CH401186A - Verfahren zum Herstellen von Thermoelementschenkeln - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von ThermoelementschenkelnInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 3
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 claims description 2
- 241000208152 Geranium Species 0.000 claims 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004771 selenides Chemical class 0.000 claims 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 23
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- CZJCMXPZSYNVLP-UHFFFAOYSA-N antimony zinc Chemical compound [Zn].[Sb] CZJCMXPZSYNVLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYSA-N germanium telluride Chemical compound [Te]=[Ge]=[Te] GPMBECJIPQBCKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 2
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CWCCJSTUDNHIKB-UHFFFAOYSA-N $l^{2}-bismuthanylidenegermanium Chemical compound [Bi]=[Ge] CWCCJSTUDNHIKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N antimony bismuth Chemical compound [Sb].[Bi] PEEDYJQEMCKDDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 bismuth telluride selenide Chemical class 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021343 molybdenum disilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/06—Metallic material
- C23C4/08—Metallic material containing only metal elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/923—Physical dimension
- Y10S428/924—Composite
- Y10S428/926—Thickness of individual layer specified
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/931—Components of differing electric conductivity
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12778—Alternative base metals from diverse categories
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/12986—Adjacent functionally defined components
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Description
Verfabren zum Herstellen von Thermoelementschenkeln Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Thermoelement- schenkeln.
Bisher bestanden bei der Herstellung thermo- elektrischer Bauelemente grosse Schwierigkeiten beim Aufbringen von metallischen Kontakten auf den Körper aus dem eigentlichen thermoelektrischen Ma terial. Beim Herstellen eines Thermoelementschenkels ist es wünschenswert, dass der Metallkontakt un mittelbar dem Körper aus thermoelektrischem Ma terial aufliegt und mit dem thermoelektrischen Ma terial nicht reaaiert. Weiterhin muss der Kontakt eine aesunde und zusammenhängende Bindung mit ihm haben.
Der Kontakt muss also mit dem thermo- elektrischen Körper sehr gut verbunden sein, so dass er selbst bei grossen thermischen Spannungen nicht reisst. Weiterhin darf der metallische Kontakt mit anderen Kontaktmaterialien oder elektrischen Lei tern, die hierzu verwendet werden, chemisch nicht reagieren. Da die thermoelektrischen Bauelemente starken Temperatur- und Druckschwankungen aus gesetzt sind, werden die Bauelemente im Betrieb verschiedenen mechanischen Spannungen ausgesetzt, denen sie standhalten müssen, ohne zu zerbrechen.
Demaemäss dürfen die Metallkontakte und die Leiter mit den thermoelektrischen Materialien chemisch nicht reagieren und müssen sowohl thermisch als auch elektrisch untereinander verträglich sein, so dass relativ gute Verbindungen mit niedrigem elek trischem Widerstand zwischen den aufeinanderfol- genden Metallschichten geschaffen und so thermo- elektrische Bauelemente hergestellt werden können.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Her stellen von Thermoelementschenkeln aus geformtem Halbleitermaterial. Gemäss der Erfindung wird auf ihre Enden mit der Plasmaflamme mindestens eine Schicht gespritzt. Die Schichten können in einer <B>C</B> Dicke der Grössenordnung von<B>0,08</B> mm aufgespritzt werden. Für die nach aussen liegende Schicht kann ein gut lötbares Material verwendet werden. Es kann zunächst mindestens eine Schicht als Diffusionssperre und darüber mindestens eine weitere Schicht aus leicht lötbarem Material mit guter elektrischer und thermischer Leitfähigkeit aufgebracht werden. Die Enden der Thermoelementschenkel können vor dem Bespritzen gereinigt werden; sie können beispiels weise durch Sandstrahlen gereinigt werden.
Die Thermoelementschenkel können aus Sulfiden, Se- leniden und/oder Telluriden mindestens eines Ele mentes der Gruppe Blei, Wismut, Germanium, Sil ber, Zink, Antimon, Cer und/oder Samarium her gestellt werden. Die Thermoelementschenkel können aber auch aus mindestens einem Element der Gruppe III und/oder V des Periodensystems hergestellt wer den.
Die Thermoelementschenkel können mit min destens einer mittels Plasmaflamme aufgespritzten Schicht versehen sein, wobei die aussenliegende Schicht aus gut lötbarem Material besteht.
Einige Ausführungsbeispiele des Verfahrens nach der Erfindung werden nachstehend beschrieben.
Ein Körper aus Halbleitermaterial, der entweder in Form gegosssen, gepresst oder gesintert ist, wird mit wenigstens einer realtiv dünnen Schicht, die mit der Plasmaflamme aufgespritzt wird, an den End- oberflächen des Körpers versehen.
Das thermoelek- trische Material ist ein Reaktionsprodukt wenigstens eines Sulfids, Selenids und/oder Tellurids wenig stens eines Elementes der Gruppe Blei, Wismut, Germanium, Silber, Zink, Antimon, Cer und Sama- rium oder eine Verbindung (Legierung) aus den Gruppen III und V des Periodensystens. Der Überzug wird mit der Plasmaflamme aufgespritzt, und es entsteht so eine gesunde,
sehr fest haftende kon tinuierliche Bindung zwischen dem überzug und dem Körper aus thermoelektrischem Material. Der über- zug hat so einen sehr geringen elektrischen Wider stand. Der überzua soll eine freie Stelle in der Oberfläche haben, so dass leicht ein elektrischer Leiter, wie Kupfer, hart oder weich angelötet werden kann.
überzüge, die durch Aufspritzen mit der Plasma flamme hergestellt werden, bestehen aus Teilchen eines Metalls, das in einem gasförmigen Plasma auf eine hohe Temperatur gebracht wurde<B>-</B> bis zu <B><I>15</I> 000</B> und sogar<B>25 0001 C;</B> dadurch kommen min destens die Oberflächen der Teilchen auf eine sehr hohe Temperatur und werden geschmolzen. Die Teil chen werden mit sehr hoher Geschwindigkeit aus gespritzt, so dass sie, wenn sie auf eine Oberfläche auftreffen, teilweise in die Oberfläche eingetrieben werden und dort sehr fest haften. Oberflächen, die mit überzügen nach dem Plasmaverfahren versehen sind, haben bestimmte Eigenschaften, die sie von denen unterscheiden, die mit den konventionellen Spritzverfahren aufgebracht wurden.
Durch das Plasmaverfahren werden sehr fest haftende Ver- bindunaen zwischen völlig verschiedenen Materialien hergestellt.
Es ist ersichtlich, dass im allgemeinen eine Schicht des überzuginaterials auf dem thermoelektrischen Körper ausreichend ist. In einigen Fällen wird es notwendig sein, zwei Schichten oder selbst drei Schichten zu verwenden, um einen Metallkontakt mit den gewünschten Eigenschaften zu erhalten,<B>d.</B> h. Diffusionssperrschichten und eine äussere lötbare Schicht mit guten elektrischen und thermischen Eigenschaften.
Die Überzüge müssen so aufgebracht werden, dass eine gleichmässige Schicht ohne Gasporen oder Löcher entsteht. Die Schicht sollte wenigstens etwa <B>0,08</B> mm dick sein. In einigen Fällen jedoch kann der Überzug nur etwa<B>0,03</B> mm Dicke haben, wenn sehr sorgfältig verfahren wird und so eine einheitliche Schicht ohne Risse, Löcher oder andere Fehler ent steht. überzüge mit Dicken bis zu etwa<B>0,25</B> mm oder selbst mehr können auch aufgebracht werden.
Die Körper aus thermoelektrischem Material kön nen zu einer festen zusammenhängenden Form ge- presst, gegossen oder gesintert werden und sollten ge reinigt werden, um lose Teilchen sowie oxydiertes und verdorbenes Material zu entfernen. In einigen fällen können sie durch Sandstrahlen gereinigt und die Oberfläche aufgerauht werden. Es entsteht so eine Oberfläche, auf der das Metall aus der Plasma flamme besser haftet.
Die Schicht, die sich in unmittelbarem Kontakt mit dem Halbleitermaterial befindet, dient in erster Linie als eine Diffusionssperre und kann aus einem oder mehreren der nachfolgenden Materialien be stehen: aus Wolfram, Molybdän, Nickel, Eisen, Ko balt, Edelstahl oder anderen Verbindungen oder aus elektrisch leitenden schwerschmelzbaren Verbindun- gen, wie Molybdändisilizid. Der Überzug soll sich nicht in dem thermoelektrischen Material oder durch das thermoelektrische Material auflösen oder sonst- wie mit ihm bei irgendeiner Betriebstemperatur reagie ren.
Der Überzug wird mit einer üblichen Plasma flamme (Plasmapistole) mit hohen Geschwindigkeiten aufgebracht; dadurch erhält man eine hervorragende Verbindung zwischen dem Metall und dem thermo- elektrischen Material. Die Auswahl des spezifischen Metalls, das bei einem gegebenen thermoelektrischen Material angewendet werden soll, hängt davon ab, dass keine chemischen Reaktionen auftreten, und weiterhin von der allgemeinen Verträglichkeit mit dem besagten thermoelektrischen Material,<B>d.</B> h. von der Möglichkeit, eine gute Verbindung herzustellen, die einen niedrigen elektrischen Widerstand hat.
In einigen Fällen kann der erste Metallüberzug auf den thermoelektrischen Körper so ausgewählt sein, dass bestimmte Eigenschaften, wie niedriger elektri scher Widerstand, auftreten, selbst wenn dadurch nicht vollständig verhindert werden kann, dass thermoelektrisches Material durch die erste Schicht hindurch auf andere Metallkörper, wie einen Kupfer kontakt, diffundieren kann. Dagegen kann eine zweite Schicht mit der Plasmaflamme aus einem Material mit hohem Diffusionswiderstand aufgebracht wer den, womit also der Mangel der ersten Schicht aus geglichen wird.
In vielen Fällen werden nur zwei Schichten erforderlich sein, wobei die äussere Schicht aus einem Material besteht, das gute elektrische und thermische Leitfähigkeit hat, wie Nickel, Kupfer oder Silber. Die äussersten Schichten sollten leicht lötbar sein: entweder mit einem Weichlot, wie<B>70/30</B> Blei/Zinnlot, oder mit einem Hartlot, wie beispiels- wei#e mit Silberhartlot.
In Tabelle<B>1</B> sind die verschiedenen Metallschich ten aufgeführt, die durch Plasmaspritzen auf die Enden der speziellen thermoelektrischen Materialien aufgebracht werden können. Jeder Überzug ist etwa <B>0,08</B> mm stark. Wo mehr als ein Material für die erste oder zweite Schicht eingetragen ist, wurde eins auf das gegebene thermoelektrische Material auf- g ge tragen und dann ein weiteres Material angewandt, was den zweiten Überzug bildet.
Jedoch können auch zwei oder mehr Schichten für jeden Überzug oder Mischungen von zwei und mehr Materialien aufgebracht werden, bevor das zweite Material auf gebracht wird. So wird auf Germaniumtellurid ein erster Überzug mit der Plasmaflamme hergestellt aus einer Schicht von Molybdän, darüber eine Schicht von Kobalt; ein zweiter Überzug aus Nickel wird mit der Plasmaflamme aufgespritzt, und ein dritter über- zug aus Kupfer wird darüber mit der Plasmaflamme aufgespritzt.
Alle die speziellen thermoelektrischen Materialien wurden zu Formen gepresst und gesintert, einige wurden auch gegossen; alle wurden mit gutem Erfolg mit den Metallen überzogen, die in Tabelle<B>1</B> aufgeführt sind.
EMI0003.0001
<I>Tabelle <SEP> <B>1</B></I>
<tb> Thermoelektrisches <SEP> Material <SEP> und <SEP> überzüge, <SEP> die <SEP> erfolgreich <SEP> mit <SEP> der <SEP> Plasmaflamme <SEP> aufgebracht <SEP> wurden
<tb> Thermoelektr.
<SEP> Erster <SEP> überzug <SEP> Zweiter <SEP> überzug <SEP> Dritter <SEP> überzug
<tb> Material <SEP> (etwa <SEP> <B>0,08</B> <SEP> mm <SEP> dick) <SEP> (etwa <SEP> <B>0,08</B> <SEP> mm <SEP> dick) <SEP> (etwa <SEP> <B>0,08</B> <SEP> mm <SEP> dick)
<tb> In <SEP> As <SEP> P <SEP> <B>W, <SEP> Mo</B> <SEP> Ni
<tb> Ge <SEP> Te <SEP> W, <SEP> Mo, <SEP> Ni, <SEP> Fe, <SEP> Co <SEP> Ni, <SEP> <B>Ca,</B> <SEP> Fe <SEP> <B>Cu</B>
<tb> Ge <SEP> Bi <SEP> Te <SEP> Mo, <SEP> Fe, <SEP> Co, <SEP> Edelstahl <SEP> Fe, <SEP> Cu <SEP> <B>cu</B>
<tb> Zn <SEP> <B>Sb</B> <SEP> Ni, <SEP> Fe, <SEP> (Fe <SEP> <B>+</B> <SEP> Mo), <SEP> Mo, <SEP> MoSi2 <SEP> Cu, <SEP> Fe <SEP> Cu, <SEP> <B>Ag</B>
<tb> <B>Ag <SEP> Sb</B> <SEP> Te <SEP> Mo, <SEP> Fe <SEP> Fe,
<SEP> Cu <SEP> <B>CU</B>
<tb> <B>Ag <SEP> Sb</B> <SEP> Bi <SEP> Te
<tb> Legierungen <SEP> Fe <SEP> <B>cu</B>
<tb> <B>Pb</B> <SEP> Te <SEP> <B>(N)</B> <SEP> W, <SEP> Mo, <SEP> Ni, <SEP> Fe <SEP> Te <SEP> <B>+</B> <SEP> Mo), <SEP> Ni, <SEP> Cu, <SEP> Fe, <SEP> Edelstahl <SEP> Cu, <SEP> <B>Ag</B>
<tb> Mosi2, <SEP> Edelstahl
<tb> <B>Pb</B> <SEP> Te <SEP> (P) <SEP> <B>Mo, <SEP> Co</B> <SEP> Fe <SEP> <B>Cu</B>
<tb> Bi <SEP> <B>Sb</B> <SEP> Te <SEP> <B>mo</B> <SEP> Fe <SEP> <B>Cu.</B>
<tb> Bi <SEP> Te <SEP> Se <SEP> <B>mo</B> <SEP> Fe <SEP> <B>CU</B>
<tb> <B>SMVS3</B> <SEP> Ni, <SEP> Fe <SEP> <B>CU</B>
<tb> Bi <SEP> Te <SEP> Ni In Tabelle 2 werden bevorzugte Kombinationen thermoelektrischer Materialien und überzugsmateria- lien angegeben.
Es soll vermerkt werden, dass in eini gen Fällen noch ein dritter überzug angewandt wurde. So wurde z. B. im Anschluss an die Anwen dung des Plasmaaufspritzens einer dünnen Schicht von Molybdän auf Zinkantomonid eine Schicht von Eisen in ähnlicher Weise auf die Molybdänschicht aufgebracht, da sie sich enger an die thermische Aus dehnung des Zinkantimonids anpasst als das Molyb- dän oder der darauf folgende Kupferüberzug; so werden mechanische Spannungen weitgehend ver- mieden.
Zuletzt wurde eine Kupferschicht wegen ihrer guten elektrischen und thermischen Leitfähig keit mit der Plasmaflamme auf die Eisenschicht auf gespritzt; sie erleichtert das Auflöten, wenn eine elektrische Leitung (ein Kupferstreifen) mit dem Thermoelementschenkel als elektrischer Kontakt ver bunden wird und so ein vollständiges thennoelektri- sches Bauelement bildet. Jedoch ist im Falle des Germaniumtellurids nur eine einzelne Schicht von Eisen notwendig, die die schon erwähnte gewünschte Diffusionssperrschicht bildet; auf sie folgt nur noch eine Kupferschicht.
EMI0003.0021
<I>Tabelle <SEP> 2</I>
<tb> Bevorzugte <SEP> Kombinationen <SEP> von <SEP> thermoelektrischen <SEP> Materialien <SEP> und <SEP> überzügen, <SEP> ausgewählt <SEP> aus <SEP> Tabelle <SEP> <B>1</B>
<tb> Thermoelektr. <SEP> Erster <SEP> überzug <SEP> Zweiter <SEP> überzug <SEP> Dritter <SEP> überzug
<tb> Material
<tb> In <SEP> As <SEP> P <SEP> <B>mo</B> <SEP> Ni
<tb> Ge <SEP> Te <SEP> Fe <SEP> <B>CU</B>
<tb> <B>Ge</B> <SEP> Bi <SEP> Te <SEP> Fe <SEP> <B>CU</B>
<tb> Zn <SEP> <B>Sb <SEP> mo</B> <SEP> Fe <SEP> <B>CU</B>
<tb> <B>Ag <SEP> Sb</B> <SEP> Te <SEP> Fe <SEP> <B>CU</B>
<tb> <B>Ag <SEP> Sb</B> <SEP> Bi <SEP> Te
<tb> Legierungen <SEP> Fe <SEP> <B>Cu.</B>
<tb> <B>Pb</B> <SEP> To <SEP> <B>(N) <SEP> Mo,</B> <SEP> Fe <SEP> <B>Cu</B>
<tb> <B>Pb</B> <SEP> Te <SEP> (P)
<SEP> Fe <SEP> <B>CU</B>
<tb> Bi <SEP> <B>Sb</B> <SEP> Te <SEP> <B>Mo</B> <SEP> Fe <SEP> <B>ca</B>
<tb> Bi <SEP> Te <SEP> Se <SEP> <B>Mo</B> <SEP> Fe <SEP> <B>CU</B>
<tb> SM4S <SEP> Fee <SEP> <B>Cu</B> Es erscheint einleuchtend, dass bei der Herstellung von Schenkeln für ein thermoelektrisches Bauelement ein oder mehrere der thermoelektrischen Materialien, wie sie in Tabelle<B>1</B> aufgeführt sind, mit dazwischen- liegenden überzügen verbunden werden können, die aus der Reihe der ersten überzugsmaterialien an den zu verbindenden Enden ausgesucht werden, um eine Reaktion zwischen einzelnen thermoelektrischen Ma terialien zu verhindern.
So entsteht ein Schenkel des Bauelementes. Eine andere Kombination von thermo- elektrischen Materialien kann in ähnlicher Weise ver bunden werden, sie bildet den anderen Schenkel. Diese beiden Schenkel können elektrisch mittels eines elektrischen Leiters, beispielsweise eines Kupfer- oder Nickelstreifens, verbunden werden, der an den äusse ren überzügen der Körper aus thermoelektrischem Material an jedem Schenkel angebracht ist. Wenn z.
B. der p-Schenkel eines thermoelektrischen Bau elementes hergestellt werden soll, so wird ein Körper von Wismut-Antimon-Tellurid an beiden Enden mit einem etwa<B>0,075</B> mm dicken überzug von Molybdän durch Aufspritzen mit der Plasmaflamme hergestellt. Das ergibt sowohl eine Diffusionssperrschicht als auch eine lötbare Oberfläche.
Ein Körper aus Zink- antimonid wird an einem Ende durch Aufspritzen mit der Plasmaflamme mit einer etwa<B>0,075</B> mm starken Schicht von Eisen überzogen, das andere nicht überzogene Ende wird mit dem Wismut- antimontellurid-Körper verlötet. Dann wird ein Körper von Germaniumwismuttellurid mit der Plasmaflamme an einem Ende mit einer etwa <B>0,075</B> mm starken Schicht von Eisen überzogen, er wird an seinem nicht überzogenen Ende durch Lot mit dem überzoaenen Ende des Zinkantimonidkör- pers verbunden.
Zur Bildung des n-Schenkels wird ein Körper aus Wismuttelluridselenid durch Auf spritzen mit der Plasmaflamme mit einer etwa <B>0,075</B> mm starken Schicht von Molybdän an beiden Enden überzogen. Ein Körper aus Bleitellurid, der an einem Ende mit Hilfe der Plasmaflamme mit Eisen überzogen ist, wird an seinem nicht über- zoaenen Ende mit einem Ende des Wismuttellurid- im selenid-Körpers verlötet.
Zuletzt wird ein etwa <B>0,075</B> mm starker überzug von Kupfer auf die eisenbedeckten Enden der verbundenen Germanium- Wismut-Tellurid- und Bleitellurid-Körper aufge bracht, und die zusammengehörigen<B>p-</B> und n-Schen- kel werden durch Löten mit einem Kupferstreifen an den kupferbedeckten Enden beider Schenkel ver lötet.
Claims (1)
- <B>PATENTANSPRUCH</B> Verfahren zum Herstellen von Thermoelement- schenkeln aus geformtem Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, dass auf ihre Enden mit der Plasma flamme mindestens eine Schicht gespritzt wird. <B>UNTERANSPRÜCHE</B> <B>1.</B> Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass für die nach aussen liegende Schicht gut lötbares Material verwendet wird. 2. Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass zunächst mindestens eine Schicht als Diffusionssperre und darüber mindestens eine weitere Schicht aus leicht lötbarem Material, mit guter elektrischer und thermischer Leitfähigkeit, auf gebracht wird.<B>3.</B> Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass die Enden der Thermoelement- schenkel vor dem Bespritzen durch Sandstrahlen Cre reinigt werden. 4.Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass die Thermoelementschenkel aus Sulfiden, Seleniden und/oder Telluriden mindestens eines Elementes der Gruppe Blei, Wismut, Ger manium, Silber, Zink, Antimon, Cer und/oder Sa- marium hergestellt werden. <B>5.</B> Verfahren nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass die Thermoelementschenkel aus mindestens einem Element der Gruppe<B>111</B> und/oder V des Periodensystems hergestellt werden.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US105859A US3208835A (en) | 1961-04-27 | 1961-04-27 | Thermoelectric members |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH401186A true CH401186A (de) | 1965-10-31 |
Family
ID=22308186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH500962A CH401186A (de) | 1961-04-27 | 1962-04-25 | Verfahren zum Herstellen von Thermoelementschenkeln |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| US (1) | US3208835A (de) |
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