CH301167A - Elektrischer Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten. - Google Patents
Elektrischer Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten.Info
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Description
Elektrischer Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten. Die Erfindung bezieht sieh auf einen elek- trisehen Widerstand mit negativem Tempe raturkoeffizienten, der aus einer gesinterten halbleitenden Masse besteht.
Der spezifische Widerstand halbleitender Stoffe ändert sich mit der Temperatur nach der Gleiel11111g'
EMI0001.0005
in der 2#r den spezifischem Widerstand bei einer Temperatur T und A und B Konstanten darstellen. Hieraus findet man für den Tem peraturkoeffizienten
EMI0001.0009
B bildet. also ein einfaches Mass für den Tem peraturkoeffizienten.
Nach W. Meyer und 11-. Neldel (Z. f. Techn. Phys. 18. 1937.<B>588)</B> hängt der Temperaturkoeffizient halbleitender Stoffe mit dem Logarithmus des spezifischen Widerstandes bei gegebener Temperatur auf einfaehe Weise zusammen.
Bei Anwendungen, in der Teehnik werden an Widerstände nicht. nur bezüglich des Wi- derstandswertes, sondern auch hinsichtlich Form und. Abmessungen bestimmte Anforde- 12ingen gestellt, so dass der spezifische Wider stand des Materials, das man zur Herstellung des Widerstandes verwenden kann, durch diese Anforderungen von vornherein im we- wntliehen bestimmt ist.
Infolge des erwähn- ten Zusammenhanges zwischen den t spezi fischen Widerstand und dem Temperaturkoef fizienten. ist dann ebenfalls letzterer im we sentlichen bestimmt. Man hat sieh somit in den Fällen, in denen die Anforderungen in bezug auf Widerstandswert und Abmessun gen zur Verwendung eines Materials mit nied rigem spezifischen Widerstand führen, mit einem kleinen oder mässigen Teinperatllrl#:oef- fizienten abzufinden.
Zwar hat. man durch Hinzufügung nicht leitender Stoffe, die beim Sintern gegebenen falls in das Gitter des halbleitenden Stoffes aufgenommen werden, eine Möglichkeit, den Temperaturkoeffizienten zu steigern; aber in diesen Fällen wird auch der spezifische Wi derstand höher.
Auch bei gesinterten Halbleiterwiderstän den auf der Basis von Eisenoxyd, erhalten durch Erhitzung in Luft eines Gemisches, das das Ox@-d des dreiwertigen Eisens und ein Oxvd eines Metallions mit. einer höheren Va lenz, wie zum Beispiel TiO2, Sn02 oder ZrO2 enthält, das mit dem Eisenoxyd eine Verbin dung des zweiwertigen Eisens eingeht, die mit.
dem Oxyd des dreiwertigen Eisens einen homogenen Mischkristall ergibt, findet man, dass der Temperaturkoeffizient und der spe zifische Widerstand im allgemeinen den von Meyer und Neldel erwähnten Zusammenhang zeigen. Ein höherer Temperaturkoeffizient ohne beträchtliche Steigerung des spezifi schen Widerstandes ist. aber erreichbar, wenn die Umstände derart gewählt werden, dass ein poröses Produkt entsteht.
Vollständigkeitshalber sei hier bemerkt, dass man in der üblichen Technik die Erzeu- -ung dichtgesinterter Erzeugnisse angestrebt hat., da von diesen eine bessere Stabilität. bei hohen Temperaturen erwartet wurde. Es er wies sich aber als möglich, poröse Widerstände aus Eisenoxid mit den vorgenannten Zusätzen Herzustellen, die bei Temperaturen bis zli etwa 250 C in Luft ziemliell, stabile Wider standseigenschaften haben.
Nach der Erfinklung entstellt die besagte Verbesserung der Widerstandseigenschaften in hinreichendem Masse bei einer Dichte, die geringer als 85 % der theoretischen ist, die aus den mittels des Röntgendiffraktionsgitters bestimmten Zellenabmessungeil berechnet wird.
Die Wirkung wird in dem 'Masse grösser, wie die Dichte abnimmt. Eine praktiselie Grenze wird durch die Tatsache gesetzt, dass der Zu sammenhang unterhalb 60 '/oder theoretischen Dichte zu gering wird.
Die nach der Erfindung angestrebte Po rosität des Sinterproduktes ist auf verschie dene Weisen erzielbar.
Man kann zu diesem Zweck von einem wenig aktiven Eisenoxyd ausgehen, oder das Eisenoxyd oder das Gemisch der zusammen setzenden Oxv de -durch Vorerhitzung während längerer Zeit auf Temperaturen über 1000 C, zum Beispiel 1200 C, desaktivieren. Auch ist es möglich, die gewünschte Porosität zu erhal ten durch Anwendung niedriger Sinterings- temperaturen, kurzer Sinterungszeiten oder durch Hinzufügiing von Stoffen.
in das Aus gangsgemisch, die bei der Sinterimg verdamp fen oder verbrennen.-, wie zum Beispiel Kohle oder organisches Material.
Durch Zusammensinterung in Luft bei 1200 C eines Gemisches von Eisenoxyd mit zum Beispiel TiO2 entsteht. ein Produkt, das aus Mischkristallen der an sich nicht. leiten den Verbindung Fe203 und FeTi03 (Ilmenit) besteht. Die betreffenden Mischkristalle sind leitend infolge des Vorhandenseins von zwei und dreiwertigem Eisen nebeneinander.
Die Steigerung des Temperaturkoeffizienten liesse sieh dadurch erklären, dass die Körner des halbleitenden Stoffes im porösen Zustand leicht oberflächlich oxydiert werden. Dadureli werden an der Oberfläche der Körner dünne Schichten mit.
einem hohen spezifischen Wi derstand und demnach hohen Temperatur koeffizienten entstehen. Infolgedessen wird der Temperaturkoeffizient des Produktes stark gesteigert.. Da aber die Häuteh.en selix- dünn sind, wird der Wert des spezifischen Wi derstandes des Produktes niedriger sein als er beim auftretenden. Temperaturkoeffizienten für ein dielit'es Produkt zri erwarten wäre.
In diesem Zusammenliane sind die Be- traehtulrgen über die Beeinflus,5ung des Tem peraturkoeffizienten bei halbleitenden Stoffen von S. Teszner in seinem Bueli Sexnieon < lue- t.eurs el.eetroniques et eoniplexes derives, Col- lection Teehnique du C. N. E. T., Paris 1950 interessant.
Nach diesen Betrachtungen niül@- ten inliomogene Stoffe, aufgebaut. aus durch dünne Häutchen mit sehr hohem spezifischen Widerstand, und Temperaturkoeffizienten ge trennten halbleitenden Körnern bei einem we gebenen spezifischen Widerstand im V ergleieli zu den üblieheil halbleitenden Stoffen einen höheren. Temperaturkoeffizienten haben.
Auf Seite 82 des erwähnten Buches wird aber be merkt., dass ein derartiges inhomogenes Ge füge, zumal wenn der Widerstandswert und der Temperaturkoeffizient reproduzierbar sein sollen, schwer erzielbar ist. Es ist daher als eine Besonderheit der Erfindung zu betrach ten, dass bei ihrer Anwendung eine vorzüg liehe Reproduzierbarkeit. erreicht. wird.
Es kann zum Beispiel die Scll-#vanl,-ung des Wi- derstandswertes bei gleiellzeitiger Herstellung! von 500 Stück innerhalb 5 bis 10 % gehalten werden.
Zur Herstellung der Widerstände ist. es erforderlich, dass das Ausgangsgemisch, das bei der Sinteriuig zur Entstehung eines hin reichend porösen Produktes Veranlassung ge ben kann, derart. gesintert und abgekühlt -wird. dass der Sauerstoff, der offenbar Änderungen an der Oberfläche der Körner herbeizuführen vermag, denen der gesteigerte Temperatur koeffizient, zuzuschreiben ist, in den Stand gesetzt. wird auf die poröse Masse einzuwir ken.
CTegebenenfalls kann zu diesem Zweck in einer Gasatmosphäre mit einem von Luft verschiedenen Sauerstoffgehalt gearbeitet wer- rlen.
Die Erfindung wird im folgenden an lland einiger Ausführungsbeispiele näher er- 1 äutert.
<I>Beispiel. I:</I> 99 31o1% Pe20a und 1 llolo/a 'ri0., wer- den zusammen während vier Stunden mit. Alkohol in einer Kugelmühle gemischt.
Nach Trocknen wird das erhaltene Pulvergemisch inil einem Bindemittel und Wasser plastifi- ziert und mittels einer Strangpresse zu Stä- bf#ii mit einem Durchmesser von zum Beispiel 6,
5 nim verarbeitet.. Danaeli -erden die Stiibe in Längen von zum Beispiel 40 inm geteilt inid anschliessend während zwei Stunden auf 1200 C" in Luft erhitzt.
Seliliellieb weiden die erhaltenen Wider standsstäbe mit. aufrepressten Kontaktkappen versehen.
Ausgehend von feinverteiltem aktivem Fe203, entsteht auf die geschilderte Weise ein Produkt mit einer Dichte gleich 931/o der theoretischen; von diesem Produkt, das der nach der Erfindung erforderlichen Porosität entbehrt, ist. O = 10 ,9 cm und B = 1500 K.
Wird aber das aktive Eisenoxyd während drei Stunden auf 1200 vorerhit.zt, pulveri siert und durch ein Sieb mit 50 Maschen pro Zentimeter gesiebt, so entsteht auf die vor- "enannte Weise ein Produkt mit.. einer Dichte von 75 1/a der theoretischen, wobei o = 550 .f- em und B'= 3800 K.
Bei einem Präparat mit einer Dichte über 90 0/0 der theoretischen wird ein B - 3800 K erst. bei einer Zusam- inensetzung erreicht, bei der o = 2 - 106n ein; bei einer Zusammensetzung, bei der o = <B>5</B>50 Q cm wäre, würde B etwa 1800 K be tragen.
<I>Beispiel</I> I1: Einem Gemisch von 99 Mol1/o eines fein verteilten, aktiven Fe203 und 1 1lolo/a Ti02 werden 5 Gewichtsprozent aktiver Kohle zu- .gesetzt, wonach das Gemisch auf die im ersten Beispiel geschilderte Weise zu Wider- ständen verarbeitet. wird.
Das erhaltene Er- zeugnis hat eine Dichte, die 78 % der theoretischen beträgt, wobei der Wert für O = 2500<B>2</B> cm und für B = 5000 K.
Beispiel III: Ein aktives Eisenoxyd wird während einer Stunde auf 1200 C v orerhitzt und danach mit Ti02 in Mengen von 1, 5 bzw. 1.0 Mola/o gemischt.. Auf die im ersten Beispiel geschil derte Weise werden hiervon Widerstände her- gestellt, die eine Dichte von 83 bis 81% der theoretischen haben.
Beim Produkt mit 1 Mol 1/o Ti02 war o =1.20 S2 em und B = 2600 K, beim Produkt. mit 5 Molo/o Ti02 war O = 1,64 0 em und<I>B =</I> 1620 K und beim Produkt mit 10 Mol1/o Ti02 war o =<B>0,75</B> S2 ein und B = 1620 K.
Beispiel <I>IV:</I> 99 llolo/o Fe203 werden mit 1 Molo/o Sn0=,, auf die geschilderte Weise zu Widerständen verarbeitet. Wird von einem aktiven Eisen oxyd ausgegangen, so entsteht ein Erzeugnis mit einer Dichte gleich 95 % der theoretischen, o = 20 Q cm und B = 1100 K.
Falls aber das Eisenoxyd vorher durch Erhitzung während einer Stunde auf 1200 C desaktiviert worden ist., so beträgt die Dichte 831/o des theoreti schen Wertes, und es ist<I>2 = 74</I> S2 ein und B = 3010 K.
Beispiel V Wenn 99 Mola/o eines während einer Stunde auf 1200 C vorerhitzten Fe20.- mit 1 Molo/a Zr02 auf die -geschilderte Weise zu Widerständen verarbeitet werden, entsteht ein Produkt mit einer Dichte von 841/a der theo retischen, wobei = 200 S2 ein und B = 3100 K.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜGHE I. Elektrischer Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten, der aus Mischkri stallen des Oxydes von dreiwertigem Eisen mit. einer Verbindung von zweiwertigem Eisen besteht, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand aus .einer porösen, gesinter ten Masse mit einer Dichte zwischen 85 und 601/o der theoretischen besteht.II. Verfahren zur Herstellung eines Wi derstandes nach Patentanspruch I, durch Erhitzen eines Gemisches des Oxydes von dreiwertigem Eisen und eines Oxydes eines 1letallions mit. einer höheren Valenz, das mit dem Eisenoxyd eine Verbindung des zwei wertigen Eisens ergibt, die mit dem Oxyd des dreiwertigen Eisens einen homogenen Mischkristall liefert, dadurch gekennzeichnet, dass das Gemisch in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre porös gesintert und abgekühlt wird, so dass eine Dichte zwischen 85 und 60 /o der theoretischen entsteht.UNTERANSPRÜCHE 1. Elektrischer Widerstand nach Patent- ansprueli I, cl'adureh gekennzeichnet, dass er aus Mischkristallen von Fe203 und Ilmenit besteht.2, Verfahren nach Patentanspr-rrelr II, da- durch gekennzeichnet, dass zur Erzielung des porösen Sinterproduktes das Oxyd des drei- wertigen Eisens durch Vorerhitzung auf eine Temperatur über 1000 C desaktiviert wird. 3.Verfahren nach Patentanspruch Il, da durch gekennzeichnet, dass zur Erzielung des porösen Sinterproduktes das Gemisch der Oxyde durch Vorerhitzmrg auf eine Tein- perat.ur über 1000 C desaktiviert wird. 4.Verfahren nach Patentansprueli II, da durch gekennzeichnet"dass zur Erzielung des porösen Sinterprocluktes dem Gemisch Stoffe zugesetzt wercleri, die bei der Sinter - eiit- weiehen.
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