CH416579A - Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes und nach diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes und nach diesem Verfahren hergestelltes HalbleiterbauelementInfo
- Publication number
- CH416579A CH416579A CH1590963A CH1590963A CH416579A CH 416579 A CH416579 A CH 416579A CH 1590963 A CH1590963 A CH 1590963A CH 1590963 A CH1590963 A CH 1590963A CH 416579 A CH416579 A CH 416579A
- Authority
- CH
- Switzerland
- Prior art keywords
- semiconductor component
- producing
- produced according
- component produced
- semiconductor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/60—Impurity distributions or concentrations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
- H10D62/834—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge further characterised by the dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
- H10D62/854—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs further characterised by the dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US249496A US3362858A (en) | 1963-01-04 | 1963-01-04 | Fabrication of semiconductor controlled rectifiers |
| US249530A US3249831A (en) | 1963-01-04 | 1963-01-04 | Semiconductor controlled rectifiers with a p-n junction having a shallow impurity concentration gradient |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH416579A true CH416579A (de) | 1966-07-15 |
Family
ID=26940112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH1590963A CH416579A (de) | 1963-01-04 | 1963-12-24 | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes und nach diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CH (1) | CH416579A (de) |
| DE (1) | DE1439958A1 (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2443139A1 (fr) * | 1978-12-01 | 1980-06-27 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semi-conducteur monolithique de type triac |
-
1963
- 1963-12-21 DE DE1963W0035856 patent/DE1439958A1/de active Pending
- 1963-12-24 CH CH1590963A patent/CH416579A/de unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1439958A1 (de) | 1970-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CH517381A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleitergleichrichters und nach diesem Verfahren hergestellter Halbleitergleichrichter | |
| AT296211B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Vliesstoffes | |
| AT264590B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kontaktes an einem Halbleiterkörper | |
| CH424232A (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Pressholzplatten | |
| AT282930B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Herstellen von formfesten Rohren | |
| AT252314B (de) | Verfahren zum Herstellen eines Quarzkristall-Bauelementes | |
| CH357500A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kunststoffadens und nach diesem Verfahren hergestellter Kunststoffaden | |
| CH421309A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes mit pn-Übergang und nach diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement | |
| CH522953A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem Metall-Halbleiterkontakt und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung | |
| CH420072A (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterstäben | |
| CH462326A (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer solchen | |
| CH438232A (de) | Verfahren zum Herstellen eines dotierten Halbleiterkörpers und Vorrichtung zum Durchführen dieses Verfahrens | |
| AT246998B (de) | Verfahren zum Herstellen hochelastischer Formkörper | |
| CH447388A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, nach diesem Verfahren hergestellter Transistor sowie Verwendung des Transistors | |
| CH453692A (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Polyamidformkörpern | |
| CH413021A (de) | Verfahren zum Herstellen gedruckter Schaltungen nach der Aufbaumethode | |
| CH444828A (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
| CH507590A (de) | Verfahren zum Herstellen von kleinflächigen Halbleiterbauelementen | |
| CH416579A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes und nach diesem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement | |
| AT246997B (de) | Verfahren zum Herstellen hochelastischer Formkörper | |
| DE1911335B2 (de) | Verfahren zum herstellen von volumeneffekt halbleiter bauelementen | |
| CH414019A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelements | |
| CH365145A (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung | |
| CH449368A (de) | Verfahren zum Herstellen eines Lagers und gemäss diesem Verfahren hergestelltes Lager | |
| AT242627B (de) | Verfahren zum Herstellen von Baukörpern in einer Baugrube |