CH412816A - Verfahren zum kontinuierlichen Herstellen dendritischer Halbleiterkristalle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents

Verfahren zum kontinuierlichen Herstellen dendritischer Halbleiterkristalle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

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CH412816A
CH412816A CH1287960A CH1287960A CH412816A CH 412816 A CH412816 A CH 412816A CH 1287960 A CH1287960 A CH 1287960A CH 1287960 A CH1287960 A CH 1287960A CH 412816 A CH412816 A CH 412816A
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CH
Switzerland
Prior art keywords
carrying
continuous production
semiconductor crystals
dendritic
dendritic semiconductor
Prior art date
Application number
CH1287960A
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English (en)
Inventor
L Longini Richard
I Jr Bennett Allan
Original Assignee
Westinghouse Electric Corp
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Publication date
Application filed by Westinghouse Electric Corp filed Critical Westinghouse Electric Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

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CH1287960A 1959-11-19 1960-11-17 Verfahren zum kontinuierlichen Herstellen dendritischer Halbleiterkristalle und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens CH412816A (de)

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GB (1) GB913676A (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4022652A (en) * 1974-09-26 1977-05-10 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method of growing multiple monocrystalline layers
US4078897A (en) * 1975-04-11 1978-03-14 Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg Apparatus for producing monocrystals
US4186173A (en) * 1975-04-11 1980-01-29 Leybold-Heraeus Gmbh & Co. Kg Apparatus for producing monocrystals
US6143633A (en) * 1995-10-05 2000-11-07 Ebara Solar, Inc. In-situ diffusion of dopant impurities during dendritic web growth of crystal ribbon

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US6143633A (en) * 1995-10-05 2000-11-07 Ebara Solar, Inc. In-situ diffusion of dopant impurities during dendritic web growth of crystal ribbon

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GB913676A (en) 1962-12-28

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