CH180804A - Verfahren zur Herstellung von elektrischen Entladungsgefässen. - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von elektrischen Entladungsgefässen.Info
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Description
Verfahren zur Herstellung von elektrischen Entladungsgefässen. Es ist bereits ein Verfahren zur Herstel lung von elektrischen Entladungsgefässen, deren Innenwandfläche mit einer Schicht eines lumineszierenden Stoffes überzogen ist, bekannt, bei welchem auf die Innenwand fläche des Entladungsgefässes vorerst eine Schicht eines in der Wärme flüchtigen Bin demittels und dann auf diese Bindemittel schicht eine Schicht des lumineszierenden Stoffes aufgetragen wird. Die vorzugsweise aus Glyzerin oder aus einem Gemisch von Glyzerin und Borsäure bestehende Bindemit telschicht wird darauf durch Wärmeeinwir kung beseitigt, und zwar durch Erhitzen des Röhrengefässes auf eine zur Verdamp fung des Bindemittels ausreichende Tempe ratur von etwa 200 bis 250 C, so dass als dann an der Innenwandfläche des Röhren gefässes nur noch die Schicht des lumines zierenden Stoffes haftet. Erfindungsgemäss wird nach dem Auf tragen des lumineszierenden Stoffes auf die Bindemittelschicht im Innern des Entla dungsgefässes ein Überdruck hergestellt und ausserdem das Gefäss bis zum Erweichen des Gefässmaterials erhitzt; dabei muss sich na türlich die Höhe des Überdruckes nach dem Erweichungsgrade des Glases und der Wand stärke des Gefässes richten und darf in jedem Falle nicht so hoch gewählt werden. dass ein Ausbeulen des Gefässes eintritt. In der Re gel genügt ein Überdruck von 0,1 bis 0,5 Atmosphären. Das Erhitzen des Gefässes kann gleichzeitig mit der Erzeugung des Überdruckes im Gefässinnern erfolgen; es kann aber auch zuerst im Gefäss ein Über druck erzeugt und dann erst das Gefäss un ter weiterer Aufrechterhaltung des Über druckes im Gefäss erhitzt werden. Diese viel höhere Erhitzung des Röhrengefässes hat neben einer restlosen Verdampfung des Bin demittels eine wesentlich bessere Haftung des lumineszierenden Stoffes an der Gefäss innenwandfläche zur Folge, da die Partikel- chen des lumineszierenden Stoffes ganz oder mindestens zum Teil in die innern Ober flächenteile des erweichten Gefässes einsin ken und mit diesem, sowie auch untereinan- der verschmelzen. Die Lumineszenzstoff- schicht hat daher auch nach Beendigung des Erhitzungsvorganges eine glatte, glasige Oberfläche, während bei einer nur bis zur Verflüchtigung des Bindemittels gesteiger ten Erhitzung die Lumineszenzstoffschicht eine rauhe, körnige Oberfläche besitzt. Der im Gefässinnern erzeugte geringe Überdruck verhindert, dass sich das Gefäss bei der sehr starken Erhitzung einzieht oder sonstwie deformiert. Die bei Durchführung des neuen Ver fahrens erreichte wesentlich bessere Haftung der Lumineszenzstoffschicht gibt sogar die Möglichkeit, die Röhre nachträglich beliebig zu biegen und Rohrteile stückweise aneinan der zu schmelzen, ohne dass die Gefahr eines stellenweisen Abspringens der Lumineszenz stoffschicht entsteht. Auch lassen sich nun mehr dickere Lumineszenzstoffschichten sicherer an der Gefässinnenwand anbringen, wodurch bei eingeschalteter, also im Betrieb befindlicher Röhre eine gleichmässigere Fluor- eszenzwirkung und bei ausgeschalteter Röhre das Aussehen einer guten Opalglasröhre er reicht wird. Um die Haftung der Lumines- zenzstoffschicht an der Gefässwandung noch mehr zu steigern, hat es sich als zweckmässig erwiesen, die Innenwandfläche des Röhren gefässes vor dem Aufbringen der Bindemit telschicht zu mattieren. Hierdurch wird gleichzeitig auch schon vor dem Erhitzen ein besseres Haften der Bindemittelschicht er reicht und verhindert, dass diese von der Ge- fässinnenwandfläche stellenweise abläuft, was dann zu einer ungleichmässigen Ausbildung der Lumineszenzstoffschicht führt. Der Erhitzungsgrad richtet sich nach der Art des verwendeten Glases. Bei aus üblichem Thüringer Glas hergestellten Ent ladungsgefässen hat sich beispielsweise eine Erhitzung auf 550 bis<B>600'</B> C als geeignet erwiesen. Die Grösse des Überdruckes richtet sich nach den Abmessungen der Röhre und insbesondere der Wandstärke. In der Regel genügt ein Überdruck von etwa 0,1 bis 0,5 Atmosphären. Der Überdruck wird zweck mässig mittels einer an den Entlüftungsstut zen des Entladungsgefässes angesetzten Druckluftleitung hergestellt. Es kann aber auch das mit unter atmosphärischem Druck befindlicher Luft gefüllte Entladungsgefäss vor dem Erhitzen hermetisch geschlossen werden, worauf sich bei der Erhitzung durch Steigerung des Druckes der eingeschlossenen Luft im Entladungsgefäss von selbst ein Überdruck von ausreichender Höhe einstellt. In jedem Fall sind die entstandenen Binde mitteldämpfe mit Aufheben des Überdruckes durch Absaugen zu beseitigen. Als einzubringender Lumineszenzstoff kann in bekannter Weise Zinksulfid, Zink silikat, galziumwolframat, Magnesium- molybdat und anderes mehr verwendet wer den.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zur Herstellung von elektri schen Entladungsgefässen, deren Innenwand fläche mit einer Schicht eines lumineszieren den Stoffes überzogen ist, nach welchem die Innenwandfläche des Entladungsgefässes mit einer Bindemittelschicht überzogen, auf diese Bindemittelschicht eine Schicht des lumineszierenden Stoffes aufgetragen und dann die Bindemittelschicht durch Wärme einwirkung beseitigt wird, dadurch gekenn zeichnet,dass nach dem Auftragen des lu mineszierenden Stoffes auf die Bindemittel- schicht im Innern des Entladungsgefässes ein Überdruck hergestellt und das Gefäss bis zum Erweichen des Gefässwandmaterials erhitzt wird. UNTERANSPRUCH: Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Innenwandfläche des Entladungsgefässes vor dem Anbringen der Bindemittelschicht mattiert wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE180804X | 1934-01-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH180804A true CH180804A (de) | 1935-11-15 |
Family
ID=5712891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH180804D CH180804A (de) | 1934-01-03 | 1934-12-03 | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Entladungsgefässen. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH180804A (de) |
-
1934
- 1934-12-03 CH CH180804D patent/CH180804A/de unknown
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