CH503517A - Verfahren zur Herstellung drahtförmiger Kristalle aus Siliziumnitrid - Google Patents

Verfahren zur Herstellung drahtförmiger Kristalle aus Siliziumnitrid

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CH503517A
CH503517A CH1489169A CH1489169A CH503517A CH 503517 A CH503517 A CH 503517A CH 1489169 A CH1489169 A CH 1489169A CH 1489169 A CH1489169 A CH 1489169A CH 503517 A CH503517 A CH 503517A
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CH
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wire
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silicon nitride
shaped crystals
crystals
Prior art date
Application number
CH1489169A
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Franciscus Knippenbe Wilhelmus
Verspui Gerrit
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Philips Nv
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth

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