CH191453A - Trockengleichrichter. - Google Patents
Trockengleichrichter.Info
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- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 18
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 claims 1
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229920001800 Shellac Polymers 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N shellac Chemical compound OCCCCCC(O)C(O)CCCCCCCC(O)=O.C1C23[C@H](C(O)=O)CCC2[C@](C)(CO)[C@@H]1C(C(O)=O)=C[C@@H]3O ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N 0.000 description 1
- 229940113147 shellac Drugs 0.000 description 1
- 235000013874 shellac Nutrition 0.000 description 1
- 239000004208 shellac Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
Trockengleichrichter. Die Erfindung bezieht sich auf einen Trockengleichrichter nach dem Patentan- spruch des Hauptpatentes.
Zweck der Erfindung ist, einen besonders guten Trockengleichrichter dieser Art mit tels Massnahmen zu schaffen, durch welche da.s Vorhandensein einer unabhängig von dem Material der begrenzenden Elektroden hergestellten Sperrschicht voll ausgenutzt wird.
Dazu wird erfindungsgemäss als schlecht emittierende (halbleitende) Elektrode das an sich für Trockengleichrichter bekannte Mate rial Selen benutzt, welches Selen aber erfin dungsgemäss Beimischungen in fein verteilter Form besitzt.
Es war in Trockengleichrichtern und in Sperrschichtphotozellen an sich bekannt, dem Selen zur Erhöhung der Leitfähigkeit Bei mischungen, z. B. Metalle, zuzusetzen. So weit diese Stoffe nicht sehen von vornherein isolierend sind, zeigen sie den Nachteil, mit dem Selen eine chemische Verbindung ein- gehen zu können, welche isolierend ist.
Wenn diese Verbindungen bei der für die U perfüll- rung in die leitende Modifikation erforder- liehen Erhitzung des Selens, wobei es ober flächlich verdampft, an die Oberfläche ge langen, bilden sie eine Sperrschicht, deren Dicke aber nie vorher zu bestimmen ist und deren elektrische Eigenschaften völlig unbe kannt sind. Ein Trockengleichrichter nach dem Hauptpatent bringt nun an sich schon den Vorteil, dass man die Dicke der unabhän gig von dem Material der begrenzenden Elektroden hergestellte Sperrschicht leicht bestimmen und in der Massenfabrikation genau einhalten kann.
Dieser Vorteil würde nun'wieder verloren gehen, wenn aus dem Selen an die Oberfläche tretende Teilchen des zugesetzten Stoffes die Dicke der Sperr schicht in unkontrollierbarer Weise ver grössern.
Die vorliegende Erfindung fusst auf der Erkenntnis, dass man .gerade bei einem Trockengleichrichter nach dem Hauptpatent darauf acht geben soll, dass die im Selen zur Erhöhung der Leitfähigkeit vorhandenen Zu sätze des fertigen Gleichrichters leitend sind, so dass der obenbeschriebene Nachteil nicht entstehen kann und also die Vorteile des spe ziellen Gleichrichters nach dem Hauptpatent wirklich ausgenutzt werden können.
Bei einem Gleichrichter gemäss der Erfin dung kann man für jeden besonderen Fall, die Mindestdicke der Sperrschicht wählen, was die Wirkung wesentlich verbessert, da die Dicke der :Sperrschicht die elektrische Feldstärke zwischen den Elektroden be stimmt. Ausserdem hat man die Grösse der Kapazität des Systems dadurch in der Hand, dass der Sperrschicht jede gewünschte Dicke gegeben werden kann.
Ein derartiger Gleichrichter eignet seich infolge der genannten günstigen Eigenschaf ten insbesondere zur Anwendung als Detek tor. Die Oberfläche der Kontaktflächen kann infolge der guten Leitfähigkeit kleingehalten werden, so dass die Eigenkapazität eines der artigen Detektors gewünschtenfalls sehr ge ring sein kann.
Die zuzusetzenden .Stoffe müssen bei den Temperaturen, auf die sie bei der Herstel lung des Gleichrichters erhitzt werden, ihr Leitvermögen beibehalten, da :sonst bei der hohen Temperatur, der das Selen (um ge schmolzen und verarbeitet zu werden) und daher auch die Zusätze ausgesetzt sind, die leitenden Stoffe sich in isolierende Verbin dungen verwandeln würden. Ausser dem Um stand, dass die neugebildeten Stoffe vielleicht einen weniger günstigen Einfluss auf die Er höhung der Leitfähigkeit des Halbleiters haben könnten, spielt hier insbesondere die Bildung der :
Sperrschicht eine Rolle, denn die isolierenden .Stoffe treten infolge der Verdampfung des Selens (bei der Erhitzung zwecks Überführung .des Selens in die lei tende Modifikation) als eine mehr oder we niger ungleichmässige .Schicht an die Ober fläche und es bleiben noch immer Teilchen des ursprünglichen leitenden Stoffes zurück. Es bleibt also erforderlich, zwischen den Kontaktflächen der beiden Elektroden eine Sperrschicht anzubringen.
Da in diesem Fall jedoch zwei Sperrschichten vorhanden sind, nämlich eine aus dem chemisch verwandel ten, zugesetzten Stoff entstandene und die nachher aufgebrachte, wird eine grössere und zugleich unkontrollierbare und ungleich mässige Dicke erhalten, was auf die Wirkung des Gleichrichters einen sehr ungünstigen Einfluss hat.
,Stoffe, die sich dazu eignen, dem Selen zugesetzt zu werden, sind z. B. die Sulfide der folgenden Metalle: Blei (Pbs), Antimon (Sb_@S3), Kupfer (Cus und Cu2S), die Nitride von Zirkon (ZrhT) und Titan (TiN), sowie die Oxyde von Vanadin (V203) und Kobalt (Coy0g).
Die Gewichtsmenge der Zusätze beträgt im allgemeinen von 0,1 bis<B>10%</B> der Ge wichtsmenge des vorhandenen Selens.
Zur Erreichung einer möglichst vorteil haften Wirkung müssen die Zusätze eine sehr geringe Korngrösse, d. h. eine Grösse von 1 bis 10 ,u haben. Körner von 0,1,u haben im allgemeinen einen noch günstigeren Einfluss auf die Leitfähigkeit. Das Erhalten einer derart geringen Korngrösse bietet jedoch zu weilen technische Schwierigkeiten.
Bei einer günstigen Ausführungsform wird als Zwischenschicht ein Isolierstoff ver wendet, der mit den Elektroden keinen ge meinsamen Bestandteil hat.
Das gesonderte Aufbringen der Zwi schenschicht bietet, wie bereits erwälnt, den Vorteil, dass man die Bildung der Zwischen schicht vollkommen beherrscht und dass das Material, sowie die Dicke, und daher die Kapazität, nach Belieben gewählt werden können. Für die Zwischenschicht eignen sich insbesondere z. B. Kollodium, Schellack, Pa pier, ein Si02-Häutchen oder Wasserglas.
Diese Stoffe besitzen alle die günstige Eigen schaft, @dasst sie den mechanischen und atmo- sphärischen Einflüssen in genügendem Masse standhalten können und genügend dicht sind.
Besonders günstige Eigenschaften zur Verwendung als Zwischenschicht besitzen die Kunstharze. Diese haben ein derart hohes Isolationsvermögen, dass ein sehr dünnes Häutchen genügt, was der günstigen Wir kung des Gleichrichters zugute kommt. Die für die Sperrschicht verwendeten Stoffe kön nen z. B. in flüssigem oder gelöstem Zustand, z. B. durch Aufspritzen, auf eine der Elek troden aufgebracht werden, bis die ge wünschte Dicke erhalten ist.
Die Dicke der Sperrschicht beträgt im allgemeinen 1 bis 100 ,u, je nach der Verwendung des Elektro- densystems und .dem benutzten Material.
Ein Ausführungsbeispiel könnte durch das nachfolgend beschriebene Verfahren her gestellt werden: Geschmolzenem Selen werden etwa 5 Ge wichtsprozente Bleisulfid (PbS) in zermah lenem Zustand (Korngrösse etwa 1: ,u), zu gesetzt.
Das Gemisch wird auf einer Eisen platte in einer Dicke von etwa 100,u flach a a usgestriehen und dann in einem Ofen einige Stunden lang auf 200 C erhitzt. Nach Ab kühlung wird eine Lösung von Nitrozellulose in Amylazetat auf die Selenoberfläche auf gebracht und getrocknet.
Die auf diese Weise gebildete Sperrschicht hat eine Dicke von etwa 2,u. Auf dieser Schicht wird die andere Elektrode dadurch gebildet, dass sogenannter Goldlack aufgebracht wird, in den ein Zu führungsleiter aufgenommen wird.
In der Zeichnung ist ein Ausführungsbei- spiel des Gegenstandes der Erfindung darge stellt.
Das Selen 1 wird von einer Metallplatte 2, z. B. aus Eisen getragen. Als Sperrschicht 3 wird gollodium benutzt, auf das als zweite, gut emittierende Elektrode 4 ein Goldlacktropfen aufgebracht worden ist, in dem sich ein Anschlussdraht 5 befindet. Durch das Trocknen des Lackes wird also der elektrische Zuführungsdraht elektrisch, sowie mechanisch an der Goldlackelektrode befestigt.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Trockengleichrichter nach dem Patentan 6pruch des Hauptpatentes, dadurch gekenn zeichnet, dass als eine der Elektroden eine grösstenteils aus Selen bestehende Schicht verwendet ist und in diesem Selen elektrisch leitende Beimischungen in fein verteiltem Zustand vorhanden sind. <B>UNTERANSPRÜCHE:</B> 1.Trockengleichrichter nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass, dem Selen Bleisulfid mit einer Korngrüsse von etwa 1,cc in einem Gewichtsverhältnis von 5 % zugesetzt ist. 2. Trockengleichrichter nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die isolie rende Zwischenschicht und die Elektroden keinen gemeinsamen Materialbestandteil besitzen. 3.Trockengleichrichter nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwi- schenschicht aus einem Kunstharz besteht, das auf eine der Elektroden aufgebracht ist. 4. Trockengleichrichter nach Patentanspruch und Unteranepruch 3, dadurch gekenn zeichnet, dass das Kunstharz in flüssigem Zustand auf eine der Elektroden aufge bracht worden ist.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE191453X | 1935-03-11 | ||
| CH153317T | 1936-03-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH191453A true CH191453A (de) | 1937-06-15 |
Family
ID=25716181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH191453D CH191453A (de) | 1935-03-11 | 1936-03-06 | Trockengleichrichter. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH191453A (de) |
-
1936
- 1936-03-06 CH CH191453D patent/CH191453A/de unknown
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