda mais suficientemente.

Na quinta modalidade, portanto, o plano de reflexãoóptica RP e a superfície de lente LP tornam ainda maisfácil trazer o centro Z do feixe radiante convergido LBsubstancialmente para o corpo de difusão 33a gerando a luzde campo próximo NL no elemento de difusão 33, assim aindaaumentando a quantidade de efusão da luz de campo próximoNL. Adicionalmente, nesta modalidade, a superfície de lenteLP converge o feixe radiante LB e o aplica ao corpo dedifusão33a, assim elevando a energia de irradiação por áreade irradiação em uma posição de irradiação do corpo dedifusão 33a. Mais ainda, na quinta modalidade, o materialde dissipação de calor 34a está disposto acima do prisma32b. Isto torna possível aumentar arbitrariamente omaterial de dissipação de calor 34a quando comparado com aprimeira modalidade, assim resolvendo o problema de geraçãode calor do elemento laser semicondutor 31 com maiorfacilidade.

Em cada modalidade descrita até agora, o elemento dedifusão 33 é formado pelo corpo de difusão 33a, e oelemento de retenção 33b, no entanto, a presente invençãonão é limitada especialmente a este exemplo.

Alternativamente, poderá ser apreciado que o todo de umelemento de difusão é feito, sem o elemento de retenção33b, de um material que gera a luz plasmon com facilidade,como o ouro, o titânio e o crômio. Além disso, o formato docorpo de difusão é variável, por exemplo, o elemento dedifusão 33' mostrado nas Figuras 12A e 12B também poderáser empregado.

Como é mostrado nas Figuras 12A e 12B, o elemento dedifusão 33' é formado por um corpo de difusão 33c e oelemento de retenção 3 3b. 0 corpo de difusão 3 3c é fixado emantido no elemento de retenção 33b e fixado ao controledeslizante 36 através do elemento de retenção 33b. O corpode difusão 33c inclui um primeiro plano Pl perpendicular àsuperfície de gravação ou à superfície de reprodução domeio 1 no lado do elemento laser semicondutor 31 e umsegundo plano P2 oposto ao e inclinado com relação aoprimeiro plano Pl e tem um formato pontudo tanto nas visõesfrental e lateral.

O feixe radiante LB do elemento laser semicondutor 31irradia todo o primeiro plano P2 de maneirasubstancialmente perpendicular de modo tal que o centro Zcoincide com o centro de gravidade do corpo de difusão 33c,e o corpo de difusão 33c aplica a luz de campo próximo NLde uma ponta aguda PA da mesma para o meio 1. O formatopontudo tanto nas visões frontal como lateral torna a luzde campo próximo NL mais densa, assim fazendo com que ocorpo de difusão 33c gere luz plasmon mais intensamente.

Com base em cada modalidade descrita até agora, apresente invenção é resumida conforme segue. Um cabeçoteóptico de campo próximo de acordo com um aspecto dapresente invenção inclui: uma fonte de luz; um elemento dedifusão tendo um formato plano substancialmente chato; e umcontrole deslizante que retém a fonte de luz e o elementode difusão, em que: o controle deslizante segura o elementode difusão de maneira tal que a extremidade do elemento dedifusão está próxima de um meio; o elemento de difusão temum primeiro plano localizado no lado da fonte de luz esubstancialmente perpendicular ao meio; a luz emitida dafonte de luz irradia o primeiro plano de maneirasubstancialmente perpendicular; e a extremidade do elementode difusão gera luz de campo próximo e aplica a luz decampo próximo ao meio.

0 cabeçote óptico de campo próximo pode aplicar a luzemitida da fonte de luz de maneira substancialmenteperpendicular ao primeiro plano do elemento de difusão demaneira substancialmente perpendicular ao meio para assimgerar luz de campo próximo da extremidade do elemento dedifusão e aplicá-la ao meio. Isto torna possívelsimplificar a configuração de um sistema óptico de gravaçãoe miniaturizar significativamente o cabeçote óptico decampo próximo capaz de gravar ou de reproduzir a informaçãoa uma densidade mais elevada em o de um meio.

É preferível que: um elemento de guia de luz sejaainda fornecido que transmite a luz emitida da fonte de luze leva a luz para irradiar o primeiro plano de maneirasubstancialmente perpendicular; e o controle deslizantesegura a fonte de luz, o elemento de difusão e o elementode guia de luz.

Neste caso, a luz emitida da fonte de luz passaatravés do elemento guia de luz e irradia o primeiro planode maneira substancialmente perpendicular. Isto tornapossível irradiar o elemento de difusão cora maior energiaóptica e assim para a extremidade do elemento de difusãogerar suficientemente a luz plasmon.

É preferível que: o elemento de difusão poderá incluirum corpo de difusão condutor em formato planosubstancialmente chato tendo o primeiro plano e gerando aluz de campo próximo, e um elemento retentor que segura ocorpo de difusão; e o elemento guia de luz poderátransmitir a luz emitida da fonte de luz de maneira tal quea luz emitida da fonte de luz irradia todo o primeiro planodo corpo de difusão.

Neste caso, a luz emitida da fonte de luz pode passaratravés do elemento guia de luz e irradiar a superfícieinteira do corpo de difusão gerando a luz de campo próximo,assim gerando luz plasmon de maneira suficiente e estáveldo corpo de difusão.

Preferivelmente, o corpo de difusão poderá ter umformato pontudo e aplicar a luz de campo próximo ao meio daponta do formato pontudo.

Neste caso, a luz de campo próximo pode irradiar omeio da ponta do formato pontudo do corpo de difusão, assimtornando a luz de campo próximo mais densa para gerar luzplasmon mais intensamente do corpo de difusão.

Preferivelmente, o elemento guia de luz poderá ser umelemento óptico tendo um plano de reflexão óptica pararefletir a luz emitida da fonte de luz de maneira tal que aluz emitida da fonte de luz irradia todo o primeiro planodo corpo de difusão.

Neste caso, a luz emitida da fonte de luz pode serfacilmente guiada obliquamente para baixo de maneira talque a luz emitida irradia toda a superfície do corpo dedifusão, assim aumentando mais ainda a quantidade de efusãoda luz do campo próximo. Além disso, o elemento dedissipação de calor que conduz o calor gerado pela fonte deluz pode estar disposto acima do elemento guia de luz,assim aumentando o elemento de dissipação de calorarbitrariamente para dissipar o calor gerado da fonte deluz com mais facilidade.

Preferivelmente, o elemento guia de luz poderá ser umelemento óptico tendo uma função de guia de luz de guiar aluz emitida da fonte de luz de maneira tal que a luzemitida da fonte de luz irradia todo o primeiro plano docorpo de difusão.

Neste caso, a luz emitida da fonte de luz pode serconvertida em um feixe chato e guiada ao longo do fundo doelemento guia de luz, assim irradiando toda a superfície docorpo de difusão com maior energia óptica para aumentarmais a quantidade de efusão da luz de campo próximo. Alémdisso, o elemento de dissipação de calor que conduz o calorgerado pela fonte de luz pode estar disposto acima doelemento guia de luz, assim aumentando o elemento dedissipação de calor arbitrariamente para dissipar maisfacilmente o calor gerado pela fonte de luz.

Preferivelmente, o elemento guia de luz poderá ser umelemento óptico tendo a função de convergir a luz emitidada fonte de luz de maneira tal que a luz emitida da fontede luz irradia todo o primeiro plano do corpo de difusão.

Neste caso, a luz emitida convergida pode irradiar asuperfície inteira do corpo de difusão com maior energiaóptica, assim aumentando ainda mais a quantidade de efusãoda luz de campo próximo.

É preferível que: um elemento de dissipação de calorseja ainda fornecido que é fixado à fonte de luz e conduz ocalor gerado pela fonte de luz; e que o controle deslizante segure a fonte de luz, o elemento guia de luz, o elementode difusão e o elemento de dissipação de calor.

Isto torna possível miniaturizar o cabeçote óptico decampo próximo incluindo o elemento de dissipação de calor edissipar suficientemente o calor gerado da fonte de luz,assim permitindo que a fonte de luz opere continuamente ede maneira estável e mantenha a distância entre o elementode difusão e o meio precisamente constante ao impedir quecada elemento componente seja expandido termicamente edeformado de maneira inesperada enquanto a fonte de luz estiver em operação contínua.

É preferível que: um fotodetector seja ainda fornecidoque defronta um segundo plano do elemento de difusão opostoao primeiro plano; e o controle deslizante segura a fontede luz, o elemento guia de luz, o elemento de difusão e o fotodetector.

Neste caso, o fotodetector pode detectar diretamente aluz reproduzida do meio, assim simplificando a reproduçãodo sistema óptico para tornar menor o cabeçote óptico decampo próximo.

Um dispositivo de cabeçote óptico de campo próximo deacordo com outro aspecto da presente invenção inclui: ocabeçote óptico de campo próximo; e uma estrutura desuspensão que suporta o controle deslizante para manterconstante a distância entre a extremidade do elemento de difusão e o meio quando da gravação de informação no meioutilizando a luz do campo próximo pelo elemento de difusão.

O dispositivo de cabeçote óptico de campo próximoinclui a estrutura de suspensão que suporta o controledeslizante para manter constante a distância entre aextremidade do elemento de difusão e o meio quando dagravação de informação no meio utilizando a luz de campopróximo pelo elemento de difusão. Isto torna possívelminiaturizar o dispositivo de cabeçote óptico de campopróximo capaz de gravar de maneira estável ou de reproduzirinformação a uma densidade mais elevada em ou de um meioutilizando o pequeno cabeçote óptico de campo próximo.

Preferivelmente, um mecanismo de acionamento poderáser ainda fornecido que aciona a estrutura de suspensão emuma direção em um plano paralelo ao meio.

Isto torna possível ampliar a parte disponível comosuperfície de gravação ou de reprodução do meio, assimaumentando a quantidade de informação que pode ser gravadaou reproduzida.

Preferivelmente, a distância entre a extremidade doelemento de difusão e o meio poderá estar dentro de umaprofundidade de efusão da luz de campo próximo, assimgravando ou reproduzindo informação de maneira estávelutilizando a luz de campo próximo.

Um dispositivo de informação óptica de campo próximode acordo com ainda outro aspecto da presente invençãoinclui: o dispositivo de cabeçote óptico de campo próximo;e um circuito elétrico que recebe um sinal obtido dodispositivo de cabeçote óptico de campo próximo e controlee aciona a fonte de luz com base no sinal.

O dispositivo de informação óptica de campo próximopode receber um sinal obtido do dispositivo de cabeçoteóptico de campo próximo e controlar e acionar a fonte deluz com base no sinal, assim miniaturizando o dispositivode informação óptica de campo próximo capaz de gravar ou dereproduzir de maneira estável a informação a uma densidademais alta em ou de um meio utilizando o pequeno dispositivode cabeçote óptico de campo próximo.

É preferível que: um mecanismo de rotação seja aindafornecido que gire o meio; e o circuito elétrico recebe umsinal obtido do cabeçote óptico de campo próximo e controlae aciona o mecanismo de rotação e a fonte de luz com baseno sinal.

Isto torna substancialmente a superfície inteira domeio utilizável como uma superfície de gravação ou dereprodução, assim aumentando significativamente aquantidade de informação que pode ser gravada oureproduzida.

Um sistema de informação óptica de campo próximo deacordo com ainda outro aspecto da presente invenção inclui:o dispositivo de informação óptica de campo próximo; e umaunidade aritmética que faz um cálculo predeterminado combase em informação gravada ou reproduzida do meio pelodispositivo de informação óptica de campo próximo.

O sistema de informação óptica de campo próximo podefazer um cálculo predeterminado com base em informaçãogravada ou reproduzida do meio pelo dispositivo deinformação óptica de campo próximo, assim miniaturizando osistema de informação óptica de campo próximo capaz defazer cálculos diversos utilizando informação maisdensamente e de modo mais estável gravada ou reproduzida deum meio.

Aplicabilidade Industrial

O cabeçote óptico de campo próximo de acordo com apresente invenção é configurado ao segurar a fonte de luz eo corpo de difusão pelo menos no controle deslizante, oujunto com esses elementos componentes, segurar nele oelemento guia de luz, o elemento de dissipação de calor ouo fotodetector, e ser capaz de gravar ou de reproduzirinformação a uma densidade mais elevada em ou de um meioutilizando a luz de campo próximo significativamenteminiaturizada. Ainda, o dispositivo de informação óptica decampo próximo fornecido com o dispositivo de cabeçoteóptico de campo próximo que inclui o cabeçote óptico decampo próximo é capaz de gravar ou de reproduzir informaçãode alta densidade e de grande capacidade em ou de um meio.Mais ainda, o sistema de informação óptica de campo próximofornecido com a unidade aritmética pode ser amplamenteaplicado a cada sistema de informação óptica de campopróximo que armazena informação da unidade aritmética comoinformação sobre dados, visuais ou áudio, como umcomputador, um reprodutor de disco óptico, um gravador dedisco óptico, um sistema de navegação de automóvel, umsistema de edição, um servidor de dados e um componente AV.

Claims (15)

1. Cabeçote óptico de campo próximo, caracterizadopelo fato de compreender:uma fonte de luz ;um elemento de difusão tendo um formatosubstancialmente plano e chato; eum controle deslizante que retém a fonte de luz e oelemento de difusão, em que:o controle deslizante segura o elemento de difusão demaneira tal que uma extremidade do elemento de difusão estápróxima de um meio;o elemento de difusão tem um primeiro plano localizadono lado da fonte de luz e substancialmente perpendicular aomeio;a luz emitida da fonte de luz irradia o primeiro planode maneira substancialmente perpendicular; ea extremidade do elemento de difusão gera luz de campopróximo e aplica a luz de campo próximo ao meio para assimformar uma marca de gravação no meio com a luz de campopróximo.

2. Cabeçote óptico de campo próximo, de acordo com areivindicação 1, caracterizado pelo fato de:um elemento guia de luz ser ainda fornecido quetransmite a luz emitida da fonte de luz e leva a luz parairradiar o primeiro plano de modo substancialmenteperpendicular; eo controle deslizante segura a fonte de luz, oelemento de difusão e o elemento guia de luz.

3. Cabeçote óptico de campo próximo, de acordo com areivindicação 2, caracterizado pelo fato de:o elemento de difusão incluir um corpo de difusãocondutor em formato substancialmente plano e chato tendo oprimeiro plano e gerando a luz de campo próximo, e umelemento retentor que segura o corpo de difusão; e o elemento guia de luz transmite a luz emitida dafonte de luz de maneira tal que a luz emitida da fonte deluz irradia todo o primeiro plano do corpo de difusão.

4. Cabeçote óptico de campo próximo, de acordo com areivindicação 3, caracterizado pelo fato de o corpo dedifusão ter um formato pontudo e aplicar a luz de campopróximo ao meio pela ponta de formato pontudo.

5. Cabeçote óptico de campo próximo, de acordo com areivindicação 3 ou 4, caracterizado pelo fato de o elementoguia de luz ser um elemento óptico tendo um plano dereflexão de luz para reflexão da luz emitida de maneira talque a luz emitida da fonte de luz irradia todo o primeiroplano do corpo de difusão.

6. Cabeçote óptico de campo próximo, de acordo com areivindicação 3 ou 4, caracterizado pelo fato de o elementoguia de luz ser um elemento óptico tendo uma função guia deluz de guiar a luz emitida da fonte de luz de maneira talque a luz emitida da fonte de luz irradia todo o primeiroplano do corpo de difusão.

7. Cabeçote óptico de campo próximo, de acordo comqualquer uma das reivindicações 3, 4, 5 ou 6, caracterizadopelo fato de o elemento guia de luz ser um elemento ópticotendo a função de convergir a luz emitida da fonte de luzde maneira tal que a luz emitida da fonte de luz irradiatodo o primeiro plano do corpo de difusão.

8. Cabeçote óptico de campo próximo, de acordo comqualquer uma das reivindicações 2, 3, 4, 5, 6 ou 7,caracterizado pelo fato de:um elemento de dissipação de calor ser aindafornecido, que é fixado à fonte de luz e conduz o calorgerado pela fonte de luz; eo controle deslizante segura a fonte de luz, oelemento guia de luz, o elemento de difusão e o elemento dedissipação de calor.

9. Cabeçote óptico de campo próximo, de acordo comqualquer uma das reivindicações 2, 3, 4, 5, 6, 7 ou 8,caracterizado pelo fato de:um fotodetector ser ainda fornecido que defronta umsegundo plano do elemento de difusão oposto ao primeiroplano; eo controle deslizante segura a fonte de luz, oelemento guia de luz, o elemento de difusão e ofotodetector.

10. Cabeçote óptico de campo próximo, caracterizadopelo fato de compreender:o cabeçote óptico de campo próximo das reivindicações-1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 ou 9; euma estrutura de suporte que suporta o controledeslizante para manter constante a distância entre aextremidade do elemento de difusão e o meio quando dagravação de informação no meio utilizando a luz de campopróximo pelo elemento de difusão.

11. Cabeçote óptico de campo próximo, de acordo com areivindicação 10, caracterizado pelo fato de aindacompreender um mecanismo acionador que aciona a estruturade suspensão em uma direção em um plano paralelo ao meio.

12. Cabeçote óptico de campo próximo, de acordo com areivindicação 10 ou 11, caracterizado pelo fato de adistância entre a extremidade do elemento de difusão e omeio estar dentro de uma profundidade de efusão da luz decampo próximo.

13. Dispositivo de informação óptica de campo próximo,caracterizado pelo fato de compreender:o dispositivo de cabeçote óptico de campo próximo dasreivindicações 10, 11 ou 12; eum circuito elétrico que recebe um sinal obtido dodispositivo de cabeçote óptico de campo próximo e controlae aciona a fonte de luz com base no sinal.

14. Dispositivo de informação óptica de campo próximo,de acordo com a reivindicação 13, caracterizado pelo fatode:um mecanismo de rotação ser ainda fornecido que gira omeio; eo circuito elétrico recebe um sinal obtido do cabeçoteóptico de campo próximo e controla e aciona o mecanismo derotação e a fonte de luz com base no sinal.

15. Dispositivo de informação óptica de campo próximo,caracterizado pelo fato de compreender:o dispositivo de informação óptica de campo próximo deacordo com a reivindicação 13 ou 14; euma unidade aritmética que faz um cálculopredeterminado com base em informação gravada oureproduzida do meio pelo dispositivo de informação ópticade campo próximo.