CH538687A - Verfahren und Einrichtung zur Untersuchung der Störstellenkonzentration von Halbleitern - Google Patents

Verfahren und Einrichtung zur Untersuchung der Störstellenkonzentration von Halbleitern

Info

Publication number
CH538687A
CH538687A CH1694671A CH1694671A CH538687A CH 538687 A CH538687 A CH 538687A CH 1694671 A CH1694671 A CH 1694671A CH 1694671 A CH1694671 A CH 1694671A CH 538687 A CH538687 A CH 538687A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
investigating
semiconductors
impurities
concentration
Prior art date
Application number
CH1694671A
Other languages
English (en)
Inventor
Roland Dr Sittig
Wolfgang Dr Zimmermann
Original Assignee
Bbc Brown Boveri & Cie
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bbc Brown Boveri & Cie filed Critical Bbc Brown Boveri & Cie
Priority to CH1694671A priority Critical patent/CH538687A/de
Priority to DE2161712A priority patent/DE2161712A1/de
Priority to US00306445A priority patent/US3850508A/en
Publication of CH538687A publication Critical patent/CH538687A/de

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/1717—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated with a modulation of one or more physical properties of the sample during the optical investigation, e.g. electro-reflectance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/265—Contactless testing
    • G01R31/2656—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
CH1694671A 1971-11-23 1971-11-23 Verfahren und Einrichtung zur Untersuchung der Störstellenkonzentration von Halbleitern CH538687A (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH1694671A CH538687A (de) 1971-11-23 1971-11-23 Verfahren und Einrichtung zur Untersuchung der Störstellenkonzentration von Halbleitern
DE2161712A DE2161712A1 (de) 1971-11-23 1971-12-13 Verfahren und einrichtung zur untersuchung der stoerstellenkonzentration von halbleitern
US00306445A US3850508A (en) 1971-11-23 1972-11-14 Method and apparatus for testing the doping concentration of semiconductors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH1694671A CH538687A (de) 1971-11-23 1971-11-23 Verfahren und Einrichtung zur Untersuchung der Störstellenkonzentration von Halbleitern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH538687A true CH538687A (de) 1973-06-30

Family

ID=4421578

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH1694671A CH538687A (de) 1971-11-23 1971-11-23 Verfahren und Einrichtung zur Untersuchung der Störstellenkonzentration von Halbleitern

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3850508A (de)
CH (1) CH538687A (de)
DE (1) DE2161712A1 (de)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4142802A (en) * 1977-11-30 1979-03-06 Yeshiva University Method and apparatus for measuring variations in composition in binary and ternary semiconductors utilizing electrolyte electroreflectance
IT1232420B (it) * 1989-07-26 1992-02-17 Cselt Centro Studi Lab Telecom Perfezionamenti ai sistemi di spettroscopia mediante elettroriflettan za
JPH07105424B2 (ja) * 1991-07-23 1995-11-13 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの表面の結合状態及び不純物の評価方法
US5661408A (en) 1995-03-01 1997-08-26 Qc Solutions, Inc. Real-time in-line testing of semiconductor wafers
US6325078B2 (en) * 1998-01-07 2001-12-04 Qc Solutions, Inc., Apparatus and method for rapid photo-thermal surface treatment
KR100382817B1 (ko) * 1999-01-20 2003-05-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 생체감지패턴 및 이를 이용한 박막트랜지스터형 광센서
US6572974B1 (en) * 1999-12-06 2003-06-03 The Regents Of The University Of Michigan Modification of infrared reflectivity using silicon dioxide thin films derived from silsesquioxane resins
RU2000124129A (ru) * 2000-09-20 2002-09-10 Карл Цайсс (De) Оптический элемент и способ восстановления субстрата
US6326220B1 (en) * 2000-11-11 2001-12-04 Macronix International Co., Ltd. Method for determining near-surface doping concentration
US6911350B2 (en) * 2003-03-28 2005-06-28 Qc Solutions, Inc. Real-time in-line testing of semiconductor wafers
US7160742B2 (en) 2003-07-21 2007-01-09 Qc Solutions, Inc. Methods for integrated implant monitoring
US7119569B2 (en) * 2004-03-05 2006-10-10 Qc Solutions, Inc. Real-time in-line testing of semiconductor wafers
EP3132467A4 (de) 2014-04-17 2017-11-01 Femtometrix, Inc. Wafermetrologietechnologien
WO2016077617A1 (en) 2014-11-12 2016-05-19 Femtometrix, Inc. Systems for parsing material properties from within shg signals
WO2017041049A1 (en) 2015-09-03 2017-03-09 California Institute Of Technology Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics
JP7447016B2 (ja) 2018-04-27 2024-03-11 フェムトメトリクス， インク． 半導体装置の特性決定のためのシステムおよび方法
EP3794335B1 (de) 2018-05-15 2025-02-19 Femtometrix, Inc. Entwürfe eines optischen frequenzverdopplungsinspektionssystems

Also Published As

Publication number Publication date
US3850508A (en) 1974-11-26
DE2161712A1 (de) 1973-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AT307762B (de) Verfahren und Einrichtung zur Entfernungsmessung
CH538687A (de) Verfahren und Einrichtung zur Untersuchung der Störstellenkonzentration von Halbleitern
CH535593A (de) Verfahren und Vorrichtung zum Vermischen von Gasen und Flüssigkeiten
CH544295A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Mengenmessung von Schüttgut
AT334252B (de) Vorrichtung zum hervorrufen von bewegungsbildern und verfahren zur herstellung
CH539950A (de) Verfahren und Einrichtung zum Gettern von Halbleitern
CH527564A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Waffelhülsen
CH535430A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Detektierung von staubförmigen Partikeln
CH498473A (de) Verfahren und Einrichtung zur Endkonzentrierung von radioaktiven Abwässern
CH526782A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Messung von Garnfehlern
AT322590B (de) Verfahren und vorrichtung zur reduktion von metallerzteilchen
CH511574A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Strumpfhosen
CH541002A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Vergleichmässigung von Faserbändern
AT324257B (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von reissverschlüssen
AT322319B (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von werkstücken
AT264160B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Durchlässigkeit von Feststoffproben
CH510492A (de) Verfahren und Einrichtung zur spanenden Feinbearbeitung von Kugeln
AT323069B (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von rechteckförmigen behältern
CH534107A (de) Verfahren und Einrichtung zur Nachentkeimung von Wasser
CH501426A (de) Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen technischen Bereitung von Lösungen
CH477691A (de) Verfahren und Einrichtung zur Feststellung von Fehlern in Flachmaterial
AT303073B (de) Verfahren und Vorrichtung zur Filtration von Suspensionen
CH526105A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Anregung von Spinresonanzen
CH492490A (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von geschweissten Dosenrümpfen
AT321244B (de) Verfahren und Vorrichtung zum Eindicken von Lösungen

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased