Die Erfindung betrifft ein elektronisches Zeitmessgerät mit einer Grundzeit als Zeitnormal, einem als Untersetzer arbei tenden, elektronischen Stromkreis, einem Anzeigegerät für die Zeitanzeige, einer Batterie und mit einer Batteriespan- nungsdetektorschaltung zum Anzeigen der Batteriespannung.
Anzeigegeräte für die Anzeige von Batteriespannungen bei Zeitmessgeräten sind schon seit längerem bekannt. Eine dau ernde Anzeige der Batteriespannung und somit der Lebens dauer der Batterie verbietet sich jedoch wegen des zu grossen Stromverbrauchs. Bekanntlich haben die Zeitmessgeräte, ins besondere Armbanduhren, nur Batterien mit sehr kleiner Ka pazität zur Verfügung. Daher wurden Schaltungsanordnungen für Batteriespannungsdetektoren vorgeschlagen, mit deren Hilfe die Anzeige der Lebensdauer der Batterie nur kurz zeitig durchgeführt wird. Dies erfolgt entweder durch den mechanischen Antrieb bei einer Uhr (CH-AS 18027/68 und US-PS 3 665 703) oder durch die elektronische Steuerung der Uhr (FR-PS 72 29569).
Diesen Anzeige geräten für die Lebensdauer der Batterie haftet der Nachteil an, dass sie umständlich, kompliziert und von Betriebsstörun gen nicht frei sind.
Die Erfindung hat die Aufgabe, diese Nachteile zu vermei den und darüber hinaus den Anzeigewert, bei welchem die Detektorschaltung für die Anzeige der Lebensdauer der Bat terie anspricht, veränderbar zu machen, wodurch die Anzeige für die Praxis verwendbar ist. Ferner löst die Erfindung die Aufgabe, den Zeitpunkt der Prüfung der Batteriespannung so mit dem Zeitbereich einer grösseren Stromentnahme aus der Batterie abzustimmen, dass die beiden Zeiten nicht zusammen fallen.
Die Erfindung ist gekennzeichnet durch: - eine erste Stufe mit einem FET MOS vom angereicherten Typ und einem Widerstand, wobei die Batteriespannung oder die durch einen weiteren Widerstand geteilte Span nung an der Steuerelektrode und an der Quelle des FET MOS in Vorwärtsrichtung angelegt ist und ein Belastungs widerstand mit der Senke des FET MOS verbunden ist; - eine zweite Stufe mit einem FET MOS-Inverter vom ange reicherten Typ, dessen Eingang mit der Senke des FET MOS und mit dem Belastungswiderstand der ersten Stufe verbunden ist, wobei die Spannungsquelle der Batteriespan- nungsdetektorschaltung die Batterie ist, deren Spannung angezeigt wird.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen: Fig. 1 eine Grundschaltung eines Batteriespannungsdetek tors, Fig. 2 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Ein gangsspannung E, und der Ausgangsspannung EZ in Fig. 1 veranschaulicht, Fig. 3 eine Grundschaltung eines erfindungsgemässen Bat teriespannungsdetektors, Fig. 4 ein Diagramm, das ein Beispiel einer Belastungs- charakteristik des p-MOS-Transistors der Fig. 3 zeigt, Fig. 5 ein Diagramm, das die Charakteristik der Speise spannung E und der Anodenspannung VD in der Schaltung der Fig. 3 mit dem Belastungswiderstand als Parameter ver anschaulicht, Fig. 6 ein Beispiel einer erfindungsgemässen Schaltung, Fig.
7 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungs- gemässen Schaltung, Fig. 8 eine weitere Grundschaltung eines erfindungsgemäs- sen Batteriespannungsdetektors ähnlich dem von Fig. 3, Fig. 9 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Speisespannung E, und den Ausgangsspannungen E2 und E3 der in Fig. 8 veranschaulichten Detektorschaltung zeigt, Fig. 10 ein Schaltschema einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, Fig. 11 ein Ablaufdiagramm der in Fig. 10 gezeigten Schal tung.
Im folgenden wird zunächst der eingangs erwähnte Batte riespannungsdetektor, der die Schwellenspannung eines Feld effekttransistors verwendet, erläutert. In der Grundschaltung der Fig. 1 ist mit 1 eine als Energiequelle dienende Batterie bezeichnet, die jedoch zur bequemeren Erklärung als verän derbare Spannungsquelle dargestellt ist. 2 ist ein p-MOS-Tran- sistor vom Anreicherungstyp und 3 ein Belastungswiderstand. Das Diagramm der Fig. 2 veranschaulicht die Beziehung zwi schen der Eingangsspannung E, und der Ausgangsspannung E2 in Fig. 1.
Wie daraus klar hervorgeht, ist, wenn E, grösser ist als die Schwellenspannung VTH des p-MOS-Transistors 2, E2 gleich E,, weil der p-MOS-Transistor 2 im leitenden Zu stand ist; wenn E, kleiner wird und sich VTH nähert, fällt EZ steil ab, weil der p-MOS-Transistor 2 in den nichtleitenden Zustand überwechselt, und wenn E, gleich VTH oder kleiner ist, wird EZ ganz zu null, weil der p-MOS-Transistor 2 sich im nichtleitenden Zustand befindet.
Wie oben erwähnt, kann, wenn man die Schwellenspannung des Feldeffekttransistors zur Sollspannung macht, der Span nungsabfall durch den Umschaltvorgang festgestellt werden, der die Schwellenspannung des Feldeffekttransistors benützt. Es ist jedoch schwierig, die Schwellenspannung ganz genau zu kontrollieren, und falls man den Feldeffekttransistor zur Fest stellung der Batteriespannung innerhalb eines IC formt, der identisch mit anderen Schaltungen ist, ist es auch schwierig, die Schwellenspannung des Feldeffekttransistors für die Ermitt lung der Batteriespannung in eine andere zu verändern.
Da es also notwendig ist, den Feldeffekttransistor zur Feststellung der Batteriespannung unabhängig von dem IC einer anderen Schaltung zu machen und ausserdem die Schwellenspannung selektiv zu errichten, arbeitet eine solche Schaltung nicht effi zient, und ihr praktischer Gebrauch ist problematisch.
Die Erfindung sieht deshalb vor, den Anzeigewert des Spannungsabfalls, bei dem der Batteriespannungsdetektor an spricht, durch Verändern der auftretenden Schwellenspannung des Feldeffekttransistors zu steuern, beispielsweise u. a. da durch, dass der Belastungswiderstand des Feldeffekttransistors zur Feststellung der Batteriespannung geändert wird.
Die Erfindung wird nunmehr anhand der Zeichnungen ge nauer beschrieben. In der erfindungsgemässen Grundschaltung der Fig. 3 ist mit 1 eine als Energiequelle dienende Batterie bezeichnet, die jedoch zur Vereinfachung der Erklärung eine variable Spannungsquelle ist. 2 ist ein p-MOS-Transistor vom Anreicherungstyp. 4 ist ein Regelwiderstand. 5 ist ein Inver ter. Die variable Spannungsquelle 1 ist zur bequemeren Erläu terung herangezogen; in der Praxis steht an dieser Stelle die Batterie.
Fig. 4 zeigt ein Beispiel für die Belastungscharakteristik des p-MOS-Transistors 2 in Fig. 3 und dass sich die Detektor empfindlichkeit mit dem Belastungswiderstand ändert. In die sem Diagramm ist auf der Abszisse die Spannung VDS zwi schen Drain und Source sowie die Spannung E der Energie quelle aufgetragen. Die Ordinate zeigt den Drainstrom IE. A<B>,</B> bis A6 sind VDS-ID-Kurven für verschiedene Spannungen der Steuerelektrode.
Die Kurven B, bis B6 zeigen jeweils eine Lastlinie, die man erhält, wenn man es so einrichtet, dass die Drainspannung VD durch jede Speisespannung von 1,0 bis 1,5 V zu 0,7 V wird, damit der nachgeschaltete Inverter 5 durch jede Speisespannung von 1,0 bis 1,5 V umgeschaltet wird, wenn die Schwellenspannung der nächsten Inverterstufe 5 zu 0,7 V vorausgesetzt wird.
Es entsprechen einander jeweils A, und B,, A2 und Bz ---- A6 und B6. Um das Diagramm der Fig. 4 an einem Beispiel zu erklären, sei angenommen, dass die Drainspannung zu 0,7 V gemacht werden soll und der Inverter 5 umgeschaltet werden soll, wenn die Speisespannung auf 1,4 V abfällt. Dann erhält man den Belastungswiderstand aus einer geraden Linie, die den Punkt von 1,4 V auf der Abszisse mit demjenigen Punkt a auf der ID-VDs-Kurve A2 für VG = 1,4 V, nämlich der Lastlinie B2, verbindet, bei dem VDS gleich 0,7 V ist.
(Da die Steuerelektrodenspannung VG gleich der Speisespannung ist, ist zu beachten, dass sich erstere mit letz terer ändert.) Bei dem Belastungswiderstand RL2
EMI0002.0000
erhält man die Drainspannung, bei der die Speisespannung 1,5 V beträgt, aus dem Schnittpunkt ss der geraden Linie B'2, die parallel zu B2 verläuft und durch 1,5 V auf der Abszisse geht, mit der ID-VDS-Kurve A, für VG = 1,5 V; die Drain spannung VD ist dann der Wert, den man erhält, wenn man die Source-Spannung von 1,5 V abzieht, und beträgt in dem Beispiel des Diagramms 1,01 V.
Wenn man RL2 als Belastungswiderstand verwendet und die Speisespannung 1,5 V beträgt, ist also die Drainspannung VD 1,01 V, und der nachgeschaltete Inverter 5 ist niedrig ; wenn die Speisespannung auf 1,4 V sinkt, wird die Drainspan nung VD 0,7 V, und der nachgeschaltete Inverter 5 ist hoch . Es ist also möglich, den Anzeigewert der Batteriespannung auf 1,4 V einzustellen.
Davon wird im folgenden ausgegangen. Bei dem Belastungs widerstand RL3, den man aus der Lastlinie B3 erhält, ist die Drainspannung VD 1,25 V, wenn die Speisespannung E 1,5 V beträgt, und VD ist 0,7 V, wenn die Speisespannung E gleich 1,30 V ist. Bei dem Belastungswiderstand RL4 beträgt VD 1,38 V, wenn E 1,50 V ist, und 0,7 V, wenn E 1,20 V ist. Bei dem Belastungswiderstand RL5 ist VD 1,46 V, wenn E 1,50 V beträgt, und 0,7 V, wenn E 1,10 V beträgt. Bei dem Belastungs widerstand RL6 ist VD 1,49 V, wenn E 1,50 V beträgt, und 0,7 V, wenn E 1,00 V beträgt. Auf diese Weise ist es möglich, den Anzeigewert für die Feststellung des Batteriespannungs abfalls durch den Batteriespannungsdetektor mit Hilfe des Be lastungswiderstandes RL des Feldeffekttransistors zu steuern.
Fig. 5 zeigt ein Diagramm der Charakteristik der Speise spannung E und der Drainspannung VD unter Verwendung der obigen RL2 bis RL6 als Belastungswiderstand des p-MOS- Transistors in Fig. 3. Daraus geht klar hervor, dass die der Drainspannung 0,7 V entsprechende Speisespannung von dem Belastungswiderstand abhängt.
Neben dem oben geschilderten Verfahren, den Anzeigewert des Batteriespannungsdetektors für den Spannungsabfall durch den Belastungswiderstand des Feldeffekttransistors zu steuern, lassen sich auch noch die folgenden, in den Fig. 6 und 7 gezeig ten denken, bei denen etwas mehr Schaltelemente verwendet sind. In Fig. 6 ist 1 eine Batterie, 8 ein Regelwiderstand, 6 ein n-MOS-Transistor vom Anreicherungstyp, 7 ein Widerstand und 5 ein Inverter. In Fig. 7 sind folgende Schaltelemente ent halten: eine Batterie 1, eine wahlweise verwendete Diode 9, Widerstände 10 und 7, ein n-MOS-Transistor 6 vom Anreiche rungstyp und ein Inverter 5.
Dabei wird so vorgegangen, dass zur Steuerung des Anzeigewertes der Spannung des Batterie spannungsdetektors die durch den Widerstand oder durch die Diode und den Widerstand geteilte Batteriespannung zwischen Steuerelektrode und Source des Feldeffekttransistors gelegt wird und das Spannungsteilungsverhältnis verändert wird. In Fig. 8 ist ein weiteres Beispiel für eine Batteriespannungsde- tektorschaltung mit einer Einstellmöglichkeit für die Umschalt spannung gezeigt. Hierin ist 1 eine Speisespannungsquelle. 2 und 7 sind zwei p-MOS-Transistoren vom Anreicherungstyp.
4 ist ein Regelwiderstand. 6 ist ein Belastungswiderstand und 5 und 8 sind zwei n-MOS-Transistoren vom Anreicherungs typ.
In dem Diagramm der Fig. 9 ist die Beziehung zwischen der Speisespannung E, und den Ausgangsspannungen EZ und E3 für das Schaltungsbeispiel der Fig. 8 dargestellt. In diesem Diagramm ist E2A eine Ausgangsspannung E2, wenn der Wi- derstandswert des Regelwiderstandes 4 verhältnismässig gross ist. E2B und E3B sind Ausgangsspannungen E2 bzw. E3, wenn der Widerstandswert des Regelwiderstandes 4 verhältnismässig klein ist. Der Anzeigewert der Spannung kann also auf einfa che Weise durch Verändern des Regelwiderstandes gesteuert werden, wie oben bereits eingehend dargelegt wurde.
Wenn dieses Verfahren in der Praxis angewandt wird, tritt jedoch ein Problem auf, nämlich die Zunahme des Stromverbrauchs der Batteriespannungsdetektorschaltung, wenn der Belastungswi derstand verhältnismässig klein ist. Es ist möglich, dass der Be lastungswiderstand je nach der Schwellenspannung des Feld effekttransistors für die Ermittlung und den maximalen Drain strom einige 10 Kiloohm (kQ) wird. In diesem Fall liegt der Stromverbrauch weit über 10 Mikroampere (u A), was für die Praxis nicht brauchbar ist.
In Berücksichtigung dieser Tat sache wird gemäss einer weiteren Ausbildung der Erfindung die Batteriespannung nicht ständig ermittelt, sondern nur in bestimmten Prüfperioden und während einer Prüfzeitspanne. Dadurch kann der oben erwähnte Stromverbrauch der Batte- riespannungsdetektorschaltung weitgehend reduziert werden, und gleichzeitig ist es möglich, eine zeitliche Abstimmung zwi schen dem Prüfzeitpunkt für die Batteriespannung und der Zeit einer verhältnismässig grossen Stromzufuhr, etwa als Strom zum Antreiben eines Motors, zu treffen.
Im allgemeinen beträgt bei einer Quarzarmbanduhr die Standardbatteriespannung 1,59 V und der durchschnittliche Stromverbrauch liegt bei 10,u A. In diesem Fall dauert es etwa eine Woche beim Abfall der Batteriekapazität, bis die Batteriespannung von 1,45 V auf 1,35 V sinkt. Die Mindest spannung zum Betreiben der Quarzarmbanduhr liegt bei 1,35 V. Wenn also der Anzeigewert für den Abfall der Batteriespan nung auf 1,45 bis 1,50 V eingestellt ist, läuft die Quarzarm banduhr noch eine Woche, bis die Lebensdauer der Batterie beendet ist. Da die Batteriespannung so langsam absinkt, ist es nicht notwendig, die Batteriespannung ständig festzustellen. Die Überprüfung der Batteriespannung kann z. B. einmal am Tag vorgenommen werden und das Resultat kann dann ge speichert werden.
Das Ziel lässt sich erreichen, indem ange zeigt wird, ob die Batteriekapazität konstant bleibt oder nicht. Ausserdem erzielt man Vorteile, wie eine starke Abnahme des Stromverbrauchs der Detektorschaltung. Um ein Zahlenbei spiel zu nennen: Wenn die Batteriespannung einmal in der Sekunde während einer Prüfdauer von 1 Millisekunde (ms) festgestellt wird, beträgt der mittlere Stromverbrauch der De tektorschaltung nur 91000 im Vergleich zu dem Fall, dass die Batteriespannung ständig ermittelt wird, nämlich 0,1 y A und weniger, was gegen den gesamten Stromverbrauch vernachläs sigt werden kann.
Diese Weiterbildung der Erfindung wird nun anhand eines Ausführungsbeispiels beschrieben.
In Fig. 10 ist ein Schaltbild einer Quarzarmbanduhr mit der erfindungsgemässen Anzeige der Batterielebensdauer dar gestellt. Darin ist 2 ein p-MOS-Transistor vom Anreicherungs typ, 4 ein Belastungswiderstand, dessen Widerstandswert va riabel ist, 5 ein n-MOS-Transistor vom Anreicherungstyp, 6 ein Belastungswiederstand. 9-23 sind gegengesteuerte Kaska- den-Flipflops (nachstehend mit FF abgekürzt). 24 und 26 sind NAND-Gatter; 27 und 28 sind NOR-Gatter; 29 ist ein EX- OR-Gatter. 30-37 sind Inverter. 38 ist ein Quarzkristalloszil lator. 39 ist eine Motorspule und 40 ist ein Rückstellschalter. Die D-Anschlüsse sind mit QS verbunden, soweit nichts ande res angegeben.
FF9-19 bilden eine Teilerschaltung, die die Signale des Quarzkristalloszillators teilt. FF20 und die NAND- Schaltung 24 bilden einen Steuerkreis für eine Batteriespan- nungsdetektorschaltung. Der p-MOS-Transistor 2, der n-MOS- Transistor 5, die Belastungswiderstände 4 und 6 und der Inver- ter 32 bilden eine Batteriespannungsdetektorschaltung. FF21 stellt eine Speicherschaltung für die Daten der Batteriespan- nungsdetektorschaltung dar.
FF22, die NAND-Schaltungen 25 und 26 und das EX-OR-Gatter 29 bilden eine Steuerschaltung für die Anzeige der Batterielebensdauer. FF23, die Inverter 34 und 35 und die NOR-Gatter 27 und 28 stellen eine Schal tung zur Bildung von Antriebssignalen dar. Die Inverter 36 und 37 bilden eine Antriebsschaltung, die eine Motorspule 39 mit einem verhältnismässig hohen Strom versorgt.
Die Schaltanordnung funktioniert folgendermassen: Die NAND-Schaltung 24 ist nur einmal in zwei Sekunden 7,8 ms lang niedrig, die übrige Zeit hoch. Demgemäss kann der p- MOS-Transistor 2 der Batteriespannungsdetektorschaltung auch nur während dieser kurzen Zeitspanne leitend sein und nur bei einer entsprechenden Batteriespannung. Das heisst, wenn die Batteriespannung höher ist als der eingestellte An zeigewert der Batteriespannungsdetektorschaltung, ist der p- MOS-Transistor 2 während 7,8 ms im leitenden Zustand, und der Ausgang des Inverters 32 ist für diese Zeitspanne hoch.
Wenn dagegen die Batteriespannung niedriger ist als der ein gestellte Anzeigewert, kann der p-MOS-Transistor 2 nichtlei tend sein, auch wenn die Steuerspannung niedrig ist, und dem- gemäss bleibt der Ausgang des Inverters 32 niedrig.
Da, wie oben erwähnt, die Prüfung der Batteriespannung durch die Detektorschaltung im Abstand von 2 Sekunden und während einer Prüfdauer von 7,8 ms stattfindet, sind der p- MOS-Transistor 2 und der n-MOS-Transistor 5 meistens nicht leitend, so dass der Stromverbrauch wesentlich herabgesetzt wird. FF21 ist ein Speicherkreis für ein Prüfsignal der Batte- riespannungsdetektorschaltung, der das Prüfsignal nur für die Zeitspanne einschreibt, in der die Batteriespannung von der Batteriespannungsdetektorschaltung festgestellt wird.
Gemäss einem Signal von dem Speicherkreis wird die Treibschaltung von der Steuerschaltung für die Anzeige der Batterielebens dauer derart gesteuert, dass der Sekundenzeiger jede Sekunde weiterrückt, wenn die Batteriespannung höher ist als der An zeigewert, nämlich wenn 0M2, niedrig ist, und der Sekunden zeiger einmal in zwei Sekunden um zwei Schritte weiterrückt, um die zu Ende gehende Batterielebensdauer anzuzeigen, wenn die Batteriespannung niedriger ist als der Anzeigewert, d. h. 0M2, hoch ist.
Fig. 11 zeigt ein Ablaufdiagramm der oben geschilderten Funktion für die in Fig. 10 gezeigte Schaltung. Darin ist OS19 ein Slave-Signal des Flipflops 19. QM19 ist ein Master-Signal des Flipflops 19. S24 ist ein Ausgangssignal der NAND-Schal- tung 24. S32 ist ein Ausgangssignal des Inverters 32. S26 ist ein Ausgangssignal der NAND-Schaltung 26. 0M23 ist ein Mastersignal des Flipflops 23. S36 und S3, sind Ausgangssignale der Inverter 36 und 37. In dem Beispiel der Fig. 10 wird die Batteriespannung mit dem erfindungsgemässen Ermittlungs verfahren festgestellt, und die Lebensdauer der Batterie wird durch eine Änderung des Laufs des Sekundenzeigers sichtbar gemacht. Daher wird für die Anzeige der Batterielebensdauer nur ein geringer Strom benötigt.
Im vorliegenden Beispiel ist der Zeitpunkt der Prüfzeit für die Batteriespannung gegenüber dem Zeitpunkt der Zuführung von Antriebsstrom verschoben. Die zeitliche Abstimmung zwi schen den beiden Zeiten kann ohne weiteres hinsichtlich der Batteriecharakteristik, den Stromspitzen, den speziellen Daten usw. passend gemacht werden.
Wie oben erwähnt, ist es nach der Lehre der Erfindung möglich, die auftretende Schwellenspannung des Feldeffekt transistors zu ändern, so dass der Feldeffekttransistor für den Batteriespannungsdetektor in einem IC-Chip geformt werden kann, das identisch mit anderen Schaltungen ist. Ferner kann die Lebensdauer der Batterie auf einfache Weise sichtbar ge macht werden, indem man eine Darstellungsmethode, etwa die Darstellung der Aufleuchtzeit in einer Flüssigkristalluhr, unter Ausnützung des Signals des Batteriespannungsdetektors an wendet. Was den Anzeigewert des Batteriespannungsdetektors anbelangt, so muss die notwendige Menge an nutzbarer Batterie kapazität berechnet werden, die bis zu und nach der Ablese zeit für die gewünschte Betriebszeit übrig bleibt, und auch der Stromverbrauch der Uhr, und dann muss der.
Anzeigewert des Batteriespannungsdetektors durch Betätigung des Widerstan des auf die Batteriespannung entsprechend der Batteriekapazi tät eingestellt werden.
Vorstehend ist die Erfindung anhand eines Beispiels erläu tert worden. Als Mittel zur Einstellung des Widerstandswertes kommt beispielsweise neben dem oben erwähnten variablen Widerstand ein automatisches Trimmen eines Dickschichtwi derstandes oder eines Festkörperwiderstandselementes in Be tracht. Die Erfindung beschränkt sich nicht auf ein spezielles Mittel zum Verändern des Widerstandes.
Wenn der Wider standswert klein und der Stromverbrauch des Batteriespan nungsdetektors wegen einer weitgehenden Steuerung des An zeigewertes der Spannung hoch wird, kann der Stromverbrauch ohne weiteres reduziert werden, indem man die Ableseperiode und die Messzeit richtig einstellt, so dass kein Widerstandswert ein Hindernis für den praktischen Gebrauch der erfindungs- gemässen elektronischen Uhr darstellt.
Wie oben genau geschildert, kann nach der Lehre der Er findung der Anzeigewert des Spannungsabfalls auf einfache Weise und in einem weiten Bereich verändert werden. Somit trägt die Erfindung wesentlich dazu bei, die elektronische Uhr mit einer Anzeige der Batterielebensdauer für den praktischen Gebrauch zu schaffen. Ausserdem kann in einer Weiterbildung der Erfindung der Stromverbrauch der Batteriespannungsde- tektorschaltung weitgehend herabgesetzt werden, ohne dass dadurch die Leistung schlechter wird.
Da die zeitliche Abstim mung zwischen dem Zeitpunkt der Prüfung der Batteriespan nung und der Zeit, in der ein verhältnismässig hoher Strom fliesst, beispielsweise der Strom zum Antreiben des Motors, gesteuert werden kann, trägt die Erfindung wesentlich dazu bei, Quarzuhren mit einer Anzeige der Batterielebensdauer prak tisch in Gebrauch nehmen zu können.