CH392076A - Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von hochreinem Gallium - Google Patents

Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von hochreinem Gallium

Info

Publication number
CH392076A
CH392076A CH30161A CH30161A CH392076A CH 392076 A CH392076 A CH 392076A CH 30161 A CH30161 A CH 30161A CH 30161 A CH30161 A CH 30161A CH 392076 A CH392076 A CH 392076A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
high purity
producing high
purity gallium
gallium
producing
Prior art date
Application number
CH30161A
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Dr Merkel
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH392076A publication Critical patent/CH392076A/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25CPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C7/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells; Servicing or operating of cells
    • C25C7/005Constructional parts, or assemblies thereof, of cells; Servicing or operating of cells of cells for the electrolysis of melts
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25CPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C3/00Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of melts
    • C25C3/34Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of melts of metals not provided for in groups C25C3/02 - C25C3/32
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
CH30161A 1960-04-21 1961-01-10 Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von hochreinem Gallium CH392076A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES68144A DE1165880B (de) 1960-04-21 1960-04-21 Schmelzelektrolytisches Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von hochreinem Gallium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH392076A true CH392076A (de) 1965-05-15

Family

ID=7500074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH30161A CH392076A (de) 1960-04-21 1961-01-10 Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von hochreinem Gallium

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3192139A (de)
CH (1) CH392076A (de)
DE (1) DE1165880B (de)
FR (1) FR1280871A (de)
GB (1) GB913028A (de)
NL (1) NL259870A (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4786391A (en) * 1986-11-13 1988-11-22 Siemens Aktiengesellschaft Arrangement for holding a glass member
CN111501069A (zh) * 2020-06-02 2020-08-07 株洲科能新材料有限责任公司 一种粗镓的熔盐电解提纯方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1842254A (en) * 1928-05-11 1932-01-19 Westinghouse Lamp Co Preparation of rare metals by electrolytic decomposition of their fused double halogen compounds
US2500284A (en) * 1946-10-02 1950-03-14 Zbrojovka Brno Np Apparatus for electroanalysis
US2991235A (en) * 1956-07-13 1961-07-04 Pechiney Prod Chimiques Sa Method for supplying current to the anode of aluminum refining cells
US2927853A (en) * 1957-08-01 1960-03-08 Siemens Ag Method and apparatus for producing spectrally pure gallium

Also Published As

Publication number Publication date
DE1165880B (de) 1964-03-19
US3192139A (en) 1965-06-29
NL259870A (de) 1900-01-01
GB913028A (en) 1962-12-12
FR1280871A (fr) 1962-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT255042B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Flachglas
CH385773A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Profilen
MY6900306A (en) Method and apparatus for growing semiconductor crystals
CH401273A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen
CH391106A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
CH414865A (de) Verfahren zum Herstellen von gleichzeitig mehreren Halbleiterbauelementen
CH420072A (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterstäben
CH426742A (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Silizium
CH407962A (de) Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiterstäben
CH382299A (de) Verfahren und Vorrichtung zum maschinellen Zusammensetzen von Kristalldioden
CH418565A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Heben und Transportieren von Masseblöcken
CH402290A (de) Verfahren zum Herstellen von Gussformen und Kernen
CH404960A (de) Verfahren zum Polymerisieren von Glykolid
CH387176A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen
CH392076A (de) Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von hochreinem Gallium
CH371341A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Tiefdruckformen
CH425736A (de) Verfahren zum Herstellen einkristalliner Halbleiterstäbe
CH409415A (de) Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von hochreinem Gallium
AT209932B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Anheben von Gleisen
CH410196A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
CH413112A (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen
CH401634A (de) Verfahren zum formgebenden Bearbeiten von Halbleiterkristallen
CH382857A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Anbringen von Kontaktorganen an Halbleiterkörpern
CH409885A (de) Verfahren zum tiegellosen Ziehen von einkristallinen Halbleiterstäben
CH420388A (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines solchen