CH486122A - Procédé de réalisation d'un composant semiconducteur à shunt d'émetteur et composant obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé - Google Patents

Procédé de réalisation d'un composant semiconducteur à shunt d'émetteur et composant obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé

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CH486122A
CH486122A CH1805168A CH1805168A CH486122A CH 486122 A CH486122 A CH 486122A CH 1805168 A CH1805168 A CH 1805168A CH 1805168 A CH1805168 A CH 1805168A CH 486122 A CH486122 A CH 486122A
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CH1805168A 1967-12-18 1968-12-02 Procédé de réalisation d'un composant semiconducteur à shunt d'émetteur et composant obtenu par la mise en oeuvre de ce procédé CH486122A (fr)

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JPS6058595B2 (ja) * 1975-09-08 1985-12-20 株式会社日立製作所 シヨ−トエミツタ型サイリスタの製法
US4097887A (en) * 1976-09-13 1978-06-27 General Electric Company Low resistance, durable gate contact pad for thyristors

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