CH254656A - Verfahren und Einrichtung zur Erhitzung von abgegrenzten Oberflächenteilen eines Gegenstandes. - Google Patents
Verfahren und Einrichtung zur Erhitzung von abgegrenzten Oberflächenteilen eines Gegenstandes.Info
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Description
Verfahren und Einrichtung zur Erhitzung von abgegrenzten Oberflächenteilen eines Gegenstandes. Gegenstand der EH indung ist ein Ver fahren und eine Einrichtung zur Erhitzung von abgegrenzten Oberfläehenteilen eines Gegenstandes mittels Hoehfrequenz.
Das erfindungsgemässe Verfahren ist da- dur,üG gekennzeichnet, dass auf dem Gegen stand zuerst eine. diesen Oberflächenteil albgrenzende und die abgegrenzte Fläche frei lassende Schutzvorrichtung aus leitendem Material angebracht und hierauf ein von I-loe,1-i#frequenzstrom durchflossenes Induktor- or-,an derart mit der Schutzvorrichtung zur Wirkung gebracht wird, dass durch die Ein- ,
virkung des Induktororganes der abge grenzte OberfUchenteil des Gegenstandes erhitzt und durch magnetische, Kopplung zwischen dem Induktororgan und der Schutz vorrichtung eine Beeinflussung der ausserhalb des abgegrenzten Teils liegenden Oberflä chenteile des Gegenstandes verhindert wird.
Mittels dieses Verfahrens können bei spielsweise Selengleichriehterscheiben behan delt werden, indem eine im Zentrum der Scheibe gelegene F läche um das Befesti- (Y n elu gsloch herum erhitzt und die Selen- sehielit dort in den amorpl-Len Zustand (Yebraclit wird.
Diese Fläche wird damit für n Gleiel-irichterzwen-lee elektrisch inaktiv gestal- t-et, ohne dass die äussere ringförmige, mit kri stallinem Selen überdeckte Fläche durch Nitze geschädigt wird.
Die erfindungsgemässe Einrichtung zur Ausübun & des Verfahrens insbesondere zur z# Erhitzung von abgegrenzten Oberflächen teilen eines Gegenstandes mittQI's Hochfre- quenz ist gekennzeichnet durch ein mit,dem Gegenstand magnetisch zu koppelndes, spu- lenförmiges und praktiAi parallel zu dem# zu erhitzenden Oberfläa'henteil verlaufendes Induktororgan zur Erzeugung eines auf :
dem OberflIchenteil einwirkenden magnetischen Feldes und durch einen durch induktive Kopplung mit dem Induktororgan zusam- menwirkenden,geschlossenen, praktisch paral lel zum genannten Oberfläehenteil verlau- ènden, diesen Teil abgrenzenden und da4 Induktororgan praktisch umgebenden Leiter, das Ganze derart, dass ein im Leiter indu-- zierter Strom einen magnetischen Fluss erzeugt,
der der radialen Ausbreitung des durch das Induktororgan erzeugten magneti schen Feldes entgegenwirkt-.
Eine praktische Ausfülirungsform dW Erfindung ist nachstehend an Hand der bei gelegten Zeichnung ausführlich beschrieben. In dieser Zeichnung zeigt: Fig. <B>1</B> eine schematische Darstellung eines Indu-ktion#sheizgerätes mit dem dazu gehörigen Abschirmring bei der Behandlung einer kreisrunden Selen-Gleielirichtersch-eibe, wobei die Scheibe und der Ring durch einen durch die Sc'heibenmittel gelegten Schnitt ,(yezeigt sind,
Fig. 2 eine perspektivisohe Darstellung e einer Ausführungsform eines spiralförmigen, mehrfach gewundenen Induktors, Fig. <B>3</B> eine perspektivische Darstellung einer GleichLrichterscheibe mit aufgelegtem Abschirmring, Fig. 4 einen Querschnitt durch eine Va riante des Schutzringes, der zur Zirkulation eines Kühlmittels ausgebildet ist, - %. <B>5</B> einen Querschnitt eines Teile einer Gleiclirichtersäule.
Die in der Zeichnung dargestellte Ein- riclitung dient zur Behandlung eines scharf abgegrenzten zentralen Teils der Oberfläche der Selenschiellt einer GleicUrichterselleibe, welcher Teil im fertigen Gleichriellter- element mit der Kontaktzone zwischen den Scheiben des Elementes zusammenfällt und als- IKontaldfläjehe bezeichnet werden soll.
Die zur Überführung der Selenschicht dieser zen tralen Kontaktf-läche in den amorphen Zu stand erforderliche Erhitzung unter scha-r- èr Abgrenzung dbr Kontaktfläche von der aktiven Selenfläclie kann durch die Verwen- duug von hochfrequenter Induktionsheizung in sehr -befriedigender Weise gelöst -werden, wobei der Heizeffekt mit.
Vorteil auf -die Oberfläche<B>-</B> und die Dirke der Schicht beschränkt wird, ohne dass die Grundplatte, unnötig erhitzt wird. Dies wurde nämlieli infolge der gewöhnlich guten WäTmeleitung solcher Grundplatten bewirken, dass, sich die Erhitzung über die erwünschte Fläche hinaus ausdehnen würde.
Die Gleichrieliterplatte besteht aus<B>-</B> der üblichen Grundplatte<B>1</B> aus Eisen oder Aluminium, auf deren Oberfläc'he die Deckselliclit aus nicht amorphem oder kristallinem Selen 2 gewöhnlich durch das Auftragen von pulverisiertem Selen und die Verbindung mit der Plattenoberfläclie durch Hitze und Druck angebracht wird.
Eine Ge- geuelektrode <B>3</B> aus<B>-</B> Wood'seliem Metall oder anderem geeignetem Material wird. dann auf die Oberfläehe des Selens aufgebracht und die Sperrschiellt elektrisch formiert. Die- Platten <B>1</B> sind in üblicher-Weise in Form einer Kreissel:
Leibe mit einer im- Zentrum angeordneten Öffnung<B>5</B> für den im geschich teten Aufbau des Gleichrichterelementes ver wendeten Pressbolzen hergestellt, wobei Kon taktrondellen<B>10</B> zur elektrischen Kontakt- gebung zwischen den einzelnen Selenschei- ben angeordnet ein.c1. Es ist nun von Vorteil, dass eine um die im Zentrum angeordnete Öffnung herum und im -wesentlichen der Flä- clie,
der Kontaktrondellen entsprechende Rand- paxtie keine Gleichriclitungseigensthaft auf weist, also iiiiaktiv ist, damit durch den Druck der Kontaktunterlagssclieiben auf die gleichrielitende Schicht keine unerwünscUte Beeinflussung der Gleichrichterwirkung her- vo,rgerufen wird.
Eine derartige inaktive Flä che kann dadurch erhalten werden, dass zunächst eine üblidhe Selenschicht aufgetra gen und dann bis zu einem solchen Grad erhitzt -wird, dass sie auf eine gewünschte Teilfläche schmilzt und in den amorphen Zustand übergeht. Dadurch wird eine ver- bessert & Kontaktfläche gebildet, indem-das Material der Gegenelektrode sich über inah- tives Material erstreckt und schädliche Druckeffekte -nicht. auftreten können.
Beim dargestellten Verfahren wird eine mit hochfrequentem Strom gespeiste Induk- torspule <B>6</B> in einem kleinen Abstand zur zu erhitzenden Selenfläche angebracht, so<I>W</I> eine magnetische Kopplung auftritt, bei der die Kra.ftlinien in einem zu der zu bearbei tenden FlIche praktisch senkrechten Ebe nenbüschel verlaufen. Die zu erhitzende Flä,- clie wird durch die zentrale, Ringfläche<B>7</B> der Selenschicht unmittelbar um die Öffnung<B>5</B> herum gebildet.
Das Induktor-Heizelement kann, wie dargestellt,<U>die</U> Form einer Ila- chen, mehrfach gewundenen, spiralförmigen Spule aus KupferroJir aufweisen und durch das Rohr kann eine Kühlflüssijeit zirku lieren. Die Anschlüsse des Induktorelemen- tes sind mit den Ausgangsklemmen eines Hocll±Teq-aenz-Oszillator,s <B>HFG</B> verbunden.
Der Süllutzring <B>8</B> besteht aus gutleitendem Material, wie Kupfer, und wird auf der Selenschielit sg angeordnet, dass er die zu erhitzende Fläche<B>7</B> abgrenzt. Der innere Durchmesser des Ringes<B>8</B> ist etwas grösser zu wähleu als der äussere Durchmesser der zu erhitzenden Fläche, da durch die Rand wirkung dieses Ring-es <B>8</B> eine schmale ring förmige, Randfläche dem erhitzenden Feld nicht ausgesetzt ist.
Wie die Fig. 4 zeigt, kann der Ring<B>8'</B> aus einem Hohlleiter bestehen, der mit Zu- und Abfülirungs- stutzen <B>9</B> zur Durchleitung eines Kühlmittels versehen ist.
Die Breite des abschirmenden Ringes ist so bemessen, dass die äussere Selenfläche gegen eine Erliitzun durch das Kraftfeld <B>9</B> ausserhalb des Ringes gesehützt wird.
Nach der Erhitzung" durch welche diese zentrale Zone der Selenschicht amorph gestaltet wird, bringt man die übliche Gegenelektrodenlegie- rung auf die ganze Selenfläche auf, wobei der zentrale Teil der Gegenelektrode<B>'</B> über dem amorphen Selen zu liegen kommt und mit Hilfe der üblichen Zwie-ehenseheiben <B>10</B> die Kontaktgabe zwischen den einzelnen Ele menten einer in Fig. <B>5</B> dargestellten Gleich- richtersä.Lile bewirkt.
Claims (1)
- PATENTANSPRüCIIE: <B>1.</B> Verfahren zur Erhitzung eines abge grenzten Teils der Oberfläche eines Gegen standes, dadurah gekennzeichnet, dass auf dem Gegenstand zuerst eine diesen Oberflä- chenteil abgrenzende und die abgegrenzte Fläche freilassende Schutzvorrizlitung aus leitendem Materia,1 angebraelit und hierauf ein von einem Hoc'hfrequenzstrom durchflos senes Induktororgan deraxt mit der Schutz vorrichtung zur Wirkung gebraclit wird,dass, durch die Einwirkung des Induktor- organes der abgegrenzte Oberflächenteil des Gegenstandes erhitzt und durch magnetische Kopplung zwischen dem Induktororgan und der Schutzvorrichtung eine Beeinflussung der ausserhalb des abgegrenzten Teils liegenden Oberflächenteile des Gegenstandes verhin dert wird.II. Einrichtung zur Erhitzung von abge grenzten Oberflächenteilen eines Gegen standes mittels Hochfrequenz nach dem Ver fahren des Patentanspruches I, gekennzeiell- net durch ein mit dem Gegenstand magne- tisell zu koppelndes, sspulenförmige#s und prail,-tüel# par & lIel zu dem zu erhitzenden Oberflächenteil verlaufendes Induktororgan zur Erzeugung eines auf den OberfIkhenteil einwirkenden magnetischen Feldes, und durch ,einen durch induktive Kopplung mit dem Induktororgan zusammenwirkenden, geschlos senen, praktisch parallel zum genannten Oberflächenteil verlaufenden, diesen Teil abgrenzenden und das Induktororgan prak tisch umgeben-den Leiter, das Ganze derart, dass ein im Leiter induzierter Strom einen magnetischen Fluss erzeugt, der der radialen Ausbreitung des durch das Induktororgan erzeugten magnetischen Feldes entgegen wirkt.UNTERANSPRüCHE: <B>1.</B> Einrichtung nach Patentanspruch. II, da durch gekennzeichnet, da3 der genannte geschlossene elektrische Leiter die abzugren zende Fläche eng umgibt. 2. Einrichtung nach Patentanspruell II, dadurch gekennzeichnet, da;ss die Windungen der Heizspule ineiner Ebene liegen, so- dass die Spule nahe der und praktisch parallel zu der zu erhitzenden Fläche angeordnet wer den kann.<B>3.</B> Einrichtung gemäss, Patentanspruch II, dadurch gekennzeichnet, dass die Kraftlinien der Induktorspule in einem zu der zu bear beitenden Fläche praktisch senkrechten Ebe nenbüschel verlauf en. 4. Einrichtung gemäss Patentansprucb, <B>11,</B> dadurch gekennzeichnet, dass das Induktor- organ künstlich gekühlt ist.<B>5.</B> Einrichtung gemäss PatentanspTuch <B>11</B> und Unteranspruch 4, dadurch gekennzeieli- net, dass die Kühlvorriehtung für das Induk- tororgan äus einer aus Rohr gebildeten Spule bestellt, die mit Zu- und Abführungsstutzen für ein Külilmittel versehen ist.<B>6.</B> Einrichtung nach Patenta.nspruc'h <B>11,</B> dadurch geken-n eichnet, dass der Leiter als Hohlleiter ausgebildet und mit Zu- und Ab- führungestutzen für ein Kühlmittel ver sehen ist. <B>7.</B> Einrichtung gemäss Patentanspruch ii, dadurch gekennzeichnet, dass der Leiter aus Kupfer besteht.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3037192A1 (de) * | 1980-10-02 | 1982-05-06 | Licentia Gmbh | Testverfahren fuer halbleiteranordnungen |
| FR2630612A1 (fr) * | 1988-04-26 | 1989-10-27 | Siderurgie Fse Inst Rech | Dispositif de protection des poles d'inducteurs et inducteur pourvu de ce dispositif |
-
1945
- 1945-12-06 CH CH254656D patent/CH254656A/de unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3037192A1 (de) * | 1980-10-02 | 1982-05-06 | Licentia Gmbh | Testverfahren fuer halbleiteranordnungen |
| FR2630612A1 (fr) * | 1988-04-26 | 1989-10-27 | Siderurgie Fse Inst Rech | Dispositif de protection des poles d'inducteurs et inducteur pourvu de ce dispositif |
| EP0340057A1 (de) * | 1988-04-26 | 1989-11-02 | Rotelec | Schutzvorrichtung für Induktionspole und Induktor, welcher mit solch einer Vorrichtung versehen ist |
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