CH527498A - Verfahren zum selektiven elektrolytischen Abätzen eines Abschnittes eines Siliziumhalbleiterkörpers - Google Patents

Verfahren zum selektiven elektrolytischen Abätzen eines Abschnittes eines Siliziumhalbleiterkörpers

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CH527498A
CH527498A CH1867670A CH1867670A CH527498A CH 527498 A CH527498 A CH 527498A CH 1867670 A CH1867670 A CH 1867670A CH 1867670 A CH1867670 A CH 1867670A CH 527498 A CH527498 A CH 527498A
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CH1867670A 1969-12-16 1970-12-16 Verfahren zum selektiven elektrolytischen Abätzen eines Abschnittes eines Siliziumhalbleiterkörpers CH527498A (de)

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6027179B2 (ja) * 1975-11-05 1985-06-27 日本電気株式会社 多孔質シリコンの形成方法
US4597003A (en) * 1983-12-01 1986-06-24 Harry E. Aine Chemical etching of a semiconductive wafer by undercutting an etch stopped layer
US4783237A (en) * 1983-12-01 1988-11-08 Harry E. Aine Solid state transducer and method of making same
US4682776A (en) * 1985-11-06 1987-07-28 William Mitchell User worn arm bend control device
US4692066A (en) * 1986-03-18 1987-09-08 Clear Kenneth C Cathodic protection of reinforced concrete in contact with conductive liquid
US5576249A (en) * 1987-08-05 1996-11-19 Hughes Aircraft Company Electrochemically etched multilayer semiconductor structures
DE3805752A1 (de) * 1988-02-24 1989-08-31 Fraunhofer Ges Forschung Anisotropes aetzverfahren mit elektrochemischem aetzstop
US4822755A (en) * 1988-04-25 1989-04-18 Xerox Corporation Method of fabricating large area semiconductor arrays
DE4036895A1 (de) * 1990-11-20 1992-05-21 Messerschmitt Boelkow Blohm Elektrochemisches verfahren zum anisotropen aetzen von silizium
US5129982A (en) * 1991-03-15 1992-07-14 General Motors Corporation Selective electrochemical etching
GB201217525D0 (en) 2012-10-01 2012-11-14 Isis Innovation Composition for hydrogen generation

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1044289B (de) * 1956-07-16 1958-11-20 Telefunken Gmbh Verfahren zur Herstellung einer duennen Halbleiterschicht, z. B. aus Germanium, durchelektrolytische Abaetzung der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers, insbesondere fuer die Herstellung von Transistoren
NL122951C (nl) * 1961-08-28 1968-01-15 Philips Nv Lagen-transistor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan

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Publication number Publication date
FR2070873B1 (de) 1974-04-26
IL35826A0 (en) 1971-02-25
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DE2061061B2 (de) 1972-11-30
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ES387267A1 (es) 1973-05-01
DE2061061A1 (de) 1971-07-08
SE369801B (de) 1974-09-16
IL35826A (en) 1973-11-28
NL143733B (nl) 1974-10-15
IE34802B1 (en) 1975-08-20
GB1318770A (en) 1973-05-31
US3689389A (en) 1972-09-05
JPS4911793B1 (de) 1974-03-19
IE34802L (en) 1971-06-16

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