CH445565A - Dünnschichtspeicheranordnung - Google Patents

Dünnschichtspeicheranordnung

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CH445565A
CH445565A CH1454563A CH1454563A CH445565A CH 445565 A CH445565 A CH 445565A CH 1454563 A CH1454563 A CH 1454563A CH 1454563 A CH1454563 A CH 1454563A CH 445565 A CH445565 A CH 445565A
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CH
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layer
magnetic
walls
bloch
magnetic layer
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CH1454563A
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William Pugh Emerson
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Ibm
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Description


  Zusatzpatent zum     Hauptpatent    Nr. 411040         Dünnschichtspeicheranordnung       Die Erfindung     bezieht    sich auf eine Dünnschicht  speicheranordnung mit einer streifenförmig ausgebilde  ten Schicht aus magnetischem Material, die auf einen  nichtmagnetischen Träger aufgebracht ist, nach dem  Patentanspruch I des Hauptpatentes.  



  Gegenstand des Patentanspruches I des Hauptpa  tentes ist eine magnetische     Dünnschichtspeicheranord-          nung    der genannten Art mit den folgenden Merkmalen:  Wenigstens ein elektromechanischer Wandler ist  derart mit dem Träger gekoppelt, dass auf den Träger       übertragene    Schwingungen in diesem mechanische       Longitudinal-Schwingungen    hervorrufen, unter deren  Einfluss sich in der Schicht durch     Domänenwände    be  grenzte, mit den Schwingungen wandernde Zonen aus  bilden.

   An einem Ende der Schicht ist eine Schreiblei  tung derart angeordnet, dass ihr     zugeführte    Datensi  gnale eine Ausrichtung der     Magnetisierung    in der  nächstgelegenen Zone in     Übereinstimmung    mit den zu  speichernden Daten bewirken. Am anderen Ende der  Schicht ist eine Leseleitung vorhanden, in der beim       Richtungswechsel    der     Magnetisierung    in der ihr  nächstgelegenen Zone eine Spannung induziert wird.  



  Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verbesse  rung der genannten Anordnung, die dadurch gekenn  zeichnet ist, dass die magnetische Schicht die Eigen  schaft aufweist, dass die Ausbildung von     Neel-Wänden     als     Domänenwände        zwischen    einzelnen Zonen der  Schicht begünstigt, aber die Ausbildung von     Bloch-          Wänden    dennoch zugelassen wird, und dass eine die in  der Schicht vorhandenen     Neel-Wände    durch Anlegen  eines Querfeldes in     Bloch-Wände    umwandelnde Steu  ereinrichtung vorgesehen ist.  



  Die Ausbreitung der in der Schicht gespeicherten  Informationen wird durch die Umwandlung der     Neel-          Wände    in     Bloch-Wände        verhindert.    Wenn eine     Domä-          nenwand        einmal    die Form einer     Bloch-Wand    ange  nommen hat, bleibt die durch die mechanischen     Zug-          und    Druckwellen erzeugte     Anisotropie    auf diese       Domänenwand    wirkungslos, die daher an ihrem Ort       innerhalb    der Schicht stehen bleibt.

   Nach Abschaltung    der mechanischen Schwingungen und nach Beseitigen  des Querfeldes verwandeln sich die     Bloch-Wände    wie  der zurück in     Neel-Wände,    ohne dass dabei der Spei  cherinhalt der Schicht verloren geht.  



  Nachfolgend wird anhand von Zeichnungen die Art  der     Dünnschichtspeicheranordnungen    erläutert und ein  Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben:         Fig.    1 dient in Verbindung mit den     Fig.    2 und 3  zum Verständnis der weiter unten erläuterten Erfin  dung und zeigt in schematischer Darstellung eine       Dünnschichtspeicheranordnung    gemäss dem Hauptpa  tent.  



       Fig.2    veranschaulicht die Wirkung einer an die       Dünnschichtspeicheranordnung    von     Fig.1    angelegten  mechanischen Druckwelle.  



       Fig.3a-3e    zeigen eine schematische Darstellung  der Informationsausbreitung in einer solchen Dünn  schichtspeicheranordnung.  



       Fig.4    veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel der       Dünnschichtspeicheranordnung    nach der Erfindung.  



       Fig.    5 zeigt die     Orientierung    der     Magnetisierungs-          vektoren    beim Aufbau einer     Bloch-Wand    als     Domä-          nenwand    zwischen zwei entgegengesetzt magnetisierten  Zonen der magnetischen Schicht.  



  Gemäss     Fig.    1 ist ein elastischer nichtmagnetischer  Träger 10 vorgesehen, der z. B. aus einkristallinem  oder geschmolzenem, d. h. glasartigem Quarzmaterial  besteht, das sich mit geringer Dämpfung komprimiert  und dehnt, wenn es mechanischen     Longitudinal-          Schwingungen    ausgesetzt wird. Die Schwingungen  durchlaufen den Träger 10 in seiner Längsrichtung  entsprechend der mit einem Pfeil bezeichneten     X-Ko-          ordinatenachse.    Ein elektromechanischer Wandler 12  ist am einen Ende des Trägers 10 angeschlossen und  mit einem Generator 14 verbunden.

   Am entgegenge  setzten Ende des Trägers 10 ist ein absorbierendes  Glied 16 vorgesehen, das die     longitudinalen    Schwin  gungen in Gestalt von     Schrumpfung    oder Dehnung des  Trägers 10 absorbiert. An dessen Stelle könnte auch      der Träger 10 an seinem Ende zugespitzt verlaufen,  um eine ähnliche Wirkung zu erzielen. Auf der Ober  fläche des Trägers 10 ist eine     anisotrope    dünne  Magnetschicht 18 aufgetragen, deren Vorzugsrichtung  der     Magnetisierung    quer zur Längsausdehnung des  Trägers 10 verläuft, wie durch die mit einem Pfeil be  zeichnete leichte Achse Y angedeutet ist.

   Die Magnet  schicht 18 kann auf den Träger 10 nach einem beliebi  gen Verfahren aufgebracht sein, wie durch Aufdamp  fen im Vakuum,     Kathodenzerstäubung,        Elektroplattie-          ren    usw., in Anwesenheit eines magnetischen Feldes,

    das die uniaxiale magnetische     Anisotropie    während des       Herstellungsverfahrens        induziert.    Die Magnetschicht  besteht vorzugsweise aus einer     Nickel-Eisen-Legierung          mit        annähernd        85        %        Ni        und        15        %        Fe        oder        aus        einer          solchen        mit        

  annähernd        75        %        Ni        und        25        %        Fe        in        Ge-          wichtsanteilen.    Diese Kompositionen des     ferromagneti-          schen    Materials werden gewählt,

   um der Schicht 18       entweder        eine        negative        Magnetostriktion        (85        %        Ni        und          15        %        Fe)

          oder        eine        positive        Magnetostriktion        (75        %        Ni          und        25        %        Fe)        zu        verleihen.     



  Die positive     Magnetostriktion    ist für ein magneti  sches Material, welches in seiner Längsachse einem  mechanischen Zug oder Druck unterworfen wird,     fol-          gendermassen    definiert: Eine Dehnung erzeugt eine  mechanisch     induzierte    magnetische     Anisotropie    in  Richtung der Dehnung, eine Schrumpfung dagegen  eine mechanisch     induzierte    magnetische     Anisotropie     quer zur Schrumpfungsrichtung.

   Unter negativer       Magnetostriktion    versteht man dementsprechend die  Eigenschaft des magnetischen Materiales, dass sich  eine mechanisch     induzierte        Anisotropie    in     Richtung     der     Schrumpfung    bei Druck und bei Zug quer zur  Dehnungsrichtung einstellt.

   Wird angenommen, dass  die Magnetschicht 18 eine positive     Magnetostriktion     aufweist, hat bei Kompression des Trägers 10 die  mechanisch     induzierte    magnetische     Anisotropie    der  Magnetschicht 18 eine Vorzugsachse entlang der     Y-          Achse,    und bei Ausübung eines Zuges auf den Träger  10, d. h. bei einer Dehnung, verläuft die mechanisch  induzierte magnetische     Anisotropie    der Magnetschicht  18 parallel zur X-Achse.

   Der Träger 10 und damit  auch die mit ihm verbundene Magnetschicht 18 erfah  ren demnach einen Zug oder einen Druck auf     longitu-          dinale    mechanische Wellen hin, die von dem Generator  14 über den elektromechanischen Wandler 12 zuge  führt werden. Durch eine Schreibleitung 20 wird ein  Teil der Magnetschicht 18 in ihrer Längsausdehnung  induktiv gekoppelt, und diese Leitung liegt quer zur  magnetischen Vorzugsachse. Eine Leseleitung 22 kop  pelt einen anderen Teil der Magnetschicht 18, und  liegt ebenfalls quer zur magnetischen Vorzugsachse.  Die Schreibleitung 20 ist mit einer Eingabeschaltung  24 und     die        Leseleitung    mit     einer        Ausgangsschaltung    26  verbunden.  



  Der Generator 14     liefert    in Verbindung mit dem  Wandler 12 aufeinanderfolgende Impulse an den Trä  ger 10, die jeder eine Dehnung oder eine Zusammen  ziehung des Trägers 10 und damit auch der mit ihm  verbundenen Magnetschicht 18 bewirken. Je nachdem,  ob die Magnetschicht 18 sich auf die ihr zugeführten  mechanischen Impulse hin dehnt oder zusammenzieht,  wird die Schicht so hergestellt,     dass    sie entweder eine  positive oder eine negative     Magnetostriktion    aufweist,  um in jedem Falle eine induzierte längsgerichtete An  isotropie in demjenigen Teil der Magnetschicht 18 ent  stehen zu lassen, der der mechanischen Beanspruchung    ausgesetzt wird.

   Die Grösse der auf die Magnetschicht  18 ausgeübten mechanischen Beanspruchung soll  jedoch für sich allein nicht ausreichen, um den Schwel  lenwert des     Umschaltens    der magnetischen Schicht zu  überwinden.  



  In     Fig.2    ist     zur    Veranschaulichung die Magnet  schicht 18 schematisch so dargestellt,     dass    sie aus sie  ben Zonen     A-G    besteht. Darunter ist für einen be  stimmten Zeitpunkt ein akustisches Signal in dem Trä  ger 10 dargestellt, das aus einer Folge von     Beanspru-          chungsimpulsen    besteht, die nacheinander in bestimm  ten Zeitabständen an die Magnetschicht 18 angelegt  werden. Es sei angenommen,     dass    die     Magnetisierung     in allen Zonen     A-G    zunächst entlang der Vorzugs  achse der Schicht, d. h. in der Zeichnung aufwärts,  gerichtet ist.  



  Es gibt zwei verschiedene Möglichkeiten wie die  magnetischen Vektoren sich in einer     Domänenwand     orientieren, wenn die allgemeine     Magnetisierungsrich-          tung    zweier benachbarter Zonen sich umkehrt. Einmal  kann der     Übergang    der magnetischen     Orientierung    in  eine entgegengesetzt     orientierte    Zone durch Drehung  der Vektoren der     Magnetisierung    innerhalb der Ebene  der Schicht erfolgen.

   Andererseits kann der Übergang  der     Magnetisierungsvektoren    durch einen     allmählichen     Übergang in     Spiralform    aus der Ebene des Films her  aus aus dem einen stabilen Zustand in den entgegenge  setzten stabilen Zustand der     benachbarten    Zone erfol  gen. Wenn sich die     Magnetisierungsvektoren    einer       Domänenwand    innerhalb der Schichtebene drehen,  wird diese     Domänenwand    als     Neel-Wand    eingestuft.

    Wenn sich die     Magnetisierungsvektoren    einer     Domä-          nenwand    aus der Ebene der Schicht heraus aus dem  einen Zustand in einen     entgegengesetzten    Zustand dre  hen, wird diese Wand als     Bloch-Wand    bezeichnet. Die       Unterschiede        zwischen    einer     Neel-    und     einer    Bloch  Wand sind dem Fachmann bekannt.  



  Es sei angenommen, dass zu dem Zeitpunkt, wenn  die Grenzen zwischen benachbarten Zonen einer  mechanischen     Beanspruchung        ausgesetzt    werden       (Fig.    2), die Schreibleitung 20 durch die Eingabeschal  tung 24 erregt wird und so ein magnetisches Feld an  beispielsweise die Zone A anlegt, das     abwärts    in Rich  tung der magnetischen     Vorzgusachse    gerichtet ist.

   Die  ses Eingangsfeld wird so     gesteuert,    dass es gross genug  ist, um die     Magnetisierung    der Zone A aus einem auf  wärtsgerichteten,     remanenten    stabilen Zustand in einen  entgegengesetzt- oder     abwärtsgerichteten,        remanenten     stabilen Zustand umzuschalten. Die dann bestehende  Verteilung der     Magnetisierung    der Magnetschicht 18  zeigt     Fig.3a.    Daraus ist zu ersehen, dass nun die       Magnetisierung    der Zone A nach unten gerichtet ist,  während die aller anderen Zonen nach oben zeigt.

   Da  die     Magnetisierung    der Zone A entlang der Vorzugs  achse der Magnetschicht der Magnetschicht 18 nach  unten gerichtet ist, wird der als stärker gezeichnete  Linie dargestellte Übergangsbereich zwischen den  Zonen A und B durch eine     allmähliche    Drehung der  magnetischen Vektoren in der Ebene der Schicht aus  der leichten     Abwärtsrichtung    in die leichte     Aufwärts-          richtung    der     Magnetschicht    18 in     Zone    B     gebildet,     d. h. durch eine     Domänenwand.     



  Weil sich die an die Magnetschicht 18 angelegten  mechanischen Impulse von links nach rechts entlang  der Schicht ausbreiten, wird auch die durch die Erre  gung der Eingangsleitung 20 erzeugte magnetische       Domänenwand    in gleicher Weise verschoben. Diese      Ausbreitung ist aus den     Fig.        3a-3e    ersichtlich.

   Die in       Fig.3a    gezeigte     Magnetisierung    der Zone A wird in  jeder nachfolgenden Darstellung der     Fig.        3b-3e    jeweils  in die in Fortpflanzungsrichtung benachbarte Zone  übertragen  Somit werden     binäre        Informationen        in    der     Magnet-          sc'h#icht    18     durch    das Vorhandensein     oder    das     Fehlen     einer     Domänenwand        .repräsentiert.    Es kann zum Beispiel  das     Vorliegen     <RTI  

   ID="0003.0018">   einer        Domänenwand    eine binäre   1   und  das Fehlen einer     Domänenwand    eine binäre  0  dar  stellen. Soll eine weitere binäre<B> l </B> eingegeben wer  den, wird die Schreibleitung 20 erregt, um ein magneti  sches Feld an die Zone A der Magnetschicht 18 anzu  legen, das entlang der Vorzugsachse aufwärts gerichtet  ist und dessen Grösse ausreicht, um die     Magnetisierung     umzuschalten und so die Bildung einer     Domänenwand     z. B. zwischen den Zonen A und B zu bewirken, wie es  die     Fig.3d    zeigt.

   Mit dem nächsten mechanischen  Impuls bewegt sich die so gebildete     Domänenwand     nach rechts, wie es die     Fig.    3e erkennen lässt.  



  Die Leseleitung 22 fühlt den     Vorbeigang    einer       Domänenwand    ab, da eine Spannung darin induziert  wird, die von der Ausgangsschaltung 26 verwendet  wird, um das Vorliegen einer binären   1   zu erkennen  und auszuwerten. Die Ausgabeeinrichtung kann auch  eine     Zeitsteuerschaltung    enthalten, die mit der Steu  erung der Erzeugung der mechanischen Wellen syn  chronisiert ist, so dass immer dann, wenn keine Span  nung in der Ausgangsleitung 22 induziert wird, dies als  eine gespeicherte binäre  0  erkannt wird, während  eine zum Auswertezeitpunkt induzierte Spannung eine  binäre   1   darstellt.  



  Die Schaltung von     Fig.    1 arbeitet insofern als Ver  zögerungsleitung, als Informationen in die Schaltung  eingeführt werden und nach einer bestimmten Zeit  dauer am Ausgang zur Verfügung stehen. Um die In  formationen zu speichern, könnten diese in Umlauf  gesetzt werden, wodurch eine Anordnung in Form  einer geschlossenen Schleife entstünde, indem z. B. die  Leseleitung 22 zur Schreibleitung 20 zurückgekoppelt  wird. Obwohl eine Umlaufschleife in der geschilderten  Weise gebildet werden     kann,    wird dadurch     eigentlich     die der magnetischen Schicht 18 innewohnende Spei  cherfähigkeit nicht voll ausgenutzt, und es muss der  Generator 14 ständig ohne Ausfall im Betrieb bleiben.  



       Fig.4    zeigt ein Beispiel einer     erfindungsgemäss     verbesserten Anordnung für die Schaltung von     Fig.    1.  Es sind ausser den oben beschriebenen Merkmalen  noch zusätzliche Mittel vorgesehen, um die Magnet  schicht 18 von den durch den Generator 14 gelieferten  akustischen Wellen abkoppeln zu können, damit nun  die Information auch permanent in der Magnetschicht  18 gespeichert werden kann. Zur Verdeutlichung sind  alle Teile von     Fig.    4, die solchen von     Fig.    1 gleichen,  mit den gleichen Bezugsziffern mit Indexstrich verse  hen worden. In     Fig.4    ist der elektromechanische  Wandler 12' mit dem Generator 14' über eine Schalt  einrichtung 28 verbunden.

   Weiter ist eine Steuerspule  30 vorgesehen, die mit einer wahlweise     betätigbaren     Stromquelle 32 verbunden ist. Diese erregt die Steuer  spule 30 und erzeugt so ein magnetisches Feld, das  quer zur Ebene der Magnetschicht 18 gerichtet ist.  



  Es sei angenommen, dass die Schalteinrichtung 28  betätigt ist und den Generator 14' mit dem Wandler  12' verbindet und dass die Eingabeschaltung 24' die  Schreibleitung 20' erregt hat, wie es oben beschrieben  ist. Wie erwähnt, kann die Erzeugung einer Domänen-    wand ein Informationsbit darstellen, das entlang der  Magnetschicht 18 durch die die induzierte     longitudi-          nale        Anisotropie    bewirkende mechanische     longitudinale          Welle        verschoben    wird.

       IE    er sei angenommen, dass die  erzeugte     Domänenwand    die Gestalt einer     Neel-Wand     hat, in der die     Magnetisierungsvektoren    sich aus der  einen Orientierungsrichtung in die andere Orientie  rungsrichtung innerhalb der Ebene der Schicht drehen.  



  Die andere Möglichkeit der Ausbildung einer       Domänenwand    ist die einer     Bloch-Wand,    in der sich  die     Magnetisierungsvektoren    aus einer Orientierungs  richtung in eine andere dadurch drehen, dass sie sich       spiralförmig    aus der Ebene der Magnetschicht 18 her  ausdrehen, wie es     Fig.    5 von links nach rechts zeigt.  Die     Magnetisierungsvektoren    34 veranschaulichen den  Übergang der     Magnetisierung    innerhalb eines Teils der  Magnetschicht 18 aus dem einen, nach hinten gerichte  ten     Orientierungszustand    in den nach vorne zeigenden  anderen, wenn eine     Bloch-Wand    errichtet wird.

   Wie  man sieht, drehen sich mit der Erzeugung dieser       Domänenwand    die     Magnetisierungsvektoren    aus der  einen Orientierungslage in der Schichtebene aus letzte  rer heraus in eine Lage senkrecht zur Schichtebene  und dann wieder hinein in eine entgegengesetzte Orien  tierungsrichtung im anderen Teil der Schichtebene.

    Wenn die in der Schicht erzeugte     Domänenwand    die  Gestalt einer     Neel-Wand    hat, bewirkt die in der  Schichtebene wirksame durch mechanische Beanspru  chung induzierte     longitudinale    Vorzugsrichtung wegen  der andersartigen Orientierung der     Magnetisierungs-          vektoren    der     Neel-Wand    eine Wandverschiebung.

    Wenn jedoch eine     Bloch-Wand    in der Schicht erzeugt  wurde, liegt, da die eine     Bloch-Wand    definierenden       Magnetisierungsvektoren    aus der Schichtebene heraus  gerichtet sind, wie es     Fig.    5 zeigt, keine Koinzidenz der  durch mechanische Beanspruchung bewirkten     Aniso-          tropie    mit der     Richtung    der     Magnetisierungsvektoren     der     Bloch-Wand    vor, und die     Bloch-Wand    wird des  halb auch nicht zur Ausbreitung durch Wandverschie  bung     veranlasst.     



  Um sicherzustellen, dass das Material der Magnet  schicht 18 mit     grösserer    Wahrscheinlichkeit eine     N6e1-          Wand    als eine     Bloch-Wand    bildet, wird diese Schicht  in einer bestimmten Stärke hergestellt.

   Es hat sich ge  zeigt, dass dann, wenn die Stärke des Materials der       Schicht    etwa 500     Angström    beträgt,     zwar        sowohl        Neel-          als    auch     Bloch-Wände    in der Schicht möglich sind,  dass aber im allgemeinen nur     Neel-Wände    gebildet  werden, sofern keine     zusätzliche    äussere Einwirkung  vorliegt.  



  Die gemäss der Erfindung zugefügte Steuerspule 30  und die Stromquelle 32 haben daher den Zweck, ein  magnetisches Steuerfeld vorbestimmter Stärke zu er  zeugen, das senkrecht zur Ebene der Magnetschicht  18' gerichtet ist, um die     Magnetisierungsvektoren    aus  der Schichtebene herauszudrehen in jedem Teil der  Schicht, wo eine     Neel-Wand    besteht, und dadurch eine       Bloch-Wand    zu erzeugen. Obwohl durch das Anlegen  des Steuerfeldes an die Magnetschicht 18' diese wirk  sam von den mechanischen Beanspruchungsimpulsen  entkoppelt wird, ist es in der Praxis     erwünscht,    die  binäre Information permanent in der Magnetschicht  18' zu speichern.

   Eine     remanente    Speicherung erhält  man durch Betätigung der Schalteinrichtung 28,  wodurch der Generator 14' vom Wandler 12' getrennt  wird. Nach einer vorherbestimmten Zeitdauer, die aus  reicht, um den Durchgang aller akustischen und damit      mechanischen Wellen zu gestatten, kann dann das  Steuerfeld zusammenbrechen. Beim Zusammenfallen  des Steuerfeldes werden die vorher erzeugten     Bloch-          Wände    in der Magnetschicht 18' in     Neel-Wände    umge  bildet, weil die Schicht die Eigenschaft hat, ohne Zu  satzfeld     bzvorzugt    als     Domänenwände        Neel-Wände     anstelle von     Bloch-Wänden    zu bilden.  



  Wenn die     Magnetisierung    entlang der Vorzugsachse  der Magnetschicht 18 nach unten gerichtet ist, wird  keine     Bloch-Wand    in dem Material, z. B. zwischen  Zone D und Zone E in     Fig.3e    gebildet, wenn das  durch die erregte Spule 30 erzeugte Steuerfeld wirksam  ist. In     Fig.5    ist die Orientierung der magnetischen  Vektoren für eine     Bloch-Wand    veranschaulicht. Wie  erwähnt, geht der Übergang der     Magnetisierung    von  der     Vektororientierung    in der einen Richtung in der  Ebene der Schicht spiralförmig in die Orientierung in  der entgegengesetzten Richtung in der Schichtebene  vor sich.

   Damit ein solcher Übergang     erfolgen    kann,  muss die     Magnetisierung    des magnetischen Materials  auf jeder Seite des Übergangsbereiches, d. h. der       Domänenwand,    in der Schichtebene entgegengesetzt       orientiert    sein.

   Da die Eingabeschaltung 24' Impulse  entgegengesetzter Polarität zu der Schreibleitung 20'  senden muss, wenn aufeinanderfolgende Einsen gespei  chert werden, kann in der Eingabeschaltung 24' eine  binäre     Kippschaltung    vorgesehen werden, die einen  Ausgangsimpuls der einen Polarität bei Empfang eines  ersten     Eingangsimpulses    und einen     A,usgangsi'-.mpuls    der  anderen Polarität bei Empfang eines zweiten Eingangs  impulses     erzeugt.    Solche Schaltungen sind     bekannt    und  sind für das Verständnis der beschriebenen Schaltun  gen nicht notwendig.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Dünnschichtspeicheranordnung mit einer streifen- förmig ausgebildeten Schicht (18') aus magnetischem Material, die auf einen nichtmagnetischen Träger (10') aufgebracht ist, nach dem Patentanspruch I des Haupt patentes, dadurch gekennzeichnet, dass die magneti sche Schicht (18') die Eigenschaft aufweist, dass die Ausbildung von Neel-Wänden als Domänenwände zwi schen einzelnen Zonen der Schicht begünstigt, aber die Ausbildung von Bloch-Wänden dennoch zugelassen wird,
    und dass eine die in der Schicht vorhandenen Neel-Wände durch Anlegen eines Querfeldes in Bloch- Wände umwandelnde Steuereinrichtung (30, 32) vorge sehen ist. UNTERANSPRÜCHE 1. Dünnschichtspeicheranordnung nach Patentan spruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerein richtung (30) eine Spule enthält, die über den gesam ten Bereich der Schicht (18') ein quer zu deren Ebene gerichtetes Magnetfeld erzeugt.
    2. Dünnschichtspeicheranordnung nach Patentan spruch, dadurch gekennzeichnet, dass der mit dem Träger der magnetischen Schicht gekoppelte elektro mechanische Wandler (12') über eine Schalteinrichtung (28) mit einem Generator (14') verbunden ist, und dass eine Schalteinrichtung vorgesehen ist, die die Bloch-Wände erzeugende Steuereinrichtung (30) gegen- üb. -r dem Abschaltzeitpunkt der Schwingungszufüh- rung verzögert unwirksam macht.
CH1454563A 1962-08-27 1963-11-28 Dünnschichtspeicheranordnung CH445565A (de)

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