CH207922A - Verfahren zur serienmässigen Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. - Google Patents
Verfahren zur serienmässigen Herstellung von Trockenplattengleichrichtern.Info
- Publication number
- CH207922A CH207922A CH207922DA CH207922A CH 207922 A CH207922 A CH 207922A CH 207922D A CH207922D A CH 207922DA CH 207922 A CH207922 A CH 207922A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- base electrodes
- base
- electrodes
- semiconductor
- serial production
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/01—Manufacture or treatment
- H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Verfahren zur serienmässigen Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. Die Erfindung bezieht sich auf die serien mässige Herstellung von Trockenplattengleich- richtern, bei denen die Halbleiterschicht durch Aufdampfen des Halbleiters auf die Grund elektroden aufgebracht wird. Wenn man das Herstellungsverfahren derartiger Gleichrichter dadurch wirtschaftlich gestalten will, dass man den Halbleiter fortlaufend, zum Beispiel auf ein Metallband aufdampft, so ergeben sich bei der weiteren Bearbeitung, insbesondere beim Ausschneiden oder Ausstanzen der ein zelnen Gleichrichterelemente dadurch Schwie rigkeiten, dass die Halbleiterschicht infolge der mechanischen Beanspruchung abspringt oder von der Unterlage gelockert wird.
Diese Schwierigkeiten lassen sich gemäss der Erfindung dadurch beheben, dass das an der Aufdampfvorrichtung vorbeigeführte Grundelektrodenmaterial, aus dem die Grund elektroden einer Serie hergestellt werden, so abgedeckt wird, dass Teile desselben über zugsfrei bleiben. Zweckmässig wird die Füh rungsleiste als Abdeckschablone benutzt, und zwar so, dass die Randstellen der einzelnen Elemente von der Halbleiterschicht frei blei ben.
Besonders vorteilhaft ist es, die ein zelnen Grundelektroden aus einem als Ma terial für die Grundelektroden dienenden Metallband durch Stanzen gleicher Teile her zustellen, und gegebenenfalls schon vor dem Aufbringen der Halbleiterschicht das Metall band so vorzustanzen, dass nachher nur noch kleine Verbindungsstreifen zwischen den ein zelnen Grundelektroden zu durchschneiden sind.
In Fig. 1 bis 3 ist ein Ausführungsbei spiel für die Ausführung des Verfahrens mit einem unsymmetrisch vorgestanzten Metall band dargestellt Die einseitig angeordnete Führungsschiene y nach Fig. 1 bedeckt den zusammenhängen den Randteil b des vorgestanzten Metall bandes, dessen kreisscheibenförmigen Teile dem verdampfenden Selen ausgesetzt und somit, wie durch die Schraffur in Fig. 3 an gedeutet, mit Selen bedeckt werden. Die einzelnen Gleichrichterelemente gewinnt man, indem man das Band an den in Fig. 2 ge strichelt angedeuteten Stellen durchschneidet.
In Fig. 4 bis 6 ist ein Ausführungsbei spiel für die Ausführung des Verfahrens mit einem symmetrisch vorgestanzten Metallband dargestellt Die beiderseitig angeordneten Führungs schienen gr und g2 nach Fig. 4 decken die zusammenhängenden Randteile b des vorge stanzten Metallbandes ab, dessen Mittelstrei fen a, durch die vorgestanzten Trennlinien unterteilt, entsprechend der Schraffur in Fig. 6 mit Selen überzogen wird.
Es ist zweckmässig, auf beide Seiten der Grundelektroden eine Halbleiterschicht gleich zeitig oder nacheinander aufzudampfen. Die nach diesem Verfahren hergestellten Grund elektroden werden später auf beiden Seiten mit Gegenelektroden versehen, die zur Ab leitung des Stromes dienen. Als Stromzu führung erhält die Grundelektrode ei ne Lasche, die nicht vom Halbleiter bedeckt wird. Durch die Ausnutzung beider Seiten der Grund elektrode ergeben sich wesentliche Vorteile, da die Gleichrichter bei gleicher Leistung besonders klein und leicht ausgeführt wer den können.
Eine einzelne Grundelektrode mit beider seitigem Selenbelag a und der zur Verbin dung mit dem folgenden Element dienenden Randlasche b zeigt Fig. 7.
Ausführungsformen zusammengesetzter Gleichrichter mit auf beiden Seiten aufge dampfter Halbleiter-schiclit sind in der Fig. 8 und 9 in zwei Ansichten dargestellt. Die ein zelnen Gleichrichterelemente sind auf ehren Bolzen c aus Isoliermaterial oder mit iso lierender Hülle aufgereiht. Die Grundelek troden sind mit a bezeichnet. Sie tragen die aufgedampften Schichten d. Die etwas klei neren Gegenelektroden sind mit e benannt. Durch die Laschen b ist jede Grundelektrode mit den Gegenelektroden des folgenden Ele mentes verbunden.
Die einzelnen Elemente sind durch Scheiben f aus Isoliermaterial getrennt, Je nach dem Verwendungszweck können die einzelnen Zellen auch parallel oder teil weise parallel und teilweise hintereinander geschaltet sein. Zur Parallelschaltung wer den die Grundelektroden und die Gegenelek troden für sich miteinander verbunden.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH: Verfahren zur serienmässigen Herstellung von Trockenplattengleiehrichtern unter in einem fortlaufenden Arbeitsgang erfolgen dem Aufdampfen des Halbleiters auf die Grundelektroden, dadurch gekennzeichnet, dass das an der Aufdampfvorrichtung vorbei geführte Grundelektrodenmaterial, aus dem die. Grundelektroden einer Serie hergestellt werden, so abgedeckt wird, dass Teile des selben überzugsfrei bleiben. UNTERANSPRÜCHE: 1.Verfahren nach Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Abdeckung durch die Führungseinrichtung des die Form eines laufenden Bandes aufweisenden Grund elektroderimaterials vorgenommen wird. 2. Verfahren nach Patentanspruch und Un teranspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass aus einem als Material für die Grund elektroden dienenden Metallband die ein zelnen Grundelektroden durch Stanzen gleicher Teile hergestellt werden. 3. Verfahren nacb Patentanspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht auf beide Seiten der Grundelektroden auf gedampft wird. 4.Verfahren nach Patentanspruch und Un teransprüchen 1, 2 und 3, dadurch ge kennzeichnet, dass jede Grundelektrode mit einer vom Halbleiter unbedeckten Lasche für die elektrisch leitende Verbindung der Gleichrichterelemente versehen wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH207922T | 1938-08-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH207922A true CH207922A (de) | 1939-12-15 |
Family
ID=4445795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH207922D CH207922A (de) | 1938-08-05 | 1938-08-05 | Verfahren zur serienmässigen Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH207922A (de) |
-
1938
- 1938-08-05 CH CH207922D patent/CH207922A/de unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CH207922A (de) | Verfahren zur serienmässigen Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. | |
| US2137831A (en) | Method of producing dry plate elements for selenium rectifiers and the like | |
| DE733726C (de) | Verfahren zur Herstellung von metallisierten Isolierstoffolien | |
| DE684446C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern | |
| AT155758B (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockenplattengleichrichtern. | |
| DE571289C (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Gluehzuendern | |
| DE2533720C3 (de) | Elektrische Spannungsvervielfacher-Kaskade | |
| DE702235C (de) | Verfahren zur Herstellung von zu Gruppen zusammenzuschaltenden, aus Schichten bestehenden Elektrodensystemen mit gleichen Eigenschaften, insbesondere Trockengleichrichtern | |
| DE1553740C3 (de) | Perforierte Schneidfolie für Trokkenrasierapparate | |
| DE1614800C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Planartransistors mit Tetrodeneigenschaften | |
| DE2610539A1 (de) | Halbleiterbauelement mit elektrischen kontakten und verfahren zur herstellung solcher kontakte | |
| DE886178C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern | |
| DE892191C (de) | Verfahren zur Aufbringung und Formierung von Halbleiterschichten auf Traegerunterlagen | |
| DE1241534B (de) | Verfahren zur Herstellung eines regenerierfaehigen Duennfolienkondensators | |
| DE526295C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren fuer die Hochfrequenztechnik | |
| DE724419C (de) | Schlittschuh mit auswechselbarer Laufbahn | |
| DE706980C (de) | Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern | |
| DE629443C (de) | Verfahren zur Herstellung von metallischen Belegungen fuer Kondensatorwickelbaender, bei denen die Metallisierung des Dielektrikums durch Aufdampfen oder Aufspritzen durchgefuehrt ist | |
| DE596098C (de) | Verfahren zur Herstellung geloeteter Lamellensicherungen | |
| DE882172C (de) | Verfahren zur Herstellung von duennen Schichten durch thermisches Aufdampfen | |
| DE857524C (de) | Anschlussfahne fuer Trockengleichrichter | |
| AT278583B (de) | Perforierte Schneidfolie für Rasierapparate und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE456260C (de) | Putztraeger aus Wellpappe | |
| DE3038610C2 (de) | ||
| DE933578C (de) | Verfahren zur Herstellung elektrischer Trockengleichrichter |