CH275637A - Procédé de stabilisation d'une fréquence ultra-haute et appareil pour la mise en oeuvre de ce procédé. - Google Patents

Procédé de stabilisation d'une fréquence ultra-haute et appareil pour la mise en oeuvre de ce procédé.

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CH275637A
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/26—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using energy levels of molecules, atoms, or subatomic particles as a frequency reference

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Description


  Procédé de stabilisation d'une fréquence ultra-haute et appareil pour<B>la</B> mise en     oeuvre     de ce procédé.    Cette intention comprend un procédé de  stabilisation d'une fréquence     ultra-haute    et. un  appareil pour la mise en     oeuvre    de ce procédé.  



  Divers     systèmes    et méthodes ont été pro  posés et utilisés     jusqu'à    présent pour stabili  ser la fréquence de générateurs d'ondes ultra  courtes par réglage de tension, de charge, ou  par l'emploi de dispositifs à. réactance. Bien  que les cristaux     piézo-électriques    soient utili  sables pour le contrôle des     basses    et moyennes  fréquences, ils ne le sont pas pour les     ultra-          hautes    fréquences. Il est indispensable pour  obtenir une stabilisation satisfaisante des  ondes ultracourtes d'utiliser un     phénomène     ou un dispositif oscillatoire dont la fréquence  est stable et. comprise dans le spectre des  ondes ultracourtes.

    



  Le spectre d'absorption de certains gaz  tels que l'ammoniaque, les sulfures de car  bonyle, les halogénures de méthyle, peut être  résonnant ou non. L'absorption non réson  nante d'un gaz, pour fréquence déterminée,  croît     avec    le carré de la pression du gaz et       devient.    par conséquent négligeable lorsque la       pression    décroît.  



  Tous les gaz ayant un spectre d'absorp  tion discontinu pour les ondes     ultracourtes     présentent plusieurs lignes d'absorption dis  tribuées différemment dans chaque gaz. La.       fréquence    de chacune de ces lignes d'absorp  tion a une valeur fixe qui est indépendante    de la température, de la pression ainsi que  des     caractéristiques    physiques et des dimen  sions de la chambre renfermant le gaz. La  seule méthode connue pour déplacer les lignes  de tels spectres est un champ magnétique ou  électrique unidirectionnel et relativement in  tense. On se propose d'utiliser la stabilité de  tels spectres de lignes pour stabiliser la fré  quence de générateurs d'ondes ultracourtes.

    Le terme      résonance    moléculaire>> désigne les  caractéristiques on propriétés d'un     ensemble     de molécules de gaz qui donnent naissance à  L'absorption sélective des ondes ultracourtes  à, des fréquences déterminées.  



  La fréquence d'une ligne d'absorption  reste constante lorsque la pression du gaz est.  diminuée, pour autant que l'observation soit  faite exactement au centre de la. ligne. On  observe une     absorption    sélective pour les sul  fures de carbonyle et l'ammoniaque, tandis  que dans les halogénures de méthyle le spec  tre     d'absorption    est continu. Les corps tels       crue    les     éthylamines    ou     méthy    lamines présen  tent les deux sortes d'absorption qui peuvent  être discriminées en particulier, en observant  si elles sont indépendantes de la pression.  



  Pour le sulfure de carbonyle, par exemple,  l'absorption sélective d'une onde     ultracourte     est donnée par  
EMI0001.0025     
      où     1t"    désigne le moment du dipôle,     1'0    la fré  quence d'une des lignes d'absorption, J le  nombre quantique, h la constante de Planck,  c la vitesse de la lumière, I le     moment-d'iner-          tie,   <I>k</I> la constante de Boltzmann,<I>T</I> la tempé  rature     absolue,    Y le nombre de molécules par  centimètre cube et     Av    la largeur de la ligne  d'absorption en cycles par seconde correspon  dant à. la moitié de l'absorption.

       N    et     Av    va  rient linéairement avec la pression, ceci jus  qu'aux pressions très basses où d'autres fac  teurs que les chocs moléculaires entrent, dans  l'équation pour déterminer la largeur de la  ligne. Ainsi, l'absorption de tels gaz, aux  fréquences des ondes ultracourtes, croît rapi  dement avec la pression lorsque celle-ci est  au-dessus du domaine des basses pressions et  tend     asymptotiquement    vers une valeur limite.       L'aecroissement    de la pression du gaz a pour  effet d'augmenter la largeur de la ligne d'ab  sorption sans changer la valeur de cette der  nière au centre de la ligne.  



  Le procédé suivant l'invention se caracté  rise en ce qu'on utilise les propriétés d'ab  sorption sélective d'un gaz absorbant les  ondes ultracourtes en excitant ledit gaz par  un signal provenant d'un générateur pour  provoquer une absorption sélective molécu  laire dans ce gaz, absorption en fonction de  laquelle on règle la fréquence de ce généra  teur.  



  L'invention comprend aussi un appareil  pour la mise en     oeu-çi-re    de ce procédé. Cet.  appareil comprend un générateur dont la fré  quence est susceptible d'être réglée et est ca  ractérisé en ce qu'il présente des moyens pour  exciter au moyen d'un signal provenant de  ce générateur un volume     dudit    gaz, de façon  à. provoquer une absorption moléculaire sélec  tive dans ce dernier et des moyens pour     sta=          biliser    la fréquence du     signal    émis par le gé  nérateur, en fonction de ladite absorption.  



  Dans une forme d'exécution -de l'objet. de  l'invention, le fait que la fréquence émise par  un klystron est contrôlée en partie par la ten  sion appliquée à l'électrode     réflectrice    est  utilisé pour piloter la fréquence. Dans un tel  système, l'absorption sélective de la chambre    renfermant le gaz est utilisée pour     coinnian-          der    la tension de contrôle de la     fréquence,     appliquée à. l'électrode     réfleetrice,    de manière  à maintenir la tension du réflecteur à une  valeur telle que la fréquence     émise    soit. stable.

    Les variations de ].'absorption sont détectées  et comparées avec les     signaux    émis, de faon  que la tension résultante contrôle la fréquence  du signal émis.  



  Dans une seconde forme d'exécution de  l'objet de l'invention, on utilise le fait que la  fréquence du magnétron peut être contrôlée  par un faisceau d'électrons     auxiliaire,    dirigé  dans l'une des cavités résonnantes du magné  tron. Dans cette dernière forme d'exécution,  l'absorption sélective de la chambre renfer  niant le gaz est utilisée pour contrôler l'am  plitude du faisceau d'électrons auxiliaire  dans une ou plusieurs des cavités résonnantes,  de faon à stabiliser la fréquence émise.  



  Des exemples d'application du procédé se  lon l'invention et des formes d'exécution de       l'appareil    selon l'invention, données à titre  d'exemple, seront décrits en regard du dessin,  dans lequel:  La     fig.    1 est un schéma d'une première  forme d'exécution, dans laquelle la fréquence  d'un klystron est stabilisée.  



  La     fig.    2 est un schéma d'une seconde  forme d'exécution, dans laquelle la fréquence  d'un     magnétron    est. stabilisée.  



  La fi,-. 3 est un graphique montrant la re  lation existant entre la fréquence d'une onde  ultracourte et son énergie absorbée par un  gaz.  



  La     fig.    4 montre la relation existant entre  la pression et l'énergie absorbée dans un tel  gaz, et  la     fig.    5 montre une variante de détail des  schémas selon .les     fig.    1 et     \?.     



  Les éléments semblables sont désignés par  des mêmes indices de référence dans le dessin.  Une première forme d'exécution, dans  laquelle la fréquence d'un klystron est stabi  lisée, est montrée à la     fig.    1. Le     générateur    à,  ondes ultracourtes 1     comprend    une cathode 3,  une grille de contrôle 5, une cavité résonnante  ouverte au centre et une électrode     réfléctrice         9. La cavité     résonnante    7 est polarisée positi  vement par     rapport    à la cathode 3, et une  tension destinée à, commander l'intensité du       t'aisceau    est appliquée à la grille de contrôle  5.

   L'électrode     réflectrice    9 est polarisée néga  tivement par rapport à ,la cavité résonnante 7  au moyen d'une batterie 11 connectée à l'élec  trode     réflectrice    9 par une résistance 13. Le  klystron comprend un élément de réglage 15  pour accorder la cavité résonnante 7. Une  boucle de couplage 17, pénétrant dans la ca  vité, transmet l'énergie fournie par le     klys-          tron    au guide d'ondes 21 par une ligne co  axiale 19.  



  Une partie du guide d'ondes 21, fermée  par les bouchons étanches aux gaz 23, 25,  t'orne une chambre 27 remplie avec un gaz  absorbant les ondes     ulra-courtes,    par exemple  de l'ammoniaque. Cette chambre ne résonne  pas pour la fréquence émise par le généra  teur. Un premier détecteur à cristal 29 est  logé dans une troisième partie 31 du     guide     d'ondes et est sensible à l'énergie     transmise    à  travers la chambre 2'7. Le détecteur 29 peut  être adapté à l'impédance caractéristique du  guide d'ondes et est connecté à l'entrée d'un  amplificateur pour tensions continues 33, la  sortie de celui-ci étant connectée à la résis  tance 13.  



  Le guide d'ondes 21 est également couplé  par deux orifices 35, 37, espacés d'un quart  d'onde de la fréquence émise, à un guide  d'ondes 39 de type connu, par exemple. Un  élément     adapté    41, par exemple un coin en  matériau diélectrique, est logé dans l'extré  mité du guide d'ondes 39 tournée vers le gé  nérateur. Un second détecteur d'ondes ultra  courtes 43 est logé dans l'extrémité opposée  du guide d'ondes et est connecté à l'entrée  d'un second amplificateur pour tensions con  tinues 45. Un coin en matériau diélectrique  47 peut être inséré entre l'ouverture de cou  plage 37 et le second détecteur 43 pour inter  dire aux réflexions provoquées par le détec  teur de pénétrer dans le guide d'ondes 21.

   La  sortie du second .amplificateur 45 est con  nectée à l'autre extrémité de la résistance 13  et à l'électrode     réflectrice    9 du klystron 1.    Une impédance de charge, non représen  tée, peut être couplée au générateur, de façon ;  que les variations d'énergie fournie à celle-ci  ne déséquilibre pas le circuit du détecteur.  



  Les signaux détectés par les cristaux sont  rendus égaux en ajustant le couplage des dé  tecteurs ou en réglant le gain des     amplifiea-    ;       teurs,    ceci pour une fréquence du générateur  proche de la fréquence du centre d'une ligne  d'absorption du gaz contenu dans la chambre  27. L'atténuation de l'onde varie rapidement  avec la fréquence dans la région du maximum ,  d'absorption, de telle sorte que la différence  ,des tensions de sortie des amplificateurs 33  et 45 varie rapidement avec la fréquence  émise. La différence des tensions est appli  quée à l'électrode     réflectrice    9 du klystron, ,  de façon à régler sa. tension pour stabiliser  la fréquence -du générateur.

   On sait que la  fréquence émise par un klystron est avant  tout déterminée par la tension appliquée à  l'électrode     réflectrice    qui détermine le temps  de transition des électrons dans le tube.  



  Les amplificateurs 33 et 45 ne sont pas  essentiels pour le fonctionnement du disposi  tif, mais ils permettent     phis    de souplesse pour  régler les circuits et     permettent    une plus  grande     sensibilité    pour le contrôle de la fré  quence, étant donné que le gain des circuits  de contrôle détermine la, précision avec la  quelle la tension appliquée à l'électrode     ré-          fleetrice    varie en fonction de la fréquence.  La. fréquence émise par le klystron peut être  ajustée de façon     qu'elle    soit légèrement infé  rieure à la fréquence correspondant à, l'ab  sorption     maximum    du gaz, suivant la polarité  des détecteurs 29 et 43.

   Cette condition est       indispensable,    afin que le circuit de contrôle  de la fréquence     puisse    agir dans le sens voulu  pour commander la tension .de l'électrode     ré-          flectrice    en fonction des     variations    de la fré  quence du générateur. Une courbe d'absorp  tion caractéristique d'une ligne est illustrée à  la     fig.    3 où l'absorption dans le gaz est re  portée en fonction de la fréquence de l'onde  ultracourte traversant le gaz. De tels gaz pré  sentent plusieurs fréquences de résonance  pour lesquels les ondes ultracourtes sont      absorbées, comme expliqué plus haut, et cha  eune des lignes peut être utilisée pour le con  trôle de la stabilité.

   Le domaine de contrôle  du dispositif est représenté par la partie de  la courbe 49 comprise entre les points 51 et  53, du côté des hautes fréquences de la courbe  de résonance. L'autre côté de la courbe agi  rait sur la tension de l'électrode     réflectrice    en  sens inverse.  



  La     fig.    2 montre une seconde forme d'exé  cution adaptée pour stabiliser la fréquence  émise par un magnétron 61 à cavités multi  ples. Ce magnétron comprend une cathode  centrale 63 entourée par des cavités réson  nantes disposées     radialement,    chaque cavité  étant représentée schématiquement par des       inductivités    65 et des capacités 67. Un champ  magnétique unidirectionnel .de grande inten  sité est appliqué au magnétron selon une di  rection     perpendiculaire    au plan du dessin.

   La  fréquence émise par ce magnétron peut être  variée à l'aide d'un dispositif à     faisceau     d'électrons couplé avec une ou     plusieurs    des  cavités résonnantes, le faisceau d'électrons pé  nétrant dans la ou les cavités avant un effet  réactif sur l'accord du résonateur. Un modu  lateur à faisceau d'électrons 70 est représenté  schématiquement par une cathode 69, une  grille de contrôle 71 et une anode 73 logées  dans une des cavités :du magnétron.

   L'anode  et la cathode du dispositif à faisceau d'élec  trons sont alimentées par des tensions, de  façon que le faisceau d'électrons ait l'intensité  voulue.     L'intensité    du faisceau d'électrons va  rie avec la     tension    appliquée à, la grille de  contrôle 71 du dispositif à faisceau d'élec  trons 70, la réaction du faisceau d'électrons  dans la cavité résonnante correspondante du  magnétron variant .ainsi la fréquence émise  par celui-ci.  



  Une boucle de couplage<B>'15,</B> couplée avec  l'une des cavités du magnétron 61, est con  nectée par une ligne coaxiale 19 avec le guide  d'ondes 77 qui se termine par une charge 79.  Deux orifices 81 et 83 espacés d'un quart  d'onde de la fréquence émise couplent le  guide d'ondes 77 avec un guide d'ondes 85;  l'extrémité de ce     dernier    tournée vers le gé-         nérateur    étant. terminée par un élément en  forme de coin 87 semblable à celui 41 de la       fig.    1.  



  Le guide d'ondes 85 comprend une paire  de bouchons 91 et 93 étanches au gaz d'ab  sorption et formant avec le guide une cham  bre renfermant le gaz; ce guide est terminé  par un premier détecteur à ondes     ultra-          courtes    97 qui est couplé avec l'entrée d'un  premier amplificateur à courant alternatif 99.  Le guide d'ondes 85 est,     également    couplé, par  deux autres orifices 101 et 103 espacés d'un  quart d'onde de la fréquence émise, avec le  guide d'ondes 105 dont. l'extrémité tournée  vers le générateur est terminée par un second  élément diélectrique 107 en forme de coin.

    Dans l'extrémité arrière du second guide  d'ondes 109 est logé un second détecteur  d'ondes ultracourtes 109 qui est connecté avec  l'entrée d'un second amplificateur à. courant  alternatif 111.  



  Les sorties des amplificateurs 99 et 111  sont connectées à un circuit équilibré com  prenant, par exemple, un enroulement pri  maire     113    d'un transformateur de sortie     l_15.     L'embranchement central 117 clé l'enroule  ment primaire 113 est mis à terre. L'enrou  lement secondaire<B>119</B> du transformateur de  sortie est .couplé à l'entrée d'un modulateur  équilibré 121. Les     signaux    de sortie du modu  lateur sont conduits à la grille de contrôle 71  du dispositif à faisceau d'électrons du     ma-          gnétron.     



  Tout système permettant de faire fonc  tionner le modulateur équilibré avec une pe  tite fréquence de modulation peut être couplé,  par exemple, au guide d'ondes 85 pour modu  ler simultanément. les signaux envoyés dans  la chambre 95 et ceux envoyés dans le guide  d'ondes 105. Un modulateur mécanique, par  exemple, tel qu'un excentrique rotatif<B>123</B>  entraîné par un moteur 125, peut être couplé  avec, le guide d'ondes 85 par un volet 135  pour varier l'amortissement du guide d'ondes  ou d'autres caractéristiques de celui-ci.  



  Tous les dispositifs mécaniques ou électri  ques connus peuvent être utilisés pour provo-           quer    une modulation basse fréquence des si  gnaux envoyés dans la chambre renfermant  le gaz et dans le guide d'ondes 105. Dans le  cas de la forme d'exécution suivant la     fig.    2,  le moteur 125 entraîne aussi, en synchronisme  avec l'excentrique, un générateur à basse fré  quence 127 qui est connecté au modulateur  équilibré 121, de telle     facon    que le signal émis  par le générateur 127 soit en phase avec les  deux tubes du modulateur équilibré.

   Les flè  ches représentées à la     fig.    2, dont l'une part  du générateur 127 et l'autre du modulateur  121,     indiquent    des bornes de connexion reliées  entre elles, le retour s'effectuant par la terre.  Ainsi, le modulateur recevra une fréquence  de modulation de 30 cycles par seconde par  exemple, de façon à provoquer un signal de  contrôle de la fréquence qui dépend de la dif  férence des amplitudes des signaux de sortie       o    des amplificateurs 99 et 111 et dont la varia  tion a .lieu dans le sens voulu par rapport à  la variation de la fréquence     émise    par le     ma-          gnétron.     



  Les signaux sortant. des détecteurs 97 et  109 seront égalisés lorsque la fréquence émise  est située sur la partie 51 de la courbe d'ab  sorption indiquée sur la.     fig.    3. Lorsque la fré  quence est stabilisée à la valeur désirée, l'am  plitude du signal sortant du modulateur est  nulle; une petite variation de la fréquence  d'émission déséquilibrera le modulateur et  provoquera un signal de contrôle agissant sur  le faisceau d'électrons auxiliaire, de façon à  s'opposer à ladite variation de fréquence. L'ab  sorption dans la chambre renfermant le gaz,  pour l'une des fréquences .de résonance du  gaz employé, est fonction de la pression de ce  dernier, comme représenté par le graphique  123 de la     fig.    1.

   Les sélectivités et sensibilités  optima pour le contrôle de la. fréquence ont  lieu pour une pression de l'ordre de 10-3 mm  clé mercure. Il est entendu, toutefois, qu'une  pression de gaz de l'ordre de 10-2 mm de  mercure ou même toute pression inférieure     à.     70-1 mm de mercure peut. être employée.  



  La     fig.    5 montre une variante des circuits  détecteurs équilibrés, des     fig.    1 et 2, qui peut  être utilisée comme détecteur différentiel sans    nécessiter de circuit de couplage. Dans cette  variante, les détecteurs 29 et 43 sont con  nectés en parallèles, les pôles étant opposés  de telle faon que leurs différences de poten  tiel se soustraient; une tension différentielle  est .appliquée à l'élément de contrôle de la  fréquence du générateur, à travers la résis  tance 13, cet élément étant, par exemple,  l'électrode     réflectrice    9 dans le cas de la       fig.    1.

   Un montage analogue peut être créé  pour le circuit de la     fig.    2 pour éviter l'em  ploi du transformateur de sortie équilibré 115,  couplant les amplificateurs 99 et 111 au mo  dulateur équilibré 1.21.  



  Lorsque les signaux détectés par les dé  tecteurs 29 et 13 sont égaux, aucune chute  de tension ne prend naissance aux bornes de  la résistance 13. Si le signal provenant du dé  tecteur 43 est plus grand que celui provenant  du détecteur 29, le signal de contrôle résul  tant devient plus négatif, et la fréquence du  klystron augmente pour compenser la dimi  nution de fréquence qui a provoqué une aug  mentation de l'énergie .absorbée par le gaz et  une diminution du signal provenant dit dé  tecteur 29.  



  Le même dispositif peut être utilisé pour  stabiliser la fréquence de tout autre type de  générateur à ondes ultracourtes dont la fré  quence peut être commandée par application  d'une tension. Quoique des guides d'ondes  ont été utilisés comme éléments de couplage  et de transmission, il est évident que des  lignes coaxiales ou d'autres circuits de cou  plage pour ondes     ultracourtes    peuvent être  utilisés     à.    leurs places, et que les détecteurs à  cristaux représentés sur le     dessin    peuvent être  remplacés par tout autre détecteur pour ondes       ultracourtes    connu.

Claims (1)

  1. REVENDICATION I: Procédé de stabilisation d'une fréquence ultra-haute, caractérisé en ce que l'on utilise les propriétés d'absorption sélective d'un gaz absorbant les ondes ultracourtes en excitant ledit gaz par un signal provenant. d'un géné rateur pour provoquer une absorption sélec tive moléculaire dans ce gaz, absorption en fonction de laquelle on règle la fréquence de ce générateur. SOUS-RDVENDICATIONiS: 1.
    Procédé selon la revendication 1, carac térisé en ce que l'on excite ledit gaz de faon que le signal provenant dudit générateur tra verse ledit gaz, en ce que l'on détecte le signal transmis à travers le gaz, en ce que l'on pro duit un signal de contrôle au moyen dudit signal transmis détecté, et en ce que l'on applique ce signal de contrôle au générateur, de façon à stabiliser la fréquence qu'il émet. 2. Procédé selon la. revendication I et la sous-revendication 1, caractérisé en ce que, pour obtenir le signal de contrôle, on com bine, après l'avoir détecté, le signal excitant le gaz avec ledit signal transmis détecté. 3.
    Procédé selon la revendication'[ et les sous-revendications 1 et 2, caractérisé en ce que l'on module le signal provenant du géné rateur avant de l'appliquer audit gaz et avant de le détecter pour le combiner audit signal transmis et détecté, en ce que l'on applique le signal résultant desdits signaux combinés à un modulateur équilibré, cela pour produire le signal. de contrôle. 4. Procédé selon la revendication 1 et les sous-revendications 1 et ?. caractérisé en ce que l'on fait varier la réactance de l'élément déterminant la fréquence du générateur en fonction dudit signal de contrôle. 5.
    Procédé selon la revendication I et les sous-revendications 1 et 2, caractérisé en ce que l'on fait varier le temps de transit des électrons entre les éléments déterminant la fréquence du générateur, cela en fonction du- dit signal de contrôle. 6. Procédé selon la. revendication I et les sous-revendications 1 et \?, caractérisé en ce que l'on utilise des moyens pour empêcher toute réaction entre ledit signal transmis et le générateur. 7. Procédé selon la revendication I, carac térisé en ce que l'on utilise le gaz à une pres sion inférieure à 10--1 mm de mercure. 8.
    Procédé selon la revendication I et la sous-revendication 7, caractérisé en ce que l'on enferme le gaz .dans une enceinte qui ne présente pas de résonance pour la fréquence émise par le générateur. REVENDICATION II: Appareil pour la mise en ceux re du pro cédé selon la revendication I et comprenant un générateur dont.
    la fréquence est suscepti ble d'être réglée, caractérisé en ce qu'il pré sente des moyens pour exciter au moyen d'un signal provenant de ce générateur un volume dudit gaz, de faon à, provoquer une absorp tion moléculaire sélective dans ce dernier et des moyens pour stabiliser la fréquence du signal émis par le générateur, en fonction de ladite absorption. S0 l7S-hI:VLN IJI <B>CATIONS:</B> 9. Appareil selon la revendication II, ca ractérisé en ce qu'il comprend un guide d'on des renfermant ledit, volume de gaz, ce gaz étant à basse pression. 10.
    Appareil selon la revendication II et la sous-revendication 9, caractérisé en ce que ledit guide d'ondes ne présente pas de réso- nanee@pour la. fréquence destinée à. être émise par le générateur, en ce que l'appareil pré sente des premiers moyens couplés dans ledit guide d'ondes pour détecter le signal transmis par ledit gaz et des moyens pour produire à partir du signal détecté un signal de contrôle et des moyens pour appliquer ce dernier si gnal au générateur polir en stabiliser la fré quence. 11.
    Appareil selon la revendication Il et les sous-revendications 9 et 10, caractérisé en ce qu'il comprend en outre d'autres moyens couplés dans ledit guide d'ondes pour détec ter directement une partie du signal prove nant du générateur, des moyens pour eombi- ner les signaux détectés et pour produire de cette faon ledit signal de contrôle.
    1\?. Appareil selon la revendication II et les sous-revendications 9, 10 et 11, caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif pour mo duler le signal provenant du générateur avant de l'appliquer auxdits autres moyens détec teurs et audit volume (le gaz, en ee que les- dits moyens pour combiner lesdits signaux dé tectés comprennent un modulateur équilibré. 13. Appareil selon la revendication II et les sous-reven.dications 9, 10 et 11, caractérisé en ce que ledit générateur est pourvu d'un élément de réglage de la fréquence destiné à.
    recevoir une tension, en ce qu'il comprend (les moyens pour envoyer ledit signal de con trôle provenant des signaux détectés combinés audit élément clé réglage, afin de stabiliser la fréquence du signal émis par le générateur. 11. Appareil selon la revendication II et les sous-revendications 9, 10, 11, 12 et 13. 15.
    Appareil selon la revendication II et les sous-revendications 9, 10, 11 et 13, carac térisé en ce que ledit générateur est un klystron comprenant une cathode, une cavité résonnante et un élément destiné à réfléchir les électrons, des moyens de couplage étant prévus pour relier ladite cavité résonnante audit guide d'ondes pour envoyer à travers eelui-ei ledit signal provenant du générateur, afin d'exciter le gaz, lesdits moyens pour appliquer ledit signal de contrôle au géné rateur étant reliés à l'élément de réflexion de ce générateur. 16.
    Appareil selon la revendication II et les sous-revendications 9, 10, 11, 12 et 13, ca ractérisé en ce que ledit générateur est un magnétron qui est pourvu ,d'un élément de modulation de la fréquence à faisceau élec tronique, lesdits moyens pour appliquer ledit signal de contrôle au générateur étant reliés audit élément de modulation. 17. Appareil selon la revendication II et les sous-revendications 9, 10, 11 et 13, carac- téris6 en ce qu'il comprend une source de tension de polarisation connectée audit élé ment de réglage de la fréquence. 18.
    Appareil selon la revendication II et , les sous-revendications 9, 10, Il et 13, carac térisé en ce que lesdits premiers et lesdits autres moyens .détecteurs sont connectés res pectivement de faon que les signaux détectés soient combinés en opposition de polarité. 19. Appareil selon la revendication II et tel que représenté par la fig. 1 du dessin annexé. 20. Appareil selon la revendication II et tel que représenté par la fig. 2 du dessin annexé.
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